JP4586626B2 - エッチング方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明のエッチング方法を示す断面工程図である。この図に示すエッチング方法は、例えば半導体装置の製造工程における接続孔や配線溝の形成工程に適用される。尚、背景技術において図8を用いて説明したと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を行うこととする。
エッチングガスと流量 :C5F8 =5sccm、
:CH2F2=5sccm、
:Ar =600sccm、
:O2 =10sccm
エッチング雰囲気内圧力:20mTorr(約27Pa)、
プラズマ密度 :2×1011cm-3、
入射イオンエネルギー :1000V。
図2は、本発明が適用されるエッチング装置の一例を示す上面構成図である。この図に示すエッチング装置1は、いわゆるマルチチャンバ形式のエッチング装置であり、搬送室2を介して複数の部屋がそれぞれ気密状態を保って連通される構成となっている。すなわち、このエッチング装置1は、搬送室2に対して、2つのカセット室3,3、アライナー室4,2つのエッチング室5,5がそれぞれ個別に接続された状態となっている。
Claims (6)
- 被エッチング膜の上部にマスクパターン層が形成された状態で、当該被エッチング膜から水分を除去するための脱ガス処理を行い、
前記脱ガス処理に連続して前記マスクパターン層上から前記被エッチング膜をドライエッチング処理する
エッチング方法。 - 前記マスクパターン層は、低吸湿材料で構成されている
請求項1記載のエッチング方法。 - 前記被エッチング膜は、低誘電率材料からなる
請求項1または2に記載のエッチング方法。 - 前記脱ガス処理は減圧雰囲気内において前記被エッチング膜の周縁を加熱することによって行われる
請求項1〜3の何れかに記載のエッチング方法。 - 前記脱ガス処理と前記ドライエッチング処理とは、減圧雰囲気内において連続して行われる
請求項1〜4の何れかに記載のエッチング方法。 - マスクパターン層の上方からのドライエッチング処理によって被エッチング膜をパターニングする工程を行う半導体装置の製造方法において、
被エッチング膜の上部にマスクパターン層が形成された状態で、当該被エッチング膜から水分を除去するための脱ガス処理を行い、
前記脱ガス処理に連続して前記マスクパターン層上から前記被エッチング膜をドライエッチング処理する
半導体装置の製造方法。
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