JP2006303324A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】N型SiC半導体基板20には、間隔を開けて複数のP型ウエル23が形成されている。P型ウエル23の内方の領域にはN+型ソース層26が形成されている。隣接するP型ウエル23に跨るように、半導体基板20上に、ゲート絶縁膜24を挟んで、ゲート電極25が形成されている。隣り合うP型ウエル23の間の領域には、第1N型不純物拡散層41が形成されている。ウエル23内にはN+型ソース層26と重なるように第2N型不純物拡散層42が形成されている。第1および第2N型不純物拡散層41,42は、共通のイオン注入マスクを用いて同時に形成され、自己整合的に配置されている。
【選択図】 図1
Description
P型ウエル3は、図7の図解的な平面図に示すように、たとえば、矩形に形成される。この矩形のP型ウエル3の内部に矩形のN+型ソース層6が形成されており、さらに、その内方に、P+型層7が形成されている。この場合、チャネル長Lは、P型ウエル3の縁部とN+型ソース層6の縁部との間の距離によって規定される。
この発明の第1の目的は、SiC半導体を用いつつ安定したデバイス特性を得ることができる構造の半導体装置およびその製造方法を提供することである。
また、この発明の第2の目的は、SiC半導体を用いながらオン抵抗を効果的に低減することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することである。
しかも、ウエルを取り囲む領域は、第1不純物拡散層によって低抵抗化されているので、複数のウエルを隣接配置する場合に、ウエル間のJFET抵抗が第1不純物拡散層によって低減される。そのため、複数のウエルを狭い間隔で近接配置することが可能となり、隣接するゲート電極間の間隔を短くして、微細構造化を図ることができる。このようにして、単位面積当たりのチャネル幅を増加することができ、かつ、JFET抵抗を低く抑えることができるので、オン抵抗を低減することができる。
請求項3記載の発明は、前記第1不純物拡散層および第2不純物拡散層は、一つのマスク(37)を用いたイオン注入によって同時に形成されたものであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置である。
請求項4記載の発明は、第1導電型のSiC半導体基板(20)に第2導電型の不純物を導入してウエル(23)を形成する工程と、前記SiC半導体基板において前記ウエルを取り囲む領域に、前記ウエルと一部重なるように前記第1導電型の不純物を導入して第1不純物拡散層(41)を形成する工程と、前記ウエル内において、前記不純物拡散層と所定の間隔を開けた領域に前記第1導電型の不純物を導入して第2不純物拡散層(42,26)を形成する工程と、前記第1および第2不純物拡散層間のチャネル領域(35)にゲート絶縁膜(24)を挟んでゲート電極(25)を対向配置する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。これにより、請求項1の構成の半導体装置が得られる。
図1は、この発明の第1の実施形態に係る個別半導体素子としてのパワーMOSFETの構成を示す図解的な断面図である。このパワーMOSFETは、N+型SiC基板21上にN型SiCエピタキシャル層22を成長させて作製したSiC半導体基板20を備えている。N型エピタキシャル層22の表層部には、複数のP型ウエル23が間隔を開けて形成されている。この実施形態では、個々のP型ウエル23は、図2の図解的な平面図に示すように、たとえば矩形(正方形を含む)に形成されていて、この矩形のP型ウエル23がSiC半導体基板20上にたとえば格子状に分散配列されて形成されている。
一方、P型ウエル23の内部には、第1N型不純物拡散層41の縁部に対向するように第2N型不純物拡散層42(図2においては2点鎖線で囲んだ斜線領域で示す。が形成されている。この第2N型不純物拡散層42は、この実施形態では、矩形リング状に形成されており、N+型ソース層26とほぼ重なり合うとともに、N+型ソース層26から外方にはみ出して、その縁部がP型ウエル23内に配置されている。
このような構成により、ゲート電極25に適切な電圧を印加すれば、P型ウエル23の表面においてゲート電極25に対向する部分に反転層(チャネル)が形成されることになる。この反転層を介して、第1および第2N型不純物拡散層41,42間が導通し、ドレイン領域として機能するN型SiC半導体基板20からソース電極31へと向かう電流が流れることになる。
図3A〜3Fは、前述のパワーMOSFETの製造工程を説明するための図解的な断面図である。まず、図3Aに示すように、N+型SiC基板21上にN型エピタキシャル層22が成長させられ、その後にイオン注入によりP型ウエル23が形成される。さらに、別のマスクを用いて、P型ウエル23のほぼ中央部にP型不純物をイオン注入することにより、P+型層27が形成される。
その後、図3Cに示すように、第1および第2N型不純物拡散層41,42に対応したパターンの開口を有するイオン注入マスク37を用いてN型不純物イオンを注入することによって、第1および第2N型不純物拡散層41,42が同時に形成される。
そして、図3Fに示すように、全面にソース電極31を構成する金属膜(たとえばAlからなるもの)が形成される。このソース電極31は、コンタクト孔30に入り込み、コンタクトメタル28に接合されることになる。
そして、第1および第2N型不純物拡散層41,42が、イオン注入マスク37を共通に用いたイオン注入によって自己整合的に形成されるので、これらの間の距離によって規定されるチャネル長Lは、SiC半導体基板20上の至るところで一定となる。これにより、安定なデバイス特性を得ることができ、製品毎の特性のばらつきを抑制することができる。
また、前述の実施形態では、N型SiC半導体基板20上にNチャンネル型のMOSFETを形成した例を示したが、P型SiC半導体基板を用い、各部の導電型を前述の各実施形態の場合とは反対にして、Pチャンネル型のMOSFETを構成してもよい。
21 N+型SiC基板
22 N型エピタキシャル層
23 P型ウエル
24 ゲート絶縁膜
25 ゲート電極
26 N+型ソース層
27 P+型層
28 コンタクトメタル
29 層間絶縁膜
30 コンタクト孔
31 ソース電極
32 ドレイン電極
35 チャネル領域
37 イオン注入マスク
41 第1N型不純物拡散層
42 第2N型不純物拡散層
Claims (5)
- 第1導電型のSiC半導体基板と、
このSiC半導体基板上に形成され、前記第1導電型とは異なる第2導電型のウエルと、
前記SiC半導体基板において前記ウエルを取り囲む領域に、前記ウエルと一部重なるように前記第1導電型の不純物を導入して形成された第1不純物拡散層と、
前記ウエル内において、前記不純物拡散層と所定の間隔を開けた領域に前記第1導電型の不純物を導入して形成された第2不純物拡散層と、
前記第1および第2不純物拡散層間のチャネル領域にゲート絶縁膜を挟んで対向配置されたゲート電極とを含むことを特徴とする半導体装置。 - 前記ウエル内において前記第2不純物拡散層と少なくとも一部重なる領域に形成され、前記第1導電型のソース拡散領域をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1不純物拡散層および第2不純物拡散層は、一つのマスクを用いたイオン注入によって同時に形成されたものであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 第1導電型のSiC半導体基板に第2導電型の不純物を導入してウエルを形成する工程と、
前記SiC半導体基板において前記ウエルを取り囲む領域に、前記ウエルと一部重なるように前記第1導電型の不純物を導入して第1不純物拡散層を形成する工程と、
前記ウエル内において、前記不純物拡散層と所定の間隔を開けた領域に前記第1導電型の不純物を導入して第2不純物拡散層を形成する工程と、
前記第1および第2不純物拡散層間のチャネル領域にゲート絶縁膜を挟んでゲート電極を対向配置する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1不純物拡散層および第2不純物拡散層を形成する工程が、これらに対応する開口部を有する共通のマスクを用いたイオン注入によって同時に行われることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
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