JP2008241974A5 - - Google Patents

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Claims (6)

  1. 画素領域の周辺に位置するダミー画素領域に、走査線と、該走査線と交差するデータ線
    とを備え、
    前記走査線及びデータ線とそれぞれ平面的に離間して設けられた第１の遮光膜と、
    少なくとも前記走査線と前記第１の遮光膜との間を覆うように設けられた第２の遮光膜
    とを有することを特徴とする電気光学装置。
  2. 前記走査線と隣り合う走査線と前記第１の遮光膜との間を覆うように設けられた第３の
    遮光膜とを有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
  3. 前記データ線に電気的に接続されたダミートランジスタを備え、
    前記ダミートランジスタの半導体層は、前記データ線の延在方向に延在すると共に、当
    該データ線と重なるように設けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学
    装置。
  4. 前記第１の遮光膜は、高融点金属材料からなり、前記第２及び第３の遮光膜は、前記第
    １の遮光膜よりも反射率の大きい金属材料からなることを特徴とする請求項２又は３に記
    載の電気光学装置。
  5. 前記第１の遮光膜は、前記走査線と同一材料からなり、前記第２及び第３の遮光膜は、
    前記ダミートランジスタに電気的に接続された蓄積容量の電極と同一材料からなることを
    特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
  6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする
    電子機器。
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