JP2009027153A - 耐折性に優れた配線基板および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁フィルムの少なくとも一方の面に配置された電解銅箔をエッチングして形成された配線パターン13を有し、配線パターンの上に配線パターンの端子部分が露出するように絶縁性樹脂被覆層17が形成されてなる配線基板10であり、(A)配線パターンを形成する銅粒子の平均結晶粒子径が0.65〜0.85μmの範囲内にあり、配線パターンのリードの長手方向に[100]配向している銅結晶粒子が10〜20容積%の範囲内の量で含有される;(B)絶縁フィルムが抗張力が450〜600MPaの範囲内にあり、ヤング率が8500〜9500MPaの範囲内にあるポリイミドフィルムから形成されている;(C)絶縁フィルムが、厚さ10〜30μmのポリイミドフィルムから形成されている;(D)配線パターン上に形成される絶縁性樹脂被覆層が、絶縁パターンの厚さに対して50〜150%の厚さを有する。
【選択図】図1
Description
た状態の銅箔の断面組織において、銅箔の両表面を板厚方向に貫通した結晶粒の断面面積率が40%以上であることを特徴とする耐屈曲性に優れた圧延銅箔。」を用いて製造された配線パターンが形成されたフレキシブルプリント配線板が耐屈折性が優れていることが開示されている。
この点、電解銅箔は圧延銅箔よりも安価であり、電子機器のコストダウンのためには電解銅箔を使用することが好ましい。
を用いて、接着剤を用いずにベースフィルムと積層した1層配線TCPの発明が開示されて
いる。
ターンのインナーリード部のピッチ幅が35μmよりも狭い配線パターンを形成した場合
には、配線パターンを形成する電解銅箔も薄くなるので、断線が発生しやすくなる。
、従来から知られている技術ではこれらの相対する要件を充足する配線基板を製造することはできなかった。
開示されており、この金属箔のシャイニー面から金属箔全体の厚みの1/2深さまでの断面領域におけるEBSD法に基づく結晶粒径(円相当として算定した直径に面積比を乗じた値の和)1.0μm以上の結晶粒子の割合が1〜60面積%であると記載されている。
この特許文献3に開示されている発明は、銅箔の表面に生ずる経時的な変化をEBSD法により短時間で測定して、迅速に銅箔の表面状態を測定して、最適な銅箔の選定を行うものである。従って、銅箔自体の結晶状態と耐折性との関連に関してはこの特許文献3には記載されていない。
成する銅粒子の平均結晶粒子径が0.65〜0.85μmの範囲内にあり、且つEBSPを用いて測定した該配線パターンのリードの長手方向に[100]配向している銅結晶粒子が10〜20容積%の範囲内の量で含有される;
(B) 上記絶縁フィルムが、抗張力が450〜600MPaの範囲内にあり、ヤング率が8500〜9500MPaの範囲内にあるポリイミドフィルムから形成されている。
いる。
(D) 上記配線パターン上に形成される絶縁性樹脂被覆層が、絶縁フィルムの厚さに
対して50〜150%の厚さを有する。
また、本発明は上記のような配線基板に半導体チップのような電子部品が実装されることを特等とする半導体装置である。
常に難しくなってきている。
図1は、本発明の配線基板の例を模式的に示す断面図である。
力側インナーリード15b、半導体チップ20に入力された信号を変換して出力する出力側イ
ンナーリード15c、この信号を外部の装置に伝達するための出力側アウターリード15dを有している。上記のような入力側アウターリード15a、入力側インナーリード15b、出力側インナーリード15c、出力側アウターリード15dは、半導体チップ20あるいは外部の部材との接続端子となるので、この部分は配線パターンが露出しているが、これ以外の部分では配線パターンを保護するために、配線パターンの上に樹脂被覆層17形成されている。このような樹脂被覆層17としては、ソルダーレジスト層、カバーレイなどがある。
0mmで、90〜180度折り曲げて使用される。図1には、折り曲げ部16に特別な部材は使用していないが、例えば折り曲げ部16の絶縁基板11にスリット(図示なし)などを形成して、この本発明の配線基板を折り曲げ易くすることもできるし、さらに、折り曲げ部16の部分のソルダーレジスト層を他の部分よりも高弾性の樹脂で形成してより折り曲げ易くすることもできる。
ターン13の特性を改善する。
すなわち、(A)本発明の配線基板10に形成される配線パターン13は、通常は電解銅箔
を用いて形成される。一般に使用される電解銅箔は、銅を含有する電解液中にチタンなどで形成されたドラムを浸漬して銅の結晶粒子を、このドラムの中心から見て放射方向に析出させるために、銅の結晶粒子は、得られる電解銅箔の長さ方向に対して垂直に成長しやすい。折り曲げ部において配線パターンにかかる応力は、配線パターン13の厚さ方向にかかるため、上記のような配線基板の長手方向に対して略直角に成長した銅の結晶粒子の集合である電解銅箔を使用した場合、このような厚さ方向にかかる応力によって、電解銅箔を形成している銅結晶粒子の粒界部分が破壊されて破断に至ることが多いので、従来から使用されている電解銅箔では、その結晶構造あるいは粒子形状に起因して耐折性はそれほど高くはできない。特に配線パターンのピッチ幅が狭くなり、充分な配線幅を確保できない昨今の配線基板においては、電解銅箔の構造上、耐折性の向上には限界がある。
0%以下、好ましくは0.01〜0.5%の範囲内と制限されている。以下に示す表1は、本発明の配線基板を形成するリード部分における銅粒子の直径と、粒子の個数の例を示した表である。
容積比率は、1%以下、多くの場合0.5%以下である。
に対して通常は20〜45個数%、好ましくは25〜40個数%であるが、粒子径が小さいので、配線パターンに占める容積比率は小さくなり、通常は10〜25容積%、好ましくは15〜22容積%の範囲内になる。
00]配向している銅結晶粒子が10〜20容積%、好ましくは15〜20容積%の範囲
内の量で含有される。この後方散乱電子線回折解析装置(EBSP)は、高傾斜した試料に電子線を照射して、後方散乱して形成されるチャネリングパターンをスクリーンに取り込んで、その照射点の結晶方向を測定する装置である。
0]配向した銅結晶粒子を配置することにより、配線パターンあるいはリードの厚さ方向
に整列しやすい銅結晶粒子の中に、これとは略直行する方向である配線パターンあるいはリードの長手方向に沿って銅結晶粒子が存在することになる。この[100]配向銅結晶粒子によって配線パターンあるいはリードの厚さ方向に整列した銅結晶粒子が、配線パターンあるいはリードの長手方向に接合される。
となる銅結晶粒子の粒界も少ない。
ンスルホン酸などの有機スルホン酸と、塩素イオンとを有する硫酸系銅電解液から銅を析出させることにより製造することができる。なお、この場合の環状構造を有する4級アンモニウム塩ポリマーの濃度は通常は1〜50ppmの範囲内にあり、有機スルホン酸の濃度
は通常は3〜50ppmの範囲内にあり、塩素濃度は通常は5〜50ppmの範囲内にある。また、この硫酸系銅電解液の銅濃度は通常は50〜120g/リットルの範囲内にあり、フリー硫酸濃度は、通常は60〜250g/リットルの範囲内にある。このような硫酸系銅電解液の液温を20〜60℃の範囲内、電流密度を通常は30〜90A/dm2の範囲内に設定し
て、銅を析出させることにより本発明で使用する電解銅箔を製造することができる。上記のような組成を有する硫酸系銅電解液を用いて上記のような条件で銅を析出させると粒子径が大きく、しかも長手方向に[100]配向した銅結晶粒子を所定の割合で含有する電解銅箔を製造することができる。
、銅の析出が終了する析出終了面(M面)とがあり、本発明ではいずれの面に対してもポ
リイミド層などの絶縁性基板を配置することができる。
膠、チオ尿素などを用いて、通常は、液温15〜40℃、電流密度10〜50A/dm2の条
件で電解銅箔のM面に銅の微細粒子を付着させる処理である。また、かぶせメッキ処理は、上記のようにして付着した銅の微細粒子を電解銅箔のM面に固定する処理であり、通常は銅濃度50〜80g/リットル程度、フリー硫酸濃度50〜150g/リットル程度の銅
メッキ液を用いて、液温40〜50℃、電流密度10〜50A/dm2の条件で銅の微細粒子
が付着した電解銅箔の析出面を銅メッキ層で覆う処理である。
力およびヤング率を特定の範囲にする。本発明の配線基板を構成する絶縁フィルムとしては、通常はポリイミドフィルムを使用する。
のポリイミドフィルムの厚さを10〜30μm、好ましくは22〜28μm、さらに好ましくは23〜26μmにすることにより、本発明の配線基板の耐折性が向上する。すなわち
、一般に可撓性を有する配線基板では、通常は30μm以上の厚さを有するポリイミドフ
ィルムを絶縁フィルムとして使用しているが、本発明ではこのように通常絶縁フィルムとして使用されているポリイミドよりもさらに薄いポリイミドフィルムを使用することにより、ポリイミドフィルムを曲げることによりポリイミドフィルム自体から生ずる応力が小
さくなり、結果として本発明の配線基板は高い耐折性を有するようになる。
にエッチングすることにより形成された配線パターンを覆うように形成される絶縁性樹脂被覆層17(=ソルダーレジスト層またはカバーレイ)の厚さを、通常の場合よりも厚く形成することにより、折り曲げ部16における配線パターンの破断を防止することができる。
組み合わせて実施することができる。たとえば、(A)と(B)との組み合わせ、(A)と
(C)との組み合わせ、(A)と(D)との組み合わせ、(A)と(B)と(C)との組み合わせ、(A)と(B)と(D)との組み合わせ、(A)と(C)と(D)との組み合わせなどのほかに任意の3種類以上の組み合わせが好ましく、さらに(A)、(B)、(C)、(D)のすべてを
組み合わせることによって、折り曲げ部16において配線パターンの破断が極めて発生しにくい配線基板を形成することもできる。
ト部18:屈曲半径0.8mm、屈曲角度±135度、屈曲速度175rpm、荷重100gf/10mm)により求めた耐折性試験結果によれば、本願発明の構成を採用しない配線間においては、MITによる耐折性試験により破断に至る回数が100回に満たないものが大半である
のに対して、本願発明によれば、耐折回数が通常の場合120回を超えるのが一般的であり、多くの場合130回以上である。MIT試験の結果が120回を超える、好ましくは
130回を超える配線基板を使用すると、半導体チップを搭載して実際に電子装置に折り曲げて組み込んで長期間の使用をしても配線パターン13における小さい繰り返し応力のかかる配線に破断が生じない。
このようにして形成された配線パターンの表面に端子部分が露出するように樹脂被覆層を形成する。ソルダーレジストを塗布する場合の温度は通常は100〜180℃であり、この温度で30〜300分間処理される。その後、端子部にメッキ後、通常は80〜200℃で20〜180分間処理される。
このような配線基板を用いて、半導体チップをボンディング後、樹脂封止することにより耐折性に優れた配線パターンを有する半導体装置が得られる。このような半導体装置は例えば液晶パネル基板に折り曲げて接続される。
〔実施例1〕
まず、銅濃度80g/リットル、フリー硫酸濃度140g/リットル、1,3-メルカプト-1-プロパンスルホン酸濃度4ppm、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド(センカ(株)製、商品名:ユニセンスFPA100L)3ppm、塩素濃度10ppmの硫酸系銅電解液を用い
て、液温50℃、電流密度60A/dm2の条件でドラム状の電極に厚さ12μmの厚さで
銅を析出させることにより電解銅箔を製造した。この電解銅箔のM面にやけメッキ処理、
かぶせメッキ処理からなる粗化処理を行って、M面の表面粗度(Rz)を1.5μmに調節
した。
さ38μmのポリイミドフィルムに、厚さ15μmの電解銅箔が積層された基材フィルムを製造した。
解銅箔層の表面に感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層を露光・現像することにより、パターンを形成した。
μmの配線パターンを形成した。
線基板を得た。
あり、粒子径1μm未満の粒子の占める容積含有率は23%であり、長さ方向に測定した
ときの銅結晶粒子の[100]配向している銅結晶粒子が16容積%である。なお、形成した配線パターンには、基材フィルムの長手方向に平行な多数の配線が形成されており、上記EBSPにより銅結晶粒子の[100]配向方向と一致する。
装置を用いて、屈曲半径0.8mm、屈曲角度±135度、屈曲速度175rpm、荷重10
0gf/10mmの条件で耐折性試験を行った結果、この配線基板の耐折性は130回であった
。
〔比較例1〕
実施例1において、基材フィルムを形成する電解銅箔として、市販の厚さ12μmの電
解銅箔(三井金属鉱業(株)製、VLP箔)を使用した以外は実施例1と同様にして基材フ
ィルムを製造し、この基材フィルムを用いて同様にして配線基板を製造した。
上記実施例1と比較例1との対比から、実施例1で使用した所定量の銅結晶粒子が[1
00]配向した電解銅箔を使用することにより、得られた配線基板の耐折性が大幅に改善
され、
絶縁層を、抗張力が450〜600MPaの範囲内、ヤング率が8500〜9500MPaの範囲内のポリイミドフィルムを使用して形成することにより、得られた配線基板の耐折性が高くなる。
いた以外は実施例1と同様にして配線基板を製造した。ここで使用したポリイミドフィルムは、ポリイミドを形成するテトラカルボン酸二無水物成分としてピロメリット酸二無水物を使用して得られたものである。
〔実施例2,3〕
以下に記載する表3に示すようにして本発明の配線基板を製造した。なお、実施例2と実施例3は実施例1と同じ電解銅箔を使用している。
11・・・絶縁性基板
13・・・配線パターン
15a・・・入力側アウターリード
15b・・・入力側インナーリード
15c・・・出力側インナーリード
15d・・・出力側アウターリード
16・・・折り曲げ部
17・・・絶縁性樹脂被覆層(=ソルダーレジスト層、カバーレイ)
18・・・ソルダーレジスト部(折り曲げ部16)
20・・・半導体チップ
Claims (7)
- 絶縁フィルムの少なくとも一方の面に配置された電解銅箔を選択的にエッチングして形成された銅を含有する配線パターンを有し、該配線パターンの上に配線パターンの端子部分が露出するように絶縁性樹脂被覆層が形成されてなる配線基板であり、該配線基板が下記の(A)の条件を満足するとともに、(B)、(C)および(D)よりなる群から選ばれる少なくとも一種の構成を有することを特徴とする耐折性に優れた配線基板;
(A) 後方散乱電子線回折解析装置(EBSP)を用いて測定した、上記配線パターンを形
成する銅粒子の平均結晶粒子径が0.65〜0.85μmの範囲内にあり、且つEBSPを用いて測定した該配線パターンのリードの長手方向に[100]配向している銅結晶粒子が10〜20容積%の範囲内の量で含有される;
(B) 上記絶縁フィルムが、抗張力が450〜600MPaの範囲内にあり、ヤング率が8500〜9500MPaの範囲内にあるポリイミドフィルムから形成されている;
(C) 上記絶縁フィルムが、厚さ10〜30μmのポリイミドフィルムから形成されて
いる;
(D) 上記配線パターン上に形成される絶縁性樹脂被覆層が、絶縁パターンの厚さに
対して50〜150%の厚さを有する。 - 上記配線基板は、0.1〜5.0mmの曲率半径で、90〜180度折り曲げて使用するものであることを特徴とする請求項第1項記載の配線基板。
- 上記配線基板を構成する配線パターンに含まれる銅結晶粒子のうち、95個数%以上が3μm以下の粒子径を有することを特徴とする請求項第1項記載の配線基板。
- 上記絶縁フィルムが、テトラカルボン酸二無水物成分としてビフェニルテトラカルボン酸二無水物を用いて形成されたポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項第1項記載の配線基板。
- 上記(D)配線パターンの上に形成される絶縁性樹脂被覆層が、配線パターンの厚さに
対して、101〜150%の厚さを有することを特徴とする請求項第1項記載の配線基板。 - 上記配線パターンのインナーリード部のピッチ幅が35μm以下であることを特徴とす
る請求項第1項記載の配線基板。 - 上記請求項第1項乃至第6項のいずれかの項記載の配線基板に、電子部品が実装されていることを特徴とする半導体装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013089910A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Fujikura Ltd | フレキシブルプリント基板及びその製造方法 |
JP2020057767A (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-09 | 京セラ株式会社 | プリント配線基板 |
CN112585665A (zh) * | 2018-08-28 | 2021-03-30 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03164244A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-16 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 積層体 |
JPH07125134A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-16 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ポリイミドフィルム・金属箔積層体およびその製造方法 |
JPH07197007A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-01 | Nippon Steel Chem Co Ltd | プリント基板用耐熱性接着剤フィルム |
JP2000208881A (ja) * | 1999-01-12 | 2000-07-28 | Nitto Denko Corp | プリント配線板の導体パタ―ン形成方法およびプリント配線板 |
JP2003218488A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-07-31 | Fujikura Ltd | フレキシブルプリント配線板 |
JP2004146846A (ja) * | 2003-12-19 | 2004-05-20 | Sony Chem Corp | フレキシブルプリント配線板 |
JP2004266144A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Nitto Denko Corp | フレキシブル配線回路基板 |
-
2008
- 2008-06-13 JP JP2008155186A patent/JP4583479B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03164244A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-16 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 積層体 |
JPH07125134A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-16 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ポリイミドフィルム・金属箔積層体およびその製造方法 |
JPH07197007A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-01 | Nippon Steel Chem Co Ltd | プリント基板用耐熱性接着剤フィルム |
JP2000208881A (ja) * | 1999-01-12 | 2000-07-28 | Nitto Denko Corp | プリント配線板の導体パタ―ン形成方法およびプリント配線板 |
JP2003218488A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-07-31 | Fujikura Ltd | フレキシブルプリント配線板 |
JP2004266144A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Nitto Denko Corp | フレキシブル配線回路基板 |
JP2004146846A (ja) * | 2003-12-19 | 2004-05-20 | Sony Chem Corp | フレキシブルプリント配線板 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013089910A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Fujikura Ltd | フレキシブルプリント基板及びその製造方法 |
CN112585665A (zh) * | 2018-08-28 | 2021-03-30 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
CN112585665B (zh) * | 2018-08-28 | 2023-04-18 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
JP2020057767A (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-09 | 京セラ株式会社 | プリント配線基板 |
JP7234049B2 (ja) | 2018-09-26 | 2023-03-07 | 京セラ株式会社 | プリント配線基板 |
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Publication number | Publication date |
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