JP2009016821A - 相変化メモリデバイスの研磨用化学機械研磨用スラリー組成物およびそれを使った相変化メモリデバイスの研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 前記課題は、脱イオン水および窒素化合物を含む、相変化メモリデバイスの化学機械研磨(CMP)用スラリー組成物によって解決する。
【選択図】なし
Description
本発明の第1は、脱イオン水および窒素化合物を含む、相変化メモリデバイスの化学機械研磨(CMP)用スラリー組成物(以下、「CMP用スラリー組成物」とも称する。)である。なお、本発明のCMP用スラリーは、「脱イオン水」と「窒素化合物」と、2以上の構成要素を含むため、「組成物」と記載した。
脱イオン水は、水をイオン交換樹脂などによりイオンを除去することにより作製することができる。本発明に用いられる脱イオン水は、市販品を購入してもよい。
上記の通り、本発明のCMPスラリー組成物は、脱イオン水および窒素化合物を含む。
上記の通り、本発明のCMPスラリー組成物は、脱イオン水および窒素化合物のみならず、研磨剤粒子を含んでもよい。
上記の通り、本発明のCMPスラリー組成物は、脱イオン水および窒素化合物のみならず酸化剤を含んでもよい。
本明細書中の「過化合物」は、1以上のペルオキシ基(−O−O−)を含む化合物または最も高い酸化状態にある元素を含む化合物を含むと好ましく、より好ましくは1以上のペルオキシ基(−O−O−)を含む化合物である。本発明で使用される過化合物は、有機または無機いずれであってもよい。
本発明のCMPスラリー組成物のpHにも特に制限はないが、好ましくはpH2〜10、より好ましくはpH2〜9、さらに好ましくはpH2〜5である。
本発明の第2は、相変化材料層と、脱イオン水および窒素化合物を含むCMPスラリー組成物と、を接触させることを含む、相変化材料層を含む相変化メモリデバイスの研磨方法である。
本発明の第3は、第2における研磨方法により研磨されてなる、相変化メモリデバイスである。
[ブランケットウエハの研磨の評価]
下記表1で示される組成物を有するスラリーを準備した。
スラリー組成物は、窒素化合物の種類と成分を表3に示すようにした以外は、実施例1と同様の方法により調製され、GSTにおけるスラリー組成物の研磨特性(すなわち、研磨速度)は、脂肪族アミンのアルキル基に含まれる炭素原子の数、具体的には、ターシャリーアルキルアミン(トリメチルアミン、トリエチルアミンおよびトリプロピルアミン)、によって比較した。
スラリー組成物は、窒素化合物の種類、成分を表4にした以外は、実施例1と同様の方法で調製をした。
半導体パターンにおける、スラリー組成物の研磨パフォーマンスを評価するために、パターンウエハを以下の手順により作製した。
<実施例12−16および比較例3−7>
表1Aに示す組成物を有するスラリーを、研磨剤粒子を含まない脱イオン水を使って調製した。トリエチルアミン(TEA)を、実施例12〜16において窒素化合物として使用した。TEA成分および酸化剤成分の種類を、スラリー組成物によって変えた。また、硝酸は、すべてのスラリー組成物の最終pHを3.5にするために使用した。
スラリー組成物は、窒素化合物の種類と成分を表3Aに示すように変えた以外は、実施例15と同様に行った。
半導体パターンにおけるスラリー組成物の研磨パフォーマンスを実際に評価するため、パターンウエハを以下の手順にて行った。
研磨後、本発明の組成物は、腐食、EOEおよびディッシングの点でよい結果を示すことができる。
Claims (43)
- 脱イオン水および窒素化合物を含む、相変化メモリデバイスの化学機械研磨(CMP)用スラリー組成物。
- 前記相変化メモリデバイスが、合金またはカルコゲニドを含む、請求項1に記載のスラリー組成物。
- 前記相変化メモリデバイスが、InSe、Sb2Te3、GeTe、Ge2Sb2Te5、InSbTe、GaSeTe、SnSb2Te4、InSbGe、AgInSbTe、(GeSn)SbTe、GeSb(SeTe)またはTe81Ge15Sb2S2から選択される少なくとも1種の化合物を含む、請求項1または2に記載のスラリー組成物。
- 前記窒素化合物が、脂肪族アミン、芳香族アミン、アンモニウム塩、アンモニウム塩基またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも1種の化合物を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- 前記脂肪族アミンが、第1級アミン、第2級アミンまたは第3級アミンを含む、請求項4に記載のスラリー組成物。
- 前記脂肪族アミンが、第2級アミンまたは第3級アミンを含む、請求項5に記載のスラリー組成物。
- 前記脂肪族アミンが、少なくとも1種のアルキル基またはアルコール基を含む、請求項5に記載のスラリー組成物。
- 前記脂肪族アミンが、少なくとも1種のアルキル基を含む、請求項7に記載のスラリー組成物。
- 前記脂肪族アミンが、少なくとも1つの置換基を有し、該1つの置換基は、1〜7の炭素原子を含む、請求項4〜8のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- 前記脂肪族アミンが、複素環化合物をさらに含む、請求項4〜9のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- 前記複素環化合物が、ピペラジン化合物を含む、請求項10に記載のスラリー組成物。
- 前記アンモニウム塩またはアンモニウム塩基が、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、それらの塩またはこれらの組み合わせから選択される、少なくとも1種の化合物を含む、請求項4〜11のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- 前記窒素化合物の含有量が、スラリー組成物の総質量に対して、0.001〜5質量%である、請求項1〜12のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- 研磨剤粒子をさらに含む、請求項1〜13のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- 前記研磨剤粒子が、シリカ(SiO2)、アルミナ(Al2O3)、セリア(CeO2)およびジルコニア(ZrO2)からなる群から選択される少なくとも1種の金属酸化物粒子、合成高分子粒子またはそれらの組み合わせを含む、請求項14に記載のスラリー組成物。
- 前記研磨剤粒子が、一次粒子の平均粒径1〜200nmであり、平均比表面積10〜500m2/gである、請求項14または15に記載のスラリー組成物。
- 前記研磨剤粒子の含有量が、スラリー組成物の総質量に対して、0.01〜30質量%である、請求項14〜16のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- 酸化剤をさらに含む、請求項1〜17のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- 前記酸化剤が、相変化メモリデバイスの相変化材料よりも、高い標準電気化学的酸化還元電位を有する、請求項18に記載のスラリー組成物。
- 前記酸化剤が、過化合物、鉄または鉄化合物を含む、請求項18または19に記載のスラリー組成物。
- 前記酸化剤が、過化合物を含む請求項18〜20のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- 前記過化合物が、1以上のペルオキシ基(−O−O−)を含む化合物または最も高い酸化状態にある元素を含む化合物である、請求項20または21に記載のスラリー組成物。
- 前記過化合物が、1以上のペルオキシ基(−O−O−)を含む化合物である、請求項20〜22のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- 前記1以上のペルオキシ基(−O−O−)を含む化合物が、過酸化水素、ウレア過酸化水素、過炭酸塩、過酸化ベンゾイル、過酢酸、ジ−t−ブチル−ペルオキシド、モノ過硫酸塩(SO5)、ジ過硫酸塩(S2O8)もしくはこれらの塩またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも1種の化合物を含む、請求項22または23に記載のスラリー組成物。
- 前記最も高い酸化状態にある元素を含む化合物が、過ヨウ素酸、過臭素酸、過塩素酸、過ホウ酸、過マンガン酸塩もしくはこれらの塩またはこれらの組み合わせから選択される、請求項22〜24のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- 前記鉄または鉄化合物が、金属の鉄または分子構造中に鉄を含む化合物を含む、請求項20〜25のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- 前記酸化剤が、過酸化水素、モノ過硫酸塩、ジ過硫酸塩、イオン性鉄化合物、鉄キレート化合物またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも1種の化合物を含む、請求項18に記載のスラリー組成物。
- 前記酸化剤が、過酸化水素を含む、請求項18に記載のスラリー組成物。
- 前記酸化剤の含有量が、スラリー組成物の総質量に対して、0.01〜10質量%である、請求項18〜28のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- 研磨剤粒子および酸化剤をさらに含む、請求項1〜29のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- 前記スラリー組成物が、pH2〜10を有する、請求項1〜30のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- pH調節剤をさらに含む、請求項1〜31のいずれか1項に記載のスラリー組成物。
- 前記pH調節剤が、硝酸、リン酸、硫酸、塩酸、pKa6以下を有する有機カルボン酸またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも1種の酸を含む、請求項32に記載のスラリー組成物。
- 相変化材料層と、脱イオン水および窒素化合物を含むCMPスラリー組成物と、を接触させることを含む、相変化材料層を含む相変化メモリデバイスの研磨方法。
- 前記CMPスラリー組成物が、さらに研磨剤粒子を含む、請求項34に記載の方法。
- 前記CMPスラリー組成物が、さらに酸化剤を含む、請求項34に記載の方法。
- 前記CMPスラリー組成物が、さらに研磨剤粒子および酸化剤を含む、請求項34に記載の方法。
- 絶縁材料を半導体ウエハに塗布し、絶縁層を形成し、
前記絶縁層を平坦化して、
前記平坦化された絶縁層をパターニングし、
相変化材料を、前記パターニングされた絶縁層に塗布し、相変化材料層を作成し、
前記CMPスラリー組成物を相変化材料層に接触させ、前記絶縁層が露出するまで、相変化材料層を研磨することにより、相変化メモリデバイスを作製する、請求項34〜37のいずれか1項に記載の方法。 - 前記CMPスラリー組成物を回転研磨パッドに塗布させ、
前記研磨パッドを、所定の圧力下で相変化材料層に接触し、摩擦力により相変化材料層の部分を研磨することにより、相変化材料層を研磨する、請求項38に記載の方法。 - 請求項34〜39のいずれか1項に記載の方法により研磨されてなる、相変化メモリデバイス。
- 175Åの腐食、150Åの腐食端部、100Åのディッシングおよび150Åの粗さ(R)を示す、合金またはカルコゲニドを含む、相変化メモリデバイス。
- 150Åの腐食、120Åの腐食端部、80Åのディッシングおよび120Åの粗さ(R)を示す、合金またはカルコゲニドを含む、請求項41に記載の、相変化メモリデバイス。
- 相変化メモリデバイスが、InSe、Sb2Te3、GeTe、Ge2Sb2Te5、InSbTe、GaSeTe、SnSb2Te4、InSbGe、AgInSbTe、(GeSn)SbTe、GeSb(SeTe)またはTe81Ge15Sb2S2の少なくとも1種の化合物を含む、請求項41または42に記載の相変化メモリデバイス。
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