JP2009015978A - 半導体記憶装置及びメモリシステム - Google Patents
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Abstract
【課題】信頼性の高いデータ記録を可能とする半導体記憶装置及びメモリシステムを提供すること。
【解決手段】電荷蓄積層と制御ゲートとを含む積層ゲートを備え、Mビット(≠2i、iは自然数であり、Mは3以上の自然数)のデータを保持可能なメモリセルトランジスタMTと、前記メモリセルトランジスタMTがマトリクス状に配置されたメモリブロックBLKと、同一行に位置する前記メモリセルトランジスタMTの制御ゲートを接続するワード線WLとを具備し、前記メモリブロックBLK内の前記メモリセルトランジスタMTのデータは一括して消去されることで、前記メモリブロックBLKが前記データの消去単位となり、前記メモリブロックBLK内の保持可能なデータサイズは、Lビット(=2k、kは自然数)である。
【選択図】図7
【解決手段】電荷蓄積層と制御ゲートとを含む積層ゲートを備え、Mビット(≠2i、iは自然数であり、Mは3以上の自然数)のデータを保持可能なメモリセルトランジスタMTと、前記メモリセルトランジスタMTがマトリクス状に配置されたメモリブロックBLKと、同一行に位置する前記メモリセルトランジスタMTの制御ゲートを接続するワード線WLとを具備し、前記メモリブロックBLK内の前記メモリセルトランジスタMTのデータは一括して消去されることで、前記メモリブロックBLKが前記データの消去単位となり、前記メモリブロックBLK内の保持可能なデータサイズは、Lビット(=2k、kは自然数)である。
【選択図】図7
Description
この発明は、半導体記憶装置及びメモリシステムに関する。例えば、電荷蓄積層と制御ゲートとを備えたメモリセルを有する半導体記憶装置に関する。
従来、多値(multi-level)NAND型フラッシュメモリが知られている。多値NAND型フラッシュメモリとは、各メモリセルにつき2ビット以上のデータを保持可能とさせたNAND型フラッシュメモリである。例えば4値(4 levels)NAND型フラッシュメモリでは、1つのメモリセルが2ビットのデータを保持し、8値(8 levels)NAND型フラッシュメモリでは3ビットのデータを保持する(例えば特許文献1参照)。
NAND型フラッシュメモリにおいて、あるメモリブロックについてのワード線が例えば64本、ビット線が32K本であったとすると、2値NAND型フラッシュメモリの容量は256KBであり、4値NAND型フラッシュメモリの容量では512KB、8値NAND型フラッシュメモリでは768KBとなる。なお、メモリブロックとはメモリセルの集合であって、同一メモリブロック内におけるメモリセルのデータは一括して消去される。
またNAND型フラッシュメモリでは、例えば動画を記録する際等に、サイズが有る程度大きく、且つ論理アドレスが連続した論理空間を確保し、この論理空間に動画を記録する手法が用いられている。この論理空間は、Allocation Unit(AU)と呼ばれている。そしてこのAUのサイズは、2の冪乗の値とされるのが一般的である。
すると、例えば8値NAND型フラッシュメモリのような多値NAND型フラッシュメモリでは、そのメモリ容量が2の冪乗で表記出来ない場合が生じる。従って、8値NAND型フラッシュメモリでは、AUのサイズはメモリブロックのサイズの整数倍に一致しない。その結果、多値NAND型フラッシュメモリにおいてデータのコピー動作が必要となり、動画の記録を中断せざるを得ない場合が生じるという問題があった。
米国特許第5,847,999号明細書
この発明は、信頼性の高いデータ記録を可能とする半導体記憶装置及びメモリシステムを提供する。
この発明の一態様に係る半導体記憶装置は、各々が電荷蓄積層と制御ゲートとを含む積層ゲートを備え、且つMビット(≠2i、iは自然数であり、Mは3以上の自然数)のデータを保持可能な、複数のメモリセルトランジスタと、複数の前記メモリセルトランジスタがマトリクス状に配置されたメモリブロックと、前記メモリブロック内において、同一行に位置する前記メモリセルトランジスタの制御ゲートを共通接続するワード線とを具備し、前記メモリブロック内に含まれる前記メモリセルトランジスタのデータが一括して消去されることで、前記メモリブロックが前記データの消去単位となり、前記メモリブロックの保持可能なデータサイズはLビット(=2k、kは自然数)である。
また、この発明の一態様に係るメモリシステムは、データを保持可能な半導体記憶装置と、外部から第1データを受信して、該第1データを前記半導体記憶装置に書き込むメモリコントローラとを具備するメモリシステムであって、前記半導体記憶装置は、各々が電荷蓄積層と制御ゲートとを含む積層ゲートを備え、且つMビット(Mは2以上の自然数)のデータを保持可能な、複数のメモリセルトランジスタと、複数の前記メモリセルトランジスタがマトリクス状に配置されたメモリブロックと、前記メモリブロック内において、同一行に位置する前記メモリセルトランジスタの制御ゲートを共通接続するワード線とを備え、前記メモリコントローラは、外部から前記第1データを受け取るインタフェースと、前記第1データを前記半導体記憶装置へ書き込み、且つ前記メモリブロックに関する情報である第2データを生成して前記半導体記憶装置へ書き込むプロセッサとを備え、前記メモリブロック内に含まれる前記メモリセルトランジスタのデータが一括して消去されることで、前記メモリブロックが前記データの消去単位となり、前記ワード線は第1ワード線と第2ワード線とを含み、前記メモリブロックは、第1メモリ領域と第2メモリ領域とを含み、前記第1メモリ領域は、前記第1ワード線に接続された前記メモリセルトランジスタの前記Mビット、または前記第1ワード線に接続された前記メモリセルトランジスタの前記Mビットと、前記第2ワード線に接続された前記メモリセルトランジスタの前記Mビットのうちのjビット(jは自然数でj<M)とによって形成され、保持可能なデータサイズがLビット(=2k、kは自然数)であるメモリ空間であり、前記第2メモリ領域は、前記第2ワード線に接続された前記メモリセルトランジスタの前記Mビット、または(M−j)ビットによって形成されるメモリ空間であり、前記プロセッサは、前記第1データを前記第1メモリ領域に書き込み、前記第2データを前記第2メモリ領域に書き込む。
本発明によれば、信頼性の高いデータ記録を可能とする半導体記憶装置及びメモリシステムを提供出来る。
以下、この発明の実施形態につき図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
[第1の実施形態]
この発明の第1の実施形態に係る半導体記憶装置及びメモリシステムについて、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係るメモリシステムのブロック図である。
この発明の第1の実施形態に係る半導体記憶装置及びメモリシステムについて、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係るメモリシステムのブロック図である。
図示するようにメモリシステムは、メモリカード1及びホスト機器2を備えている。ホスト機器2は、バスインタフェース14を介して接続されるメモリカード1に対しアクセスを行うためのハードウェアおよびソフトウェアを備えている。メモリカード1は、ホスト機器2に接続された時に電源供給を受けて動作し、ホスト機器2からのアクセスに応じた処理を行う。
メモリカード1は、ホスト機器2とバスインタフェース14を介して情報の授受を行う。メモリカード1は、8値NAND型フラッシュメモリチップ(単にNAND型フラッシュメモリ、またはフラッシュメモリと呼ぶことがある)11、フラッシュメモリチップ11を制御するカードコントローラ12、および複数の信号ピン(第1ピン乃至第9ピン)13を備えている。
複数の信号ピン13は、カードコントローラ12と電気的に接続されている。複数の信号ピン13における第1ピン乃至第9ピンに対する信号の割り当ては、例えば図2に示すようになっている。図2は、第1ピン乃至第9ピンと、それらに割り当てられた信号とを示す表である。
データ0乃至データ3は、第7ピン、第8ピン、第9ピン、および第1ピンにそれぞれ割り当てられている。第1ピンは、また、カード検出信号に対しても割り当てられている。さらに、第2ピンはコマンドに割り当てられ、第3ピンおよび第6ピンは接地電位Vssに、第4ピンは電源電位Vddに、第5ピンはクロック信号に割り当てられている。
また、メモリカード1は、ホスト機器2に設けられたスロットに対して挿抜可能なように形成されている。ホスト機器2に設けられたホストコントローラ(図示せず)は、これら第1ピン乃至第9ピンを介してメモリカード1内のカードコントローラ12と各種信号およびデータを通信する。例えば、メモリカード1にデータが書き込まれる際には、ホストコントローラは、書き込みコマンドを、第2ピンを介してカードコントローラ12にシリアルな信号として送出する。このとき、カードコントローラ12は、第5ピンに供給されているクロック信号に応答して、第2ピンに与えられる書き込みコマンドを取り込む。
ここで、前述したように、書き込みコマンドは、第2ピンのみを利用してカードコントローラ12にシリアルに入力される。コマンドの入力に割り当てられている第2ピンは、図2に示すように、データ3用の第1ピンと接地電位Vss用の第3ピンとの間に配置されている。複数の信号ピン13とそれに対するバスインタフェース14は、ホスト機器2内のホストコントローラとメモリカード1とが通信するのに使用される。
これに対し、フラッシュメモリ11とカードコントローラ12との間の通信は、NAND型フラッシュメモリ用のインタフェースによって行われる。したがって、ここでは図示しないが、フラッシュメモリ11とカードコントローラ12とは例えば8ビットの入出力(I/O)線により接続されている。
例えば、カードコントローラ12がフラッシュメモリ11にデータを書き込む際には、カードコントローラ12は、これらI/O線を介してデータ入力コマンド80H、カラムアドレス、ページアドレス、データ、およびプログラムコマンド10Hをフラッシュメモリ11に順次入力する。ここで、コマンド80Hの“H”は16進数を示すものであり、実際には“10000000”という8ビットの信号が、8ビットのI/O線にパラレルに与えられる。つまり、このNAND型フラッシュメモリ用のインタフェースでは、複数ビットのコマンドがパラレルに与えられる。
また、NAND型フラッシュメモリ用のインタフェースでは、フラッシュメモリ11に対するコマンドとデータが同じI/O線を共用して通信されている。このように、ホスト機器2内のホストコントローラとメモリカード1とが通信するインタフェースと、フラッシュメモリ11とカードコントローラ12とが通信するインタフェースとは異なる。
次に、図1に示すメモリカード1の備えるカードコントローラの内部構成について図3を用いて説明する。図3はカードコントローラ12のブロック図である。
カードコントローラ12は、フラッシュメモリ11内部の物理状態(例えば、何処の物理ブロックアドレスに、何番目の論理セクタアドレスデータが含まれているか、あるいは、何処のブロックが消去状態であるか)を管理する。カードコントローラ12は、ホストインタフェースモジュール21、MPU(Micro processing unit)22、フラッシュコントローラ23、ROM(Read-only memory)24、RAM(Random access memory)25、およびバッファ26を有する。
ホストインタフェースモジュール21は、カードコントローラ12とホスト機器2との間のインタフェース処理を行う。
MPU22は、メモリカード1全体の動作を制御する。MPU22は、例えばメモリカード1が電源供給を受けたときに、ROM24に格納されているファームウェア(制御プログラム)をRAM25上に読み出して所定の処理を実行することにより、各種のテーブルをRAM25上に作成する。またMPU22は、ホスト機器2から書き込みコマンド、読み出しコマンド、消去コマンドを受け取り、フラッシュメモリ11に対して所定の処理を実行したり、バッファ26を通じたデータ転送処理を制御したりする。
ROM24は、MPU22により制御される制御プログラムなどを格納する。RAM25は、MPU22の作業エリアとして使用され、制御プログラムや各種のテーブル(表)を記憶する。フラッシュコントローラ23は、カードコントローラ12とフラッシュメモリ11との間のインタフェース処理を行う。
バッファ26は、ホスト機器2から送られてくるデータをフラッシュメモリ11へ書き込む際に、一定量のデータ(例えば、1ページ分)を一時的に記憶したり、フラッシュメモリ11から読み出されるデータをホスト機器2へ送り出す際に、一定量のデータを一時的に記憶したりする。
次に、NAND型フラッシュメモリ11の内部構成について簡単に説明する。図4はNAND型フラッシュメモリ11のブロック図である。図示するようにNAND型フラッシュメモリ11は、メモリセルアレイ30、ロウデコーダ31、及びページバッファ32を備えている。
メモリセルアレイ30は、複数のメモリブロックBLK0〜BLKm(mは2以上の自然数)を含んでいる。なお以下ではメモリブロックBLK0〜BLKmを区別しない場合には、単純にメモリブロックBLKと呼ぶ。メモリブロックBLKの各々は、データを保持するメモリセルの集合である。データの消去はメモリブロックBLK単位で行われる。すなわち、同一メモリブロックBLK内のデータは一括して消去される。
ロウデコーダ31は、カードコントローラ12から与えられるロウアドレス信号に従って、メモリセルアレイ30中におけるいずれかのメモリブロックBLKのロウ方向を選択する。
ページバッファ32は、メモリセルアレイ11へのデータ入出力を行い、データを一時的に保持する。ページバッファ32とメモリセルアレイ11との間のデータの入出力は、複数のデータ単位で行われる。すなわち、複数のメモリセルに対して、一括してデータの書き込みが行われる。以下、このデータ単位をページと呼ぶ。
次に、上記メモリセルアレイ11に含まれるメモリブロックBLKの構成について図5を用いて説明する。図5は、メモリブロックBLKの回路図である。
図示するように、メモリブロックBLKは、大まかには第1領域40及び第2領域41を備えている。第1領域40及び第2領域41は共にデータを保持可能とされ、第2領域は冗長部として使用される。例えば第2領域は、ECCデータ保持用として用いられる。
まず第1領域40について説明する。第1領域40は、例えば32K(Kは1024)個のNANDセル42を備えている。NANDセル42の各々は、例えば43個のメモリセルトランジスタMT0〜MT42と、選択トランジスタST1、ST2とを備えている。以下、メモリセルトランジスタMT0〜MT42をそれぞれ区別しない場合には、単純にメモリセルトランジスタMTと呼ぶ。メモリセルトランジスタMT0〜MT42は、選択トランジスタST2のドレインと選択トランジスタST1のソースとの間に、その電流経路が直列接続されている。メモリセルトランジスタMTの各々は、半導体基板上にゲート絶縁膜を介在して形成された電荷蓄積層(例えばフローティングゲート)と、電荷蓄積層上にゲート間絶縁膜を介在して形成された制御ゲートとを有する積層ゲートを備えている。
選択トランジスタST2のソースはソース線SLに共通接続され、選択トランジスタST1のドレインは、32K本のビット線BL0〜BL32767のいずれかに接続されている。ビット線BL0〜BL32767は、複数のメモリブロックBLK間でNANDセル42を共通接続する。以下、ビット線BL0〜BL32767を区別しない場合には、単純にビット線BLと呼ぶ。また、同一メモリブロックBLK内のメモリセルトランジスタMT0〜MT42の制御ゲートは、それぞれワード線WL0〜WL42に接続されている。また選択トランジスタST1、ST2のゲートは、それぞれセレクトゲート線SGD、SGSに接続されている。
上記構成において、いずれかのワード線WLに接続された32K個のメモリセルトランジスタMTには、一括してデータが書き込まれる。
上記構成において、いずれかのワード線WLに接続された32K個のメモリセルトランジスタMTには、一括してデータが書き込まれる。
次に、第2領域41について説明する。第2領域も第1領域40と同様に複数個((α+1)個、αは自然数)のNANDセル42を備えている。そして、各NANDセル42内における選択トランジスタST1のドレインはビット線BL32768〜BL32768+αのいずれかに接続される。また選択トランジスタST2のソースはソース線SLに接続される。更に、メモリセルトランジスタMT0〜MT42の制御ゲートは、それぞれワード線WL0〜WL42に接続され、選択トランジスタST1、ST2のゲートは、それぞれセレクトゲート線SGD、SGSに接続されている。
上記構成において、いずれかのワード線WLに接続された(α+1)個のメモリセルトランジスタMTには、一括してデータが書き込まれる。
上記構成において、いずれかのワード線WLに接続された(α+1)個のメモリセルトランジスタMTには、一括してデータが書き込まれる。
なお、以下では説明の簡単化のために、冗長部である第2領域41についての説明は省略する。そして、メモリブロックBLKに対する書き込み動作は、第1領域40内の32K個のメモリセルトランジスタMT単位で行われるものとして説明を行う。
上記NANDセル42に含まれるメモリセルトランジスタMTの各々は、“111”、“110”、“101”、“100”、“011”、“010”、“001”、及び“000”の8値(3ビット)のデータを保持可能とされている。図6はメモリセルトランジスタMTの閾値電圧を示すグラフであり、8値のうちの各データを保持する際の閾値電圧分布を示している。
図示するように、メモリセルトランジスタMTの閾値電圧は、“111”、“110”、“101”、“100”、“011”、“010”、“001”、及び“000”の順番で高くなっていく。すなわち、“111”データを保持するメモリセルトランジスタMTの閾値電圧Vthは、Vth<Vth0とされ、“110”データを保持するメモリセルトランジスタMTの閾値電圧Vthは、Vth0<Vth<Vth1とされ、“101”データを保持するメモリセルトランジスタMTの閾値電圧Vthは、Vth1<Vth<Vth2とされ、“100”データを保持するメモリセルトランジスタMTの閾値電圧Vthは、Vth2<Vth<Vth3とされ、“011”データを保持するメモリセルトランジスタMTの閾値電圧Vthは、Vth3<Vth<Vth4とされ、“010”データを保持するメモリセルトランジスタMTの閾値電圧Vthは、Vth4<Vth<Vth5とされ、“001”データを保持するメモリセルトランジスタMTの閾値電圧Vthは、Vth5<Vth<Vth6とされ、“000”データを保持するメモリセルトランジスタMTの閾値電圧Vthは、Vth6<Vthとされる。
なお、図6では“111”、“110”、“101”、“100”、“011”、“010”、“001”、及び“000”の順番で閾値電圧が高くなっていく場合について示しているが、これは一例に過ぎず、各データとその閾値電圧との対応関係は、適宜設定可能である。
図7は、上記メモリブロックBLKのブロック図であり、ページを基準にしてメモリブロックBLKを示したものである。
前述の通り、各メモリセルトランジスタMTは3ビットのデータを保持可能である。そして、データはビット毎に書き込まれる。つまり、1回の書き込み動作においては、あるワード線WLに接続された32K個のメモリセルトランジスタMTに対して、3ビットのうちのいずれかのビットについて、一括して書き込まれる。従って、8値(3ビット)NAND型フラッシュメモリにおいては、各ワード線WLに対して3ページが割り当てられる。
前述の通り、各メモリセルトランジスタMTは3ビットのデータを保持可能である。そして、データはビット毎に書き込まれる。つまり、1回の書き込み動作においては、あるワード線WLに接続された32K個のメモリセルトランジスタMTに対して、3ビットのうちのいずれかのビットについて、一括して書き込まれる。従って、8値(3ビット)NAND型フラッシュメモリにおいては、各ワード線WLに対して3ページが割り当てられる。
すると、本実施形態の場合には、各ブロックBLKには43本のワード線WL0〜WL42が含まれるため、1つのメモリブロックBLKは(43WL×3ビット)=129ページを有している。以下、129ページの各々をページPG0〜ページPG128と呼ぶ。例えば、ワード線WLk(kは0〜42)に接続されたメモリセルトランジスタMTが保持する3ビットデータの各々は、ページPG(k×3)〜PG(k×3+2)にそれぞれ対応する。すなわち、ワード線WL0に接続されたメモリセルトランジスタMTの保持する3ビットの各々は、それぞれページPG0〜PG2に対応する。またワード線WL1に接続されたメモリセルトランジスタMTが保持する3ビットデータの各々は、それぞれページPG3〜PG5に対応する。そして、ワード線WL42に接続されたメモリセルトランジスタMTが保持する3ビットの各々は、それぞれページPG126〜PG128に対応する。
本実施形態では、この129ページのうち128ページのみが実際にデータ保持用として使用され、1ページはデータ保持用として使用されない。図7の例であると、ページPG0〜PG127がデータ保持用として使用され、ページPG128は使用されない。つまり、カードコントローラ12はページPG128に対して論理アドレスを割り当てず、その結果、ページPG128がロウデコーダ31によって選択されることは無い。従って、1ページのデータサイズは32Kビット=4Kバイトであるので、各メモリブロックBLKのデータサイズは(4K×128ページ)=512Kバイトとなる。
上記のように、この発明の第1の実施形態に係るNAND型フラッシュメモリであると、以下の(1)の効果が得られる。
(1)NAND型フラッシュメモリにおいて、信頼性の高いデータ記録を可能とする。
本実施形態に係る構成であると、8値NAND型フラッシュメモリにおいて、1つのメモリブロックBLKの保持可能なデータサイズが512Kバイト、すなわち2の冪乗のサイズとされている。そのため、データ保持信頼性を向上出来る。本効果について、以下詳細に説明する。
(1)NAND型フラッシュメモリにおいて、信頼性の高いデータ記録を可能とする。
本実施形態に係る構成であると、8値NAND型フラッシュメモリにおいて、1つのメモリブロックBLKの保持可能なデータサイズが512Kバイト、すなわち2の冪乗のサイズとされている。そのため、データ保持信頼性を向上出来る。本効果について、以下詳細に説明する。
8値NAND型フラッシュメモリでは、前述の通り1つのメモリセルトランジスタMTが3ビットのデータを保持する。また、1つのメモリブロックBLKに含まれるワード線の本数は2の冪乗で表記出来る値にされることが通常である。すると、ページサイズが32Kビット、ワード線本数が64本であったとすると、メモリブロックBLKのデータサイズは768Kバイトとなる。
また、NAND型フラッシュメモリを使用した制御システムでは、1つ乃至複数のメモリブロックBLK単位で、論理アドレスと物理アドレスとの対応が図られるのが通常である。この単位は論理ブロックと呼ばれる。論理アドレスとは、外部からNAND型フラッシュメモリへアクセスされる際に使用されるアドレスであり、物理アドレスとは各メモリブロックBLKに割り当てられた固有のアドレスである。
すると、メモリブロックBLKのデータサイズが768Kバイトである8値NAND型フラッシュメモリの論理アドレスと物理アドレスとの対応関係は、図8に示す通りになる。図8は、論理アドレス空間と各メモリブロックBLKとの対応関係を示す概念図であり、1つのメモリブロックBLKを最小単位として取り扱う場合について示している。
1つのメモリブロックBLKが最小単位として扱われる場合、論理ブロックサイズは768Kバイトとなる。図8の例であると、論理アドレス空間において論理アドレス“0x00000000”〜“0x000BFFFF”の領域A0(論理ブロックLBLK0)は、メモリブロックBLK3に対応する。また、論理アドレス“0x000C0000”〜“0x0017FFFF”の領域A1(論理ブロックLBLK1)は、メモリブロックBLK0に対応する。更に、論理アドレス“0x00180000”〜“0x0023FFFF”の領域A2(論理ブロックLBLK2)は、メモリブロックBLK(m−1)に対応する。なお、アドレスの先頭に付した“0x”とは、当該アドレスが16進数で表記されていることを示す。
また、NAND型フラッシュメモリを使用したストレージシステムには、概ねFAT(file allocation table)ファイルシステムが用いられる。ファイルシステムとは、メモリに記録されているファイル(データ)を管理する方式のことである。FATファイルシステムでは、NAND型フラッシュメモリにおけるファイルやフォルダなどのディレクトリ情報の作成方法、ファイルやフォルダなどの移動方法や削除方法、データの記録方式、管理領域の場所や利用方法などが定められる。FATファイルシステムを使用したストレージシステムでは、不要となったファイルデータは実際には消去されず、FATをクリアする。そして、新たなファイルを書き込む際には、NAND型フラッシュメモリに上書きされる。またNAND制御システムでは、書き込まれているデータが有効なのか無効なのかの判断(FATを覗き見ての判断)は、一般的に行われない。このFATファイルシステムは、NAND型フラッシュメモリに動画を記録するデジタルビデオカメラや携帯電話等にも広く使用されている。
しかしながら、NAND型フラッシュメモリでは、データの消去はメモリブロックBLK単位でしか出来ない。従って、動画が不連続のアドレスに書き込まれた場合には、その間の部分のデータにつきコピー動作が必要となる。このコピー動作は、ホスト機器からのデータ(動画データ)の転送動作を待たせることになる。この際、ホスト機器におけるバッファでこの待ち時間を吸収出来ない場合、つまり待ち時間中に発生する動画データのデータサイズがバッファの容量を超える場合には、ホスト機器は動画の記録を中断せざるを得ない。
そこでホスト機器では、上記コピー動作が発生しないように、有効データの存在しない、ある程度大きな論理空間を確保し、当該論理空間にシーケンシャルに動画を記録するよう、NAND型フラッシュメモリを制御する手法がとられる。この論理空間は、一般的にAllocation Unit(AU)と呼ばれている。そしてAUのサイズは、従来の2値または4値NAND型フラッシュメモリにおいて、物理アドレスと論理アドレスとの対応関係の観点から、2の冪乗の値とされるのが通常である。
しかしながら、各メモリセルトランジスタMTの保持するデータのビット数が2の冪乗の値でないようなNAND型フラッシュメモリの場合、例えば8値NAND型フラッシュメモリの場合には、上記AUを用いてもコピー動作が必要となる場合がある。この場合について図9を用いて説明する。図9は、論理アドレス空間と、8値NAND型フラッシュメモリの各メモリブロックBLKとの対応関係を示す概念図であり、1つのAUのサイズが4Mバイト、メモリブロックBLKのサイズが768Kバイトの場合について示している。また、図9ではNAND型フラッシュメモリのメモリブロックBLKを、アドレスが連続する論理ブロック単位で示している。
図示するように、例えばAU0は論理アドレス“0x00000000”〜“0x003FFFFF”の論理アドレス空間であり、AU1は論理アドレス“0x00400000”〜“0x007FFFFF”の論理アドレス空間であり、AU2は論理アドレス“0x00800000”〜“0x00BFFFFF”の論理アドレス空間であり、AU3は論理アドレス“0x00C00000”〜“0x00FFFFFF”の論理アドレス空間である。またAU0、AU2は有効データを保持しており(Used)、AU1、AU3は有効データを保持していない(Clean)。従って、動画データはAU1の“0x00400000”から“0x007FFFFF”に対応する論理ブロックLBLKに対して連続して記録され、引き続きAU3の“0x00C00000”から“0x00FFFFFF”に対応する論理ブロックLBLKに対して連続して記録される。
すると、AU0の先頭論理アドレスが論理ブロックLBLK0の先頭ページに対応していると仮定すると、AU1の先頭論理アドレスは論理ブロックLBLK5の途中のページに対応し、AU1の最終論理アドレスは論理ブロックLBLK10の途中のページに対応する。またAU3の先頭論理アドレスは論理ブロックLBLK16の先頭ページに対応するが、AU3の最終論理アドレスは論理ブロックLBLK21の途中のページに対応する。このように、各AUの先頭論理アドレスまたは/及び最終論理アドレスが論理ブロックLBLKの先頭ページに対応しない理由は、各AUのサイズが2の冪乗となる値(例えば4Kバイト)であるのに対して、論理ブロックのサイズは2の冪乗とならない値(例えば768Kバイト)だからである。
その結果、論理ブロックLBLK5、LBLK10、LBLK21に動画を記録する際には、既に当該論理ブロックLBLKには有効データが保持されているため、コピー動作が必要となる。図9では、コピー動作が必要となる領域を斜線で示している。コピー動作が必要となる結果、例えAUを確保したとしても、動画を継続して記録することは非常に困難である。
上記の問題に対して、論理ブロックのサイズを例えばメモリブロックBLKの1/3とする手法が考え得る。この場合、論理ブロックLBLKのサイズは768K/3=256Kバイトとなり、2の冪乗で表記出来る値となる。従って、AUのサイズは論理ブロックLBLKのサイズの整数倍となり、上記問題を回避出来る。しかし、メモリブロックBLK、すなわちデータの消去単位は768Kバイトで変わらない。従って、この場合でもコピー動作が必要となる。この様子について図10を用いて説明する。図10は4つのメモリブロックBLK1〜BLK4のブロック図であり、時刻t1〜t3の間における各メモリブロックの使用状況を示している。図10では、論理ブロックとなる単位領域がメモリブロックの1/3のサイズであり、そのうちの8単位に論理アドレスが割り当てられる場合について示している。
図示するように、時刻t1において、論理ブロックLBLK1〜LBLK8にデータD1〜D8が保持され、メモリブロックBLK3の一部領域及びメモリブロックBLK4は消去状態であったとする。この状態で、時刻t2においてデータD2が更新されたとする。すると、更新されたデータD2は、メモリブロックBLK4の消去状態の領域に書き込まれ、この領域が以後論理ブロックLBLK2となる。他方、更新前のデータD2が保持される論理ブロックLBLK2は未使用状態とされる。更に時刻t3において、データD6、D7、D1が更新される。図示するように、更新されたデータD6、D7、D1は、メモリブロックBLK4に書き込まれ、以後、それぞれの領域が論理ブロックLBLK6、LBLK7、LBLK1となる。そして、更新前のデータD6、D7、D1が保持される領域は未使用状態となる。
以上の結果、時刻t3の時点で消去済みのメモリブロックが無くなってしまう。つまり、データの書き込みアクセスがランダムに行われると、各メモリブロックBLK内における有効データが少なくなると共に、消去済みのメモリブロックBLK数も減少する。消去済みメモリブロックBLKが無くなれば、以後、データの更新が出来なくなる。そこで、消去済みメモリブロックBLKが無くなることを防止するために、ガベージコレクション(garbage collection)と呼ばれる方法が用いられる。
ガベージコレクションとは、有効データの少なくなった幾つかのメモリブロックBLK内の有効データを、別の消去済みメモリブロックBLKにコピーし、元もメモリブロックBLKを消去して、これを消去済みメモリブロックBLKとして使用する方法である。しかし、ガベージコレクションもまた、内部コピー動作である。従って、このコピー動作は、ホスト機器による動画記録を妨げる原因となる。
この点、本実施形態に係る構成であると、データのコピー動作が不要となり、上記問題を解決出来る。この点につき、図11を用いて説明する。図11は、本実施形態に係る8値NAND型フラッシュメモリにおける、論理アドレス空間とメモリブロックBLKとの対応関係を示す概念図であり、図9の場合と同様に1つのAUのサイズが4Mバイトである場合について示している。
図示するように、本実施形態に係る8値NAND型フラッシュメモリにおいては、1つのメモリブロックBLKのサイズは512Kバイトであり、2の冪乗で表記可能な値である。従って、各AUのサイズは、メモリブロックBLKの整数倍となる。例えばAUのサイズが4Mバイトである場合には、そのサイズは8個のメモリブロックBLKに等しい。すなわち、いずれのAUにおいても、その先頭論理アドレスはいずれかの論理ブロックLBLKの先頭ページに対応し、最終論理アドレスはいずれかの論理ブロックLBLKの最終ページに対応する。
図11に示すように、AU0の先頭論理アドレス“0x00000000”は論理ブロックLBLK0の先頭ページに対応し、最終論理アドレス“0x003FFFFF”は論理ブロックLBLK7の最終ページに対応する。また、AU1の先頭論理アドレス“0x00400000”は論理ブロックLBLK8の先頭ページに対応し、最終論理アドレス“0x007FFFFF”は論理ブロックLBLK15の最終ページに対応する。更に、AU2の先頭論理アドレス“0x00800000”は論理ブロックLBLK16の先頭ページに対応し、最終論理アドレス“0x00BFFFFF”は論理ブロックLBLK23の最終ページに対応する。更に、AU3の先頭論理アドレス“0x00C00000”は論理ブロックLBLK24の先頭ページに対応し、最終論理アドレス“0x00FFFFFF”は論理ブロックLBLK31の最終ページに対応する。
従って、AU単位で連続して動画を記録する場合において、コピー動作が不要となる。そのため、動画の記録時にホスト機器に待ち時間が発生しない。また、図10で説明したようなガベージコレクションも不要となる。よって、データサイズの大きな動画であっても、中断することなく記録することが出来、NAND型フラッシュメモリのデータ保持信頼性を向上出来る。
上記のように8値NAND型フラッシュメモリのメモリブロックBLKのサイズを2の冪乗となる値とするために、本実施形態ではワード線WLの本数を2の冪乗ではない43本とし、且つ、そのうちのいずれか1つのページ(ページPG128)を使用しないこととしている。これは、換言すればいずれか1本のワード線WLに接続されたメモリセルトランジスタMTに、“00”、“01”、“10”、“11”の4値(2ビット)データを保持させていると言うことが出来る。この点につき、図12を用いて説明する。図12はメモリブロックBLKの回路図である。
例えばワード線WL0〜WL42の順にページPG0〜PG128が割り当てられていると仮定すると、図12に示すように、ワード線WL0〜WL41に接続されたメモリセルトランジスタMTは8値(3ビット)データを保持する。これに対してワード線WL42に接続されたメモリセルトランジスタMTは4値(2ビット)データを保持する。これにより、1つのメモリブロックBLKのサイズは512Kバイトとされる。
但し、上記実施形態はメモリブロックBLKのサイズが2の冪乗となれば十分であり、ワード線WLの本数等については適宜選択可能である。図13は、本実施形態の第1変形例に係る8値NAND型フラッシュメモリの備えるメモリブロックBLKの回路図である。
図示するように、ワード線WLの本数は44本とされる。そして、ワード線WL1〜WL42に接続されたメモリセルトランジスタMTは8値データを保持し、ワード線WL0、WL43に接続されたメモリセルトランジスタMTは“0”、“1”の2値(1ビット)データを保持する。本構成によっても、1つのメモリブロックBLKに含まれるページ数は、(42WL×3ビット+2WL×1ビット)=128ページとなる。従って、メモリブロックBLKのサイズは512Kバイトとなり、上記実施形態と同様の効果が得られる。
また、本構成とすることでNAND型フラッシュメモリのデータ保持特性を向上出来る。NANDセル内の先頭ワード線(図13ではワード線WL0)及び終端ワード線(図13ではワード線WL43)は、製造上の問題から、他のワード線(図13ではワード線WL1〜WL42)に比べて信頼性が低下する場合がある。そこで、信頼性の低いワード線WL0、WL43に接続されたメモリセルトランジスタMTに対しては、多値データでは無く2値データを保持させることで、NAND型フラッシュメモリの保持特性を向上出来る。
更に第1の実施形態は、図14のように変形することも可能である。図14は、第1の実施形態の第2変形例に係る8値NAND型フラッシュメモリの備えるメモリブロックBLKの回路図である。
図示するように、ワード線WLの本数は44本とされる。そして、ワード線WL2〜WL41に接続されたメモリセルトランジスタMTは8値データを保持し、ワード線WL0、WL1、WL42、WL43に接続されたメモリセルトランジスタMTは4値(2ビット)データを保持する。本構成によっても、1つのメモリブロックBLKに含まれるページ数は、(40WL×3ビット+4WL×2ビット)=128ページとなる。従って、メモリブロックBLKのサイズは512Kバイトとなり、上記実施形態と同様の効果が得られる。更に、NANDセル内において端部のワード線WL0、WL1、WL42、WL43に接続されたメモリセルトランジスタMTに、その他のメモリセルトランジスタMTが保持するデータ(3ビット)よりもビット数の小さいデータ(2ビット)を保持させることで、NAND型フラッシュメモリのデータ保持特性を向上出来る。
また、上記実施形態及びその変形例では、ビット線BLが32K本である場合について説明した。しかし、例えば64K本であっても良い。この場合には、各メモリブロックBLKのサイズは1024KBとなる。勿論、ビット線BLの本数は32K本や64K本である場合に限られず、適宜選択出来るが、2の冪乗で表記される値とすることが望ましい。
[第2の実施形態]
次に、この発明の第2の実施形態に係る半導体記憶装置及びメモリシステムについて説明する。本実施形態は、上記第1の実施形態において使用されなかったページを、システム管理情報等の格納ページとして使用するものである。メモリシステムの構成や、カードコントローラ12及びNAND型フラッシュメモリ11の構成は、上記第1の実施形態で説明した図1〜図6の通りであるので、説明は省略する。図15は、本実施形態に係る8値NAND型フラッシュメモリ11の備えるメモリブロックBLKのブロック図であり、ページを基準にしてメモリブロックBLKを示したものである。図15ではメモリブロックBLK0のみを示しているが、その他のメモリブロックBLK1〜BLKmについても同様である。
次に、この発明の第2の実施形態に係る半導体記憶装置及びメモリシステムについて説明する。本実施形態は、上記第1の実施形態において使用されなかったページを、システム管理情報等の格納ページとして使用するものである。メモリシステムの構成や、カードコントローラ12及びNAND型フラッシュメモリ11の構成は、上記第1の実施形態で説明した図1〜図6の通りであるので、説明は省略する。図15は、本実施形態に係る8値NAND型フラッシュメモリ11の備えるメモリブロックBLKのブロック図であり、ページを基準にしてメモリブロックBLKを示したものである。図15ではメモリブロックBLK0のみを示しているが、その他のメモリブロックBLK1〜BLKmについても同様である。
図示するように、第1の実施形態と同様に各メモリセルトランジスタMTは3ビットのデータを保持可能であるので、各メモリブロックBLKは(43WL×3ビット)=129ページを有している。このうち、ページPG0〜PG127はユーザデータ領域として使用される。つまり、ユーザが使用可能な領域のサイズは512Kバイトである。更に、上記第1の実施形態では使用されなかったページPG128を、システム管理情報の格納ページとして使用する。このページPG128は、カードコントローラ12からはアクセス可能であるが、ホスト機器2からはアクセス出来ないようにされる。従って、メモリカード1外部から見た1個のメモリブロックBLKのサイズは512Kバイトである。
次に、データ書き込み時におけるカードコントローラ12の動作について、図16を用いて説明する。図16はカードコントローラ12の動作を示すフローチャートである。
図示するように、カードコントローラ12のMPU22は、書き込みデータがシステム管理情報であるか否かを確認する(ステップS10)。システム管理情報とは、例えば消去ブロック内のセクタ(所定のサイズの領域であり、例えば512バイト)毎の属性等である。この属性は、具体的には書き込みプロテクト情報(上書き禁止のデータか否か)や、セキュリティガードの解除キー(key)、またはメモリセルアレイ中におけるカラム方向のパリティ情報等である。これらの情報は、ユーザデータとしてホスト機器2からメモリカード1に与えられる情報では無く、カードコントローラ12内においてMPU22が生成してRAM25に保持された情報であったり、またはROM24に保持される情報であったりする。従って、ステップS10の確認処理は、書き込みデータがホスト機器2から与えられたデータであるか否かによって判断することが出来る。
書き込みデータがシステム管理情報である場合には(ステップS11、YES)、MPU22はページアドレスとしてページPG128を指定する(ステップS12)。そして、NAND型フラッシュメモリ11においてシステム管理情報がページPG128に書き込まれる(ステップS13)。
他方、書き込みデータがシステム管理情報でない場合には(ステップS11、NO)、MPU22はページアドレスとしてページPG0〜PG127のいずれかを指定する(ステップS14)。そして、NAND型フラッシュメモリ11においてデータがページPG0〜PG127のいずれかに書き込まれる(ステップS13)。
すなわち本実施形態は、換言すれば、メモリブロックBLKは、ページPG0〜PG127によって形成される第1メモリ領域と、ページPG128によって形成される第2メモリ領域とを含む。そして、第1メモリ領域は、ワード線WL0〜WL41に接続されたメモリセルトランジスタMTの保持する3ビットと、ワード線WL42に接続されたメモリセルトランジスタMTの2ビットとによって形成されるメモリ空間(512Kバイト)である。また第2メモリ領域は、ワード線WL42に接続されたメモリセルトランジスタMTの残りの1ビットによって形成されるメモリ空間(4Kバイト)である。そしてMPU22は、ホスト機器2から与えられたデータについては第1メモリ領域に書き込み、自身により作成したデータについては第2メモリ領域に書き込む。
以上のように、この発明の第2の実施形態に係るNAND型フラッシュメモリであると、上記第1の実施形態で説明した(1)の効果に加えて下記(2)の効果が得られる。
(2)NAND型フラッシュメモリの冗長部を縮小することで、冗長ページを持つことによるメモリセルアレイの面積デメリットを削減出来る。
第1の実施形態で説明した通り、8値NAND型フラッシュメモリにおいてワード線WLの本数を43本、ビット線BLの本数を32K本、メモリブロックBLKのサイズを512KBとすると、ページPG128が剰余ページとなる。本実施形態では、この剰余ページをシステム管理情報保持用として使用する。
(2)NAND型フラッシュメモリの冗長部を縮小することで、冗長ページを持つことによるメモリセルアレイの面積デメリットを削減出来る。
第1の実施形態で説明した通り、8値NAND型フラッシュメモリにおいてワード線WLの本数を43本、ビット線BLの本数を32K本、メモリブロックBLKのサイズを512KBとすると、ページPG128が剰余ページとなる。本実施形態では、この剰余ページをシステム管理情報保持用として使用する。
従来、システム管理情報は、ページ毎に設けられた冗長部に書き込まれる。この冗長部とは、例えば図5で説明した第2領域である。しかし、本実施形態であると、剰余ページにシステム管理情報を書き込んでいるため、第2領域のサイズを縮小出来る。その結果、メモリセルアレイ30の占有面積を削減出来る。勿論、ページPG0〜PG128のうち、剰余ページとされるページは必ずしもページPG128には限らず、ページPF0〜PG128のうちのいずれかのページであれば良い。
なお本実施形態は、上記第1の実施形態の第1、第2変形例の場合にも適用可能である。例えば図13の場合には、ワード線WL43に接続されたメモリセルトランジスタMTに対して、2値では無く例えば4値のデータを保持させる。すると、1つのメモリブロックBLKに含まれるページ数は(42WL×3ビット+1WL×1ビット+1WL×2ビット)=129ページとなり、1ページの剰余ページが発生する。
また図14の場合には、例えばワード線WL42に接続されたメモリセルトランジスタMTに対して、4値では無く8値のデータを保持させる。すると、1つのメモリブロックBLKに含まれるページ数は(41WL×3ビット+3WL×2ビット)=129ページとなり、1ページの剰余ページが発生する。
[第3の実施形態]
次に、この発明の第3の実施形態に係る半導体記憶装置及びメモリシステムについて説明する。本実施形態は、上記第2の実施形態と同様、第1の実施形態において使用されなかったページの使い方に関するもので、本実施形態では消去回数保持用として使用するものである。メモリシステムの構成や、カードコントローラ12及びNAND型フラッシュメモリ11の構成は、上記第1の実施形態で説明した図1〜図6の通りであるので、説明は省略する。図17は、本実施形態に係る8値NAND型フラッシュメモリ11の備えるメモリブロックBLKのブロック図であり、ページを基準にしてメモリブロックBLKを示したものである。図17ではメモリブロックBLK0のみを示しているが、その他のメモリブロックBLK1〜BLKmについても同様である。
次に、この発明の第3の実施形態に係る半導体記憶装置及びメモリシステムについて説明する。本実施形態は、上記第2の実施形態と同様、第1の実施形態において使用されなかったページの使い方に関するもので、本実施形態では消去回数保持用として使用するものである。メモリシステムの構成や、カードコントローラ12及びNAND型フラッシュメモリ11の構成は、上記第1の実施形態で説明した図1〜図6の通りであるので、説明は省略する。図17は、本実施形態に係る8値NAND型フラッシュメモリ11の備えるメモリブロックBLKのブロック図であり、ページを基準にしてメモリブロックBLKを示したものである。図17ではメモリブロックBLK0のみを示しているが、その他のメモリブロックBLK1〜BLKmについても同様である。
図示するように、第1の実施形態と同様に各メモリセルトランジスタMTは3ビットのデータを保持可能であるので、各メモリブロックBLKは(43WL×3ビット)=129ページを有している。このうち、ページPG1〜PG128はユーザデータ領域として使用される。つまり、ユーザが使用可能な領域のサイズは512Kバイトである。更に、冗長ページとしてのページPG0を、各メモリブロックBLKの消去回数の格納ページとして使用する。このページPG0は、カードコントローラ12からはアクセス可能であるが、ホスト機器2からはアクセス出来ないようにされる。従って、メモリカード1外部から見た1個のメモリブロックBLKのサイズは512Kバイトである。この点は、上記第2の実施形態と同様である。
次に、データ消去時におけるカードコントローラ12の動作について、図18を用いて説明する。図18はカードコントローラ12の動作を示すフローチャートである。なお、図18の動作はNAND型フラッシュメモリ11内に設けられた図示せぬ制御回路が行っても良い。
図示するように、カードコントローラ12のMPU22が消去コマンドを発生する(ステップS20)。次にMPU22は、消去対象のメモリブロックBLKのページPG0にアクセスし、ページPG0に記録されている消去回数を読み出す(ステップS21)。そしてMPU22は、読み出した消去回数を示す値が全ビット“1”であるか否かを判定する(ステップS22)。例えば消去回数の示す値が32ビットデータである場合には、そのデータが“0xFFFF”であるか否かを判定する。この判定処理は、読み出した消去回数が信頼出来る値か否かを判断するために行う。
全ビットが“1”であった場合(ステップS23、YES)、MPU22は当該データが信頼出来ない値であると判断する(ステップS24)。全ビットが“1”であるということは、消去回数を保持するメモリセルトランジスタMTが消去状態であるということである。従って、何らかの要因により、それまで保持されていたデータが消去されてしまったと考えることが出来る。従ってMPU22は、読み出した消去回数をリセットして保持する(ステップS25)。すなわち、MPU22は消去回数を“1回”とする。そして、NAND型フラッシュメモリにおいて、当該メモリブロックBLKの消去動作が行われる(ステップS26)。この消去動作によって、メモリブロックBLK内のメモリセルトランジスタMTが保持するデータは、全て一括して消去される。その後、カードコントローラ12によって、当該メモリブロックBLKの剰余ページPG0に、ステップS25で保持された消去回数(“1回”)が書き込まれる。
ステップS22においていずれかのビットが“0”であった場合(ステップS23、NO)、MPU22は当該データが信頼出来る値であると判断する(ステップS28)。そこでMPU22は、読み出した消去回数をインクリメントして保持する(ステップS29)。そして、データの消去が行われ(ステップS26)、ページPG0に、ステップS29でインクリメントされた値が新たな消去回数として書き込まれる。
なお、図17及び図18では剰余ページに消去回数のみを書き込む場合について示しているが、図18のステップS27において、消去回数のみならず、消去動作に関する詳細なステータスを書き込んでも良い。
すなわち本実施形態は、換言すれば、上記第2の実施形態と同様に、メモリブロックBLKは第1メモリ領域と第2メモリ領域とを含む。そしてMPU22は、第1メモリ領域にユーザデータを書き込み、第2メモリ領域に消去回数及びステータスを書き込む。
以上のように、この発明の第3の実施形態に係るNAND型フラッシュメモリであると、上記第1の実施形態で説明した(1)の効果に加えて下記(3)乃至(5)の効果が得られる。特に、NAND型フラッシュメモリ11が消去回数及びステータスをメモリセルアレイ30に自動的に書き込む機能を有する場合には(3)〜(5)の効果が得られ、当該機能をカードコントローラ12が有する場合には(4)、(5)の効果が得られる。
(3)NAND型フラッシュメモリの不良解析効率を向上出来る。
NAND型フラッシュメモリでは、書き込み/消去サイクル(以下、W/Eサイクルと呼ぶことがある)を繰り返すと、メモリセルトランジスタMTの特性が悪化する。この様子につき、図19を用いて説明する。図19は、メモリセルトランジスタMTの閾値分布を示すグラフであり、W/Eサイクルを繰り返すにつれて閾値分布が変化する様子を示しており、一例として“101”、“100”、“011”データの閾値電圧を示している。
NAND型フラッシュメモリでは、書き込み/消去サイクル(以下、W/Eサイクルと呼ぶことがある)を繰り返すと、メモリセルトランジスタMTの特性が悪化する。この様子につき、図19を用いて説明する。図19は、メモリセルトランジスタMTの閾値分布を示すグラフであり、W/Eサイクルを繰り返すにつれて閾値分布が変化する様子を示しており、一例として“101”、“100”、“011”データの閾値電圧を示している。
図示するように、通常のメモリセルトランジスタMTの閾値電圧の分布幅がΔV1であったとする。W/Eサイクルを繰り返すと、その分布幅はΔV1からΔV2へと広がる。更にW/Eサイクルを繰り返して消耗されると、閾値電圧の分布は低電圧側へと広がり、その分布幅はΔV3へと広がる。
このように、ある一定以上に閾値電圧の分布幅が大きくなると、もはや半導体メモリとしての使用には耐えられなくなる。そこで、そのようなメモリセルトランジスタMTが発生した場合には、当該メモリブロックBLKを不良とみなして、以後、使用不可とされる。このようなメモリブロックを、以下では不良ブロックと呼ぶ。
一般にNAND型フラッシュメモリでは、データの書き換え回数保証値が決められている。つまり、書き換え回数保証値よりも少ない消去回数で不良ブロックが発生してはならず、不良ブロックが発生した場合には、そのメモリブロックが書き換え回数保証値を満たしているか否か等を検証する必要がある。
この点、本実施形態に係る構成であると、当該メモリブロックBLKについて為された消去動作の回数やステータスが、剰余ページに書き込まれている。従って、不良ブロックが発生した際には、剰余ページ内のデータを読み出すことで、当該ブロックが保証範囲外の使用により不良となったのかどうか等の判別を行うことが出来る。すなわち、剰余ページPG0を、故障したNAND型フラッシュメモリの不良解析に役立てることができ、不良解析効率を向上出来る。
(4)NAND型フラッシュメモリの動作信頼性を向上出来る。
本実施形態に係る構成であると、剰余ページに書き込んだ消去回数及びステータスに応じて、書き込み条件や読み出し条件を設定することで、NAND型フラッシュメモリの動作信頼性を向上出来る。本効果について、以下詳細に説明する。
本実施形態に係る構成であると、剰余ページに書き込んだ消去回数及びステータスに応じて、書き込み条件や読み出し条件を設定することで、NAND型フラッシュメモリの動作信頼性を向上出来る。本効果について、以下詳細に説明する。
図20は、データの書き込み時における書き込み電圧Vpgmの時間変化を示すグラフである。図示するようにNAND型フラッシュメモリでは、ワード線WLに印加する書き込み電圧Vpgmを少しずつ上昇させながら書き込み動作を行い、その度にベリファイを行う。この際の書き込み電圧Vpgmの変化量をΔVpgmと呼ぶことにする。書き込み動作時には、例えばこの電圧ΔVpgmを、剰余ページ内のデータに応じて変化させる。
以下、書き込み動作時及び読み出し動作時におけるNAND型フラッシュメモリ内の動作について、図21を用いて説明する。図21は、NAND型フラッシュメモリ11内の図示せぬ制御回路の動作を示すフローチャートである。
図示するように制御回路は、カードコントローラ12から書き込みアクセスまたは読み出しアクセスを受信すると(ステップS30)、アクセス対象のメモリブロックBLKの剰余ページPG0から、消去回数を読み出す(ステップS31)。この際、同時にステータスを読み出しても良い。そして制御回路は、読み出した消去回数が、予め定められた一定値を超えているか否かを判定する(ステップS32)。この一定値は、製造段階でNAND型フラッシュメモリのROM等に書き込まれた値であっても良いし、または使用時に更新可能なデータであっても良く、メモリブロックBLKが一定以上消耗しているか否かの基準となる値である。
読み出した消去回数が一定値を超えている場合(ステップS33、YES)、制御回路は当該メモリブロックBLKが一定以上消耗していると判断する。そこで、書き込みアクセスがなされている場合には(ステップS34、YES)、制御回路は電圧ΔVpgmを、メモリブロックBLKが消耗していない場合に比べて小さくする(ステップS35)。また読み出しアクセスがなされている場合には(ステップS34、NO)、制御回路は読み出し閾値を、メモリブロックBLKが消耗していない場合に比べて低く設定する(ステップS36)。そして制御回路は、ステップS35またはS36における設定値を用いて、データの書き込みまたは読み出しを行う。
一般的に、W/Eサイクルが繰り返されたメモリセルトランジスタMTでは、書き込み時には電荷蓄積層に電荷が溜まりやすくなる。また、データ保持特性が悪化し、時間とともに電荷が抜けやすくなる。そこで本実施形態に係る方法であると、消耗したメモリセルトランジスタMTにデータを書き込む際には、ΔVpgmを小さくすることで、データの閾値分布の幅が広がることを抑制出来る。またデータを読み出す際には、電荷が抜けることを考慮して読み出し閾値を低めに設定することで、誤読み出しの発生を抑制出来る。以上の結果、NAND型フラッシュメモリの動作信頼性を向上出来る。
なお、上記機能を制御回路が有していない場合には、同様の機能をカードコントローラ12に持たせても良い。すなわち、NAND型フラッシュメモリ11に対して書き込みアクセスを行う際には、カードコントローラ12は予め剰余ページ内のデータを読み出し、消去回数やステータスに応じてΔVpgmを変更するパラメータ変更コマンドをNAND型フラッシュメモリ11に対して発行する。読み出し時も同様に、カードコントローラ12は予め剰余ページ内のデータを読み出し、読み出し閾値を下げる変更コマンドを発行する。または、ECC訂正が不能であった場合の再読み出しの際の閾値を下げる変更コマンドを発行する。これにより、消耗したメモリセルトランジスタMTの救済を図ることが可能となる。
(5)NAND型フラッシュメモリの寿命延ばすことが出来る。
本実施形態に係る構成であると、剰余ページに書き込んだ消去回数を参照することにより、メモリセルアレイ30内のメモリブロックBLK0〜BLKmの消去回数を均一に出来る。これは、消去回数の多いメモリブロックBLKの使用頻度を減らし、消去回数の少ないメモリブロックBLKを優先的に使用することで実現出来る。これにより、不良ブロックの発生を抑え、NAND型フラッシュメモリ11の寿命を延ばすことが出来る。本方法の詳細について、以下説明する。
本実施形態に係る構成であると、剰余ページに書き込んだ消去回数を参照することにより、メモリセルアレイ30内のメモリブロックBLK0〜BLKmの消去回数を均一に出来る。これは、消去回数の多いメモリブロックBLKの使用頻度を減らし、消去回数の少ないメモリブロックBLKを優先的に使用することで実現出来る。これにより、不良ブロックの発生を抑え、NAND型フラッシュメモリ11の寿命を延ばすことが出来る。本方法の詳細について、以下説明する。
まずカードコントローラ12は、メモリブロックBLKをその消去回数に応じて例えば3つのカテゴリに分類する。カテゴリ1は予め定めた一定値よりも消去回数の少ないメモリブロックBLKが属し、カテゴリ1に属するメモリブロックBLKはシステムデータ(例えばFATファイルシステム等)保持用として用いられる。カテゴリ2は、カテゴリ1よりも消去回数の多いメモリブロックBLKが属し、通常のデータ保持用として用いられる。カテゴリ3はカテゴリ2よりも更に消去回数の多いメモリブロックBLKが属し、通常使用されない隔離ブロックとして使用される。そしてカードコントローラ12は、いずれのメモリブロックBLKがどのカテゴリに属するかを、例えばRAM25に保持する。
またカードコントローラ12は、各カテゴリに属するメモリブロックBLK数に応じて、各カテゴリ間の消去回数の閾値を制御する。これにより、いずれかのカテゴリに属するメモリブロックBLKのみが突出して増加することを防止する。本方法について、図22を用いて説明する。図22は、カードコントローラ12によって行われる各カテゴリ間の消去回数閾値の制御方法のフローチャートである。
図示するように、まず各カテゴリ間の閾値を第1の閾値に設定する(ステップS40)。この第1の閾値によって、カテゴリ1〜3に属するメモリブロック数が決まる。そしてカテゴリ1に属するメモリブロック数を確認する(ステップS41)。カテゴリ1に属するメモリブロック数が予め定めた一定値よりも少ない場合には(ステップS42、YES)、カテゴリ1の基準を緩める(ステップS43)。その結果得られる閾値を第2の閾値と呼ぶことにする。次にカードコントローラ12は、第2の閾値下におけるカテゴリ3のメモリブロック数を確認する(ステップS44)。ステップS41において少なくないと判定された場合(ステップS42、NO)にも、ステップS44に進む。カテゴリ3に属するメモリブロック数が予め定めた一定値よりも多い場合には(ステップS45、YES)、カテゴリ3の基準を厳しくする(ステップS46)。その結果得られる閾値を第3の閾値と呼ぶことにする。以下、W/Eサイクルを行う度に、ステップS41以降の処理を繰り返し、カテゴリ1、カテゴリ3の基準を設定し直す。
以上の具体例を、図23及び図24を用いて説明する。図23は、各カテゴリとそれに属するメモリブロック数とを示すテーブルの模式図であり、W/Eを繰り返す度に各カテゴリに属するメモリブロックが変化する様子を示す。また図24は、カテゴリ間の閾値と、その閾値における消去回数との関係を示すグラフである。
まず時刻t1において、カードコントローラ12は第1の閾値を設定する。第1の閾値とは、図24に示すように以下のような条件である。すなわち、消去回数がN1回未満のメモリブロックBLKがカテゴリ1に属し、N1回以上N3回未満のメモリブロックBLKがカテゴリ2に属し、N3回以上のメモリブロックBLKがカテゴリ3に属する。すると、図23に示すようにカテゴリ1〜3に属するメモリブロックBLKは、それぞれ5個、50個、0個であったとする。そしてこれらの数は最適な値であったとする。
その後W/Eサイクルを繰り返した結果、図23に示すように時刻t2では、カテゴリ1〜3に属するメモリブロックBLKは、それぞれ3個、52個、0個であったとする。すなわち、カテゴリ1に属するメモリブロック数が少なくなりすぎ、システム情報を記録するにはメモリブロック数が不足した状態である(図22におけるステップS42、YES)。
そこでカードコントローラ12は、カテゴリ1〜2間の閾値を変更する(図22におけるステップS43)。すなわち、図24に示すように、カテゴリ1〜2間の閾値を、N2(>N1)に変更する。その結果、時刻t3において各カテゴリ1〜3に属するメモリブロック数は、図23に示すように、5個、50個、0個となる。すなわち、消去回数がN1回以上で且つN2回未満であった2個のメモリブロックBLKが、カテゴリ2からカテゴリ1に属するようになる。
その後、更にW/Eサイクルを繰り返した結果、図23に示すように時刻t4では、カテゴリ1〜3に属するメモリブロックBLKは、それぞれ5個、20個、30個であったとする。すなわち、カテゴリ2に属するメモリブロックBLKに対する消去回数が増加した結果、カテゴリ2に属するメモリブロック数が少なくなりすぎている(図22におけるステップS45、YES)。
そこでカードコントローラ12は、カテゴリ2〜3間の閾値を変更する(図22におけるステップS46)。すなわち、図24に示すように、カテゴリ2〜3間の閾値を、N4(>N3)に変更する。その結果、各カテゴリ1〜3に属するメモリブロック数は、図23に示すように、5個、50個、0個となる。すなわち、消去回数がN3回以上で且つN4回未満であった30個のメモリブロックBLKが、カテゴリ2からカテゴリ1に属するようになる。
上記のような方法により、システムデータを保持すべきメモリブロックBLK、通常のデータを保持すべきメモリブロックBLK、及び隔離ブロックBLKの数を常時最適な値として、いずれかのメモリブロックBLKのみが消耗することを防止できる。
なお本実施形態も、上記第1の実施形態の第1、第2変形例の場合に適用可能である。図13及び図14において、剰余ページに対して消去回数及びステータスを書き込めば良い。なお、本実施形態ではページPG0を剰余ページとして取り扱い、ページPG0に消去回数及びステータスを書き込む場合について説明した。しかし、第2の実施形態と同様に、ページPG128を剰余ページとして取り扱い、ページPG128に消去回数及びステータスを書き込んでも良いし、またはその他のページに書き込んでも良い。しかし、消去回数及びステータスの書き込みは、ページPG0に対して行われることが好ましい。なぜなら、NAND型フラッシュメモリが自動的に消去回数を書き込む場合には、ページPG0〜PG127へのコントローラによる書き込みの完了を待たなくてはならず、消去回数の情報消失のリスクを低減する観点からは、消去直後に消去回数及びステータスが書き込み可能であることが望ましいからである。
[第4の実施形態]
次に、この発明の第4の実施形態に係る半導体記憶装置及びメモリシステムについて説明する。本実施形態は、上記第2、第3の実施形態と同様、第1の実施形態において使用されなかったページの使い方に関するもので、本実施形態ではページサイズ未満のデータ保持用として使用するものである。メモリシステムの構成や、カードコントローラ12及びNAND型フラッシュメモリ11の構成は、上記第1の実施形態で説明した図1〜図6の通りであるので、説明は省略する。図25は、本実施形態に係る8値NAND型フラッシュメモリ11の備えるメモリブロックBLKのブロック図であり、ページを基準にしてメモリブロックBLKを示したものである。図25ではメモリブロックBLK0のみを示しているが、その他のメモリブロックBLK1〜BLKmについても同様である。
次に、この発明の第4の実施形態に係る半導体記憶装置及びメモリシステムについて説明する。本実施形態は、上記第2、第3の実施形態と同様、第1の実施形態において使用されなかったページの使い方に関するもので、本実施形態ではページサイズ未満のデータ保持用として使用するものである。メモリシステムの構成や、カードコントローラ12及びNAND型フラッシュメモリ11の構成は、上記第1の実施形態で説明した図1〜図6の通りであるので、説明は省略する。図25は、本実施形態に係る8値NAND型フラッシュメモリ11の備えるメモリブロックBLKのブロック図であり、ページを基準にしてメモリブロックBLKを示したものである。図25ではメモリブロックBLK0のみを示しているが、その他のメモリブロックBLK1〜BLKmについても同様である。
図示するように、第1の実施形態と同様に各メモリセルトランジスタMTは3ビットのデータを保持可能であるので、各ブロックBLKは(43WL×3ビット)=129ページを有している。このうち、ページPG0〜PG127はユーザデータ領域として使用される。つまり、ユーザが使用可能な領域のサイズは512Kバイトである。更に、上記第1の実施形態では使用されなかったページPG128を、データサイズがページサイズ(4Kバイト)未満であって、且つ当該メモリブロックBLK内のいずれかのページの更新データの格納ページとして使用する。このページPG128は、書き込みがなされるまでは、カードコントローラ12からはアクセス可能であるが、ホスト機器2からはアクセス出来ないようにされる。逆に、書き込みがなされた後は、ホスト機器2からもアクセス可能とされるが、ページ128内の更新元データが保持されるページはアクセス禁止とされる。従って、ページPG128に対してアクセスがされる前もされた後も、ユーザが使用可能な領域のサイズは512Kバイトで変わらない。これは、カードコントローラ12が、更新元データが保持されるページの論理アドレスを廃し、ページPG128に論理アドレスを新たに割り当てることで可能である。
次に、データ書き込み時におけるカードコントローラ12の動作について、図26を用いて説明する。図26はカードコントローラ12の動作を示すフローチャートである。
図示するように、カードコントローラ12のMPU22は、いずれかのメモリブロックBLKに対する上書きデータのデータサイズが、ページサイズ(4Kバイト)未満であるか否かを確認する(ステップS50)。上書きデータのデータサイズがページサイズ未満である場合には(ステップS51、YES)、MPU22はページアドレスとしてページPG128を指定する(ステップS52)。他方、上書きデータのデータサイズがページサイズである場合には、MPU22はページアドレスとしてページPG0〜PG127のいずれかを指定する(ステップS53)。そして、NAND型フラッシュメモリ11において上書きデータが、ステップS52またはステップS53で指定されたページに書き込まれる(ステップS54)。
すなわち本実施形態は、換言すれば、上記第2の実施形態と同様に、メモリブロックBLKは第1メモリ領域と第2メモリ領域とを含む。そしてMPU22は、第1領域内に保持されるデータの更新データを第2メモリ領域に書き込む。
以上のように、この発明の第4の実施形態に係るNAND型フラッシュメモリであると、上記第1の実施形態で説明した(1)の効果に加えて下記(6)の効果が得られる。
(6)コピー動作の発生を抑制し、NAND型フラッシュメモリの書き込み速度を向上出来る。
NAND型フラッシュメモリで一般的に、データの上書きは行うことが出来ない。これは、NAND型フラッシュメモリでは、セレクトゲート線SGSに近いメモリセルトランジスタMTから順にデータを書いていくからである。従って、いずれかのページにデータの更新があった場合には、それが例えページサイズに満たない小さいデータであったとしても、コピー動作が必要となる。この様子につき図27を用いて説明する。図27は2つのメモリブロックBLK0、BLK1のブロック図である。
(6)コピー動作の発生を抑制し、NAND型フラッシュメモリの書き込み速度を向上出来る。
NAND型フラッシュメモリで一般的に、データの上書きは行うことが出来ない。これは、NAND型フラッシュメモリでは、セレクトゲート線SGSに近いメモリセルトランジスタMTから順にデータを書いていくからである。従って、いずれかのページにデータの更新があった場合には、それが例えページサイズに満たない小さいデータであったとしても、コピー動作が必要となる。この様子につき図27を用いて説明する。図27は2つのメモリブロックBLK0、BLK1のブロック図である。
図示するように、例えばメモリブロックBLK0内のページPG3のデータが更新される場合を考える。するとこの場合、メモリブロックBLK0のページPG3にデータを上書きすることは出来ないため、別の消去済みメモリブロックBLK1を用意する。そして、メモリブロックBLK0のページPG0〜PG2のデータをメモリブロックBLK1にコピーし、次に更新データをメモリブロックBLK1に書き込み、最後にメモリブロックBLK0のページPG4〜PG127のデータをメモリブロックBLK1にコピーする。このように、データサイズの小さいデータの更新であっても、非常に大きなデータのコピー動作が必要となり、その結果、書き込み動作が遅くなるという問題がある。
しかし本実施形態であると、上記コピー動作が不要となる。この様子につき図28を用いて説明する。図28はメモリブロックBLK0のブロック図である。
図示するように、メモリブロックBLK0には、剰余ページとしてページPG128が用意されている。そこで、ページPG3のデータが更新される場合には、更新データをページ128に書き込む。以後、ページPG3のデータは無効データとなり、外部からはアクセス禁止とされる。
図示するように、メモリブロックBLK0には、剰余ページとしてページPG128が用意されている。そこで、ページPG3のデータが更新される場合には、更新データをページ128に書き込む。以後、ページPG3のデータは無効データとなり、外部からはアクセス禁止とされる。
以上のように、コピー動作が不要になることから、NAND型フラッシュメモリの書き込み動作を格段に高速化出来る。なお上記実施形態では、更新データがページサイズ未満である場合を例に説明したが、上書きデータであれば特にページサイズ未満である場合に限られない。なぜなら、ページサイズの上書きデータであっても、コピー動作が必要となる同様の問題が生じるからであり、上記実施形態と同様の効果が得られる。この場合、カードコントローラ12は更新データのデータサイズにかかわらず、更新データを剰余ページ書き込む。勿論、本実施形態も、上記第1の実施形態の第1、第2変形例の場合に適用可能である。また、ページPG0〜PG128のうち、剰余ページとされるページは必ずしもページPG128には限らず、ページPF0〜PG128のうちのいずれかのページであれば良い。
[第5の実施形態]
次に、この発明の第5の実施形態に係る半導体記憶装置及びメモリシステムについて説明する。本実施形態は、上記第2乃至第4の実施形態を、4値NAND型フラッシュメモリに適用したものである。メモリシステム、カードコントローラ12及びNAND型フラッシュメモリ11の構成は、上記第1の実施形態で説明した図1〜図4の通りであるので、説明は省略する。図29は、本実施形態に係る4値NAND型フラッシュメモリ11の備えるメモリブロックBLKの回路図である。
次に、この発明の第5の実施形態に係る半導体記憶装置及びメモリシステムについて説明する。本実施形態は、上記第2乃至第4の実施形態を、4値NAND型フラッシュメモリに適用したものである。メモリシステム、カードコントローラ12及びNAND型フラッシュメモリ11の構成は、上記第1の実施形態で説明した図1〜図4の通りであるので、説明は省略する。図29は、本実施形態に係る4値NAND型フラッシュメモリ11の備えるメモリブロックBLKの回路図である。
図示するように、本実施形態に係るメモリブロックBLKは、上記第1の実施形態において説明した図5の構成において、ワード線WLの本数を33本に変更し、且つメモリセルトランジスタMTに4値のデータ、つまり2ビットデータを保持させるように変更したものである。
図30はメモリセルトランジスタMTの閾値電圧を示すグラフであり、4値のうちの各データを保持する際の閾値電圧分布を示している。図示するように、メモリセルトランジスタMTの閾値電圧は、“11”、“10”、“01”、“00”の順番で高くなっていく。勿論、これは一例に過ぎず、各データとその閾値電圧との対応関係は、適宜設定可能である。
図31は、上記メモリブロックBLKのブロック図であり、ページを基準にしてメモリブロックBLKを示したものである。図31ではメモリブロックBLK0のみを示しているが、その他のメモリブロックBLK1〜BLKmについても同様である。
図示するように、各メモリセルトランジスタMTは2ビットのデータを保持可能であるので、各ブロックBLKは(33WL×2ビット)=66ページを有している。このうち、ページPG0〜PG63がユーザデータ領域として使用され、ページPG64、PG65は冗長ページとして使用される。従って、ユーザが使用可能な領域のサイズは、256Kバイトであり、その値は2の冪乗で表記可能な値である。そして、冗長ページPG64、PG65が、上記第2乃至第4の実施形態で説明した剰余ページとして取り扱われる。すなわち冗長ページPG64、PG65は、システム管理情報保持用として使用されたり、消去回数やステータス保持用として使用されたり、または上書きデータ保持用として使用される。
すなわち本実施形態は、換言すれば、メモリブロックBLKは、ページPG0〜PG63によって形成される第1メモリ領域と、ページPG64、PG65によって形成される第2メモリ領域とを含む。そして、第1メモリ領域は、ワード線WL0〜WL31に接続されたメモリセルトランジスタMTの保持する2ビットによって形成されるメモリ空間(256Kバイト)である。また第2メモリ領域は、ワード線WL32に接続されたメモリセルトランジスタMTの2ビットによって形成されるメモリ空間(8Kバイト)である。そしてMPU22は、ページPG64、65を剰余ページとして取り扱う。勿論、剰余ページとして取り扱われるページはページPG64、65に限らず、ページPG0〜PG65のうちのいずれか2ページであれば良い。
以上のように、上記第2乃至第4の実施形態は、8値NAND型フラッシュメモリのみならず、4値NAND型フラッシュメモリにも適用出来る。また本実施形態では4値NAND型フラッシュメモリを例に説明したが、例えば2値、16値等の2i(iは自然数)ビットデータを保持するNAND型フラッシュメモリにも適用出来る。
上記のように、この発明の第1乃至第5の実施形態に係るメモリシステム及びNAND型フラッシュメモリであると、データ保持信頼性を向上出来る。第1の実施形態に係るNAND型フラッシュメモリであると、8値NAND型フラッシュメモリにおいて、ワード線の本数を調整しつつ、いずれかのページを使用禁止とすることで、メモリブロックBLKの容量を2の冪乗となる値に設定している。
すなわち、第1の実施形態に係る8値NAND型フラッシュメモリは、各々が、電荷蓄積層と制御ゲートとを含む積層ゲートを備えた複数のメモリセルトランジスタMTと、複数の前記メモリセルトランジスタMTがマトリクス状に配置されたメモリブロックBLKと、前記メモリブロックBLK内において、同一行に位置する前記メモリセルトランジスタMTの制御ゲートに共通接続されたワード線WL0〜WL42とを具備する。そして、前記メモリブロックBLK内に含まれる前記メモリセルトランジスタMTのデータは一括して消去されることで、前記メモリブロックBLKが前記データの消去単位となる。更にいずれかの前記メモリセルトランジスタMTは、3ビットのデータを保持可能であり、前記メモリブロックBLK内に含まれる前記メモリセルトランジスタMTによって保持可能なデータサイズは、512Kバイトである。
但し、第1の実施形態では8値NAND型フラッシュメモリの場合を例に挙げて説明したが、この場合に限定されるものでは無く、各メモリセルトランジスタがM(≠2i、iは自然数であり、Mは3以上の自然数)のデータを保持し、且つメモリブロックのサイズがLビット(=2k、kは自然数)であれば良い。
また第2乃至第4の実施形態においては、ワード線の本数を調整することで剰余ページを設け、この剰余ページをシステム管理情報や消去回数、またはページの更新データ保持用として用いている。
すなわち、第2、第3の実施形態に係るメモリシステムは、データを保持可能な半導体記憶装置(8値NAND型フラッシュメモリ11)と、外部から第1データを受信して、該第1データを前記半導体記憶装置に書き込むメモリコントローラ12とを具備するメモリシステムである。そして、8値NAND型フラッシュメモリ11は、各々が電荷蓄積層と制御ゲートとを含む積層ゲートを備え、且つ3ビットのデータを保持可能な、複数のメモリセルトランジスタMTと、複数の前記メモリセルトランジスタMTがマトリクス状に配置されたメモリブロックBLKと、前記メモリブロックBLK内において、同一行に位置する前記メモリセルトランジスタMTの制御ゲートを共通接続するワード線WL0〜WL42とを備える。また前記メモリコントローラ12は、外部から前記第1データを受け取るインタフェース21と、前記第1データを前記8値NAND型フラッシュメモリ11へ書き込み、且つ前記メモリブロックBLKに関する情報である第2データを生成して前記半導体記憶装置へ書き込むプロセッサ(MPU22)とを備える。そして、前記メモリブロックBLK内に含まれる前記メモリセルトランジスタMTのデータは一括して消去されることで、前記メモリブロックBLKが前記データの消去単位となる。更に、前記ワード線WL0〜WL42は第1ワード線WL0〜WL41と第2ワード線WL42とを含み、前記メモリブロックBLKは、第1メモリ領域(ページPG0〜PG127)と第2メモリ領域(ページPG128)とを含む。前記第1メモリ領域(ページPG0〜PG127)は、前記第1ワード線WL0〜WL41に接続された前記メモリセルトランジスタMTの前記3ビットと、前記第2ワード線WL42に接続された前記メモリセルトランジスタの前記3ビットのうちの2ビット(j=2<3)とによって形成され、保持可能なデータのトータルサイズが512Kバイト(=2i、iは自然数)であるメモリ空間である。前記第2メモリ領域(ページPG128)は、前記第2ワード線WL128に接続された前記メモリセルトランジスタの(3−2)=1ビットによって形成されるメモリ空間である。前記MPU22は、前記第1データを前記第1メモリ領域(ページPG0〜PG127)に書き込み、前記第2データを前記第2メモリ領域(ページPG128)に書き込む。
更に第4の実施形態では、上記第2、第3の実施形態に係る構成において、前記MPU22は、前記第1メモリ領域(ページPG0〜PG127)内に保持されるデータの更新データを外部から受信した際、前記更新データを前記第2メモリ領域(ページPG128)に書き込む。
なお第5の実施形態で説明したように、4値NAND型フラッシュメモリ11の場合には、前記第1メモリ領域(ページPG0〜PG63)は、第1ワード線WL0〜WL31に接続された前記メモリセルトランジスタMTの2ビットによって形成され、保持可能なデータのトータルサイズが256Kバイト(=2i、iは自然数)であるメモリ空間である。前記第2メモリ領域(ページPG64、PG65)は、前記第2ワード線WL32に接続された前記メモリセルトランジスタMTの2ビットによって形成されるメモリ空間である。
また、剰余ページが複数ある場合には、上記第2乃至第4の実施形態を組み合わせることも可能である。つまり、ある剰余ページにはシステム管理情報を格納し、別の剰余ページには消去回数を格納し、また別の剰余ページには更新データを格納することも出来る。
更に、ワード線本数、ビット線本数、及び各メモリセルトランジスタMTが保持可能なビット数は、上記実施形態で説明した場合に限らず、適宜選択可能である。また、上記実施形態ではメモリカードの場合を例に挙げて説明したが、勿論、メモリカードの場合に限定されるものでは無い。
なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。
1…メモリカード、2…ホスト機器、11…NAND型フラッシュメモリ、12…カードコントローラ、13…信号ピン、21…ホストインタフェースモジュール、22…MPU、23…フラッシュコントローラ、24…ROM、25…RAM、26…バッファ、30…メモリセルアレイ、31…ロウデコーダ、32…ページバッファ、40…第1領域、41…第2領域、42…NANDセル
Claims (5)
- 各々が電荷蓄積層と制御ゲートとを含む積層ゲートを備え、且つMビット(≠2i、iは自然数であり、Mは3以上の自然数)のデータを保持可能な、複数のメモリセルトランジスタと、
複数の前記メモリセルトランジスタがマトリクス状に配置されたメモリブロックと、
前記メモリブロック内において、同一行に位置する前記メモリセルトランジスタの制御ゲートを共通接続するワード線と
を具備し、前記メモリブロック内に含まれる前記メモリセルトランジスタのデータが一括して消去されることで、前記メモリブロックが前記データの消去単位となり、
前記メモリブロックの保持可能なデータサイズはLビット(=2k、kは自然数)である
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 第1選択トランジスタと、第2選択トランジスタと、前記第1選択トランジスタのソースと前記第2選択トランジスタのドレインとの間に電流経路が直列接続され、各々が電荷蓄積層と制御ゲートとを含む積層ゲートを備えた複数のメモリセルトランジスタとを備えたメモリセルユニットと、
複数の前記メモリセルユニットを含むメモリブロックと、
前記第1選択トランジスタのゲートに接続された第1セレクトゲート線と、
前記第2選択トランジスタのゲートに接続された第2セレクトゲート線と、
前記メモリセルユニット内の各々の前記メモリセルトランジスタの前記制御ゲートをそれぞれ共通接続する複数のワード線と
を具備し、前記メモリブロック内に含まれる前記メモリセルトランジスタのデータが一括して消去されることで、前記メモリブロックが前記データの消去単位となり、
前記第1セレクトゲート線に隣接する前記ワード線、及び前記第2セレクトゲート線に隣接する前記ワード線に接続された前記メモリセルトランジスタは、Mビット(Mは自然数)のデータを保持可能であり、前記第1、第2セレクトゲート線に隣接しない前記ワード線に接続された前記メモリセルトランジスタは、Nビット(≠2i、iは自然数であり、N>M)のデータを保持可能であり、
前記メモリブロックの保持可能なデータサイズはLビット(=2k、kは自然数)である
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - データを保持可能な半導体記憶装置と、外部から第1データを受信して、該第1データを前記半導体記憶装置に書き込むメモリコントローラとを具備するメモリシステムであって、前記半導体記憶装置は、
各々が電荷蓄積層と制御ゲートとを含む積層ゲートを備え、且つMビット(Mは2以上の自然数)のデータを保持可能な、複数のメモリセルトランジスタと、
複数の前記メモリセルトランジスタがマトリクス状に配置されたメモリブロックと、
前記メモリブロック内において、同一行に位置する前記メモリセルトランジスタの制御ゲートを共通接続するワード線と
を備え、前記メモリコントローラは、
外部から前記第1データを受け取るインタフェースと、
前記第1データを前記半導体記憶装置へ書き込み、且つ前記メモリブロックに関する情報である第2データを生成して前記半導体記憶装置へ書き込むプロセッサと
を備え、前記メモリブロック内に含まれる前記メモリセルトランジスタのデータが一括して消去されることで、前記メモリブロックが前記データの消去単位となり、
前記ワード線は第1ワード線と第2ワード線とを含み、
前記メモリブロックは、第1メモリ領域と第2メモリ領域とを含み、
前記第1メモリ領域は、前記第1ワード線に接続された前記メモリセルトランジスタの前記Mビット、または前記第1ワード線に接続された前記メモリセルトランジスタの前記Mビットと、前記第2ワード線に接続された前記メモリセルトランジスタの前記Mビットのうちのjビット(jは自然数でj<M)とによって形成され、保持可能なデータサイズがLビット(=2k、kは自然数)であるメモリ空間であり、
前記第2メモリ領域は、前記第2ワード線に接続された前記メモリセルトランジスタの前記Mビット、または(M−j)ビットによって形成されるメモリ空間であり、
前記プロセッサは、前記第1データを前記第1メモリ領域に書き込み、前記第2データを前記第2メモリ領域に書き込む
ことを特徴とするメモリシステム。 - 前記第2データは、前記メモリブロックに関するシステム管理情報、または前記メモリブロックについてなされたデータの消去動作の回数である
ことを特徴とする請求項3記載のメモリシステム。 - データを保持可能な半導体記憶装置と、外部からデータを受信して、該データを前記半導体記憶装置に書き込むメモリコントローラとを具備するメモリシステムであって、前記半導体記憶装置は、
各々が電荷蓄積層と制御ゲートとを含む積層ゲートを備え、且つMビット(Mは2以上の自然数)のデータを保持可能な、複数のメモリセルトランジスタと、
複数の前記メモリセルトランジスタがマトリクス状に配置されたメモリブロックと、
前記メモリブロック内において、同一行に位置する前記メモリセルトランジスタの制御ゲートを共通接続するワード線と
を備え、前記メモリコントローラは、
外部から前記データを受け取るインタフェースと、
前記データを前記半導体記憶装置へ書き込むプロセッサと
を備え、前記メモリブロック内に含まれる前記メモリセルトランジスタのデータが一括して消去されることで、前記メモリブロックが前記データの消去単位となり、
前記ワード線は第1ワード線と第2ワード線とを含み、
前記メモリブロックは、第1メモリ領域と第2メモリ領域とを含み、
前記第1メモリ領域は、前記第1ワード線に接続された前記メモリセルトランジスタの前記Mビット、または前記第1ワード線に接続された前記メモリセルトランジスタの前記Mビットと、前記第2ワード線に接続された前記メモリセルトランジスタの前記Mビットのうちのjビット(jは自然数でj<M)とによって形成され、保持可能なデータサイズがLビット(=2k、kは自然数)であるメモリ空間であり、
前記第2メモリ領域は、前記第2ワード線に接続された前記メモリセルトランジスタの前記Mビット、または(M−j)ビットによって形成されるメモリ空間であり、
前記プロセッサは、前記第1メモリ領域内に保持されるデータの更新データを前記外部から受信した際、前記更新データを前記第2メモリ領域に書き込む
ことを特徴とするメモリシステム。
Priority Applications (5)
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