TW201326376A - 研磨用組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明之研磨用組成物,為使用在對具有相變合金之研磨對象物進行研磨的用途之研磨用組成物,其特徵係含有銨離子(NH4+)。研磨用組成物,可進一步含有膠體二氧化矽等之研磨料。

Description

研磨用組成物
本發明係關於適合於具有相變合金之研磨對象物的研磨之研磨用組成物。
PRAM(相變隨機存取記憶體)裝置(亦作為雙向記憶體裝置或PCRAM裝置而為人所知)中,係應用有可用於電子記憶用途中而在絕緣性非晶質相與傳導性結晶相之間進行電切換之相變材料(PCM)。適用於該用途之典型的相變材料的例子,可列舉出週期表的VIB族(硫屬化物,例如Te或Po)及VB族(例如Sb)元素,與In、Ge、Ga、Sn、或Ag等之1種或複數種金屬元素之組合。特別有用之相變材料,為鍺(Ge)-銻(Sb)-碲(Te)合金(GST合金)。此等材料的物理狀態,係與加熱/冷卻速度、溫度、及時間相依而能夠可逆地變化。其他有用之相變合金的例子,係包含亞銻酸銦(InSb)。PRAM裝置中的記憶資訊,係藉由不同之物理相或狀態的傳導特性,以損失最小的方式來保存。
對半導體基材(例如積體電路)之含有金屬的表面進行研磨之方法,為人所知者有化學機械研磨(CMP:Chemical-mechanical Planarization)。CMP中所使用之研磨用組成物,典型而言,可含有研磨料、氧化劑及錯合劑並有效地應用蝕刻來研磨。
CMP,能夠用以製作出使用相變材料之記憶裝置而應 用。然而,與由銅(Cu)或鎢(W)般的單一成分所構成之先前的金屬層不同,相變材料係以能夠使硫(S)、鈰(Ce)、鍺(Ge)、銻(Sb)、碲(Te)、銀(Ag)、銦(In)、錫(Sn)、鎵(Ga)等之複數種元素在結晶相及非晶質相之間可逆地變化之特定比率來混合。因此,較多之相變材料(例如GST)的物理性質,與PCM晶片中所應用之其他材料相比為軟質等,係與以往之金屬層材料的物理性質不同。因而難以將現行用以對含有金屬的表面進行研磨之研磨用組成物,直接應用在相變材料的研磨用途中。
此般狀況中,對於適合於具有相變合金之研磨對象物的研磨之研磨用組成物,乃進行各種探討。例如專利文獻1中,係揭示一種以含有研磨料及氮化物且具有相變合金之研磨對象物的研磨為目的之研磨用組成物。此外,專利文獻2中,係揭示一種以含有研磨料、及鐵離子或鐵螯合錯合物且具有相變合金之研磨對象物的研磨為目的之研磨用組成物。然而,此等文獻中所揭示之研磨用組成物,仍不具備有作為具有相變合金之研磨對象物的研磨用途之充分的性能,乃期待進一步的改良。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-016821號公報
[專利文獻2]日本特開2009-016829號公報
因此,本發明之目的在於提供一種可適合地使用在對具有相變合金之研磨對象物進行研磨的用途之研磨用組成物。尤其提供一種不與用以對含有金屬的表面進行研磨時所使用之先前典型的研磨用組成物中所含有之氧化劑及錯合劑相依,而能夠提升相變合金的研磨速度之研磨用組成物。
本發明者們在經過精心探討後,結果發現到藉由含有銨離子之研磨用組成物,相對於具有相變合金之研磨對象物可得到高研磨速度。
亦即,為了達成上述目的,本發明之一項型態中,係提供一種研磨用組成物,其係使用在對具有GST合金等的相變合金之研磨對象物進行研磨的用途之研磨用組成物,其係含有銨離子(NH4 +)。
一項實施形態中,前述銨離子係作為氫氧化銨而添加。
其他實施形態中,前述銨離子係作為選自有機酸的銨鹽及無機酸的銨鹽之1種以上的銨鹽而添加。
研磨用組成物可進一步含有研磨料。
前述研磨料較佳為膠體二氧化矽。
本發明之其他型態中,係提供一種研磨方法,其係使用上述型態之研磨用組成物,對具有相變合金之研磨對象 物的表面進行研磨。
本發明之另外型態中,係提供一種相變裝置的製造方法,其係包含:使用上述型態之研磨用組成物,對具有相變合金之研磨對象物的表面進行研磨之步驟。
根據本發明,係提供一種可適合地使用在對具有相變合金之研磨對象物進行研磨的用途之研磨用組成物,尤其提供一種可提升相變合金的研磨速度之研磨用組成物。
以下係說明本發明之一實施形態。
本發明之研磨用組成物,係使用在對具有相變合金之研磨對象物進行研磨的用途,進一步說明,係使用在藉由對具有相變合金之研磨對象物的表面進行研磨而製造相變裝置之用途。相變合金,在PRAM(相變隨機存取記憶體)裝置(亦作為雙向記憶體裝置或PCRAM裝置而為人所知)中,係應用作為可用於電子記憶用途中而在絕緣性非晶質相與傳導性結晶相之間進行電切換之材料。適用於該用途之相變合金的例子,可列舉出週期表的VIB族(硫屬化物,例如Te或Po)及VB族(例如Sb)元素,與In、Ge、Ga、Sn、或Ag等之1種或複數種金屬元素之組合。特別有用之相變材料,為鍺(Ge)-銻(Sb)-碲(Te)合金(GST合金)。
本實施形態之研磨用組成物,係含有銨離子。為用以對含有金屬的表面進行研磨時所使用之先前典型的研磨用組成物之情形時,係藉由同樣於研磨用組成物中所含有之錯合劑的作用,將藉由該研磨用組成物中所含有之氧化劑的作用使研磨對象的金屬氧化所產生之金屬氧化物予以溶解而進行金屬的研磨。相對於此,使用本實施形態之研磨用組成物來研磨相變合金時,該研磨用組成物中所含有之銨離子錯合形成於相變合金的表面並鍵結,而在相變合金的表面上形成不溶性的脆性膜。由於該脆性膜可藉由機械研磨作用容易地去除,所以可藉由本實施形態之研磨用組成物,以高研磨速度來研磨相變合金。
銨離子,可作為氨水(氫氧化銨)而添加於研磨用組成物,或是將作為氣體的氨添加於研磨用組成物並溶解,此外,亦可作為由酸與氨所構成之鹽來添加。
當使用由酸與氨所構成之鹽作為銨離子源時,酸的種類並無特別限定。惟較佳係使用在研磨用組成物中容易使銨離子解離之鹽。與氨一同形成滿足此條件之鹽之酸,無機酸,可列舉出鹽酸、硝酸、磷酸、硫酸、硼酸等;有機酸,可列舉出甲酸、乙酸、丙酸等之脂肪酸;苯甲酸、鄰苯二甲酸等之芳香族羧酸;檸檬酸、草酸、酒石酸、蘋果酸、馬來酸、富馬酸、琥珀酸、有機磺酸、有機膦酸等。銨鹽可單獨使用1種或組合2種以上使用。不論為何,係以在研磨用組成物中盡可能不形成鹽而能夠存在作為銨離子者為佳。
研磨用組成物中之銨離子的含量的上限,以氨水換算較佳為5mol/L,尤佳為3mol/L,更佳為1mol/L。隨著銨離子的含量減少,可降低研磨用組成物的製造成本,並且安全性提高,所以可提升研磨用組成物的處理容易度。
研磨用組成物中之銨離子的含量的下限,以氨水換算較佳為0.001mol/L,尤佳為0.01mol/L,更佳為0.1mol/L。隨著銨離子的含量增多,可提升研磨用組成物研磨相變合金之研磨速度。
(研磨用組成物的pH及pH調整劑)
研磨用組成物的pH之上限並無特別限定,較佳為12,尤佳為10。隨著pH變小,可提升研磨用組成物的處理容易度。
研磨用組成物的pH之下限亦無特別限定,較佳為1,尤佳為3。pH愈高,將研磨料添加於研磨用組成物時愈可提升研磨用組成物中之研磨料的分散性。
將研磨用組成物的pH調整為期望的值時,可使用pH調整劑。所使用之pH調整劑,可為酸或鹼,此外亦可為無機及有機化合物中的任一種。
(研磨料)
研磨用組成物可含有研磨料。研磨料可為無機粒子、有機粒子、及有機無機複合粒子中的任一種。無機粒子的具體例,例如可列舉出由二氧化矽、氧化鋁、氧化鈰、氧 化鈦等之金屬氧化物所構成之粒子,以及氮化矽粒子、碳化矽粒子及氮化硼粒子。有機粒子的具體例,例如可列舉出聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子。當中較佳為二氧化矽粒子,特佳為膠體二氧化矽。
研磨料可經表面改質。一般的膠體二氧化矽,由於在酸性條件下動電勢之值接近於零,所以在酸性條件下,二氧化矽粒子彼此不會相互呈電相斥而容易凝聚。相對於此,即使在酸性條件下動電勢亦具有相對較大的正或負值之經表面改質之研磨料,在酸性條件下亦可彼此強力相斥而良好地分散,其結果可提升研磨用組成物的保存穩定性。此般經表面改質之研磨料,例如可將鋁、鈦或鋯等之金屬或此等的氧化物與研磨料混合以摻雜於研磨料的表面而得。
或者是,研磨用組成物中之經表面改質之研磨料,可為有機酸經固定之二氧化矽。當中較佳為有機酸經固定之膠體二氧化矽。有機酸對膠體二氧化矽之固定,是藉由將有機酸的官能基化學鍵結於膠體二氧化矽的表面來進行。僅使膠體二氧化矽與有機酸共存者,乃無法達成有機酸對膠體二氧化矽之固定。將有機酸的一種之磺酸固定於膠體二氧化矽者,例如可藉由“Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups”,Chem.Commu.246-247(2003)所記載之方法來進行。具體而言,可在將3-巰丙基三甲氧矽烷等之具有硫醇基之矽烷偶合劑偶合於膠體二氧化矽後,以過氧化氫將硫醇基氧 化而得到磺酸固定於表面之膠體二氧化矽。或者是,將羧酸固定於膠體二氧化矽者,例如可藉由“Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel”,Chemistry Letters,3,228-229(2000)所記載之方法來進行。具體而言,可將含有光反應性的2-硝基苄酯之矽烷偶合劑偶合於膠體二氧化矽後,進行光照射而得到羧酸固定於表面之膠體二氧化矽。
研磨用組成物中之研磨料的含量,較佳為0.1質量%以上,尤佳為0.5質量%以上,更佳為1質量%以上。隨著研磨料的含量增多,乃具有可提升研磨用組成物研磨相變合金之速度之優點。
此外,研磨用組成物中之研磨料的含量,較佳為20質量%以下,尤佳為15質量%以下,更佳為10質量%以下。隨著研磨料的含量減少,可抑制研磨用組成物的材料成本,並且不易引起研磨料的凝聚。此外,藉由使用研磨用組成物來研磨相變合金,可容易得到表面缺陷少之研磨面。
研磨料的平均一次粒徑,較佳為5nm以上,尤佳為7nm以上,更佳為10nm以上。隨著研磨料的平均一次粒徑增大,乃有利於提升研磨用組成物研磨相變合金之速度。研磨料的平均一次粒徑之值,例如可根據由BET法所測定之研磨料的比表面積來計算。
此外,研磨料的平均一次粒徑,較佳為100nm以 下,尤佳為90nm以下,更佳為80nm以下。隨著研磨料的平均一次粒徑減少,可藉由使用研磨用組成物來研磨相變合金而容易得到表面缺陷少之研磨面。
研磨料的平均二次粒徑,較佳為150nm以下,尤佳為120nm以下,更佳為100nm以下。研磨料的平均二次粒徑之值,例如可藉由雷射光散射法來測定。
研磨料之以平均一次粒徑之值除上平均二次粒徑之值所得之研磨料的平均聚集度,較佳為1.2以上,尤佳為1.5以上。隨著研磨料的平均聚集度增大,乃具有可提升研磨用組成物研磨相變合金之速度之優點。
此外,研磨料的平均聚集度,較佳為4以下,尤佳為3以下,更佳為2以下。隨著研磨料的平均聚集度降低,藉由使用研磨用組成物來研磨相變合金,可容易得到表面缺陷少之研磨面。
(氧化劑)
研磨用組成物可含有氧化劑。氧化劑係具有將研磨對象物的表面氧化之作用,並可視為具有有助於使研磨用組成物中所含有之銨離子與相變合金表面錯合形成而形成不溶性的脆性膜之效果。其結果為,當將氧化劑添加於研磨用組成物時,乃具有提升研磨用組成物研磨相變合金之速度之效果。然而,當使用用以對含有金屬的表面進行研磨所使用之先前典型的研磨用組成物來研磨相變合金時,相變合金容易被過度研磨。此可考量為相變合金的特性與銅 般之一般半導體裝置中所使用之金屬材料的特性不同之故。
研磨用組成物中之氧化劑的含量之上限,較佳為10質量%,尤佳為5質量%。隨著氧化劑的含量減少,不易引起氧化劑對相變合金所造成的過剩氧化,而抑制相變合金的過剩研磨。
研磨用組成物中之氧化劑的含量之下限,較佳為0.1質量%,尤佳為0.3質量%。隨著氧化劑的含量增多,有助於提升相變合金的研磨速度。
能夠使用之氧化劑,例如有過氧化物。過氧化物的具體例,例如可列舉出過氧化氫、過氧化鋇、過乙酸、過碳酸鹽、過氧化脲、過甲酸、過苯甲酸、過鄰苯二甲酸、過氧二硫酸、過氧磷酸、過氧硫酸、過氧硼酸及過氫氯酸、以及過硫酸鈉、過硫酸鉀及過硫酸銨等之過硫酸鹽。此外,亦可使用有機氧化劑、臭氧水、銀(II)鹽、鐵(III)鹽、過錳酸、鉻酸、重鉻酸、次氯酸、次溴酸、次碘酸、氫氯酸、亞氯酸、氫溴酸、氫碘酸、過氫碘酸、硫酸、硝酸、亞硝酸、檸檬酸、二氯異氰尿酸及此等之鹽,作為氧化劑。當中就研磨速度之觀點來看,較佳為過硫酸鹽及過氧化氫,就水溶液中的穩定性及對環境負荷之觀點來看,特佳為過氧化氫。
(錯合劑)
研磨用組成物可含有錯合劑。錯合劑係具有將相變合 金的表面化學蝕刻之作用,而具有提升研磨用組成物研磨相變合金之速度之功用。然而,當使用用以對含有金屬的表面進行研磨所使用之先前典型的研磨用組成物來研磨相變合金時,會引起相變合金的過度研磨,其結果為,相變合金容易被過度研磨。此可考量為相變合金的特性與銅般之一般半導體裝置中所使用之金屬材料的特性不同之故。
研磨用組成物中之錯合劑的含量之上限,較佳為10質量%,尤佳為1質量%。隨著錯合劑的含量減少,不易引起錯合劑對相變合金所造成的過剩蝕刻,而抑制相變合金的過剩研磨。
研磨用組成物中之錯合劑的含量之下限,較佳為0.01質量%,尤佳為0.1質量%。隨著錯合劑的含量增多,可增加錯合劑對相變合金所進行之蝕刻效果,故有助於提升研磨用組成物研磨相變合金之速度。
能夠使用之錯合劑,例如可列舉出無機酸、有機酸、及胺基酸。無機酸的具體例,例如可列舉出硫酸、硝酸、硼酸、碳酸、次磷酸、亞磷酸及磷酸。有機酸的具體例,例如可列舉出甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、正庚酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基庚酸、苯甲酸、二醇酸、柳酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、鄰苯二甲酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸及乳酸。亦可使用甲烷磺酸、乙烷磺酸及羥乙基磺酸等之有機硫酸。此外,亦可使用無機酸或有機 酸的鹼金屬鹽等之鹽,來取代無機酸或有機酸、或是與無機酸或有機酸組合使用。胺基酸的具體例,例如可列舉出甘胺酸、α-丙胺酸、β-丙胺酸、N-甲基甘胺酸、N,N-二甲基甘胺酸、2-胺基丁酸、正纈胺酸、纈胺酸、白胺酸、正白胺酸、異白胺酸、苯基丙胺酸、脯胺酸、肌胺酸、鳥胺酸、離胺酸、牛磺酸、絲胺酸、蘇胺酸、類絲胺酸、酪胺酸、二羥乙甘胺酸、三(羥甲基)甲甘胺酸、3,5-二碘-酪胺酸、β-(3,4-二羥苯基)-甘胺酸、甲狀腺素、4-羥基-脯胺酸、半胱胺酸、甲硫胺酸、乙硫胺酸、羊毛硫胺酸、胱硫醚、胱胺酸、半胱胺酸、天門冬胺酸、麩胺酸、S-(羧甲基)-半胱胺酸、4-胺基丁酸、天門冬胺、麩胺、重氮絲氨酸、精胺酸、刀豆氨酸、瓜氨酸、δ-羥基-離胺酸、肌酸、組胺酸、1-甲基-組胺酸、3-甲基-組胺酸、色胺酸。當中就研磨速度的提升之觀點來看,錯合劑較佳為甘胺酸、丙胺酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、二醇酸、羥乙基磺酸或是此等之鹽。
(金屬防蝕劑)
研磨用組成物可含有金屬防蝕劑。當將金屬防蝕劑添加於研磨用組成物時,乃具有在使用研磨用組成物進行研磨後之相變合金上更不易產生凹陷等表面缺陷之效果。此外,金屬防蝕劑,當研磨用組成物中含有氧化劑及/或錯合劑時,可緩和氧化劑對相變合金表面所造成的氧化,並且發揮與因氧化劑對相變合金表面金屬所造成的氧化所產 生之金屬離子反應,而生成不溶性的錯合物之功用。其結果可抑制錯合劑對相變合金所進行之蝕刻,而抑制相變合金的過度研磨。
能夠使用之金屬防蝕劑的種類並無特別限定,較佳為雜環型化合物。雜環型化合物中之雜環的員數並無特別限定。此外,雜環型化合物可為單環化合物,或是具有縮合環之多環化合物。
作為金屬防蝕劑之雜環型化合物的具體例,例如可列舉出吡咯化合物、吡唑化合物、咪唑化合物、三唑化合物、四唑化合物、吡啶化合物、吡嗪化合物、噠嗪化合物、4-氮茚化合物、吲嗪化合物、吲哚化合物、異吲哚化合物、吲唑化合物、嘌呤化合物、喹嗪化合物、喹啉化合物、異喹啉化合物、萘啶化合物、酞嗪化合物、喹喔啉化合物、喹唑啉化合物、噌啉化合物、布替利嗪化合物、噻唑化合物、異噻唑化合物、噁唑化合物、異噁唑化合物及呋呫化合物等之含氮雜環化合物。吡唑化合物的具體例,例如可列舉出1H-吡唑、4-硝基-3-吡唑羧酸及3,5-吡唑羧酸。咪唑化合物的具體例,例如可列舉出咪唑、1-甲基咪唑、2-甲基咪唑、4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-異丙基咪唑、苯並咪唑、5,6-二甲基苯並咪唑、2-胺基苯並咪唑、2-氯苯並咪唑及2-甲基苯並咪唑。三唑的具體例,例如可列舉出1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1-甲基-1,2,4-三唑、甲基-1H-1,2,4-三唑-3-羧酸酯、1,2,4-三唑-3-羧酸、1,2,4-三唑-3-羧酸甲酯、3-胺基-1H- 1,2,4-三唑、3-胺基-5-苄基-4H-1,2,4-三唑、3-胺基-5-甲基-4H-1,2,4-三唑、3-硝基-1,2,4-三唑、3-溴-5-硝基-1,2,4-三唑、4-(1,2,4-三唑-1-基)酚、4-胺基-1,2,4-三唑、4-胺基-3,5-二丙基-4H-1,2,4-三唑、4-胺基-3,5-二甲基-4H-1,2,4-三唑、4-胺基-3,5-二庚基-4H-1,2,4-三唑、5-甲基-1,2,4-三唑-3,4-二胺、1-羥基苯並三唑、1-胺基苯並三唑、1-羧基苯並三唑、5-氯-1H-苯並三唑、5-硝基-1H-苯並三唑、5-羧基-1H-苯並三唑、5,6-二甲基-1H-苯並三唑、1-(1",2'-二羧乙基)苯並三唑。四唑化合物的具體例,例如可列舉出1H-四唑、5-甲基四唑、5-胺基四唑、及5-苯基四唑。吲哚化合物的具體例,例如可列舉出1H-吲哚、1-甲基-1H-吲哚、2-甲基-1H-吲哚、3-甲基-1H-吲哚、4-甲基-1H-吲哚、5-甲基-1H-吲哚、6-甲基-1H-吲哚、及7-甲基-1H-吲哚。吲唑化合物的具體例,例如可列舉出1H-吲唑及5-胺基-1H-吲唑。此等雜環化合物,由於對相變合金之化學或物理吸附力高,所以可將更堅固的保護膜形成於相變合金表面。因此,可抑制在使用研磨用組成物進行研磨後之相變合金的過剩蝕刻,而抑制相變合金的過剩研磨。
研磨用組成物中之金屬防蝕劑的含量之上限,較佳為10質量%,尤佳為5質量%,更佳為1質量%。隨著金屬防蝕劑的含量減少,乃具有提升研磨用組成物研磨相變合金之速度之效果。
研磨用組成物中之金屬防蝕劑的含量之下限,較佳為 0.001質量%,尤佳為0.01質量%,更佳為0.1質量%。隨著金屬防蝕劑的含量增多,可抑制在使用研磨用組成物進行研磨後之相變合金的過剩蝕刻,而抑制相變合金的過剩研磨。
使用本實施形態之研磨用組成物來研磨具有相變合金之研磨對象物的表面時,可使用研磨墊片。研磨墊片,可使用一般的不織布、發泡聚胺甲酸酯、多孔質氟樹脂等,並無特別限制。此外,可在研磨墊片上施以槽加工以使研磨用組成物容易停留在研磨墊片上。
研磨墊片之硬度的下限,以蕭氏硬度D計較佳為50,尤佳為60。墊片的蕭氏硬度D愈高,墊片的機械作用愈大,可提升相變合金的研磨速度。此外,具有即使在研磨用組成物中未含研磨料,亦可得到相變合金的高研磨速度之優點。
研磨墊片之硬度的上限,以蕭氏硬度D計較佳為99,尤佳為95。墊片的蕭氏硬度D愈低,在被研磨之相變合金的表面上愈不易形成損傷。蕭氏硬度D,就定義上不會有100以上之值。墊片的蕭氏硬度D,可藉由蕭氏硬度D測定儀來測定。
蕭氏硬度D為50以上之研磨墊片,可由發泡體所形成,或是由布、不織布等之非發泡體所形成。研磨墊片的材料,可使用聚胺甲酸酯、丙烯酸、聚酯、丙烯酸-酯共聚物、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚4-甲基戊烯、纖維素、纖維素酯、尼龍及醯胺等之聚醯胺、聚醯亞胺、 聚醯亞胺醯胺、聚矽氧烷共聚物、環氧乙烷化合物、酚樹脂、聚苯乙烯、聚碳酸酯、環氧樹脂等之樹脂。
根據本實施形態,可得到下列作用及效果。
.為用以對含有金屬的表面進行研磨時所使用之先前典型的研磨用組成物之情形時,係藉由同樣於研磨用組成物中所含有之錯合劑的作用,將藉由該研磨用組成物中所含有之氧化劑的作用使研磨對象的金屬氧化所產生之金屬氧化物予以溶解而進行金屬的研磨。相對於此,使用本實施形態之研磨用組成物來研磨相變合金時,該研磨用組成物中所含有之銨離子錯合形成於相變合金的表面並鍵結,而在相變合金的表面上形成不溶性的脆性膜。因此,根據本實施形態之研磨用組成物,可藉由高研磨速度來研磨相變合金。
.當將有機酸經固定之膠體二氧化矽添加於研磨用組成物中時,可得到涵蓋長期間之優異的分散穩定性。該理由在於:有機酸經固定之膠體二氧化矽,與有機酸未經固定之通常的膠體二氧化矽相比,研磨用組成物中之動電勢的絕對值有較大的傾向之故。隨著研磨用組成物中之動電勢的絕對值增大,二氧化矽粒子彼此間的靜電排斥力增強,所以不易引起由於凡得瓦力的引力所起因之膠體二氧化矽的凝聚。例如在酸性的pH區域中,有機酸經固定之膠體二氧化矽的動電勢,一般顯示出-15mV以下的負值,相對於此,通常的膠體二氧化矽的動電勢係顯示出接近於零之值。
前述實施形態可變更如下。
.前述實施形態之研磨用組成物,可因應必要,進一步含有界面活性劑或水溶性高分子、防腐劑般之一般所知的添加劑。
.前述實施形態之研磨用組成物,可為單液型或是以雙液型為首之多液型。
.前述實施形態之研磨用組成物,可藉由以水來稀釋研磨用組成物的原液而調製出。
接著說明本發明之實施例及比較例。
將研磨料、銨離子源或取代其之添加劑、及氧化劑適當地混合於水,藉此調製出具有第1表及第2表所記載的組成之實施例1~23及比較例1~26之研磨用組成物。
於第1表及第2表之“研磨料”欄中,係顯示各研磨用組成物中之研磨料的含量。同欄中記載為“-”者係顯示不含研磨料。實施例1~23及比較例1~26中所使用之研磨料,均為平均一次粒徑30nm且平均二次粒徑60nm的膠體二氧化矽。
於第1表及第2表之“銨離子源或取代其之添加劑”欄中的“種類”欄中,係顯示實施例中所使用之銨離子源的種類以及比較例中所使用之取代銨離子源之添加劑的種類。比較例中所使用之添加劑,係選自對含有金屬的表面進行研磨時所使用之先前典型的研磨用組成物中所使用之錯合劑及防蝕劑,均為無法發揮銨離子源的功用之化合物。此外,於“含量(質量%)”欄中,係顯示各研磨用組成 物中之銨離子源或取代其之添加劑的含量。同欄中記載為“-”者係顯示不含銨離子源或取代其之添加劑。
於第1表及第2表之“銨離子”欄的“含量(mol/L)”欄中,係顯示以氨水換算所求取之各研磨用組成物中之銨離子的濃度。
於第1表及第2表之“氧化劑”欄的“種類”欄中,係顯示各研磨用組成物中所含有之氧化劑的種類。此外,於“含量(質量%)”欄中,係顯示各研磨用組成物中之氧化劑的含量。同欄中記載為“-”者係顯示不含氧化劑。
於第1表及第2表之“pH”欄中,係顯示各研磨用組成物的pH。各研磨用組成物的pH,係添加無機酸或無機鹼來調整為期望的值。
使用實施例1~23及比較例1~26的各研磨用組成物,並以第3表所示之條件來研磨含有GST合金(Ge、Sb及Te的質量比為2:2:5)之原晶圓。從依據直流四探針法所進行之薄片電阻的測定中,求取研磨前後之各晶圓的厚度,並以研磨時間除上該差來算出研磨速度。第1表及第2表之“評估”欄中的“研磨速度”欄,係顯示所算出之研磨速度之值。
如第1表及第2表所示,例如在含有研磨料及銨離子之實施例1~3之研磨用組成物中,與僅含有研磨料之比較例2、11~13之研磨用組成物,以及含有研磨料及無法成為銨離子源之添加劑之比較例3~9之研磨用組成物相比,可觀察到研磨速度高。在含有銨離子之實施例8之研磨用組成物中,與僅由水所構成之比較例1之研磨用組成物,以及僅含有無法成為銨離子源之添加劑之比較例10之研磨用組成物相比,可觀察到研磨速度高。在含有研磨料、銨離子及過氧化氫之實施例4~7、9之研磨用組成物中,與含有研磨料及過氧化氫之比較例14~16之研磨用組成物相比,可觀察到研磨速度高。在含有研磨料、銨離子及氧化劑之實施例10~23之研磨用組成物中,與含有研磨料及和實施例相同的氧化劑之比較例17~26之研磨用組成物相比,可觀察到研磨速度高。亦即,使用實施例1~23之研磨用組成物時,與使用不屬於本發明的範圍之比較例1~26之研磨用組成物時相比,可觀察到研磨速度的提升。

Claims (8)

  1. 一種研磨用組成物,其係使用在對具有相變合金之研磨對象物進行研磨的用途之研磨用組成物,其特徵為:含有銨離子(NH4 +)。
  2. 如申請專利範圍第1項之研磨用組成物,其中前述銨離子係作為氫氧化銨而添加。
  3. 如申請專利範圍第1項之研磨用組成物,其中前述銨離子係作為選自有機酸的銨鹽及無機酸的銨鹽之1種以上的銨鹽而添加。
  4. 如申請專利範圍第1項之研磨用組成物,其中進一步含有研磨料。
  5. 如申請專利範圍第4項之研磨用組成物,其中前述研磨料為膠體二氧化矽。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之研磨用組成物,其中前述相變合金為鍺-銻-碲合金。
  7. 一種研磨方法,其特徵為:使用如申請專利範圍第1至5項中任一項之研磨用組成物,對具有相變合金之研磨對象物的表面進行研磨。
  8. 一種相變裝置的製造方法,其特徵為包含:使用如申請專利範圍第1至5項中任一項之研磨用組成物,對具有相變合金之研磨對象物的表面進行研磨之步驟。
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