JP2009004575A - 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上の層間絶縁膜10上にパターンマスク15を含む上層膜16を形成し、次いで層間絶縁膜10の表面が露出した状態で基板に脱水処理用のガスを供給して層間絶縁膜10から水分を除去し、続いて層間絶縁膜10をエッチングして、電気的接続部が埋め込まれる接続用ホールを形成する。
【選択図】図2
Description
Momonoi, Y., Yonekura, K. and Izawa, M., "Investigation of reduction in etch rate of isolated holes in SiOCH" in Proc. Dry Process International Symposium 2-03, pp.7-8
次に前記層間絶縁膜の表面が露出した状態で前記基板に脱水処理用のガスを供給して層間絶縁膜から水分を除去する工程と、
その後前記層間絶縁膜をエッチングして、電気的接続部が埋め込まれる接続用ホールを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
前記処理容器内にエッチングガスを供給するための第1のガス供給手段と、
前記処理容器内に脱水処理用のガスを供給するための第2のガス供給手段と、
前記エッチングガスをプラズマ化するためのプラズマ発生手段と、
前記処理容器内を真空排気するための手段と、
層間絶縁膜の上にパターンマスクを含む上層膜の形成された基板に対して、プラズマ化されたエッチングガスによりプラズマエッチングを行い、前記上層膜にホールを開けて前記層間絶縁膜を露出させるステップと、次に前記基板に脱水処理用のガスを供給して層間絶縁膜から水分を除去するステップと、その後前記層間絶縁膜をプラズマエッチングして、電気的接続部が埋め込まれる接続用ホールを形成するステップと、を実行するように各手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
DPMの脱水処理能力及び加熱温度の影響を確認するため、表面にSiOCH膜を形成したウエハWにエッチング処理及びアッシング処理を行うことでSiOCH膜表面にOH基を形成し、層間絶縁膜10が水分を吸収した場合と同様の状態にした後、DPMガスによる脱水処理を行った。このウエハWの温度を150℃、200℃、250℃の温度に保った状態で容器内の圧力が266Pa(2Torr)になるようDPMガスを満たした処理容器内に150秒間載置した。処理後は、ウエハW上に純水を滴下して水の接触角を計測し、また昇温脱離ガス分析法(TDS, Thermal Desorption Spectroscopy)によりウエハWに残存する水分量を計測した。
(実施例1)
150℃に加熱したウエハWをDPMガスで処理した。
(実施例2)
200℃に加熱したウエハWをDPMガスで処理した。
(実施例3)
250℃に加熱したウエハWをDPMガスで処理した。
(比較例1)
ウエハWに対してエッチング、アッシングのみを行い、DPMガスによる処理は行わなかった。
(表1)
10 層間絶縁膜
11 キャップ膜
12 ボトムフォトレジスト膜
13 酸化膜
14 反射防止膜
15 フォトレジスト膜
16 上層膜
17 ビアホール
18 トレンチ
19 銅配線
20 制御部
21 処理容器
22 排気口
23 排気装置
24 排気管
25 搬送口
26 ゲートバルブ
27 絶縁部材
30 載置台
31 下部電極
311 高周波電源
32 支持体
33 絶縁部材
34 静電チャック
341 加熱手段
35 高圧直流電源
36 冷媒流路
37 ガス流路
371 ガス供給孔
38 フォーカスリング
40 上部電極
401 高周波電源
41 ガス供給孔
42 ガス供給管
43a〜43d
ガス供給源
44 流量制御部
46 DPM供給部
51 エッチング装置
110 ケルビンビアホール
111 通常のビアホール
Claims (17)
- 基板上の層間絶縁膜の上にパターンマスクを含む上層膜を形成する工程と、
次に前記層間絶縁膜の表面が露出した状態で前記基板に脱水処理用のガスを供給して層間絶縁膜から水分を除去する工程と、
その後前記層間絶縁膜をエッチングして、電気的接続部が埋め込まれる接続用ホールを形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記上層膜は、前記層間絶縁膜の表面に成膜され、その上側の膜との密着性を向上させるための、または後工程の研磨工程における保護のためのキャップ膜を含み、
前記層間絶縁膜の表面が露出した状態は、前記キャップ膜にホールを開けた状態であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記キャップ膜は、吸湿性の高い膜であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記キャップ膜は、金属アルコキシドを含む有機液体ソースの蒸気を原料として成膜されたシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記上層膜は、エッチング時に犠牲となる犠牲膜を含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 上層膜を形成する工程は、エッチング時に犠牲膜となる塗布膜を大気雰囲気中で前記キャップ膜の表面に成膜する工程を含むことを特徴とする請求項2、3または4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記層間絶縁膜は、シリコン、酸素、炭素及び水素を含む低誘電率膜であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接続用ホールは、集積回路の一部をなす電気的接続部を評価するための電気的接続部が埋め込まれるホールを含むことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記脱水処理用のガスは、ジピバロイルメタンガスであることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記層間絶縁膜から水分を除去する工程は、当該層間絶縁膜の表面が露出した基板を加熱しながら行うことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記層間絶縁膜が露出した基板を加熱する温度は、50℃以上300℃以下であることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 処理容器の下部に設けられた載置台と、
前記処理容器内にエッチングガスを供給するための第1のガス供給手段と、
前記処理容器内に脱水処理用のガスを供給するための第2のガス供給手段と、
前記エッチングガスをプラズマ化するためのプラズマ発生手段と、
前記処理容器内を真空排気するための手段と、
層間絶縁膜の上にパターンマスクを含む上層膜の形成された基板に対して、プラズマ化されたエッチングガスによりプラズマエッチングを行い、前記上層膜にホールを開けて前記層間絶縁膜を露出させるステップと、次に前記基板に脱水処理用のガスを供給して層間絶縁膜から水分を除去するステップと、その後前記層間絶縁膜をプラズマエッチングして、電気的接続部が埋め込まれる接続用ホールを形成するステップと、を実行するように各手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記上層膜は、前記層間絶縁膜の表面に成膜され、その上側の膜との密着性を向上させるための、または後工程の研磨工程における保護のためのキャップ膜を含み、
前記層間絶縁膜の表面を露出させるステップは、前記キャップ膜にホールを開けるステップを含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造装置。 - 前記脱水処理用のガスは、ジピバロイルメタンガスであることを特徴とする請求項12または13に記載の半導体装置の製造装置。
- 前記載置台上に載置された基板を加熱するための加熱手段を更に備え、前記制御手段は、前記層間絶縁膜から水分を除去するステップを、当該層間絶縁膜の表面が露出した状態の前記基板を加熱しながら実行するように前記加熱手段を制御することを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の製造装置。
- 前記制御手段は、前記層間絶縁膜が露出した状態の前記基板を50℃以上300℃以下の温度範囲で加熱するように前記加熱手段を制御することを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の製造装置。
- 半導体装置の製造装置に用いられ、コンピュータ上で動作するプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項1ないし11のいずれか一つに記載された半導体装置の製造方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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