JP2002043305A - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダマシン工程を用いて絶縁膜中に導電層を製
造する方法において、導電性材料の酸化を極力防止する
ことができる成膜装置及び成膜方法を提供する。 【解決手段】 成膜装置１では、銅形成処理室２０にて
ウェハＷ上に銅膜を形成した後、ＣＭＰ処理室３０にて
ＣＭＰ処理がウェハＷに施される。ＣＭＰ処理後、ウェ
ハＷは、洗浄処理室１２０にて洗浄処理され、減圧乾燥
室４０ａにて減圧乾燥される。減圧乾燥処理されたウェ
ハＷは、減圧状態下でＣＶＤ装置６０及び７０へ搬入さ
れるので、ウェハＷ上に形成された銅膜の自然酸化は確
実に抑制される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば酸化されや
すい膜上に絶縁膜を形成する成膜装置及び成膜方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】超ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体ウェ
ハ（以下、単に「ウェハ」と呼ぶ。）上に形成される配
線の微細化および層間絶縁膜の平坦化は重要である。配
線の微細化および層間絶縁膜の平坦化を実現する技術と
しては、ダマシン法と称される配線技術が知られてい
る。

【０００３】ダマシン法では、層間絶縁膜に所定の溝を
予め形成し、スパッタ法やＣＶＤ法により溝内部にＡｌ
やＣｕ等の導電性の配線材料を埋めこみ、ＣＭＰ（chem
icalmechanical polishing）技術などにより溝外に堆
積した配線材料を除去することにより配線を形成する。
ＣＭＰ処理後、洗浄及び乾燥工程を経て、配線材料の酸
化を防止するためＣＶＤ法により窒化シリコンなどの絶
縁膜が更に形成される。このＣＶＤ法による絶縁膜形成
では、配線材料の自然酸化膜の成長を抑制するため、Ｃ
ＶＤ処理室にウェハを搬入する前に、真空またはＮ_２な
どの不活性ガス雰囲気下のロードロック室にウェハを待
機させている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＭＰ
処理から絶縁膜を形成するまでの製造工程中、例えば洗
浄後の乾燥工程などでは、配線材料が大気中にさらさ
れ、配線材料が酸化されやすいという不具合が生じてい
た。

【０００５】上記事情を鑑み、本発明の目的は、材料の
酸化を極力防止することができる成膜装置及び成膜方法
を提供することにある。また、本発明は、例えばダマシ
ン工程を用いて絶縁膜中に導電層を製造する方法におい
て、導電性材料の酸化を極力防止することができる成膜
装置及び成膜方法を提供することを目的とする。さら
に、本発明は、例えば酸化されやすい膜上にＣＶＤ法を
用いて成膜する成膜装置及び成膜方法において、酸化さ
れやすい膜の酸化を極力防止することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の観点に係
る成膜装置は、洗浄された基板を減圧乾燥する乾燥室
と、前記基板上にＣＶＤ法により成膜する成膜室と、前
記乾燥室から前記成膜室へ前記基板を減圧状態下で搬送
する搬送路とを具備する。

【０００７】本発明の第２の観点に係る成膜方法は、洗
浄された基板を減圧乾燥する工程と、前記減圧乾燥後、
減圧状態下を保持した状態で前記基板を搬送する工程
と、前記搬送後、前記基板上にＣＶＤ法により成膜する
工程とを具備する。

【０００８】本発明の第３の観点に係る成膜装置は、大
気中で基板を搬送する第１の基板搬送部と、前記第１の
搬送搬送部とほぼ直交するように設けられ、大気中で基
板を搬送する第２の基板搬送部と、前記第１の搬送部及
び前記第２の搬送部のうち少なくとも一方の間で基板の
受け渡しが可能で、減圧下で基板を処理する処理室とを
具備する。

【０００９】本発明の第４の観点に係る成膜装置は、大
気中で基板を搬送する第１の基板搬送部と、減圧下で基
板を搬送する第２の基板搬送部と、前記第１の基板搬送
部と前記第２の基板搬送部との間で基板を搬送する第３
の基板搬送部とを具備する。

【００１０】本発明によれば、例えば乾燥工程を減圧下
で行い、減圧状態を維持した状態で成膜室に基板を搬送
することにより、例えば銅の様に酸化されやすい膜が基
板上に形成されている場合、酸化されやすい膜の自然酸
化を確実に抑制することができる。

【００１１】ここで、乾燥室にて処理された基板が大気
中にさらされた後、減圧処理室を通って成膜室に搬入さ
れる装置構造の場合と本発明とを比較する。前者の場
合、減圧処理室内を大気圧の状態から減圧する必要があ
った。しかしながら、本発明においては、このような乾
燥室から成膜室までの基板の搬送路において、大気圧の
状態から減圧するという必要がないので、エネルギー効
率が非常に良い。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。

【００１３】本実施形態は、デュアルダマシン工程を経
て製造される図６に示す構造の半導体素子の製造方法を
例にあげて説明する。図６に示すように、本実施形態に
おける半導体素子２００は、基板としての半導体ウェハ
Ｗ（以下ウェハＷ）上に下層配線２０１が配置され、こ
の下層配線２０１上には、第１有機絶縁膜２０２ａ、第
１無機絶縁膜２０３ａ、第１有機絶縁膜２０４ａ、第２
無機絶縁膜２０５ａとの積層膜からなる層間絶縁膜が形
成されている。層間絶縁膜には、導電材料としての例え
ば銅からなる配線２０７ｂと、下層配線２０１と配線２
０７ｂとを接続するための銅からなる接続プラグ２０７
ａとが形成されている。層間絶縁膜と、配線２０７ｂ及
び接続プラグ２０７ａとの間には、銅が層間絶縁膜中に
拡散することを防止するために、側壁保護膜２０６とし
て例えばチタンナイトライドが形成されている。更に、
配線の自然酸化を防止するために表面には窒化珪素膜２
０９が形成されている。

【００１４】有機絶縁膜２０２ａ及び２０４ａには、誘
電率が３以下の低誘電率特性の有機絶縁膜を用いること
ができ、例えばＰＡＥ−２（ｓｈｕｍａｃｈｅｒ社
製）、ＨＳＧ−Ｒ７（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ社製）、ＦＬＡＲＥ（Ａｐｌｉｅｄ Ｓｉｇｎａｌ社
製）、ＢＣＢ（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製）、ＳＩ
ＬＫ（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製）、Ｓｐｅｅｄ
Ｆｉｌｍ（Ｗ．Ｌ．Ｇｏｒｅ社製）などの有機ポリマー
を用いることができる。本実施形態においては、ＳＩＬ
Ｋ（ダウケミカル社製）を用いた。また、本実施形態に
おいては、無機絶縁膜２０３ａには窒化珪素膜、無機絶
縁膜２０５ａには酸化ケイ素膜を用いたが、これら材料
に限定されるものではなく、例えば無機ＳＯＧ膜を用い
ても良い。無機絶縁膜２０５ａとしては、デュアルダマ
シン工程におけるＣＭＰ処理に対し、強度が足りれば良
い。

【００１５】次に、上述の半導体素子の銅形成工程から
窒化珪素膜形成工程までの製造工程で用いられる成膜装
置について、図１、図２及び図７を用いて説明する。図
１は成膜装置の平面図であり、図２は成膜装置の一部を
構成する減圧乾燥室の斜視図である。図７は、成膜装置
の一部を構成するＣＶＤ装置の斜視図である。

【００１６】成膜装置１は、例えば２５枚のウェハＷを
カセット単位で外部から成膜装置１に対して搬入出した
り、カセットＣに対してウェハＷを搬入出するためのカ
セットステーション２と、ウェハＷに対して所定の処理
を施す処理ステーション３とを一体に接続した構成を有
している。

【００１７】カセットステーション２では、カセット載
置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に、複数個のカ
セットＣＲがウェハＷの出入口を処理ステーション３側
に向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載
置自在である。そして、このカセットＣの配列方向（Ｘ
方向）及びカセットＣＲに収容されたウェハＷの配列方
向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能な第１ウェハ搬送体
１１が搬送路１２に沿って移動自在であり、各カセット
ＣＲに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。

【００１８】このウェハ搬送体１１はθ方向にも回転自
在に構成されており、後述する処理ステーション３の第
２搬送体８１との間でのウェハを受け渡すためのウェハ
待機部９０や、後述する処理ステーション３の待機室５
０に対してアクセスできるように構成されている。

【００１９】処理ステーション３には、ウェハ待機部９
０と、銅形成処理室２０と、ＣＭＰ処理室３０と、洗浄
処理室１２０と、減圧乾燥室４０ａ〜４０ｃと、第２搬
送体８１と、成膜室としてのＣＶＤ装置６０及び７０
と、待機室５０と、減圧乾燥室４０ａ〜４０ｃからＣＶ
Ｄ室６０及び７０へのウェハＷの搬送路に位置するロー
ドロック室１００が配置されている。

【００２０】ウェハ待機部９０、銅形成処理室２０、Ｃ
ＭＰ処理室３０、洗浄処理室１２０、減圧乾燥室４０ａ
〜４０ｃは、それぞれ第２搬送体８１に沿って第２搬送
体８１にアクセス可能に設置されている。第２搬送体８
１は、Ｙ方向及びＺ方向（垂直方向）に移動可能であ
り、搬送路８２に沿って移動自在となっている。

【００２１】また、ＣＶＤ装置６０及び７０、減圧乾燥
室４０ａ〜４０ｃ、待機室５０は、ロードロック室１０
０を取り囲むように配置され、それぞれの室間は減圧状
態が維持されるように、気密可能となる昇降可能なゲー
トバルブ１１１〜１１４が設けられている。更に、第２
搬送体８１と減圧乾燥室４０ａ〜４０ｃとの間、ロード
ロック室１００と待機室５０との間にもそれぞれ昇降可
能なゲートバルブ１１０、１１５が設けられている。ロ
ードロック室１００には、減圧乾燥室４０ａ〜４０ｃと
ＣＶＤ装置６０及び７０との間でのウェハの搬送やＣＶ
Ｄ装置６０及び７０と待機室５０との間でのウェハの搬
送を行う第３搬送体４６が設置されている。

【００２２】ウェハ待機部９０には４本の支持ピン９１
が配置されており、第１搬送体１１から受け渡されたウ
ェハＷは支持ピン９１により保持される。また、支持ピ
ン９１により保持されるウェハＷは、第２搬送体８１に
より取り出される。

【００２３】銅形成処理室２０は、成膜装置１外からカ
セットステーション２を介して、第１搬送体１１及び第
２搬送体８１により搬入されたウェハＷがはじめに搬入
される処理室である。銅形成処理室２０は開口部２１を
有し、この開口部２１を介してウェハＷの搬入出が行わ
れ、銅形成処理室２０内で処理が行われている際には昇
降可能なゲートシャッタ１３１により開口部２１は閉じ
られた状態となっている。銅形成処理室２０の室底の中
央部に環状のカップＣＰが配設され、その内側にスピン
チャックが配置されている。スピンチャックは真空吸着
によってウェハＷを固定保持した状態で、駆動モータの
回転駆動力で回転するように構成されている。駆動モー
タはシリンダーによって昇降移動可能に配置され、これ
によりスピンチャックが昇降可能とされている。更に、
銅形成処理室２０には、ウェハＷのウェハ表面に銅材料
を供給するための溶液供給ノズルが設けられている。銅
膜形成は、ウェハＷを回転させた状態で表面に銅材料を
供給することにより行われる。

【００２４】ＣＭＰ処理室３０では、銅形成処理室２０
にて銅膜が形成されたウェハＷの表面がＣＭＰ(Chemica
l Mechanical Polishing)処理される。ＣＭＰ処理室
３０は開口部３１を有し、この開口部３１を介してウェ
ハＷの搬入出が行われ、ＣＭＰ処理室３０内で処理が行
われている際には昇降可能なゲートシャッタ１３２によ
り開口部３１は閉じられた状態となっている。ＣＭＰ処
理室３０には、ウェハＷを載置する平板と、この平板に
載置されたウェハＷの表面に対して研磨布を押し付けて
回転する研磨布が取りつけられた回転可能な大口径平板
とが設置されている。ＣＭＰ処理では、ウェハＷ表面を
研磨布に一定圧力で押しつけ、スラリーと呼ばれるｐＨ
を制御したアルミナなどの砥粒を含む化学的な研磨剤で
ウェハＷ表面が研磨される。

【００２５】洗浄処理室１２０では、ＣＭＰ処理された
ウェハＷを洗浄し、スラリー及び研磨された銅などを除
去する処理が行われる。洗浄処理室１２０は開口部１２
１を有し、この開口部１２１を介してウェハＷの搬入出
が行われ、洗浄処理室１２０内で処理が行われている際
には昇降可能なゲートシャッタ１３３により開口部１２
１は閉じられた状態となっている。洗浄処理室１２０の
室底の中央部に環状のカップＣＰが配設され、その内側
にスピンチャックが配置されている。スピンチャックは
真空吸着によってウェハＷを固定保持した状態で、駆動
モータの回転駆動力で回転するように構成されている。
駆動モータはシリンダーによって昇降移動可能に配置さ
れ、これによりスピンチャックが昇降可能とされてい
る。更に、洗浄処理室１２０には、ウェハＷのウェハ表
面に洗浄液、ここでは例えば純水を供給するための溶液
供給ノズルが設けられている。ウェハＷの洗浄は、ウェ
ハＷを回転させた状態で表面に洗浄液を供給することに
より行われる。

【００２６】減圧乾燥室４０ａ〜４０ｃは、洗浄工程を
経たウェハＷを乾燥する処理室でああり、図２に示すよ
うに積み重ねられている。各減圧乾燥室４０ａ〜４０ｃ
には、ウェハＷを載置する載置板３７と、載置板３７を
貫通し昇降可能な４本の支持ピン３８とが設けられてい
る。支持ピン３８は、上昇して載置板３７から突出した
状態で第２搬送体８１からウェハＷをうけとる。そし
て、支持ピン３８は、ウェハＷを支持した状態で、下降
し載置板３７に埋没することによって、載置板３７上に
ウェハＷを載置する。各減圧乾燥室４０ａ〜４０ｃに
は、それぞれ第２搬送体８１にアクセス可能な開口部４
１ａ〜４１ｃ、ロードロック室１００内の第３搬送体４
６にアクセス可能な開口部４２ａ〜４２ｃが設けられて
いる。ゲートバルブ１１０の上昇により、開口部４１ａ
〜４１ｃを介して第２搬送体８１と減圧乾燥室４０ａ〜
４０ｃとの間のウェハＷの受け渡しが可能となり、ゲー
トバルブ１１０の下降により減圧乾燥室４０ａ〜４０ｃ
は密閉される。また、ゲートバルブ１１１の上昇によ
り、開口部４２ａ〜４２ｃを介して減圧乾燥室４０ａ〜
４０ｃとロードロック室１００との間のウェハＷの受け
渡しが可能となり、ゲートバルブ１１１の下降により減
圧乾燥室４０ａ〜４０ｃ内は密閉される。減圧乾燥室４
０ａの上部には上部空隙室３９、減圧乾燥室４０ｃの下
部には下部空隙室４３が設けられている。各空隙室及び
各減圧乾燥室は、隣り合う上部空隙室３９と減圧乾燥室
４０ａとの間、隣り合う減圧乾燥室との間、隣り合う減
圧乾燥室４０ｃと下部空隙部４３との間にそれぞれ設け
られた孔３７、４７、４８、４９によって空間がつなが
った状態となっている。そして、この空間内は下部空隙
室４３に設けられた排気管４５により常に排気され、更
に上部空隙室３９に設けられた供給管４４から不活性ガ
ス、例えばＮ_２ガスが常に供給される。これにより、各
減圧乾燥室４０ａ〜４０ｃは、０．２ｋＰａ、Ｎ_２ガス
雰囲気下に保持される。また、減圧乾燥室４０ａ〜４０
ｃの室温は例えば２３℃に保持されている。

【００２７】ロードロック室１００は、減圧乾燥室４０
ａ〜４０ｃからＣＶＤ装置６０及び７０までのウェハＷ
の搬送路に位置しており、排気可能に構成されて室内は
減圧状態に保持されている。ロードロック室１００内に
は、第３搬送体４６が設けられている。第３搬送体４６
は、多関節アームタイプであり、ベース４６ａと、中間
アーム４６ｂと、先端に設けられた基板支持アーム４６
ｃとを有しており、これらの接続部分は旋回可能になっ
ている。この第３搬送体４６は、減圧乾燥室４０ａ〜４
０ｃ、ＣＶＤ装置６０及び７０、待機室５０との間でウ
ェハＷの受け渡しを行う。ロードロック室１００は、常
に６６．５〜２６６Ｐａの減圧下に保持され、室内には
Ｎ_２ガスが供給されている。減圧乾燥室４０ａ〜４０ｃ
内は減圧状態となっているため、減圧乾燥室４０ａ〜４
０ｃからウェハＷを受け取る場合、減圧破壊は生じず、
ロードロック室１００内は減圧状態に保たれる。また、
後述するＣＶＤ装置６０及び７０では、本実施形態にお
いてはプラズマＣＶＤ装置が用いられ、ＣＶＤ装置６０
及び７０内も減圧状態に保持され、ＣＶＤ装置６０及び
７０内へのウェハＷの搬入出の場合、減圧破壊は生じ
ず、ロードロック室１００内は減圧状態に保たれる。更
に、後述する待機室５０は室内を減圧可能に設定でき、
待機室５０へウェハＷを搬出する場合、待機室５０を減
圧状態とすることにより、減圧破壊は生じず、ロードロ
ック室１００内は減圧状態に保たれる。

【００２８】ＣＶＤ装置６０及び７０には、それぞれ平
行平板型プラズマＣＶＤ装置が用いられ、同様の構造を
有している。ＣＶＤ装置６０は、図７に示すように、真
空チャンバ１６１と、ウェハＷが載置されヒータ１６２
が組み込まれた下部平板電極６２と下部平板電極６２と
対向配置された上部平板電極１６３と、真空チャンバ１
６１の下部付近に設けられ真空チャンバ１６１内を排気
する排気管１６６と、真空チャンバ１６１の天井部に設
けられた真空チャンバ１６１内に成膜ガスを供給する供
給管１６５とから構成される。図１に示すように、下部
平板電極６２には、３本の支持ピン６３が昇降可能に貫
通している。支持ピン６３は、上昇により下部平板電極
６２から突出して第３搬送体４６から搬入されたウェハ
Ｗを下部平板電極６２から離間して保持する。また、下
降により支持ピン６３は下部平板電極６２に埋没し、ウ
ェハＷを下部平板電極６２上に載置する。真空チャンバ
１６１は開口部６１を有し、ゲートバルブ１１２の上昇
により開口部６１を介してロードック室１００とＣＶＤ
装置６０との間でのウェハＷの搬入出が行われ、ゲート
バルブ１１２の下降により開口部６１は閉じられてＣＶ
Ｄ装置６０内は密閉状態となる。本実施形態において
は、窒化珪素膜の成膜は１３．３〜１３３０Ｐａの減圧
下で行われ、成膜ガスとしては例えばＳｉＨ_２Ｃｌ_２―
ＮＨ_３が用いられている。

【００２９】待機室５０は、ＣＶＤ装置６０及び７０に
て成膜処理されたウェハＷが第３搬送体により一旦運び
込まれる場所である。待機室５０には、ウェハＷを載置
する載置台５４と、載置台５４を貫通する４本の昇降可
能な支持ピン５３と、待機室５０内を排気し減圧する排
気管と、排気により減圧状態下となった待機室５０内を
大気圧に戻すための開閉可能なバルブとが設けられてい
る。待機室５０内は、ロードロック室１００からウェハ
Ｗが搬入される場合には、減圧状態に設定され、ロード
ロック室１００から第１搬送体１１により搬出される場
合には、大気雰囲気に設定される。待機室５０は開口部
５２及び５１を有し、ゲートバルブ１１４の上昇により
開口部５０を介してロードロック室１００と待機室５０
との間でのウェハＷの搬入出が行われ、ゲートバルブ１
１５の上昇により開口部５１を介して待機室５０と第１
搬送体１１との間でのウェハＷの搬入出が行われる。

【００３０】次に上述した構成を有する成膜装置を用い
た、半導体素子の製造方法について、図３〜図６を用い
て説明する。図３は、デュアルダマシン工程を経て製造
される半導体素子の製造プロセスを説明する図であり、
図４〜図６は、図３で説明した各製造プロセス工程にお
ける半導体素子の断面図を示すものである。

【００３１】まず、図４（ａ）に示すように、ウェハＷ
上にＳｉＯ_２からなる下層配線２０１を形成する(ステ
ップ１)。

【００３２】次に、図４（ｂ）に示すように、ウェハＷ
を２３℃前後に冷却処理した後、下層配線２０１を覆う
ようにウェハＷ上に、例えば２００ｎｍ〜５００ｎｍ前
後、より好ましくは３００ｎｍ程度の厚さの有機絶縁膜
材料をスピンコートにより塗布し、第１有機絶縁膜２０
２を形成する（ステップ２）。ここでは、有機絶縁膜材
料としては、ＳＩＬＫを用いた。

【００３３】第１有機絶縁膜塗布後、ウェハＷを例えば
１５０℃前後６０秒間程度低温加熱処理する。次に、低
温加熱処理後、低酸素化雰囲気中において、例えばウェ
ハＷを２００℃前後６０秒間程度高温加熱処理する。更
に、ウェハＷを、低酸素化雰囲気中、例えば１００ｐｐ
ｍの酸素雰囲気中において、３５０℃前後６０秒間程度
高温加熱処理する。更に、低酸素雰囲気中において、ウ
ェハＷを４５０℃前後６０秒間程度高温加熱処理し、そ
の後２３℃前後で冷却処理する。

【００３４】冷却処理されたウェハＷ上には、図４
（ｃ）に示すように、第１有機絶縁膜２０２を覆って、
３００ｎｍ〜１１００ｎｍ程度、より好ましくは７００
ｎｍ程度の厚さの無機絶縁膜材料を塗布して第１無機絶
縁膜２０３を形成する（ステップ３）。ここでは、無機
絶縁膜材料としては、Ｎａｎｏｇｌａｓｓを用いた。

【００３５】第１無機絶縁膜形成後、ウェハＷはエージ
ング処理装置内に搬入され、同装置内に（ＮＨ_３＋Ｈ_２
Ｏ）ガスが導入されることによりエージング処理され、
ウェハＷ上の無機絶縁膜材料はゲル化される。

【００３６】エージング処理されたウェハＷは、ウェハ
Ｗ上にエクスチェンジ用薬液が供給され、ウェハ上に塗
布された絶縁膜中の溶媒を他の溶媒に置き換える処理が
行われる。この後、ウェハＷを、例えば１７５℃前後６
０秒間程度低温加熱処理する。

【００３７】低温加熱処理されたウェハＷは、低酸素化
雰囲気中において、例えば３１０℃前後６０秒間程度高
温加熱処理され、更に、低酸素雰囲気中において例えば
４５０℃前後６０秒間程度高温加熱処理される。その
後、ウェハＷは２３℃前後で冷却処理される。

【００３８】冷却処理されたウェハＷ上には、図４
（ｄ）に示すように、例えば２００ｎｍ〜５００ｎｍ前
後、より好ましくは３００ｎｍ程度の厚さの有機絶縁膜
材料がスピンコートにより塗布され、第２有機絶縁膜２
０４が形成される（ステップ４）。ここでは、有機絶縁
膜材料としては、ＳＩＬＫを用いた。

【００３９】第２有機絶縁膜塗布後、ウェハＷを例えば
ウェハＷを１５０℃前後６０秒間程度低温加熱処理す
る。次に、低温加熱処理後、低酸素化雰囲気中におい
て、例えばウェハＷを２００℃前後６０秒間程度高温加
熱処理する。更に、ウェハＷを、低酸素化雰囲気中、例
えば１００ｐｐｍの酸素雰囲気中において、３５０℃前
後６０秒間程度高温加熱処理する。更に、低酸素雰囲気
中において、ウェハＷを４５０℃前後６０秒間程度高温
加熱処理し、その後２３℃前後で冷却処理する。

【００４０】冷却処理されたウェハＷ上には、図４
（ｅ）に示すように、第２有機絶縁膜２０４を覆って、
３００ｎｍ〜１１００ｎｍ程度、より好ましくは７００
ｎｍ程度の厚さの無機絶縁膜材料を塗布して第１無機絶
縁膜２０５を形成する（ステップ５）。ここでは、無機
絶縁膜材料としては、Ｎａｎｏｇｌａｓｓを用いた。

【００４１】第２無機絶縁膜形成後、ウェハＷはエージ
ング処理装置内に搬入され、同装置内に（ＮＨ_３＋Ｈ_２
Ｏ）ガスが導入されることによりエージング処理され、
ウェハＷ上の無機絶縁膜材料はゲル化される。

【００４２】エージング処理されたウェハＷは、ウェハ
Ｗ上にエクスチェンジ用薬液が供給され、ウェハ上に塗
布された絶縁膜中の溶媒を他の溶媒に置き換える処理が
行われる。この後、ウェハＷを、例えば１７５℃前後６
０秒間程度低温加熱処理する。

【００４３】低温加熱処理されたウェハＷは、低酸素化
雰囲気中において、例えば３１０℃前後６０秒間程度高
温加熱処理され、更に、低酸素雰囲気中において例えば
４５０℃前後６０秒間程度高温加熱処理される。その
後、ウェハＷは２３℃前後で冷却処理される。

【００４４】冷却処理されたウェハＷは、第２有機絶縁
膜２０４上にレジスト膜が形成される。レジスト膜とし
ては、例えばアセタール系レジストを用いることができ
る。レジスト膜形成後、加熱、冷却処理を施し、露光装
置にて所定の露光処理を施す。露光装置でパターンが露
光されたウェハＷは、加熱、冷却処理される。その後、
現像処理を施すことにより、所定の形状のレジストパタ
ーンが形成される。ここでは、現像処理液としては、Ｔ
ＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド）を用いた。

【００４５】かかる現像処理が終了したウェハＷは、加
熱、冷却処理が施される。その後、エッチング装置によ
り、レジストパターンをマスクとしてドライエッチング
処理により、図５（ａ）に示すように、第２有機絶縁膜
２０４、第２無機絶縁膜２０５をエッチングする。これ
により、配線に相当する凹部２１０が形成された第２有
機絶縁膜パターン２０４ａ及び第２無機絶縁膜パターン
２０５ａを形成することができる（ステップ６）。ここ
では、例えばＣＦ_４ガスを用いてエッチング処理を行っ
た。エッチング処理後、レジストパターンは剥離され
る。

【００４６】更に、同様にレジストパターン形成工程を
経て、このレジストパターンをマスクとして、第１有機
絶縁膜２０２、第１無機絶縁膜２０３をエッチングする
ことにより、図５（ｂ）に示すように、接続プラグに相
当する凹部２１１が形成された第１有機絶縁膜パターン
２０２ａ及び第１無機絶縁膜パターン２０３ａを形成す
る(ステップ７)。

【００４７】その後、プラズマＣＶＤ装置により、図５
（ｃ）に示すように、配線に相当する凹部２１０及び接
続プラグに相当する凹部２１１の内部の側壁に、銅拡散
防止のための側壁保護用のチタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）２０６を形成する。側壁保護用の膜としては、Ｔｉ
ＮのほかにＴｉ、ＴｉＷ、Ｔａ、ＴａＮ、ＷＳｉＮなど
を用いることができる。（ステップ８）。

【００４８】以降の製造工程は上述の成膜装置１を用い
て処理され、必要に応じて図１、図２及び図７を用いて
成膜装置１の動作もあわせて説明する。

【００４９】側壁保護用膜層２０６まで形成されたウェ
ハＷは、カセット載置台１０上に載置されたカセットＣ
に収容される。カセット載置台１０において、処理前の
ウェハＷは例えばウェハカセットＣＲ１からウェハ搬送
体１１を介して処理ステーション３側のウェハ待機部９
０へ搬送され、支持ピン９１により保持される。ウェハ
待機部９０に保持されたウェハＷは、ウェハ搬送体８１
により開口部２１を介して銅形成処理室２０内へ搬送さ
れる。

【００５０】処理室内に搬送されたウェハＷは、カップ
ＣＰ内に配設されたスピンチャックにより真空吸着によ
り固定保持される。ウェハＷを駆動モータにより回転さ
せながら、ウェハＷの中心部に銅材料を供給することに
より、ウェハ表面上に銅材料が広げられる。これによ
り、図５（ｄ）に示すようにウェハＷ上に銅膜２０７が
形成され、配線用凹部２１０及び接続プラグ用凹部２１
１に銅が埋め込まれる(ステップ９)。

【００５１】銅膜が形成されたウェハＷは、第２搬送体
８１により銅形成処理室２０から取り出され、ＣＭＰ処
理室３０内へ開口部３１を介して搬送される。ＣＭＰ処
理室３０内でウェハＷは平板に載置される。そして、研
磨布が取りつけられた大口径平板を、ウェハＷ表面に研
磨布が接するように配置し、一定圧力で押しつけて、ス
ラリーと呼ばれるｐＨを制御したアルミナなどの砥粒を
含む化学的な研磨剤でウェハＷ表面を研磨する。これに
より、図５（ｅ）に示すように、配線用凹部２１０及び
接続用プラグ凹部に対応しない第２無機絶縁膜２０５ａ
表面部分の銅は研磨され、配線用凹部２１０及び接続プ
ラグ用凹部２１１の内部にのみ銅が残り、配線２０７ｂ
及び接続プラグ２０７ａが形成される（ステップ１
０）。

【００５２】ＣＭＰ処理されたウェハＷは、第２搬送体
８１によりＣＭＰ処理室３０から取り出され、洗浄処理
室１２０内へ開口部１２１を介して搬送される。洗浄処
理室１２０内へ搬送されたウェハＷは、カップＣＰ内に
配設されたスピンチャックにより真空吸着により固定保
持される。ウェハＷを駆動モータにより回転させなが
ら、ウェハＷの直径に沿って洗浄液を供給しつつ溶液供
給ノズルを移動して、ウェハ表面上に洗浄液を供給す
る。これにより、スラリー及び研磨された銅などがウェ
ハＷから除去される。洗浄後、溶液供給ノズルからの洗
浄液の供給を停止した状態で、ウェハＷを回転させ、水
きりを行う。本実施形態においては、同成膜装置内に、
ＣＭＰ処理室と洗浄処理室とが配置されているため、Ｃ
ＭＰ処理室から洗浄処理室へのウェハＷの搬送を速やか
に行うことができるので、ＣＭＰ処理で生じたごみなど
が固化する前にごみを洗浄、除去することができる。こ
れにより、ごみなどの付着がない良品の半導体素子が製
造される。

【００５３】洗浄処理されたウェハＷは、第２搬送体８
１により洗浄処理室１２０から取り出され、減圧乾燥室
４０ａ〜４０ｃのいずれか、例えばここでは減圧乾燥室
４０ａに、開口部４１ａを介して搬送される。減圧乾燥
室４０ａ内で、ウェハＷは載置板３７上に載置された
後、ゲートバルブ１１０が下降し、減圧乾燥室内が密閉
され、室内は排気管４５からの排気により０．２ｋＰａ
の減圧状態となる。尚、第２搬送体８１は大気中に配置
されているため、ウェハＷを減圧乾燥室内へ搬入する
際、減圧乾燥室内は大気にさらされることとなる。しか
し、減圧乾燥室内は、常に排気管４５より排気され、更
に供給管４４からＮ_２ガスが常に供給されるため、ゲー
トバルブ１１０の下降により、減圧乾燥室内はすぐに所
望の減圧状態にもどり、また所望のＮ_２ガス雰囲気とな
る。減圧乾燥室４０ａ内で、減圧下でウェハＷを少なく
とも４０〜１２０秒間配置することにより洗浄後の乾燥
が行われる。また、ここで、減圧乾燥室内を減圧し、不
活性ガス雰囲気とすることにより、減圧乾燥室内は低酸
素濃度状態となり、銅の自然酸化を抑制することができ
る。

【００５４】減圧乾燥室４０ａ内で減圧乾燥されたウェ
ハＷは、ゲートバルブ１１１の上昇により生じた開口部
４２ａ及び開口部１０１を介して、ロードロック室１０
０内の第３搬送体４６によりロードロック室１００内へ
搬入される。ゲートバルブ１１１の上昇時、ゲートバル
ブ１１０、１１２、１１３、１１４は下降し、それぞれ
対応する開口部はゲートバルブにより閉じられた状態と
なっている。ロードロック室１００内は、６６．５〜２
６６Ｐａの減圧状態に常に保たれており、減圧乾燥室４
０ａからロードロック室１００へのウェハの搬送は減圧
状態下で行われる。ウェハＷがロードロック室１００へ
搬入されると、ゲートバルブ１１１は下降し、開口部１
０１は閉じられる。ロードロック室１００内は、減圧さ
れ、不活性ガス雰囲気となっているため、ロードロック
室１００内は、低酸素濃度となり、銅の自然酸化を抑制
することができる。

【００５５】その後、ウェハＷは、ＣＶＤ装置６０また
は７０のいずれかの装置、ここでは例えばＣＶＤ装置６
０内へ搬入される。ＣＶＤ装置６０内への搬入は、ゲー
トバルブ１１２の上昇により生じた開口部１０４及び開
口部６１を介して行われる。ＣＶＤ装置６０内へ搬入さ
れたウェハＷは下部平板電極６２に配置され、ゲートバ
ルブ１１２は下降し、開口部１１２は閉じられる。ＣＶ
Ｄ装置６０内には、１３．３〜１３３０Ｐａの減圧状態
下で、供給管１６５から成膜ガスとしてＳｉＨ _２Ｃｌ_２
―ＮＨ_３が供給される。そして、対向配置された上部平
板電極１６３と下部平板電極６２との間に高周波電力を
印加し、成膜ガスのプラズマを発生させて、図６に示す
ようにウェハＷ上に５０〜１５０ｎｍの厚さの窒化珪素
（ＳｉＮ）膜２０９を成膜する（ステップ１２）。これ
により半導体素子２００が形成される。窒化珪素成膜
後、ゲートバルブ１１２は上昇し、開口部６１及び１０
４を介してウェハ搬送体４６によりウェハＷは取り出さ
れ、ロードロック室１００内に保持される。その後、ゲ
ートバルブ１１２は下降し、開口部１０４は閉じられ
る。

【００５６】ロードロック室１００内に保持されたウェ
ハＷは、ゲートバルブ１１４が上昇して生じた開口部１
０３及び５２を介して待機部５０へ搬送される。この
際、待機部５０の開口部５１はゲートバルブ１１５の下
降により閉じられた状態となっており、予め待機部５０
内は減圧状態となっており、バルブは閉じられている。

【００５７】待機部５０へ搬送された後、ゲートバルブ
１１４は下降し、開口部５２は閉じられた状態となる。
待機部５０にてウェハＷは載置台５４上に載置され、開
口部５２及び５１が閉じた状態でバルブが開放されるこ
とにより、待機部５０内は大気圧状態となる。そして、
大気圧状態となった時点で、ゲートバルブ１１４が上昇
して生じる開口部５１を介して、ウェハＷは第１搬送体
１１により取り出される。取り出されたウェハＷは、カ
セットステーション２のカセット載置台１０に配置され
た回収用カセットＣＲ２に収納される。

【００５８】このように本実施形態の成膜装置１及び成
膜方法では、洗浄後の乾燥工程を行う乾燥室内を減圧
し、不活性ガス雰囲気とすることにより、減圧乾燥室内
は低酸素濃度状態となり、銅の自然酸化を抑制すること
ができ、高品質の半導体素子を得ることができる。

【００５９】また、上述の実施形態においては、第２搬
送体８１は大気圧下に設置しているが、減圧状態下に設
置しても良く、減圧状態下に設置することにより、ＣＭ
Ｐ処理室から減圧乾燥室までのウェハＷの搬送時におけ
る銅の自然酸化をより確実に抑制することができる。

【００６０】次に、図３と図８を用いてその他の実施形
態を説明する。

【００６１】図８は本実施形態の成膜装置を示す平面図
である。図８の成膜装置は図１の成膜装置とほぼ同様の
構成を有し、図１と異なる個所についてのみ説明する。

【００６２】本実施形態では図８に示すように、処理装
置１０００において処理ステーション３には、ウェハ待
機部９０と、銅形成処理室２０と、ＣＭＰ処理室３０
と、洗浄処理室１２０と、成膜室としてのＣＶＤ装置６
０、７０以外に、配線用溝形成のためのエッチング装置
３００と、形成後のレジスト除去のためのレジスト除去
装置３４０とを具備する。また、第１の搬送部１２及び
第２の搬送部８２のうち少なくとも一方との間にロード
ロック室４０、１４０、２４０が設けられている。

【００６３】本実施形態においては、各ロードロック室
は減圧乾燥室を兼ねている。ただし、必ずしも常に減圧
乾燥室として機能させる必要はない。

【００６４】ロードロック室内は排気可能に構成されて
おり、減圧状態に保持できる。また、常に６６．５〜２
６６Ｐａの減圧下に保持され、室内にはＮ_２ガスが供給
されている。

【００６５】各ロードロック室と処理室との間には、真
空系の受け渡し部としてウェハ搬送体４６、４７があ
り、内部にはアーム１４６、１４７が設けられている。
これらのアームにより、各ロードロック室で乾燥した基
板をＣＶＤ装置６０及び７０、エッチング装置３００、
レジスト除去装置（アッシャー）３４０に受け渡してい
る。

【００６６】次に、図３に基づいて本実施形態の装置１
０００を用いた処理工程を説明する。

【００６７】本実施形態では、ステップ６以降の工程を
処理装置１０００にて行う。

【００６８】現像処理を外部装置にて終了後、ウェハＷ
は第１の搬送部１２に戻り、ロードロック室２４０、ウ
ェハ搬送体４７を介してエッチング装置３００内へ搬送
される。そこでレジストパターンをマスクとしてドライ
エッチング処理をする。その後、ウェハＷは搬送体４７
を介してレジスト除去装置３４０内へ搬送され、レジス
トパターンが剥離され、第２有機絶縁膜と第２無機絶縁
膜がパターニングされる（ステップ６）。その後搬送体
４７、ロードロック室２４０を介して一旦第１搬送部１
２に戻されたカセットは、さらにレジストパターンを形
成するために外部装置に搬送され、レジストパターン形
成後、上記工程と同様にエッチングとレジスト除去を行
い第１有機絶縁膜及び第１無機絶縁膜のパターニングも
行う（ステップ７）。

【００６９】その後、プラズマＣＶＤ装置により、Ｔｉ
Ｎ膜を形成する（ステップ８）。

【００７０】側壁保護用膜層２０６まで形成されたウェ
ハＷは第１の搬送部１２から第２の搬送部８２を介して
銅形成処理室２０内へ搬送される（ステップ９）。銅膜
形成後、ＣＭＰ処理室３０内へ搬送され、ＣＭＰ処理が
施される（ステップ１１）。その後、第２の搬送部８２
により洗浄処理室１２０内へ搬送され、洗浄される。

【００７１】洗浄処理されたウェハＷは、第２の搬送体
８２により洗浄処理室１２０からロードロック室４０内
へ搬送され、減圧乾燥される。

【００７２】減圧乾燥されたウェハＷは、受け渡し部４
６を介してＣＶＤ装置６０または７０に搬入される。こ
こで、成膜ガスのプラズマを発生させて、ウェハＷ上に
ＳｉＮ膜を成膜する（ステップ１２）。これにより半導
体素子２００が形成される。

【００７３】上述の実施形態においては、銅形成工程を
スピンコート法によって行っているが、電解めっき法、
無電解めっき法、ＣＶＤ法やスパッタ法で成膜すること
もできる。

【００７４】また、上述の実施形態では、ＣＶＤ法によ
る成膜室を設置しているが、例えばＳＯＤ（Ｓｐｉｎ−
ｏｎ−Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ）法にて層間絶縁膜を形
成することもできる。その場合は、図１及び図８の銅形
成室２０に換えてＳＯＤ処理室を配置できる。

【００７５】また、上述の実施形態では、第１の搬送部
及び第２の搬送部は互いにほぼ直交しているが、例えば
どちらか一方の搬送部のみを有する形態も可能である。
その場合は、各処理室と搬送部の間にロードロック室
（減圧乾燥室）が介在するように配置する。

【００７６】また、上述の実施形態では、基板として半
導体ウェハを例にあげて説明したが、液晶装置用の基板
に適用することができる。すなわち、銅などの酸化され
やすい膜が形成された基板を洗浄し、乾燥した後、酸化
されやすい膜上に窒化珪素膜などの何らかの膜を形成す
る場合に適用でき、乾燥工程を減圧下で行い、乾燥工程
から成膜工程までの間の基板の搬送を減圧下で行うこと
により、酸化されやすい膜の自然酸化を確実に抑制する
ことができる。

【００７７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、銅な
どの酸化されやすい膜が形成された基板を洗浄し、乾燥
した後、酸化されやすい膜上に窒化珪素膜などの絶縁膜
を形成する場合、乾燥工程を減圧下で行い、乾燥工程か
ら成膜工程までの間の基板の搬送を減圧下で行うことに
より、酸化されやすい膜の自然酸化を確実に抑制するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る成膜装置の平面図で
ある。

【図２】図１に示した成膜装置の一部を構成する減圧乾
燥室の斜視図である。

【図３】デュアルダマシン工程を経て製造される半導体
素子の製造プロセスを説明する図である。

【図４】図３で説明した各製造プロセス工程における半
導体素子の断面図（その１）を示すものである。

【図５】図３で説明した各製造プロセス工程における半
導体素子の断面図（その２）を示すものである。

【図６】図３で説明した各製造プロセス工程における半
導体素子の断面図（その３）を示すものである。

【図７】ＣＶＤ装置の概略断面図である。

【図８】本発明の他の実施形態に係る成膜装置の平面図
である。

【符号の説明】

Ｗ…ウェハ １…成膜装置 ２０…銅形成処理室 ３０…ＣＭＰ処理室 ４０ａ〜４０ｃ…減圧乾燥室 ４４…供給管 ４５…排気管 ４６、４７…ウェハ搬送体 ５０…待機室 ６０、７０…ＣＶＤ装置 ４０、１００、１４０、２４０…ロードロック室 １１１、１１２、１１３…ゲートバルブ １２０…洗浄処理室 ２０７…銅膜 ２１０…配線用凹部 ２１１…接続プラグ用凹部 ３００…エッチング装置 ３４０…レジスト除去装置 １０００…成膜装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/768 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｍ Ｆターム(参考） 4M104 BB04 BB14 BB17 BB18 BB28 BB30 BB32 BB33 CC01 DD08 DD16 DD20 DD37 DD43 DD51 DD52 DD53 DD75 DD77 EE05 EE06 EE12 EE14 EE15 EE17 EE18 FF17 FF18 FF22 HH20 5F031 CA02 FA01 FA11 FA12 FA15 GA02 MA03 MA06 MA22 MA23 MA28 NA04 NA07 PA30 5F033 HH11 HH18 HH21 HH23 HH28 HH32 HH33 HH34 JJ01 JJ11 JJ18 JJ21 JJ23 JJ32 JJ33 JJ34 KK00 MM02 MM12 MM13 NN06 NN07 PP06 PP12 PP15 PP26 PP27 PP28 QQ09 QQ11 QQ37 QQ48 QQ74 QQ84 QQ85 QQ88 QQ91 QQ98 RR04 RR06 RR09 RR21 SS01 SS13 SS22 TT04 XX20 5F045 AA08 AB31 AB33 AB39 AC05 AC12 AE19 AE21 CB10 EB08 EN04 GH03 GH06 HA25

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 洗浄された基板を減圧乾燥する乾燥室
   と、 前記基板上に減圧状態下でのＣＶＤ法により成膜する成
   膜室と、 前記乾燥室から前記成膜室へ前記基板を減圧状態下で搬
   送する搬送路とを具備することを特徴とする成膜装置。
2. 【請求項２】 基板を洗浄する洗浄処理室を更に具備
   し、 該洗浄処理室にて洗浄された基板は、前記乾燥室にて減
   圧乾燥されることを特徴とする、請求項１に記載の成膜
   装置
3. 【請求項３】 基板を研磨処理する研磨処理室を更に具
   備し、 該研磨処理室にて処理された基板は、前記洗浄室にて洗
   浄処理されていることを特徴とする請求項２に記載の成
   膜装置。
4. 【請求項４】 前記基板には、酸化されやすい膜が形成
   されていることを特徴とする請求項３に記載の成膜装
   置。
5. 【請求項５】 表面に凹部を有する絶縁膜が形成された
   基板上に、前記凹部を埋めるように導電性膜を形成する
   導電性膜形成室を更に具備し、 前記導電性膜系性質にて導電性膜が形成された基板は、
   前記研磨処理室で、前記凹部を除く前記絶縁膜の表面に
   形成された前記導電性膜が研磨されることを特徴とする
   請求項３に記載の成膜装置。
6. 【請求項６】 前記導電性膜は銅からなることを特徴と
   する請求項５に記載の成膜装置。
7. 【請求項７】 前記乾燥室内は、不活性ガス雰囲気であ
   ることを特徴とする請求項６に記載の成膜装置。
8. 【請求項８】 前記乾燥室は複数設けられていることを
   特徴とする請求項７に記載の成膜装置。
9. 【請求項９】 洗浄された基板を減圧乾燥する工程と、 前記減圧乾燥後、減圧状態下を保持した状態で前記基板
   を搬送する工程と、 前記搬送後、前記基板上に減圧状態下でのＣＶＤ法によ
   り成膜する工程と、 を具備することを特徴とする成膜方法。
10. 【請求項１０】 前記基板には、酸化されやすい膜が形
    成されていることを特徴とする請求項９に記載の成膜方
    法。
11. 【請求項１１】 前記酸化されやすい膜は銅であること
    を特徴とする請求項１０に記載の成膜方法。
12. 【請求項１２】 大気中で基板を搬送する第１の基板搬
    送部と、 前記第１の搬送搬送部とほぼ直交するように設けられ、
    大気中で基板を搬送する第２の基板搬送部と、 前記第１の搬送部及び前記第２の搬送部のうち少なくと
    も一方の間で基板の受け渡しが可能で、減圧下で基板を
    処理する処理室とを具備することを特徴とする成膜装
    置。
13. 【請求項１３】 前記処理室は、ＣＶＤ成膜室であるこ
    とを特徴とする請求項１２に記載の成膜装置。
14. 【請求項１４】 前記処理室は、エッチング処理室であ
    ることを特徴とする請求項１２に記載の成膜装置。
15. 【請求項１５】 前記処理室は、レジスト除去室である
    ことを特徴とする請求項１２に記載の成膜装置。
16. 【請求項１６】 基板を洗浄する洗浄処理室と、 を更に具備し、 該洗浄処理室にて洗浄された基板は、前記乾燥室にて減
    圧乾燥されることを特徴とする請求項１２に記載の成膜
    装置。
17. 【請求項１７】 前記処理室は、前記第１の基板搬送部
    との間で基板の受け渡しが可能であり、 前記第１の基板搬送部との間で基板の受け渡しが可能
    で、基板を研磨処理する研磨室と、 前記第１の基板搬送部との間で基板の受け渡しが可能
    で、前記研磨室にて処理された基板を洗浄する洗浄室
    と、 前記第１の基板搬送部との間で基板の受け渡しが可能
    で、前記洗浄室にて洗浄された基板を減圧下で乾燥する
    乾燥室とを更に具備することを特徴とする請求項１２に
    記載の成膜装置。
18. 【請求項１８】 前記第１の基板搬送部との間で基板の
    受け渡しが可能で、表面に凹部を有する絶縁膜が形成さ
    れた基板上に前記凹部を埋めるように導電性膜を形成す
    る導電性膜形成室を更に具備し、 前記導電性膜形成室にて導電性膜が形成された基板は、
    前記研磨室で、前記凹部を除く前記絶縁膜の表面に形成
    された前記導電性膜が研磨される請求項１７に記載の成
    膜装置。
19. 【請求項１９】 大気中で基板を搬送する第１の基板搬
    送部と、 減圧下で基板を搬送する第２の基板搬送部と、 前記第１の基板搬送部と前記第２の基板搬送部との間で
    基板を搬送する第３の基板搬送部とを具備することを特
    徴とする成膜装置。
20. 【請求項２０】 前記第２の基板搬送部との間で基板の
    受け渡しが可能で、減圧下で基板を処理する処理室を更
    に具備することを特徴とする請求項１９に記載の成膜装
    置。
21. 【請求項２１】 前記第１の基板搬送部との間で基板の
    受け渡しが可能で、基板を研磨処理する研磨室と、 前記第１の基板搬送部との間で基板の受け渡しが可能
    で、前記研磨室にて処理された基板を洗浄する洗浄室
    と、 前記第１の基板搬送部との間で基板の受け渡しが可能
    で、前記洗浄室にて洗浄された基板を減圧下で乾燥する
    乾燥室とを更に具備することを特徴とする請求項１９に
    記載の成膜装置。
22. 【請求項２２】 前記第１の基板搬送部との間で基板の
    受け渡しが可能で、表面に凹部を有する絶縁膜が形成さ
    れた基板上に前記凹部を埋めるように導電性膜を形成す
    る導電性膜形成室を更に具備し、 前記導電性膜形成室にて導電性膜が形成された基板は、
    前記研磨室で、前記凹部を除く前記絶縁膜の表面に形成
    された前記導電性膜が研磨されることを特徴とする請求
    項１９に記載の成膜装置。