JP3239475B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に素子形成の際に発生するＯＨ基の除去方法
に関する。
に関し、特に素子形成の際に発生するＯＨ基の除去方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法は、図５に
示すように、シリコン基板１０１上に形成された第１の
絶縁膜１０２上に第１の配線１０３，第２の絶縁膜１０
４を形成した後（図５ａ），ＳＯＧ１０５を回転塗布す
る（図５ｂ）。この後、前記ＳＯＧをエッチバックし段
差部にのみ残す（図５ｃ）。この際エッチバックでな
く、酸素プラズマ処理のみ行う場合もある。ついで、第
３の絶縁膜１０６を形成し（図５ｄ）、第２の配線１０
７をホールを通じ接続する（図５ｅ）。
示すように、シリコン基板１０１上に形成された第１の
絶縁膜１０２上に第１の配線１０３，第２の絶縁膜１０
４を形成した後（図５ａ），ＳＯＧ１０５を回転塗布す
る（図５ｂ）。この後、前記ＳＯＧをエッチバックし段
差部にのみ残す（図５ｃ）。この際エッチバックでな
く、酸素プラズマ処理のみ行う場合もある。ついで、第
３の絶縁膜１０６を形成し（図５ｄ）、第２の配線１０
７をホールを通じ接続する（図５ｅ）。
【０００３】このように、一般的には、半導体基板上
に、素子を形成後、化学気相成長法（ＣＶＤ）によるシ
リコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜を形成し素子を保
護するとともに、素子（例えば薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ））や配線を積み重ねていく。さらに、各素子や配線
間の絶縁膜としては、不純物拡散のされた酸化膜であっ
たり、有機溶剤に溶解したシリコン酸化膜系の液を回転
塗布によって形成するスピン・オン・グラス（ＳＯＧ）
が用いられている。これらの絶縁物は、形成の際に水分
の残留としてのＯＨ基を多分に含むことが知られてい
る。このＯＨ基は形成された素子特性に大きく影響する
ことも知られており、トランジスタ素子のしきい値電圧
を変動させたり、移動度の低下を生じたりといった問題
を持っている。さらに、高抵抗素子としてよく用いられ
る多結晶シリコンの抵抗では、ＯＨ基が多くなるとその
抵抗値が低下し高抵抗素子としての機能が不十分とな
る。また最近ＳＲＡＭ等でも用いられるようになったＴ
ＦＴではさらに特性の変動が大きくなる。このため、様
々な処理によって、このＯＨ基の除去が行われている。
に、素子を形成後、化学気相成長法（ＣＶＤ）によるシ
リコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜を形成し素子を保
護するとともに、素子（例えば薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ））や配線を積み重ねていく。さらに、各素子や配線
間の絶縁膜としては、不純物拡散のされた酸化膜であっ
たり、有機溶剤に溶解したシリコン酸化膜系の液を回転
塗布によって形成するスピン・オン・グラス（ＳＯＧ）
が用いられている。これらの絶縁物は、形成の際に水分
の残留としてのＯＨ基を多分に含むことが知られてい
る。このＯＨ基は形成された素子特性に大きく影響する
ことも知られており、トランジスタ素子のしきい値電圧
を変動させたり、移動度の低下を生じたりといった問題
を持っている。さらに、高抵抗素子としてよく用いられ
る多結晶シリコンの抵抗では、ＯＨ基が多くなるとその
抵抗値が低下し高抵抗素子としての機能が不十分とな
る。また最近ＳＲＡＭ等でも用いられるようになったＴ
ＦＴではさらに特性の変動が大きくなる。このため、様
々な処理によって、このＯＨ基の除去が行われている。
【０００４】例えば、従来の工程中でも述べたが酸素プ
ラズマ中で処理させるとＯＨ基にＯが付き安定化する。
ラズマ中で処理させるとＯＨ基にＯが付き安定化する。
【０００５】ＳｉxＯＨ ＋ Ｏ2 → ＳｉＯ2 ＋
Ｈ2Ｏこの際、Ｏ2の添加には反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）が良く用いられる。
Ｈ2Ｏこの際、Ｏ2の添加には反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）が良く用いられる。
【０００６】しかし、反応後に体積の収縮が起りクラッ
キングやストレスの発生があり、デバイスの信頼性に問
題を生じている。
キングやストレスの発生があり、デバイスの信頼性に問
題を生じている。
【０００７】さらにこれらの問題の他にも、ＳＯＧにＯ
Ｈ基が残ると配線材としてのＡＬ等と直接に接するよう
な場合、ＡＬの腐食による断線等も発生している。これ
を回避する方法としては、これも従来の工程中で述べた
通り、ＳＯＧ上に酸化膜を積層しＡＬと直接に接しない
ようにしているが工程の増加によるコストアップにつな
がっている。
Ｈ基が残ると配線材としてのＡＬ等と直接に接するよう
な場合、ＡＬの腐食による断線等も発生している。これ
を回避する方法としては、これも従来の工程中で述べた
通り、ＳＯＧ上に酸化膜を積層しＡＬと直接に接しない
ようにしているが工程の増加によるコストアップにつな
がっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上のように従来の技
術では、反応後に体積の収縮が起りクラッキングやスト
レスの発生があり、デバイスの信頼性に問題を生じてい
たり、ＡＬ配線の腐食や、これの回避のために工程増加
を招くといった問題点を有している。
術では、反応後に体積の収縮が起りクラッキングやスト
レスの発生があり、デバイスの信頼性に問題を生じてい
たり、ＡＬ配線の腐食や、これの回避のために工程増加
を招くといった問題点を有している。
【０００９】そこで本発明の目的とするところは、ＳＯ
Ｇ中にあり素子特性に大きく影響することも知られてい
るＯＨ基を除去し、トランジスタ素子のしきい値電圧を
変動させたり、移動度の低下を生じたりといった問題が
なく、高抵抗素子としてよく用いられる多結晶シリコン
の抵抗では、その抵抗値が低下し高抵抗素子としての機
能が不十分となることがなく、また最近ＳＲＡＭ等でも
用いられるようになったＴＦＴでさえ特性の変動がない
ようなＯＨ基の除去方法を提案するものである。さらに
ＡＬに直接接する場合でもＡＬの腐食による断線等の生
じない高信頼性の平坦化技術を提供するものである
Ｇ中にあり素子特性に大きく影響することも知られてい
るＯＨ基を除去し、トランジスタ素子のしきい値電圧を
変動させたり、移動度の低下を生じたりといった問題が
なく、高抵抗素子としてよく用いられる多結晶シリコン
の抵抗では、その抵抗値が低下し高抵抗素子としての機
能が不十分となることがなく、また最近ＳＲＡＭ等でも
用いられるようになったＴＦＴでさえ特性の変動がない
ようなＯＨ基の除去方法を提案するものである。さらに
ＡＬに直接接する場合でもＡＬの腐食による断線等の生
じない高信頼性の平坦化技術を提供するものである
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１の
配線を形成する工程と、前記第１の配線上に第２の絶縁
膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜上にＳＯＧを塗
布し、該ＳＯＧをベークする工程と、前記ＳＯＧを塩
素、臭素、ヨウ素のうち少なくともいずれか一つを含
み、かつフッ素を含まないガスのプラズマ雰囲気中に露
呈する工程と、を含むことを特徴とする。
造方法は、半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１の
配線を形成する工程と、前記第１の配線上に第２の絶縁
膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜上にＳＯＧを塗
布し、該ＳＯＧをベークする工程と、前記ＳＯＧを塩
素、臭素、ヨウ素のうち少なくともいずれか一つを含
み、かつフッ素を含まないガスのプラズマ雰囲気中に露
呈する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【作用】絶縁膜中のＯＨ基は、Ｃｌ-・Ｂｒ-・Ｉ-イオ
ンに代表されるハロゲンイオン、ハロゲンガスに置換さ
れ容易に除去されるため、ハロゲンイオンまたはハロゲ
ンガス雰囲気中に、半導体装置を露呈することでＯＨ基
の除去が可能である。この時の反応を化学式で表わせば ＳｉxＯＨ ＋ Ｘ- → ＳｉxＸ ↑ ＋ ＯＨ-のよ
うになる。この反応は容易であり、かつ体積の増減をほ
とんど伴わない。
ンに代表されるハロゲンイオン、ハロゲンガスに置換さ
れ容易に除去されるため、ハロゲンイオンまたはハロゲ
ンガス雰囲気中に、半導体装置を露呈することでＯＨ基
の除去が可能である。この時の反応を化学式で表わせば ＳｉxＯＨ ＋ Ｘ- → ＳｉxＸ ↑ ＋ ＯＨ-のよ
うになる。この反応は容易であり、かつ体積の増減をほ
とんど伴わない。
【００２３】
【実施例】以下本発明について実施例を挙げて詳細に説
明する。図１は、本発明における実施例の、工程断面図
である。１０１はシリコン基板、１０２は第１の絶縁
膜、１０３は第１の配線、１０４は第２の絶縁膜、１０
５はＳＯＧ、１０７は第２の配線をそれぞれ表わしてい
る。図２は本実施例を説明するための概念図であり、２
０１はＳｉ原子、２０２はＯ原子、２０３はＣｌ原子、
２０４はＯＨ基をそれぞれ表わしている。また図３、図
４は本実施例中で用いられたエッチング装置の構成を示
す図であり、４０１・６０１は印加電極、４０２・６０
２は接地電極、４０３・６０３はウエハー、４０４・６
０４はＲＦ電源、６０５はマイクロ波電源、６０６はマ
グネットコイルをそれぞれ表わしている。
明する。図１は、本発明における実施例の、工程断面図
である。１０１はシリコン基板、１０２は第１の絶縁
膜、１０３は第１の配線、１０４は第２の絶縁膜、１０
５はＳＯＧ、１０７は第２の配線をそれぞれ表わしてい
る。図２は本実施例を説明するための概念図であり、２
０１はＳｉ原子、２０２はＯ原子、２０３はＣｌ原子、
２０４はＯＨ基をそれぞれ表わしている。また図３、図
４は本実施例中で用いられたエッチング装置の構成を示
す図であり、４０１・６０１は印加電極、４０２・６０
２は接地電極、４０３・６０３はウエハー、４０４・６
０４はＲＦ電源、６０５はマイクロ波電源、６０６はマ
グネットコイルをそれぞれ表わしている。
【００２４】本実施例の半導体装置の製造方法は、図１
に示すように、シリコン基板１０１上に形成された第１
の絶縁膜１０２上に第１の配線１０３，第２の絶縁膜を
まず形成する（図１ａ）。
に示すように、シリコン基板１０１上に形成された第１
の絶縁膜１０２上に第１の配線１０３，第２の絶縁膜を
まず形成する（図１ａ）。
【００２５】この後、ＳＯＧ１０４を回転塗布する（図
１ｂ）。この後、ホットプレートまたはベーク炉を用い
て有機溶剤を蒸発させる。この状態で、ＳＯＧをこの後
示す方法によって処理する。
１ｂ）。この後、ホットプレートまたはベーク炉を用い
て有機溶剤を蒸発させる。この状態で、ＳＯＧをこの後
示す方法によって処理する。
【００２６】さらに、第２の配線１０７をホールを通じ
接続し（図１ｃ）、必要に応じこれらの工程を繰り返
す。
接続し（図１ｃ）、必要に応じこれらの工程を繰り返
す。
【００２７】本実施例中に於て基本となる工程フローに
ついて、まず説明したが、まず第１の実施例として、ハ
ロゲンガス雰囲気中にＳＯＧの形成されたウエハーを露
呈する場合について説明する。ＳＯＧが塗布ベークされ
たウエハーをＣｌ2ガス雰囲気中で５０℃で、１０分間
処理する。この際、図２の模式図に示したようにもとも
とＳｉ原子２０１，Ｏ原子２０２，ＯＨ基２０３からな
る膜中の、一部のＯＨ基がＣｌ原子２０４に置き変わ
る。この時の膜質の変化をフッ酸水溶液（５％水溶液）
中でのエッチングレートで評価した。通常のドライ酸素
雰囲気中での酸化膜のエチングレートは３３０Å／ｍｉ
ｎであるのに対し、このＣｌ処理をしないものは６７８
０Å／ｍｉｎと圧倒的にエッチング速度は高い。これら
に比較して、Ｃｌ処理を施したものについては、１００
０Å／ｍｉｎと大幅に熱酸化膜に近いレートとなってい
る。これは、ＳＯＧ中に含まれるＯＨ基の濃度が多いと
親水性が強くエッチングレートが高くなるためであり、
膜質の改善の効果が大きいことを示している。さらに処
理時間を増してみたが大きな改善はみられなかった。
ついて、まず説明したが、まず第１の実施例として、ハ
ロゲンガス雰囲気中にＳＯＧの形成されたウエハーを露
呈する場合について説明する。ＳＯＧが塗布ベークされ
たウエハーをＣｌ2ガス雰囲気中で５０℃で、１０分間
処理する。この際、図２の模式図に示したようにもとも
とＳｉ原子２０１，Ｏ原子２０２，ＯＨ基２０３からな
る膜中の、一部のＯＨ基がＣｌ原子２０４に置き変わ
る。この時の膜質の変化をフッ酸水溶液（５％水溶液）
中でのエッチングレートで評価した。通常のドライ酸素
雰囲気中での酸化膜のエチングレートは３３０Å／ｍｉ
ｎであるのに対し、このＣｌ処理をしないものは６７８
０Å／ｍｉｎと圧倒的にエッチング速度は高い。これら
に比較して、Ｃｌ処理を施したものについては、１００
０Å／ｍｉｎと大幅に熱酸化膜に近いレートとなってい
る。これは、ＳＯＧ中に含まれるＯＨ基の濃度が多いと
親水性が強くエッチングレートが高くなるためであり、
膜質の改善の効果が大きいことを示している。さらに処
理時間を増してみたが大きな改善はみられなかった。
【００２８】さらに温度については１００℃で処理した
場合５６９０Å／ｍｉｎと改善された。
場合５６９０Å／ｍｉｎと改善された。
【００２９】さらに、第２の実施例としてハロゲンガス
プラズマ中にＳＯＧの形成されたウエハーを露呈する場
合について説明する。ＳＯＧが塗布ベークされたウエハ
ーをＣｌ2ガスプラズマ中で処理する。この際、図３に
示したようなリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）
を使用した。４０１は印加電極、４０２は接地電極、４
０３はウエハー、４０４はＲＦ電源を示している。処理
条件は、ハロゲンガスとしてＣｌ2ガスを流量が１００
ＳＣＣＭ、圧力が１８０ｍＴｏｒｒ、電極間隔が３０ｍ
ｍ、ＲＦパワーが５００Ｗで行った。
プラズマ中にＳＯＧの形成されたウエハーを露呈する場
合について説明する。ＳＯＧが塗布ベークされたウエハ
ーをＣｌ2ガスプラズマ中で処理する。この際、図３に
示したようなリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）
を使用した。４０１は印加電極、４０２は接地電極、４
０３はウエハー、４０４はＲＦ電源を示している。処理
条件は、ハロゲンガスとしてＣｌ2ガスを流量が１００
ＳＣＣＭ、圧力が１８０ｍＴｏｒｒ、電極間隔が３０ｍ
ｍ、ＲＦパワーが５００Ｗで行った。
【００３０】この時も、図２の模式図に示したようにも
ともとＳｉ原子２０１，Ｏ原子２０２，ＯＨ基２０３か
らなる膜中の一部のＯＨ基がＣｌ原子２０４に置き変わ
るものと考える。この時の膜質の変化もフッ酸水溶液
（５％水溶液）中でのエッチングレートで評価した。通
常のドライ酸素雰囲気中での酸化膜のエチングレートは
３３０Å／ｍｉｎであるのに対し、Ｃｌプラズマ処理を
施したものについては、５６０Å／ｍｉｎと大幅に熱酸
化膜に近いレートとなっている。さらに処理時のパワー
を増してみたが、９００Ｗで５４０Å／ｍｉｎと若干改
善がみられた。この時、ガスをＢｒ2・Ｉ2に関しても調
査したが、ほぼ同様の改善がみられ、塩素と同様に臭素
・ヨウ素がＯＨ基に対し置換したものと考えられる。そ
のため一般的にエッチングガスとして用いられるハロゲ
ン化ガスとして、塩化水素（ＨＣｌ）・臭化水素（ＨＢ
ｒ）・ヨウ化水素（ＨＩ）・四塩化炭素（ＣＣｌ4）・
四臭化炭素（ＣＢｒ4）・三塩化炭素（ＣＨＣｌ3）・四
塩化珪素（ＳｉＣｌ4）・三塩化珪素（ＳｉＨＣｌ3）・
四臭化珪素（ＳｉＢｒ4）・三塩化ホウ素（ＢＣｌ3）を
同じ装置でほぼ同様の条件で行った。同様に、この時の
膜質の変化もフッ酸水溶液（５％水溶液）中でのエッチ
ングレートで評価した。ほぼガス種によりプラズマ処理
を施したものについては、６００〜５００Å／ｍｉｎと
熱酸化膜に近いレートとなっており先の結果と同様の効
果がみられた。
ともとＳｉ原子２０１，Ｏ原子２０２，ＯＨ基２０３か
らなる膜中の一部のＯＨ基がＣｌ原子２０４に置き変わ
るものと考える。この時の膜質の変化もフッ酸水溶液
（５％水溶液）中でのエッチングレートで評価した。通
常のドライ酸素雰囲気中での酸化膜のエチングレートは
３３０Å／ｍｉｎであるのに対し、Ｃｌプラズマ処理を
施したものについては、５６０Å／ｍｉｎと大幅に熱酸
化膜に近いレートとなっている。さらに処理時のパワー
を増してみたが、９００Ｗで５４０Å／ｍｉｎと若干改
善がみられた。この時、ガスをＢｒ2・Ｉ2に関しても調
査したが、ほぼ同様の改善がみられ、塩素と同様に臭素
・ヨウ素がＯＨ基に対し置換したものと考えられる。そ
のため一般的にエッチングガスとして用いられるハロゲ
ン化ガスとして、塩化水素（ＨＣｌ）・臭化水素（ＨＢ
ｒ）・ヨウ化水素（ＨＩ）・四塩化炭素（ＣＣｌ4）・
四臭化炭素（ＣＢｒ4）・三塩化炭素（ＣＨＣｌ3）・四
塩化珪素（ＳｉＣｌ4）・三塩化珪素（ＳｉＨＣｌ3）・
四臭化珪素（ＳｉＢｒ4）・三塩化ホウ素（ＢＣｌ3）を
同じ装置でほぼ同様の条件で行った。同様に、この時の
膜質の変化もフッ酸水溶液（５％水溶液）中でのエッチ
ングレートで評価した。ほぼガス種によりプラズマ処理
を施したものについては、６００〜５００Å／ｍｉｎと
熱酸化膜に近いレートとなっており先の結果と同様の効
果がみられた。
【００３１】さらに、他の構造のエッチング装置として
エレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス（ＥＣＲ）
にて同様の実験を行った。実験に用いたエッチング装置
の構造を図４に示す。６０１は印加電極、６０２は接地
電極、６０３はウエハー、６０４はＲＦ電源、６０５は
マイクロ波電源、６０６はマグネットコイルをそれぞれ
示している。この時の膜質の変化もフッ酸水溶液（５％
水溶液）中でのエッチングレートで評価した。ガス種に
よらずこれらのプラズマ処理を施したものについては、
６００〜５００Å／ｍｉｎと熱酸化膜に近いレートとな
っており先の結果と同様の効果がみられた。ＲＩＥの装
置を用いたときと同様にして、ハロゲンガスとして塩素
（Ｃｌ2）・臭素（Ｂｒ2）・ヨウ素（Ｉ2）、ハロゲン
化ガスとして、塩化水素（ＨＣｌ）・臭化水素（ＨＢ
ｒ）・ヨウ化水素（ＨＩ）・四塩化炭素（ＣＣｌ4）・
四臭化炭素（ＣＢｒ4）・三塩化炭素（ＣＨＣｌ3）・四
塩化珪素（ＳｉＣｌ4）・三塩化珪素（ＳｉＨＣｌ3）・
四臭化珪素（ＳｉＢｒ4）・三塩化ホウ素（ＢＣｌ3）を
この装置でほぼ次のような条件で行った。ガスを流量が
１００ＳＣＣＭ、圧力が１０ｍＴｏｒｒ、μ波パワーが
３００Ｗ、ＲＦパワーが２００Ｗで行った。この時の膜
質の変化もフッ酸水溶液（５％水溶液）中でのエッチン
グレートで評価した。ガス種によらずこれらのプラズマ
処理を施したものについては、５５０〜４５０Å／ｍｉ
ｎと熱酸化膜に近いレートとなっており先の結果と同様
の効果がみられ、高真空中での処理のためかＲＩＥの場
合に較べ若干であるが向上しているのが判った。
エレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス（ＥＣＲ）
にて同様の実験を行った。実験に用いたエッチング装置
の構造を図４に示す。６０１は印加電極、６０２は接地
電極、６０３はウエハー、６０４はＲＦ電源、６０５は
マイクロ波電源、６０６はマグネットコイルをそれぞれ
示している。この時の膜質の変化もフッ酸水溶液（５％
水溶液）中でのエッチングレートで評価した。ガス種に
よらずこれらのプラズマ処理を施したものについては、
６００〜５００Å／ｍｉｎと熱酸化膜に近いレートとな
っており先の結果と同様の効果がみられた。ＲＩＥの装
置を用いたときと同様にして、ハロゲンガスとして塩素
（Ｃｌ2）・臭素（Ｂｒ2）・ヨウ素（Ｉ2）、ハロゲン
化ガスとして、塩化水素（ＨＣｌ）・臭化水素（ＨＢ
ｒ）・ヨウ化水素（ＨＩ）・四塩化炭素（ＣＣｌ4）・
四臭化炭素（ＣＢｒ4）・三塩化炭素（ＣＨＣｌ3）・四
塩化珪素（ＳｉＣｌ4）・三塩化珪素（ＳｉＨＣｌ3）・
四臭化珪素（ＳｉＢｒ4）・三塩化ホウ素（ＢＣｌ3）を
この装置でほぼ次のような条件で行った。ガスを流量が
１００ＳＣＣＭ、圧力が１０ｍＴｏｒｒ、μ波パワーが
３００Ｗ、ＲＦパワーが２００Ｗで行った。この時の膜
質の変化もフッ酸水溶液（５％水溶液）中でのエッチン
グレートで評価した。ガス種によらずこれらのプラズマ
処理を施したものについては、５５０〜４５０Å／ｍｉ
ｎと熱酸化膜に近いレートとなっており先の結果と同様
の効果がみられ、高真空中での処理のためかＲＩＥの場
合に較べ若干であるが向上しているのが判った。
【００３２】以上、３つの実施例について説明をしてき
たが、エッチング装置としてはＲＩＥ・ＥＣＲについて
説明した。しかしこれはこれらに限定するものでなく他
のタイプのプラズマ装置でも同様の効果が得られる。ま
た、本実施例では、ＳＯＧをエッチバックしたり、第３
の絶縁膜を重ねて形成することは説明していないが、基
本的な工程として説明しているわけでこれらの工程を付
加することは構わない。
たが、エッチング装置としてはＲＩＥ・ＥＣＲについて
説明した。しかしこれはこれらに限定するものでなく他
のタイプのプラズマ装置でも同様の効果が得られる。ま
た、本実施例では、ＳＯＧをエッチバックしたり、第３
の絶縁膜を重ねて形成することは説明していないが、基
本的な工程として説明しているわけでこれらの工程を付
加することは構わない。
【００３３】さらに、ハロゲンガスもしくはハロゲン化
ガスについては、ガスに曝すこと、さらにはプラズマ中
で処理を行うことによって酸化膜の質が大きく向上する
ことが判った。またこれらの処理の際には、体積の収縮
も小さくＳＯＧ膜のクラック等の発生はなく良好であっ
た。さらに、耐湿性が向上し安定したデバイスを提供で
きた。
ガスについては、ガスに曝すこと、さらにはプラズマ中
で処理を行うことによって酸化膜の質が大きく向上する
ことが判った。またこれらの処理の際には、体積の収縮
も小さくＳＯＧ膜のクラック等の発生はなく良好であっ
た。さらに、耐湿性が向上し安定したデバイスを提供で
きた。
【００３４】
【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法は、塩
素、臭素、ヨウ素のうち少なくともいずれか一つを含
み、かつフッ素を含まないガスのプラズマ雰囲気中にＳ
ＯＧを露呈することによって、シリコン酸化膜の改質が
実現可能となり、体積収縮が小さく、クラック発生の少
ないシリコン酸化膜を提供することができる。
素、臭素、ヨウ素のうち少なくともいずれか一つを含
み、かつフッ素を含まないガスのプラズマ雰囲気中にＳ
ＯＧを露呈することによって、シリコン酸化膜の改質が
実現可能となり、体積収縮が小さく、クラック発生の少
ないシリコン酸化膜を提供することができる。
【図１】本発明の実施例を示す工程断面図。
【図２】本発明の実施例を示す概念図。
【図３】本発明の実施例で用いられたエッチング装置
図。
図。
【図４】本発明の実施例で用いられたエッチング装置
図。
図。
【図５】従来の例を示す工程断面図。
１０１・・・シリコン基板 １０２・・・第１の絶縁膜 １０３・・・第１の配線 １０４・・・第２の絶縁膜 １０５・・・ＳＯＧ １０６・・・第３の絶縁膜 １０７・・・第２の配線 ２０１・・・Ｓｉ原子 ２０２・・・Ｏ原子 ２０３・・・ＯＨ基 ２０４・・・Ｃｌ原子 ４０１・・・印加電極 ４０２・・・接地電極 ４０３・・・ウエハー ４０４・・・ＲＦ電源 ６０１・・・印加電極 ６０２・・・接地電極 ６０３・・・ウエハー ６０４・・・ＲＦ電源 ６０５・・・マイクロ波電源 ６０６・・・マグネットコイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/3205
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第
１の配線を形成する工程と、 前記第１の配線上に第２の絶縁膜を形成する工程と、 前記第２の絶縁膜上にＳＯＧを塗布し、該ＳＯＧをベー
クする工程と、 前記ＳＯＧを塩素、臭素、ヨウ素のうち少なくともいず
れか一つを含み、かつフッ素を含まないガスのプラズマ
雰囲気中に露呈する工程と、を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27609892A JP3239475B2 (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27609892A JP3239475B2 (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124925A JPH06124925A (ja) | 1994-05-06 |
| JP3239475B2 true JP3239475B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=17564776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27609892A Expired - Fee Related JP3239475B2 (ja) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3239475B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5272336B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法、プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
-
1992
- 1992-10-14 JP JP27609892A patent/JP3239475B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06124925A (ja) | 1994-05-06 |
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