JP2009043373A - 半導体記憶装置及びワードデコーダ制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体記憶装置は、選択メインワード線を第1の電位に設定し、非選択メインワード線を第2の電位又は第3の電位の何れかに設定するメインワードデコーダと、所定の時間間隔でタイミングを指示する周期信号を生成する周期信号生成回路と、アクセス対象のメモリブロックを選択するブロック選択回路と、複数のメモリブロックを順番に1つずつ選択する順次選択回路を含み、ブロック選択回路により選択されたメモリブロックのメインワード線を第3の電位に設定し、メインワード線をアクセスの後に第3の電位に維持し、順次選択回路により選択されているメモリブロックのメインワード線を周期信号の指示するタイミングで第2の電位に設定するようメインワードデコーダを制御する。
【選択図】図7
Description
その後もメインワード線MWLの電位はVPPに維持される。しかしその後、順序選択信号により当該メモリブロックが選択され、リフレッシュタイミング信号REFのパルスが発生すると、そのメモリブロックの全てのメインワード線MWLはVIIに設定される。
(付記1)
メインワード線及びサブワード線を含む複数のメモリブロックと、
該メインワード線のうちの選択メインワード線を第1の電位に設定し、非選択メインワード線を第2の電位又は第3の電位の何れかに設定するメインワードデコーダと、
所定の時間間隔でタイミングを指示する周期信号を生成する周期信号生成回路と、
アクセス対象のメモリブロックを選択するブロック選択回路と、
該複数のメモリブロックを順番に1つずつ選択する順次選択回路と、
該ブロック選択回路により選択されたメモリブロックの該メインワード線のうち少なくとも非選択のものを該第3の電位に設定し、該選択されたメモリブロックの該メインワード線を該アクセスの後に該第3の電位に維持し、該順次選択回路により選択されているメモリブロックの該メインワード線を該周期信号の指示するタイミングで該第2の電位に設定するよう該メインワードデコーダを制御するワードデコーダ制御回路
を含むことを特徴とする半導体記憶装置。
(付記2)
該ワードデコーダ制御回路は、該順次選択回路により選択されているメモリブロックが該ブロック選択回路で選択中であれば、該順次選択回路により選択されているメモリブロックの該メインワード線を該周期信号の指示するタイミングで該第2の電位に設定することはせず、該順次選択回路により選択されているメモリブロックが該ブロック選択回路で選択中でなければ、該順次選択回路により選択されているメモリブロックの該メインワード線を該周期信号の指示するタイミングで該第2の電位に設定するよう構成されることを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置。
(付記3)
該周期信号が指示するタイミングの該所定の時間間隔は、1つのメモリブロックの全体をリフレッシュするに必要な時間よりも短いことを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置。
(付記4)
該周期信号は、リフレッシュを指示するリフレッシュタイミング信号であることを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置。
(付記5)
該周期信号は、リフレッシュを指示するリフレッシュタイミング信号に応じて生成した信号であることを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置。
(付記6)
該第2の電位は、該第1の電位と該第3の電位との間の電位であることを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置。
(付記7)
チャネルの第1端が該サブワード線に接続され、ゲート端が対応するメインワード線に接続されるトランジスタを含むサブワードデコーダを更に含み、該サブワードデコーダが選択されたときに該チャネルの第2端が該第3の電位に設定されることを特徴とする付記5記載の半導体記憶装置。
(付記8)
該順次選択回路は該周期信号が指示するタイミング毎に該順次選択回路が選択するメモリブロックを変えることを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置。
(付記9)
該順次選択回路は該周期信号に同期して動作するシフトレジスタを含むことを特徴とする付記8記載の半導体記憶装置。
(付記10)
該順次選択回路は、該ブロック選択回路のメモリブロック選択動作とは独立にメモリブロックを選択することを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置。
(付記11)
該順次選択回路は、初期状態において該複数のメモリブロックのうちの所定の1つを選択するように構成されることを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置。
(付記12)
該メインワードデコーダはメモリブロック毎の電位制御信号に応じて該メインワード線を該第2の電位又は該第3の電位の何れかにメモリブロック単位で設定するよう構成され、該ワードデコーダ制御回路は該複数のメモリブロックに一対一に対応して設けられたラッチを含み、該ラッチの記憶内容に応じて該電位制御信号を生成することを特徴とする付記1記載の半導体記憶装置。
(付記13)
該ラッチは該ブロック選択回路からの信号によりセットされ、該順次選択回路により選択されているときに該周期信号が供給されると該周期信号によりリセットされることを特徴とする付記12記載の半導体記憶装置。
(付記14)
メインワード線及びサブワード線を含む複数のメモリブロックと、該メインワード線のうちの選択メインワード線を第1の電位に設定し、非選択メインワード線を第2の電位又は第3の電位の何れかに設定するメインワードデコーダと、アクセス対象のメモリブロックを選択するブロック選択回路とを含む半導体記憶装置において、
所定の時間間隔でタイミングを指示する周期信号を生成し、
該複数のメモリブロックを順番に1つずつ選択する順次選択信号を生成し、
該ブロック選択回路により選択されたメモリブロックの該メインワード線のうち少なくとも非選択のものを該第3の電位に設定し、該選択されたメモリブロックの該メインワード線を該アクセスの後に該第3の電位に維持し、該順次選択信号により選択されているメモリブロックの該メインワード線を該周期信号の指示するタイミングで該第2の電位に設定するよう該メインワードデコーダを制御する
各段階を含むことを特徴とするワードデコーダ制御方法。
(付記15)
該メインワードデコーダを制御する段階は、該順次選択信号により選択されているメモリブロックが該ブロック選択回路で選択中であれば、該順次選択信号により選択されているメモリブロックの該メインワード線を該周期信号の指示するタイミングで該第2の電位に設定することはせず、該順次選択信号により選択されているメモリブロックが該ブロック選択回路で選択中でなければ、該順次選択信号により選択されているメモリブロックの該メインワード線を該周期信号の指示するタイミングで該第2の電位に設定することを特徴とする付記14記載のワードデコーダ制御方法。
(付記16)
該周期信号が指示するタイミングの該所定の時間間隔は、1つのメモリブロックの全体をリフレッシュするに必要な時間よりも短いことを特徴とする付記14記載のワードデコーダ制御方法。
(付記17)
該周期信号は、リフレッシュを指示するリフレッシュタイミング信号であることを特徴とする付記14記載のワードデコーダ制御方法。
(付記18)
該周期信号は、リフレッシュを指示するリフレッシュタイミング信号に応じて生成した信号であることを特徴とする付記14記載のワードデコーダ制御方法。
(付記19)
該第2の電位は、該第1の電位と該第3の電位との間の電位であることを特徴とする付記14記載のワードデコーダ制御方法。
20 サブワードデコーダ
30 半導体記憶装置
31 タイミングコントロールユニット
32A アドレスラッチ&バッファ
32B アドレスラッチ&バッファ
33 入出力バッファ
34 メモリセル配列
35 ローデコーダ
36 センスアンプ&スイッチ
37 コラムデコーダ
38 入力データラッチ&コントロールユニット
39 出力データコントロールユニット
40 パワーコントロールユニット
41 オシレータ
50−0乃至50−3 ワードデコーダ制御回路
51−0乃至51−3 順次選択回路
Claims (10)
- メインワード線及びサブワード線を含む複数のメモリブロックと、
該メインワード線のうちの選択メインワード線を第1の電位に設定し、非選択メインワード線を第2の電位又は第3の電位の何れかに設定するメインワードデコーダと、
所定の時間間隔でタイミングを指示する周期信号を生成する周期信号生成回路と、
アクセス対象のメモリブロックを選択するブロック選択回路と、
該複数のメモリブロックを順番に1つずつ選択する順次選択回路と、
該ブロック選択回路により選択されたメモリブロックの該メインワード線のうち少なくとも非選択のものを該第3の電位に設定し、該選択されたメモリブロックの該メインワード線を該アクセスの後に該第3の電位に維持し、該順次選択回路により選択されているメモリブロックの該メインワード線を該周期信号の指示するタイミングで該第2の電位に設定するよう該メインワードデコーダを制御するワードデコーダ制御回路
を含むことを特徴とする半導体記憶装置。 - 該ワードデコーダ制御回路は、該順次選択回路により選択されているメモリブロックが該ブロック選択回路で選択中であれば、該順次選択回路により選択されているメモリブロックの該メインワード線を該周期信号の指示するタイミングで該第2の電位に設定することはせず、該順次選択回路により選択されているメモリブロックが該ブロック選択回路で選択中でなければ、該順次選択回路により選択されているメモリブロックの該メインワード線を該周期信号の指示するタイミングで該第2の電位に設定するよう構成されることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 該周期信号が指示するタイミングの該所定の時間間隔は、1つのメモリブロックの全体をリフレッシュするに必要な時間よりも短いことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 該周期信号は、リフレッシュを指示するリフレッシュタイミング信号であることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 該順次選択回路は該周期信号が指示するタイミング毎に該順次選択回路が選択するメモリブロックを変えることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 該順次選択回路は、該ブロック選択回路のメモリブロック選択動作とは独立にメモリブロックを選択することを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 該メインワードデコーダはメモリブロック毎の電位制御信号に応じて該メインワード線を該第2の電位又は該第3の電位の何れかにメモリブロック単位で設定するよう構成され、該ワードデコーダ制御回路は該複数のメモリブロックに一対一に対応して設けられたラッチを含み、該ラッチの記憶内容に応じて該電位制御信号を生成することを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- メインワード線及びサブワード線を含む複数のメモリブロックと、該メインワード線のうちの選択メインワード線を第1の電位に設定し、非選択メインワード線を第2の電位又は第3の電位の何れかに設定するメインワードデコーダと、アクセス対象のメモリブロックを選択するブロック選択回路とを含む半導体記憶装置において、
所定の時間間隔でタイミングを指示する周期信号を生成し、
該複数のメモリブロックを順番に1つずつ選択する順次選択信号を生成し、
該ブロック選択回路により選択されたメモリブロックの該メインワード線のうち少なくとも非選択のものを該第3の電位に設定し、該選択されたメモリブロックの該メインワード線を該アクセスの後に該第3の電位に維持し、該順次選択信号により選択されているメモリブロックの該メインワード線を該周期信号の指示するタイミングで該第2の電位に設定するよう該メインワードデコーダを制御する
各段階を含むことを特徴とするワードデコーダ制御方法。 - 該メインワードデコーダを制御する段階は、該順次選択信号により選択されているメモリブロックが該ブロック選択回路で選択中であれば、該順次選択信号により選択されているメモリブロックの該メインワード線を該周期信号の指示するタイミングで該第2の電位に設定することはせず、該順次選択信号により選択されているメモリブロックが該ブロック選択回路で選択中でなければ、該順次選択信号により選択されているメモリブロックの該メインワード線を該周期信号の指示するタイミングで該第2の電位に設定することを特徴とする請求項8記載のワードデコーダ制御方法。
- 該周期信号が指示するタイミングの該所定の時間間隔は、1つのメモリブロックの全体をリフレッシュするに必要な時間よりも短いことを特徴とする請求項8記載のワードデコーダ制御方法。
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