JP2009032921A - 酸化膜電界効果トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
酸化膜電界効果トランジスタおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009032921A JP2009032921A JP2007195741A JP2007195741A JP2009032921A JP 2009032921 A JP2009032921 A JP 2009032921A JP 2007195741 A JP2007195741 A JP 2007195741A JP 2007195741 A JP2007195741 A JP 2007195741A JP 2009032921 A JP2009032921 A JP 2009032921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- region
- electrode
- concentration
- sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】MOSFET1は、n+SiC基板10と、n−SiC層20と、n−SiC層20の第2の主面20Bを含むように形成されたpウェル21と、pウェル21の内部に位置するチャネル領域29を挟んで互いに対向するように形成された一対のn+ソース領域22と、ゲート酸化膜30と、ゲート酸化膜30に接触するようにチャネル領域29上のゲート酸化膜30上に形成されたゲート電極40とを備えている。そして、n+ソース領域22は、pウェル21の中に配置される第1n+ソース領域221と、pウェル21の内部からpウェル21の外部にまで延在するように配置される第2n+ソース領域222とを含んでいる。
【選択図】図1
Description
S.M.Sze、"Physics of Semiconductor Devices"、John Wiley & Sons,Inc、1981年、p.489−490 四戸孝、「SiCパワーデバイス」、東芝レビュー、株式会社東芝、2004年、Vol.59、No.2、p49−53
図1は、本発明の一実施の形態である実施の形態1におけるDMOS構造を有するSiC系MOSFETを示す概略断面図である。図1を参照して、実施の形態1におけるDMOS構造を有するSiC系MOSFET(酸化膜電界効果トランジスタ)について説明する。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。図12は、本発明の一実施の形態である実施の形態2におけるDMOS構造を有するSiC系MOSFETを示す概略断面図である。
Claims (10)
- 第1導電型のSiC基板と、
前記SiC基板上に形成された前記第1導電型のSiC層と、
前記SiC層において、前記SiC基板側の主面である第1の主面とは反対側の主面である第2の主面を含むように形成された、前記第1導電型とは導電型の異なる第2導電型の第2導電型領域と、
前記第2導電型領域の内部に位置するチャネル領域を挟んで互いに対向するように、前記SiC層の前記第2の主面を含む領域に形成され、前記SiC層よりも高濃度の前記第1導電型の不純物を含む一対の高濃度第1導電型領域と、
前記第2の主面に接触するように前記SiC層上に形成され、絶縁体からなる絶縁層と、
前記絶縁層に接触するように前記チャネル領域上の前記絶縁層上に形成され、導電体からなる電極とを備え、
前記高濃度第1導電型領域は、
前記第2導電型領域の中に配置される第1の高濃度第1導電型領域と、
前記第2導電型領域の内部から前記第2導電型領域の外部にまで延在するように配置される第2の高濃度第1導電型領域とを含む、酸化膜電界効果トランジスタ。 - 前記電極は、高融点金属または高融点金属の珪化物からなっている、請求項1に記載の酸化膜電界効果トランジスタ。
- 前記電極は、
ポリシリコンからなるポリシリコン層と、
高融点金属または高融点金属の珪化物からなる高融点金属層とを有している、請求項1に記載の酸化膜電界効果トランジスタ。 - 前記一対の高濃度第1導電型領域は、前記第1導電型の不純物としてヒ素およびリンの少なくともいずれか一方を含んでいる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の酸化膜電界効果トランジスタ。
- 前記SiC層において、前記第2の主面を含むように、前記第2導電型領域とは離れて形成された前記第2導電型の他の第2導電型領域と、
前記他の第2導電型領域上の前記絶縁層上に接触して形成され、導電体からなる他の電極をさらに備え、
前記電極と前記他の電極とは、分離して配置されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の酸化膜電界効果トランジスタ。 - 前記他の電極は、高融点金属または高融点金属の珪化物からなっている、請求項5に記載の酸化膜電界効果トランジスタ。
- 前記他の電極は、
ポリシリコンからなるポリシリコン層と、
高融点金属または高融点金属の珪化物からなる高融点金属層とを有している、請求項5に記載の酸化膜電界効果トランジスタ。 - 第1導電型のSiC基板が準備される工程と、
前記SiC基板上に前記第1導電型のSiC層が形成される工程と、
前記SiC層において、前記SiC基板側の主面である第1の主面とは反対側の主面である第2の主面を含むように、前記第1導電型とは導電型の異なる第2導電型の第2導電型領域が形成される工程と、
前記第2の主面に接触するように、前記SiC層上に、絶縁体からなる絶縁層が形成される工程と、
前記絶縁層上に、導電体からなる電極が前記絶縁層に接触するように形成される工程と、
前記第2導電型領域の内部に位置するチャネル領域を挟んで互いに対向するように、前記SiC層の前記第2の主面を含む領域に、前記SiC層よりも高濃度の前記第1導電型の不純物を含む一対の高濃度第1導電型領域が形成される工程とを備え、
前記電極が形成される工程では、前記電極は、前記チャネル領域となるべき領域上に形成され、
前記高濃度第1導電型領域が形成される工程においては、
前記電極がマスクとして用いられることにより、前記第2導電型領域の中に配置される第1の高濃度第1導電型領域と、前記第2導電型領域の内部から前記第2導電型領域の外部にまで延在するように配置される第2の高濃度第1導電型領域とが形成される、酸化膜電界効果トランジスタの製造方法。 - 前記第2導電型領域が形成される工程よりも後であって、前記電極が形成される工程よりも前に、第1アニール温度に前記第2導電型領域が加熱される工程と、
前記高濃度第1導電型領域が形成される工程よりも後に、前記第1アニール温度および前記電極の融点よりも低い温度である第2アニール温度に高濃度第1導電型領域が加熱される工程とをさらに備えた、請求項8に記載の酸化膜電界効果トランジスタの製造方法。 - 前記一対の高濃度第1導電型領域が形成される工程では、前記第1導電型の不純物としてヒ素およびリンの少なくともいずれか一方を含む前記高濃度第1導電型領域が形成される、請求項8または9に記載の酸化膜電界効果トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007195741A JP5098489B2 (ja) | 2007-07-27 | 2007-07-27 | 酸化膜電界効果トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007195741A JP5098489B2 (ja) | 2007-07-27 | 2007-07-27 | 酸化膜電界効果トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009032921A true JP2009032921A (ja) | 2009-02-12 |
JP5098489B2 JP5098489B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=40403117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007195741A Expired - Fee Related JP5098489B2 (ja) | 2007-07-27 | 2007-07-27 | 酸化膜電界効果トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5098489B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010238738A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2010245389A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置 |
JP2015032614A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
WO2015029607A1 (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-05 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US9281365B2 (en) | 2013-09-03 | 2016-03-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2017041622A (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および製造方法 |
JP2020036045A (ja) * | 2019-11-29 | 2020-03-05 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02231771A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Nec Corp | 縦型電界効果トランジスタ |
JPH0799312A (ja) * | 1993-02-22 | 1995-04-11 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体装置とその製法 |
JP2001144292A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置 |
JP2003298052A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2003318397A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Nissan Motor Co Ltd | 電界効果トランジスタとその製造方法 |
JP2004071750A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置 |
JP2006303324A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008172007A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置とその製造方法。 |
-
2007
- 2007-07-27 JP JP2007195741A patent/JP5098489B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02231771A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Nec Corp | 縦型電界効果トランジスタ |
JPH0799312A (ja) * | 1993-02-22 | 1995-04-11 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体装置とその製法 |
JP2001144292A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置 |
JP2003298052A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2003318397A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Nissan Motor Co Ltd | 電界効果トランジスタとその製造方法 |
JP2004071750A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置 |
JP2006303324A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008172007A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置とその製造方法。 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010238738A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2010245389A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置 |
JP2015032614A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
WO2015029607A1 (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-05 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US9704957B2 (en) | 2013-08-28 | 2017-07-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same |
US9281365B2 (en) | 2013-09-03 | 2016-03-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2017041622A (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および製造方法 |
JP2020036045A (ja) * | 2019-11-29 | 2020-03-05 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5098489B2 (ja) | 2012-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5012286B2 (ja) | 酸化膜電界効果トランジスタ | |
JP5098489B2 (ja) | 酸化膜電界効果トランジスタの製造方法 | |
WO2011021413A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP5526291B1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
WO2014136478A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006066439A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP7054403B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN112262478A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
US9178055B2 (en) | Semiconductor device | |
US10439027B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same | |
WO2014083771A1 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP2006066438A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4948784B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006516176A (ja) | 水平拡散mosトランジスタ(ldmos)及びその製造方法 | |
JP2009194164A (ja) | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2012124536A (ja) | 酸化膜電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2006303272A (ja) | 半導体装置、及びその製造方法 | |
JP2009290140A (ja) | パワー半導体装置およびパワー半導体装置の製造方法 | |
JP2020035867A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP7106476B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5412730B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6163904B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2019165166A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
US12002892B2 (en) | Semiconductor device with embedded Schottky diode and manufacturing method thereof | |
CN112005349B (zh) | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111006 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120828 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120910 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5098489 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |