KR20140071446A - 연마용 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 연마용 조성물은, 상변화 합금을 갖는 연마 대상물을 연마하는 용도로 사용되는 연마용 조성물이며, 암모늄 이온(NH4 +)을 함유하는 것을 특징으로 한다. 연마용 조성물은, 콜로이드 실리카 등의 지립을 더 함유할 수도 있다.
Description
본 발명은 상변화 합금을 갖는 연마 대상물의 연마에 적합한 연마용 조성물에 관한 것이다.
PRAM(상변화 랜덤 액세스 메모리) 디바이스(오보닉 메모리 디바이스 또는 PCRAM 디바이스로서도 알려져 있다)에는, 전자 기억 용도를 위하여 절연성 비정질상과 전도성 결정성상 사이에서 전기적으로 전환할 수 있는 상변화 재료(PCM)가 이용된다. 이 용도에 적합한 전형적인 상변화 재료의 예로서는, 주기율표의 VIB족(칼코게나이드, 예를 들어 Te 또는 Po) 및 VB족(예를 들어, Sb) 원소와, In, Ge, Ga, Sn, 또는 Ag 등의 1종 또는 복수종의 금속 원소의 조합을 들 수 있다. 특히 유용한 상변화 재료는, 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔루륨(Te) 합금(GST 합금)이다. 이들 재료의 물리적 상태는, 가열/냉각 속도, 온도 및 시간에 의존하여 가역적으로 변화할 수 있다. 다른 유용한 상변화 합금의 예에는, 인듐안티모나이트(InSb)가 포함된다. PRAM 디바이스 중의 기억 정보는, 상이한 물리적인 상 또는 상태의 전도 특성에 의해, 손실을 최소로 하여 보존된다.
반도체 기재(예를 들어 집적 회로)의 금속 함유 표면을 연마하는 방법으로서는, 화학적 기계적 연마(CMP)가 알려져 있다. CMP에서 사용되는 연마용 조성물은, 전형적으로는, 지립, 산화제 및 착화제를 함유하여 효과적으로 에칭을 이용하여 연마한다.
CMP는, 상변화 재료를 사용하는 기억 디바이스를 제작하기 위하여 이용할 수 있다. 그러나, 구리(Cu) 또는 텅스텐(W)과 같은 단일 성분을 포함하는 종래의 금속층과는 달리, 상변화 재료에는, 황(S), 세륨(Ce), 게르마늄(Ge), 안티몬(Sb), 텔루륨(Te), 은(Ag), 인듐(In), 주석(Sn), 갈륨(Ga) 등의 복수의 원소가 결정상 및 비결정질상의 사이를 가역적으로 상변화할 수 있는 특정한 비율로 혼합되어 있다. 그로 인해, 많은 상변화 재료(예를 들어, GST)의 물리적 성질은, PCM 칩 중에서 이용되는 다른 재료와 비교하여 연질이라는 등, 종래의 금속층 재료의 물리적 성질과는 상이하다. 따라서, 현행의 금속 함유 표면을 연마하기 위한 연마용 조성물을 상변화 재료의 연마용에 그대로 적용하는 것은 곤란했다.
이러한 상황에서, 상변화 합금을 갖는 연마 대상물의 연마에 적합한 연마용 조성물에 대하여 다양한 검토가 이루어지고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 지립 및 질소 화합물을 포함하는, 상변화 합금을 갖는 연마 대상물의 연마를 목적으로 한 연마용 조성물이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는, 지립, 철 이온 또는 철 킬레이트 착체를 포함하는, 상변화 합금을 갖는 연마 대상물의 연마를 목적으로 한 연마용 조성물이 개시되어 있다. 그러나, 이들 문헌에 개시된 연마용 조성물은, 상변화 합금을 갖는 연마 대상물의 연마용으로서 아직 충분한 성능을 갖고 있지 않아, 개량이 요망되고 있다.
따라서 본 발명의 목적은, 상변화 합금을 갖는 연마 대상물을 연마하는 용도로 적절하게 사용할 수 있는 연마용 조성물을 제공하는 데 있다. 특히, 금속 함유 표면을 연마하기 위하여 사용되는 종래의 전형적인 연마용 조성물에 포함되는 산화제 및 착화제에 의존하지 않고, 상변화 합금의 연마 속도를 향상시킨 연마용 조성물을 제공하는 데 있다.
본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 암모늄 이온을 포함한 연마용 조성물에 의해, 상변화 합금을 갖는 연마 대상물에 대하여 높은 연마 속도를 얻을 수 있는 것을 발견했다.
즉, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 형태에서는, GST 합금 등의 상변화 합금을 갖는 연마 대상물을 연마하는 용도로 사용되는 연마용 조성물이며, 암모늄 이온(NH4 +)을 함유하는 연마용 조성물을 제공한다.
일 실시 형태에 있어서, 상기 암모늄 이온은 수산화암모늄으로서 첨가된다.
다른 실시 형태에 있어서, 상기 암모늄 이온은 유기산의 암모늄염 및 무기산의 암모늄염으로부터 선택되는 1 이상의 암모늄염으로서 첨가된다.
연마용 조성물은 지립을 더 함유할 수도 있다.
상기 지립은 콜로이드 실리카인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 형태에서는, 상기 형태의 연마용 조성물을 사용하여, 상변화 합금을 갖는 연마 대상물의 표면을 연마하는 연마 방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 형태에서는, 상기 형태의 연마용 조성물을 사용하여, 상변화 합금을 갖는 연마 대상물의 표면을 연마하는 공정을 포함하는 상변화 디바이스의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 상변화 합금을 갖는 연마 대상물을 연마하는 용도로 적절하게 사용할 수 있는 연마용 조성물, 특히 상변화 합금의 연마 속도를 향상시킨 연마용 조성물이 제공된다.
이하에서, 본 발명의 일 실시 형태를 설명한다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은, 상변화 합금을 갖는 연마 대상물을 연마하는 용도, 더욱 상세히 설명하면, 상변화 합금을 갖는 연마 대상물의 표면을 연마함으로써 상변화 디바이스를 제조하는 용도로 사용된다. 상변화 합금은, PRAM(상변화 랜덤 액세스 메모리) 디바이스(오보닉 메모리 디바이스 또는 PCRAM 디바이스로서도 알려져 있다)에 있어서, 전자 기억 용도를 위하여 절연성 비정질상과 전도성 결정성상 사이에서 전기적으로 전환할 수 있는 재료로서 이용되는 것이다. 이 용도에 적합한 상변화 합금의 예로서는, 주기율표의 VIB족(칼코게나이드, 예를 들어 Te 또는 Po) 및 VB족(예를 들어, Sb) 원소와, In, Ge, Ga, Sn, 또는 Ag 등의 1종 또는 복수종의 금속 원소의 조합을 들 수 있다. 특히 유용한 상변화 재료는, 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔루륨(Te) 합금(GST 합금)이다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은, 암모늄 이온을 포함한다. 금속 함유 표면을 연마하기 위하여 사용되는 종래의 전형적인 연마용 조성물의 경우, 그 연마용 조성물 중에 포함되는 산화제의 작용에 의해 연마 대상의 금속이 산화됨으로써 발생하는 금속 산화물을, 동일하게 연마용 조성물 중에 포함되는 착화제의 작용에 의해 용해함으로써 금속의 연마가 행해진다. 그것에 대하여 본 실시 형태의 연마용 조성물을 사용하여 상변화 합금을 연마한 경우에는, 그 연마용 조성물 중에 포함되는 암모늄 이온이 상변화 합금의 표면에 착형성되고 결합되어, 불용성의 취성막이 상변화 합금의 표면에 형성된다. 이 취성막은 기계적인 연마 작용에 의해 용이하게 제거되기 때문에, 이것이 본 실시 형태의 연마용 조성물에 의해 상변화 합금을 높은 연마 속도로 연마할 수 있는 이유로 생각되어진다.
암모늄 이온은, 암모니아수(수산화암모늄)로서 연마용 조성물에 첨가될 수도 있고, 기체로서의 암모니아를 연마용 조성물에 첨가하여 용해시킬 수도 있고, 또한, 산과 암모니아를 포함하는 염으로서 첨가될 수도 있다.
암모늄 이온원으로서 산과 암모니아를 포함하는 염을 사용하는 경우, 산의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 단, 연마용 조성물 중에서 암모늄 이온을 해리하기 쉬운 염을 사용하는 것이 좋다. 이러한 조건을 만족하는 염을 암모니아와 형성하는 산으로서는, 무기산이면 염산, 질산, 인산, 황산, 붕산 등을 들 수 있고, 유기산이면, 포름산, 아세트산, 프로피온산 등의 지방산, 벤조산, 프탈산 등의 방향족 카르복실산, 시트르산, 옥살산, 타르타르산, 말산, 말레산, 푸마르산, 숙신산, 유기 술폰산, 유기 포스폰산 등을 들 수 있다. 암모늄염은, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 어느 것이든 연마용 조성물 중에서 염을 가능한 한 형성하지 않고 암모늄 이온으로서 존재할 수 있는 것이 바람직하다.
연마용 조성물 중의 암모늄 이온의 함유량의 상한은, 암모니아 환산으로 5mol/L인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3mol/L, 더욱 바람직하게는 1mol/L이다. 암모늄 이온의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물의 제조 비용을 내릴 수 있음과 함께, 안전성이 높아지기 때문에 연마용 조성물의 취급 용이함이 향상된다.
연마용 조성물 중의 암모늄 이온의 함유량의 하한은, 암모니아 환산으로 0.001mol/L인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01mol/L, 더욱 바람직하게는 0.1mol/L이다. 암모늄 이온의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 상변화 합금의 연마 속도가 향상된다.
(연마용 조성물의 pH 및 pH 조정제)
연마용 조성물의 pH의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 12인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10이다. pH가 낮아짐에 따라, 연마용 조성물의 취급 용이함이 향상된다.
연마용 조성물의 pH의 하한도 특별히 한정되지 않지만, 1인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3이다. pH가 높아질수록 연마용 조성물에 지립을 첨가한 경우에 연마용 조성물 중의 지립의 분산성이 향상된다.
연마용 조성물의 pH를 원하는 값으로 조정하는 데 pH 조정제 사용할 수도 있다. 사용하는 pH 조정제는 산 및 알칼리 중 어느 하나일 수도 있고, 또한 무기 및 유기의 화합물 중 어느 하나일 수도 있다.
(지립)
연마용 조성물은, 지립을 함유하고 있을 수도 있다. 지립은, 무기 입자, 유기 입자 및 유기 무기 복합 입자 중 어느 하나일 수도 있다. 무기 입자의 구체예로서는, 예를 들어 실리카, 알루미나, 세리아, 티타니아 등의 금속 산화물을 포함하는 입자, 및 질화규소 입자, 탄화규소 입자 및 질화붕소 입자를 들 수 있다. 유기 입자의 구체예로서는, 예를 들어 폴리메타크릴산메틸(PMMA) 입자를 들 수 있다. 그 중에서도 실리카 입자가 바람직하고, 특히 바람직한 것은 콜로이드 실리카이다.
지립은 표면 수식되어 있을 수도 있다. 통상의 콜로이드 실리카는, 산성 조건 하에서 제타 전위의 값이 제로에 가깝기 때문에, 산성 조건 하에서는 실리카 입자끼리 서로 전기적으로 반발하지 않아 응집을 일으키기 쉽다. 이에 반하여, 산성 조건에서도 제타 전위가 비교적 큰 정 또는 부의 값을 갖도록 표면 수식된 지립은, 산성 조건 하에서도 서로 강하게 반발하여 양호하게 분산하는 결과, 연마용 조성물의 보존 안정성을 향상시키게 된다. 이러한 표면 수식 지립은, 예를 들어 알루미늄, 티타늄 또는 지르코늄 등의 금속 또는 그들의 산화물을 지립과 혼합하여 지립의 표면에 도프(dope)시킴으로써 얻을 수 있다.
또는, 연마용 조성물 중의 표면 수식 지립은, 유기산을 고정화한 실리카일 수도 있다. 그 중에서도 유기산을 고정화한 콜로이드 실리카가 바람직하다. 콜로이드 실리카에 대한 유기산의 고정화는, 콜로이드 실리카의 표면에 유기산의 관능기를 화학적으로 결합시킴으로써 행해진다. 콜로이드 실리카와 유기산을 간단히 공존시키는 것만으로는 콜로이드 실리카에 대한 유기산의 고정화는 완수되지 않는다. 유기산의 1종인 술폰산을 콜로이드 실리카에 고정화하는 것이라면, 예를 들어 문헌["Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups", Chem. Co㎜un. 246-247(2003)]에 기재된 방법으로 행할 수 있다. 구체적으로는, 3-머캅토프로필트리메톡시실란 등의 티올기를 갖는 실란 커플링제를 콜로이드 실리카에 커플링시킨 후에 과산화수소에 의해 티올기를 산화함으로써, 술폰산이 표면에 고정화된 콜로이드 실리카를 얻을 수 있다. 또는, 카르복실산을 콜로이드 실리카에 고정화하는 것이라면, 예를 들어 문헌["Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel", Chemistry Letters, 3,228-229(2000)]에 기재된 방법으로 행할 수 있다. 구체적으로는, 광반응성 2-니트로벤질에스테르를 포함하는 실란 커플링제를 콜로이드 실리카에 커플링시킨 후에 광조사함으로써, 카르복실산이 표면에 고정화된 콜로이드 실리카를 얻을 수 있다.
연마용 조성물 중의 지립의 함유량은 0.1질량％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 1질량％ 이상이다. 지립의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 상변화 합금의 연마 속도가 향상되는 이점이 있다.
연마용 조성물 중의 지립의 함유량은 또한 20질량％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 15질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 10질량％ 이하이다. 지립의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물의 재료 비용을 억제할 수 있는 것 외에, 지립의 응집이 일어나기 어렵다. 또한, 연마용 조성물을 사용하여 상변화 합금을 연마함으로써 표면 결함이 적은 연마면이 얻어지기 쉽다.
지립의 평균 1차 입자 직경은 5㎚ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 7㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 10㎚ 이상이다. 지립의 평균 1차 입자 직경이 커짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 상변화 합금의 연마 속도가 향상된다. 또한, 지립의 평균 1차 입자 직경의 값은, 예를 들어 BET법으로 측정되는 지립의 비표면적에 기초하여 계산할 수 있다.
지립의 평균 1차 입자 직경은 또한 100㎚ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 90㎚ 이하이고, 더욱 바람직하게는 80㎚ 이하이다. 지립의 평균 1차 입자 직경이 작아짐에 따라, 연마용 조성물을 사용하여 상변화 합금을 연마함으로써 표면 결함이 적은 연마면이 얻어지기 쉽다.
지립의 평균 2차 입자 직경은 150㎚ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 120㎚ 이하이고, 더욱 바람직하게는 100㎚ 이하이다. 지립의 평균 2차 입자 직경의 값은, 예를 들어 레이저광 산란법에 의해 측정할 수 있다.
지립의 평균 2차 입자 직경의 값을 평균 1차 입자 직경의 값으로 나눔으로써 얻어지는 지립의 평균 회합도는 1.2 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.5 이상이다. 지립의 평균 회합도가 커짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 상변화 합금의 연마 속도가 향상된다.
지립의 평균 회합도는 또한 4 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 이하이고, 더욱 바람직하게는 2 이하이다. 지립의 평균 회합도가 작아짐에 따라, 연마용 조성물을 사용하여 상변화 합금을 연마함으로써 표면 결함이 적은 연마면이 얻어지기 쉽다.
(산화제)
연마용 조성물은, 산화제를 함유하고 있을 수도 있다. 산화제는 연마 대상물의 표면을 산화하는 작용을 갖고, 연마용 조성물 중에 포함되는 암모늄 이온이 상변화 합금 표면과 착형성되어 불용성의 취성막을 형성하는 것을 돕는 효과가 있다고 생각되어진다. 그 결과, 연마용 조성물 중에 산화제를 첨가한 경우에는, 연마용 조성물에 의한 상변화 합금의 연마 속도가 향상되는 효과가 있다. 그러나, 금속 함유 표면을 연마하기 위하여 사용되는 종래의 전형적인 연마용 조성물을 사용하여 상변화 합금을 연마한 경우, 상변화 합금이 과도하게 연마되기 쉽다. 이것은, 상변화 합금의 특성이 구리와 같은 반도체 장치에서 일반적으로 사용되는 금속 재료의 특성과는 상이한 것이 이유로 생각되어진다.
연마용 조성물 중의 산화제의 함유량의 상한은, 10질량％인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5질량％이다. 산화제의 함유량이 적어짐에 따라, 산화제에 의한 상변화 합금의 과잉의 산화가 일어나기 어려워지기 때문에, 상변화 합금의 과도한 연마를 억제할 수 있다.
연마용 조성물 중의 산화제의 함유량의 하한은, 0.1질량％인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.3질량％이다. 산화제의 함유량이 많아짐에 따라, 상변화 합금의 연마 속도의 향상이 조장된다.
사용 가능한 산화제는, 예를 들어 과산화물이다. 과산화물의 구체예로서는, 예를 들어 과산화수소, 과산화바륨, 과아세트산, 과탄산염, 과산화요소, 과포름산, 과벤조산, 과프탈산, 퍼옥소디황산, 퍼옥소인산, 퍼옥소황산, 퍼옥소붕산 및 과염소산 및 과황산나트륨, 과황산칼륨 및 과황산암모늄 등의 과황산염을 들 수 있다. 또한, 유기 산화제, 오존수, 은(II)염, 철(III)염, 과망간산, 크롬산, 중크롬산, 차아염소산, 차아브롬산, 차아요오드산, 염소산, 아염소산, 브롬산, 요오드산, 과요오드산, 황산, 질산, 아질산, 시트르산, 디클로로이소시아누르산 및 그들의 염도 산화제로서 사용이 가능하다. 그 중에서도 과황산염 및 과산화수소가 연마 속도의 관점에서 바람직하고, 수용액 중에서의 안정성 및 환경 부하의 관점에서 과산화수소가 특히 바람직하다.
(착화제)
연마용 조성물은, 착화제를 함유하고 있을 수도 있다. 착화제는, 상변화 합금의 표면을 화학적으로 에칭하는 작용을 갖고, 연마용 조성물에 의한 상변화 합금의 연마 속도를 향상시키는 작용을 한다. 그러나, 금속 함유 표면을 연마하기 위하여 사용되는 종래의 전형적인 연마용 조성물을 사용하여 상변화 합금을 연마한 경우, 상변화 합금의 과잉의 에칭이 일어나고, 그 결과, 상변화 합금의 과도하게 연마되기 쉽다. 이것은, 상변화 합금의 특성이 구리와 같은 반도체 장치에서 일반적으로 사용되는 금속 재료의 특성과는 상이한 것이 이유로 생각되어진다.
연마용 조성물 중의 착화제의 함유량의 상한은, 10질량％인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1질량％이다. 착화제의 함유량이 적어짐에 따라, 착화제에 의한 상변화 합금의 과잉의 에칭이 일어나기 어려워지기 때문에, 상변화 합금의 과잉의 연마를 억제할 수 있다.
연마용 조성물 중의 착화제의 함유량의 하한은, 0.01질량％인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1질량％이다. 착화제의 함유량이 많아짐에 따라, 착화제에 의한 상변화 합금의 에칭 효과가 증가되기 때문에, 연마용 조성물에 의한 상변화 합금의 연마 속도의 향상이 조장된다.
사용 가능한 착화제는, 예를 들어 무기산, 유기산 및 아미노산이다. 무기산의 구체예로서는, 예를 들어 황산, 질산, 붕산, 탄산, 차아인산, 아인산 및 인산을 들 수 있다. 유기산의 구체예로서는, 예를 들어 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 2-메틸부티르산, n-헥산산, 3,3-디메틸부티르산, 2-에틸부티르산, 4-메틸펜탄산, n-헵탄산, 2-메틸헥산산, n-옥탄산, 2-에틸헥산산, 벤조산, 글리콜산, 살리실산, 글리세린산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 말레산, 프탈산, 말산, 타르타르산, 시트르산 및 락트산을 들 수 있다. 메탄술폰산, 에탄술폰산 및 이세티온산 등의 유기 황산도 사용 가능하다. 무기산 또는 유기산 대신 또는 무기산 또는 유기산과 조합하여, 무기산 또는 유기산의 알칼리 금속염 등의 염을 사용할 수도 있다. 아미노산의 구체예로서는, 예를 들어 글리신, α-알라닌, β-알라닌, N-메틸글리신, N,N-디메틸글리신, 2-아미노부티르산, 노르발린, 발린, 류신, 노르류신, 이소류신, 페닐알라닌, 프롤린, 사르코신, 오르니틴, 리신, 타우린, 세린, 트레오닌, 호모세린, 티로신, 비신, 트리신, 3,5-디요오도-티로신, β-(3,4-디히드록시페닐)-알라닌, 티록신, 4-히드록시-프롤린, 시스테인, 메티오닌, 에티오닌, 란티오닌, 시스타티오닌, 시스틴, 시스테인산, 아스파라긴산, 글루탐산, S-(카르복시메틸)-시스테인, 4-아미노부티르산, 아스파라긴, 글루타민, 아자세린, 아르기닌, 카나바닌, 시트룰린, δ-히드록시-리신, 크레아틴, 히스티딘, 1-메틸-히스티딘, 3-메틸-히스티딘 및 트립토판을 들 수 있다. 그 중에서도 착화제로서는, 연마 속도 향상의 관점에서, 글리신, 알라닌, 말산, 타르타르산, 시트르산, 글리콜산, 이세티온산 또는 그들의 염이 바람직하다.
(금속 방식제)
연마용 조성물은, 금속 방식제를 함유하고 있을 수도 있다. 연마용 조성물 중에 금속 방식제를 첨가한 경우에는, 연마용 조성물을 사용하여 연마한 후의 상변화 합금에 디싱 등의 표면 결함이 보다 발생하기 어려워지는 효과가 있다. 또한, 금속 방식제는, 연마용 조성물 중에 산화제 및/또는 착화제가 포함되어 있는 경우에는, 산화제에 의한 상변화 합금 표면의 산화를 완화시킴과 함께, 산화제에 의한 상변화 합금 표면의 금속의 산화에 의해 발생하는 금속 이온과 반응하여 불용성의 착체를 생성하는 작용을 한다. 그 결과, 착화제에 의한 상변화 합금에 대한 에칭을 억제할 수 있어, 상변화 합금의 과도한 연마를 억제할 수 있다.
사용 가능한 금속 방식제의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 복소환 화합물이다. 복소환 화합물 중의 복소환의 원수는 특별히 한정되지 않는다. 또한, 복소환 화합물은, 단환 화합물일 수도 있고, 축합환을 갖는 다환 화합물일 수도 있다.
금속 방식제로서의 복소환 화합물의 구체예는, 예를 들어 피롤 화합물, 피라졸 화합물, 이미다졸 화합물, 트리아졸 화합물, 테트라졸 화합물, 피리딘 화합물, 피라진 화합물, 피리다진 화합물, 피리미딘 화합물, 인돌리진 화합물, 인돌 화합물, 이소인돌 화합물, 인다졸 화합물, 푸린 화합물, 퀴놀리진 화합물, 퀴놀린 화합물, 이소퀴놀린 화합물, 나프티리딘 화합물, 프탈라진 화합물, 퀴녹살린 화합물, 퀴나졸린 화합물, 신놀린 화합물, 부테리진 화합물, 티아졸 화합물, 이소티아졸 화합물, 옥사졸 화합물, 이소옥사졸 화합물 및 푸라잔 화합물 등의 질소 함유 복소환 화합물을 들 수 있다. 피라졸 화합물의 구체예로서, 예를 들어 1H-피라졸, 4-니트로-3-피라졸카르복실산 및 3,5-피라졸카르복실산을 들 수 있다. 이미다졸 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 이미다졸, 1-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸피라졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-이소프로필이미다졸, 벤즈이미다졸, 5,6-디메틸벤즈이미다졸, 2-아미노벤즈이미다졸, 2-클로로벤즈이미다졸 및 2-메틸벤즈이미다졸을 들 수 있다. 트리아졸 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 1-메틸-1,2,4-트리아졸, 메틸-1H-1,2,4-트리아졸-3-카르복실레이트, 1,2,4-트리아졸-3-카르복실산, 1,2,4-트리아졸-3-카르복실산메틸, 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸, 3-아미노-5-벤질-4H-1,2,4-트리아졸, 3-아미노-5-메틸-4H-1,2,4-트리아졸, 3-니트로-1,2,4-트리아졸, 3-브로모-5-니트로-1,2,4-트리아졸, 4-(1,2,4-트리아졸-1-일)페놀, 4-아미노-1,2,4-트리아졸, 4-아미노-3,5-디프로필-4H-1,2,4-트리아졸, 4-아미노-3,5-디메틸-4H-1,2,4-트리아졸, 4-아미노-3,5-디펩틸-4H-1,2,4-트리아졸, 5-메틸-1,2,4-트리아졸-3,4-디아민, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-아미노벤조트리아졸, 1-카르복시벤조트리아졸, 5-클로로-1H-벤조트리아졸, 5-니트로-1H-벤조트리아졸, 5-카르복시-1H-벤조트리아졸, 5,6-디메틸-1H-벤조트리아졸, 1-(1'',2'-디카르복시에틸)벤조트리아졸을 들 수 있다. 테트라졸 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 1H-테트라졸, 5-메틸테트라졸, 5-아미노테트라졸 및 5-페닐테트라졸을 들 수 있다. 인돌 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 1H-인돌, 1-메틸-1H-인돌, 2-메틸-1H-인돌, 3-메틸-1H-인돌, 4-메틸-1H-인돌, 5-메틸-1H-인돌, 6-메틸-1H-인돌 및 7-메틸-1H-인돌을 들 수 있다. 인다졸 화합물의 구체예로서는, 예를 들어 1H-인다졸 및 5-아미노-1H-인다졸을 들 수 있다. 이들의 복소환 화합물은, 상변화 합금에 대한 화학적 또는 물리적 흡착력이 높기 때문에, 보다 견고한 보호막을 상변화 합금 표면에 형성한다. 그로 인해, 연마용 조성물을 사용하여 연마한 후의 상변화 합금의 과잉의 에칭을 억제할 수 있어, 상변화 합금의 과잉의 연마를 억제할 수 있다.
연마용 조성물 중의 금속 방식제의 함유량의 상한은, 10질량％인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5질량％, 더욱 바람직하게는 1질량％이다. 금속 방식제의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 상변화 합금의 연마 속도가 향상되는 효과가 있다.
연마용 조성물 중의 금속 방식제의 함유량의 하한은, 0.001질량％인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01질량％, 더욱 바람직하게는 0.1질량％이다. 금속 방식제의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물을 사용하여 연마한 후의 상변화 합금의 과잉의 에칭을 억제할 수 있어, 상변화 합금의 과잉의 연마를 억제할 수 있다.
본 실시 형태의 연마용 조성물을 사용하여, 상변화 합금을 갖는 연마 대상물의 표면을 연마할 때에는 연마 패드를 사용할 수 있다. 연마 패드로서는, 일반적인 부직포, 발포 폴리우레탄, 다공질 불소 수지 등을 사용할 수 있고, 특별히 제한은 없다. 또한, 연마 패드 위에 연마용 조성물이 용이하게 머물 수 있도록 연마 패드에는 홈 가공이 실시되어 있을 수도 있다.
연마 패드의 경도의 하한은, 쇼어 D 경도로 50인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 60이다. 패드의 쇼어 D 경도가 높을수록, 패드의 기계적 작용이 커지고, 상변화 합금의 연마 속도가 향상된다. 또한, 연마용 조성물 중에 지립이 포함되어 있지 않은 경우에도 상변화 합금이 높은 연마 속도를 얻을 수 있다는 이점이 있다.
연마 패드의 경도의 상한은, 쇼어 D 경도로 99인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 95이다. 패드의 쇼어 D 경도가 낮을수록, 연마되는 상변화 합금의 표면에 흠집이 생기기 어려워진다. 또한, 쇼어 D 경도는 정의상, 100 이상의 값이 안된다. 패드의 쇼어 D 경도는 쇼어 D 경도계에 의해 측정할 수 있다.
쇼어 D 경도가 50 이상인 연마 패드는, 발포체로부터 형성하는 것도, 천, 부직포 등의 비발포체로 형성하는 것도 가능하다. 연마 패드의 재료로서는, 폴리우레탄, 아크릴, 폴리에스테르, 아크릴-에스테르 공중합체, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리4-메틸펜텐, 셀룰로오스, 셀룰로오스에스테르, 나일론 및 아라미드 등의 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리이미드아미드, 폴리실록산 공중합체, 옥시란 화합물, 페놀 수지, 폴리스티렌, 폴리카르보네이트, 에폭시 수지 등의 수지를 사용할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면 이하의 작용 및 효과가 얻어진다.
·금속 함유 표면을 연마하기 위하여 사용되는 종래의 전형적인 연마용 조성물의 경우, 그 연마용 조성물 중에 포함되는 산화제의 작용에 의해 연마 대상의 금속이 산화됨으로써 발생하는 금속 산화물을, 동일하게 연마용 조성물 중에 포함되는 착화제의 작용에 의해 용해함으로써 금속의 연마가 행해진다. 그것에 대하여 본 실시 형태의 연마용 조성물을 사용하여 상변화 합금을 연마한 경우에는, 그 연마용 조성물 중에 포함되는 암모늄 이온이 상변화 합금의 표면에 착형성되고 결합되어, 불용성의 취성막이 상변화 합금의 표면에 형성된다. 그로 인해, 본 실시 형태의 연마용 조성물에 의하면 상변화 합금을 높은 연마 속도로 연마할 수 있다.
·유기산을 고정화한 콜로이드 실리카를 연마용 조성물 중에 첨가한 경우에는, 장기에 걸쳐 우수한 분산 안정성이 얻어진다. 그 이유는, 유기산을 고정화한 콜로이드 실리카는, 유기산이 고정화되어 있지 않은 통상의 콜로이드 실리카에 비하여, 연마용 조성물 중에서의 제타 전위의 절댓값이 큰 경향이 있기 때문이다. 연마용 조성물 중에서의 제타 전위의 절댓값이 커짐에 따라, 실리카 입자끼리의 사이의 정전적 척력이 강해지기 때문에, 반데발스 힘에 의한 인력이 원인인 콜로이드 실리카의 응집은 일어나기 어려워진다. 예를 들어 산성의 pH 영역에서, 유기산을 고정화한 콜로이드 실리카의 제타 전위는 일반적으로 -15mV 이하의 부의 값을 나타내는 것에 반하여, 통상의 콜로이드 실리카의 제타 전위는 제로에 가까운 값을 나타낸다.
상기 실시 형태는 다음과 같이 변경될 수도 있다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 필요에 따라 계면 활성제나 수용성 고분자, 방부제와 같은 공지의 첨가제를 더 함유할 수도 있다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은 일액형일 수도 있고, 이액형을 비롯한 다액형일 수도 있다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 연마용 조성물의 원액을 물로 희석함으로써 제조될 수도 있다.
이어서, 본 발명의 실시예 및 비교예를 설명한다.
지립, 암모늄 이온원 또는 그것을 대신할 첨가제 및 산화제를 적절하게 물에 혼합함으로써, 표 1 및 표 2에 기재된 조성을 갖는 실시예 1 내지 23 및 비교예 1 내지 26의 연마용 조성물을 제조했다.
표 1 및 표 2의 "지립"란의 "함유량(질량％)"란에는, 각 연마용 조성물 중의 지립의 함유량을 나타낸다. 동란 중에 "-"로 표기되어 있는 것은 지립을 함유하고 있지 않은 것을 나타낸다. 또한, 실시예 1 내지 23 및 비교예 1 내지 26에서 사용한 지립은 모두 평균 1차 입자 직경이 30㎚이고 평균 2차 입자 직경이 60㎚인 콜로이드 실리카이다.
표 1 및 표 2의 "암모늄 이온원 또는 그것을 대신할 첨가제"란의 "종류"란에는, 실시예에 있어서 사용한 암모늄 이온원의 종류 및 비교예에 있어서 사용한, 암모늄 이온원을 대신할 첨가제의 종류를 나타낸다. 비교예에 있어서 사용한 첨가제는, 금속 함유 표면을 연마하기 위한 종래의 전형적인 연마용 조성물로 사용되고 있는 착화제 및 방식제로부터 선정한 것이며, 어느 것이든 암모늄 이온원으로서는 작용하지 않는 화합물이다. 또한, "함유량(질량％)"란에는, 각 연마용 조성물 중의 암모늄 이온원 또는 그것을 대신할 첨가제의 함유량을 나타낸다. 동란 중에 "-"로 표기되어 있는 것은 암모늄 이온원 또는 그것을 대신할 첨가제를 함유하고 있지 않은 것을 나타낸다.
표 1 및 표 2의 "암모늄 이온"란의 "함유량(mol/L)"란에는, 암모니아 환산으로 구한 각 연마용 조성물 중의 암모늄 이온 농도를 나타낸다.
표 1 및 표 2의 "산화제"란의 "종류"란에는, 각 연마용 조성물 중에 포함되는 산화제의 종류를 나타낸다. 또한, "함유량(질량％)"란에는, 각 연마용 조성물 중의 산화제의 함유량을 나타낸다. 동란 중에 "-"로 표기되어 있는 것은, 산화제를 함유하고 있지 않은 것을 나타낸다.
표 1 및 표 2의 "pH"란에는, 각 연마용 조성물의 pH를 나타낸다. 또한, 각 연마용 조성물의 pH는 무기산 또는 무기 염기를 첨가하여 원하는 값으로 조정했다.
실시예 1 내지 23 및 비교예 1 내지 26의 각 연마용 조성물을 사용하여, GST 합금(Ge, Sb 및 Te의 질량비는 2:2:5)을 포함하는 블랭킷 웨이퍼를, 표 3에 나타내는 조건에서 연마했다. 연마 전후의 각 블랭킷 웨이퍼의 두께를 직류 4탐침법에 의한 시트 저항의 측정으로부터 구하여 그 차를 연마 시간으로 제산함으로써 연마 속도를 산출했다. 산출된 연마 속도의 값을 표 1 및 표 2의 "평가"란의 "연마 속도"란에 나타낸다.
표 1 및 표 2에 나타낸 바와 같이, 예를 들어 지립 및 암모늄 이온을 포함한 실시예 1 내지 3의 연마용 조성물에서는, 지립만을 포함한 비교예 2, 11 내지 13의 연마용 조성물 및 지립 및 암모늄 이온원이 될 수 없는 첨가제를 포함한 비교예 3 내지 9의 연마용 조성물과 비교하여, 연마 속도가 높은 것이 확인되었다. 암모늄 이온을 포함한 실시예 8의 연마용 조성물에서는, 물만을 포함하는 비교예 1의 연마용 조성물 및 암모늄 이온원이 될 수 없는 첨가제만을 포함한 비교예 10의 연마용 조성물과 비교하여, 연마 속도가 높은 것이 확인되었다. 지립, 암모늄 이온 및 과산화수소를 포함한 실시예 4 내지 7, 9의 연마용 조성물에서는, 지립 및 과산화수소를 포함한 비교예 14 내지 16의 연마용 조성물과 비교하여, 연마 속도가 높은 것이 확인되었다. 지립, 암모늄 이온 및 산화제를 포함한 실시예 10 내지 23의 연마용 조성물에서는, 지립 및 실시예와 동일한 산화제를 포함한 비교예 17 내지 26의 연마용 조성물과 비교하여, 연마 속도가 높은 것이 확인되었다. 즉, 실시예 1 내지 23의 연마용 조성물을 사용한 경우에는, 본 발명의 범위에 속하지 않는 비교예 1 내지 26의 연마용 조성물을 사용한 경우에 비하여, 연마 속도가 향상되는 것이 확인되었다.
Claims (8)
- 상변화 합금을 갖는 연마 대상물을 연마하는 용도로 사용되는 연마용 조성물이며,
암모늄 이온(NH4 +)을 함유하는 것을 특징으로 하는 연마용 조성물. - 제1항에 있어서, 상기 암모늄 이온이 수산화암모늄으로서 첨가되는, 연마용 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 암모늄 이온이 유기산의 암모늄염 및 무기산의 암모늄염으로부터 선택되는 1 이상의 암모늄염으로서 첨가되는, 연마용 조성물.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 지립을 더 함유하는, 연마용 조성물.
- 제4항에 있어서, 상기 지립이 콜로이드 실리카인, 연마용 조성물.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상변화 합금이 게르마늄-안티몬-텔루륨 합금인, 연마용 조성물.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 연마용 조성물을 사용하여, 상변화 합금을 갖는 연마 대상물의 표면을 연마하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 연마용 조성물을 사용하여, 상변화 합금을 갖는 연마 대상물의 표면을 연마하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 디바이스의 제조 방법.
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| WO2017061229A1 (ja) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびこれを用いた研磨方法、ならびにこれらを用いた研磨済研磨対象物の製造方法 |
| WO2017163942A1 (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 金属を含む層を有する研磨対象物の研磨用組成物 |
| JP6908480B2 (ja) * | 2017-09-15 | 2021-07-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びその製造方法並びに研磨方法並びに基板の製造方法 |
| JP7133401B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2022-09-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法および半導体基板の製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1044047A (ja) * | 1996-05-10 | 1998-02-17 | Cabot Corp | 金属の層と膜に使用される化学的機械的研磨用スラリー |
| JP2005340554A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置の製造方法 |
| JP2009016821A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Cheil Industries Inc | 相変化メモリデバイスの研磨用化学機械研磨用スラリー組成物およびそれを使った相変化メモリデバイスの研磨方法 |
| JP2009525615A (ja) * | 2006-02-01 | 2009-07-09 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 相変化合金をｃｍｐするための組成物及び方法 |
| JP2010114446A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | ケミカルメカニカル研磨組成物及びそれに関連する方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4814502B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2011-11-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| JP2008098314A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-04-24 | Nitta Haas Inc | 研磨組成物 |
| US8518296B2 (en) * | 2007-02-14 | 2013-08-27 | Micron Technology, Inc. | Slurries and methods for polishing phase change materials |
| EP2183333B1 (en) * | 2007-07-26 | 2016-09-07 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for chemical-mechanical polishing of phase change materials |
| US7678605B2 (en) * | 2007-08-30 | 2010-03-16 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials |
| US7915071B2 (en) * | 2007-08-30 | 2011-03-29 | Dupont Air Products Nanomaterials, Llc | Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials |
| KR101198100B1 (ko) * | 2007-12-11 | 2012-11-09 | 삼성전자주식회사 | 상변화 물질층 패턴의 형성 방법, 상변화 메모리 장치의제조 방법 및 이에 사용되는 상변화 물질층 연마용 슬러리조성물 |
| KR101341875B1 (ko) * | 2008-04-30 | 2013-12-16 | 한양대학교 산학협력단 | 상변환 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변환 물질의 패터닝 방법 |
| US20100130013A1 (en) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | Applied Materials, Inc. | Slurry composition for gst phase change memory materials polishing |
| US20120003834A1 (en) * | 2010-07-01 | 2012-01-05 | Koo Ja-Ho | Method Of Polishing Chalcogenide Alloy |
| KR20120020556A (ko) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마 공정의 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 상변화 메모리 소자의 형성 방법 |
| CN102690604A (zh) * | 2011-03-24 | 2012-09-26 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 化学机械抛光液 |
| US8790160B2 (en) * | 2011-04-28 | 2014-07-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and method for polishing phase change alloys |
| US8309468B1 (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and method for polishing germanium-antimony-tellurium alloys |
| JP2013080751A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
-
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1044047A (ja) * | 1996-05-10 | 1998-02-17 | Cabot Corp | 金属の層と膜に使用される化学的機械的研磨用スラリー |
| JP2005340554A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置の製造方法 |
| JP2009525615A (ja) * | 2006-02-01 | 2009-07-09 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 相変化合金をｃｍｐするための組成物及び方法 |
| JP2009016821A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Cheil Industries Inc | 相変化メモリデバイスの研磨用化学機械研磨用スラリー組成物およびそれを使った相変化メモリデバイスの研磨方法 |
| JP2010114446A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | ケミカルメカニカル研磨組成物及びそれに関連する方法 |
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