JP2006324277A - エッチング方法、半導体装置の製造方法、およびエッチング装置 - Google Patents
エッチング方法、半導体装置の製造方法、およびエッチング装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】低誘電率膜(被エッチング膜)103の上部に無機マスク層104やレジストパターン105などのマスクパターン層が形成された状態で、低誘電率膜103から水分を除去するための脱ガス処理を行う。この脱ガス処理は減圧雰囲気内において前記被エッチング膜の周縁を加熱することによって行われる。その後、連続してマスクパターン層上から低誘電率膜103をドライエッチング処理する。脱ガス処理とドライエッチング処理とは、減圧雰囲気内において連続して行われる。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明のエッチング方法を示す断面工程図である。この図に示すエッチング方法は、例えば半導体装置の製造工程における接続孔や配線溝の形成工程に適用される。尚、背景技術において図8を用いて説明したと同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を行うこととする。
エッチングガスと流量 :C5F8 =5sccm、
:CH2F2=5sccm、
:Ar =600sccm、
:O2 =10sccm
エッチング雰囲気内圧力:20mTorr(約27Pa)、
プラズマ密度 :2×1011cm-3、
入射イオンエネルギー :1000V。
図2は、本発明が適用されるエッチング装置の一例を示す上面構成図である。この図に示すエッチング装置1は、いわゆるマルチチャンバ形式のエッチング装置であり、搬送室2を介して複数の部屋がそれぞれ気密状態を保って連通される構成となっている。すなわち、このエッチング装置1は、搬送室2に対して、2つのカセット室3,3、アライナー室4,2つのエッチング室5,5がそれぞれ個別に接続された状態となっている。
Claims (9)
- 被エッチング膜の上部にマスクパターン層が形成された状態で、当該被エッチング膜から水分を除去するための脱ガス処理を行い、
前記脱ガス処理に連続して前記マスクパターン層上から前記被エッチング膜をドライエッチング処理する
ことを特徴とするエッチング方法。 - 請求項1記載のエッチング方法において、
前記マスクパターン層は、低吸湿材料で構成されている
ことを特徴とするエッチング方法。 - 請求項1記載のエッチング方法において、
前記被エッチング膜は、低誘電率材料からなる
ことを特徴とするエッチング方法。 - 請求項1記載のエッチング方法において、
前記脱ガス処理は減圧雰囲気内において前記被エッチング膜の周縁を加熱することによって行われる
ことを特徴とするエッチング方法。 - 請求項1記載のエッチング方法において、
前記脱ガス処理と前記ドライエッチング処理とは、減圧雰囲気内において連続して行われる
ことを特徴とするエッチング方法。 - マスクパターン層の上方からのドライエッチング処理によって被エッチング膜をパターニングする工程を行う半導体装置の製造方法において、
被エッチング膜の上部にマスクパターン層が形成された状態で、当該被エッチング膜から水分を除去するための脱ガス処理を行い、
前記脱ガス処理に連続して前記マスクパターン層上から前記被エッチング膜をドライエッチング処理する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 反応ガスプラズマの供給により基板表面をドライエッチングするエッチング装置であって、
基板の周縁部を中心部よりも高温に加熱するための加熱機構を備えた
ことを特徴とするエッチング装置。 - 請求項7記載のエッチング装置において、
前記加熱機構は、内部が減圧雰囲気に保たれる減圧室内に設けられている
ことを特徴とするエッチング装置。 - 請求項8記載のエッチング装置において、
前記ドライエッチングを行うエッチング室と前記減圧室とは、気密状態を保って連通される
ことを特徴とするエッチング装置。
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