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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7877895B2 (en) 2006-06-26 2011-02-01 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US8232598B2 (en) * 2007-09-20 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP2009151293A (ja) 2007-11-30 2009-07-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び表示装置の作製方法、並びに電子機器
US8736587B2 (en) * 2008-07-10 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2011003522A (ja) * 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
US20100224880A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5545970B2 (ja) * 2009-03-26 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP5581106B2 (ja) * 2009-04-27 2014-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102577885B1 (ko) * 2009-10-16 2023-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5740132B2 (ja) 2009-10-26 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び半導体装置
KR20190066086A (ko) 2009-11-06 2019-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9142804B2 (en) * 2010-02-09 2015-09-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device including barrier layer and method of manufacturing the same
JP5969216B2 (ja) * 2011-02-11 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置、照明装置、及びこれらの作製方法
US8928010B2 (en) 2011-02-25 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
DE112012001504B4 (de) * 2011-03-30 2017-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element
KR101960759B1 (ko) 2011-04-08 2019-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP2013178500A (ja) * 2012-02-02 2013-09-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シリアルパラレル変換回路、表示装置、シリアルパラレル変換回路の駆動方法
US8946731B2 (en) 2012-09-24 2015-02-03 International Business Machines Corporation OLED display with spalled semiconductor driving circuitry and other integrated functions
KR102034071B1 (ko) * 2013-03-26 2019-10-18 엘지디스플레이 주식회사 폴리 실리콘 박막트랜지스터를 포함하는 유기발광 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
JP6545976B2 (ja) 2014-03-07 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11600234B2 (en) 2015-10-15 2023-03-07 Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. Display substrate and driving method thereof
CN105185816A (zh) * 2015-10-15 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
JP6917700B2 (ja) 2015-12-02 2021-08-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20180090720A1 (en) * 2016-09-27 2018-03-29 Universal Display Corporation Flexible OLED Display Module
US10319880B2 (en) * 2016-12-02 2019-06-11 Innolux Corporation Display device
KR102312349B1 (ko) 2017-06-30 2021-10-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
CN109817672B (zh) 2019-01-29 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及其制造方法、显示面板、装置
EP4020447B1 (en) 2019-08-23 2024-03-27 BOE Technology Group Co., Ltd. Pixel circuit and driving method therefor, and display substrate and driving method therefor, and display device
CN112840461B (zh) 2019-08-23 2025-02-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
US12266303B2 (en) 2019-08-23 2025-04-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
EP4020449B1 (en) 2019-08-23 2025-06-25 BOE Technology Group Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
CN112703604B (zh) 2019-08-23 2024-06-18 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其制备方法
US11600681B2 (en) 2019-08-23 2023-03-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US12029065B2 (en) 2019-08-23 2024-07-02 Boe Technology Group Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof and driving substrate
US11404451B2 (en) 2019-08-27 2022-08-02 Boe Technology Group Co., Ltd. Electronic device substrate, manufacturing method thereof, and electronic device

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US764598A (en) * 1903-12-07 1904-07-12 James S Dunston Manufacture of golf-balls.
FR2681472B1 (fr) * 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
JPH0766426A (ja) 1993-08-27 1995-03-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US5663077A (en) * 1993-07-27 1997-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor in which the gate insulator comprises two oxide films
US5849108A (en) * 1996-04-26 1998-12-15 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic element with zno layer having increasing fluorine content in layer thickness direction
US6159824A (en) * 1997-05-12 2000-12-12 Silicon Genesis Corporation Silicon-on-silicon wafer bonding process using a thin film blister-separation method
JP2000012864A (ja) 1998-06-22 2000-01-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP3385972B2 (ja) * 1998-07-10 2003-03-10 信越半導体株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ
US6271101B1 (en) * 1998-07-29 2001-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device
JP4476390B2 (ja) 1998-09-04 2010-06-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2000124092A (ja) * 1998-10-16 2000-04-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd 水素イオン注入剥離法によってｓｏｉウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたｓｏｉウエーハ
KR20000040104A (ko) * 1998-12-17 2000-07-05 김영환 실리콘 온 인슐레이터 웨이퍼의 제조방법
JP4136185B2 (ja) * 1999-05-12 2008-08-20 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法
JP4452789B2 (ja) 1999-09-01 2010-04-21 独立行政法人 日本原子力研究開発機構 シリコン系結晶薄板の製造方法および光電変換素子用基板の製造方法
TW522453B (en) * 1999-09-17 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
JP2001147659A (ja) 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
JP3687953B2 (ja) 2000-02-22 2005-08-24 東北パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネセンス表示パネル及びその製造方法
JP2002108285A (ja) 2000-07-27 2002-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置の駆動方法
US6879110B2 (en) * 2000-07-27 2005-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving display device
US6583440B2 (en) * 2000-11-30 2003-06-24 Seiko Epson Corporation Soi substrate, element substrate, semiconductor device, electro-optical apparatus, electronic equipment, method of manufacturing the soi substrate, method of manufacturing the element substrate, and method of manufacturing the electro-optical apparatus
JP4507395B2 (ja) 2000-11-30 2010-07-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用素子基板の製造方法
JP4126912B2 (ja) 2001-06-22 2008-07-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP4653374B2 (ja) 2001-08-23 2011-03-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
JP2003142665A (ja) 2001-08-23 2003-05-16 Seiko Epson Corp 半導体基板の製造方法、半導体基板、電気光学装置並びに電子機器
US7224333B2 (en) * 2002-01-18 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Display device and driving method thereof
JP2003280587A (ja) 2002-01-18 2003-10-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置およびそれを使用した表示モジュール、電子機器
US7119365B2 (en) * 2002-03-26 2006-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and manufacturing method thereof, SOI substrate and display device using the same, and manufacturing method of the SOI substrate
JP4683825B2 (ja) 2002-04-24 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US7786496B2 (en) 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP3884351B2 (ja) 2002-08-26 2007-02-21 株式会社 日立ディスプレイズ 画像表示装置およびその製造方法
US7176528B2 (en) * 2003-02-18 2007-02-13 Corning Incorporated Glass-based SOI structures
US7229703B2 (en) 2003-03-31 2007-06-12 Dai Nippon Printing Co. Ltd. Gas barrier substrate
JP2004303562A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子用基板
JP4754772B2 (ja) 2003-05-16 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び該発光装置を用いた電子機器
JP2005004183A (ja) 2003-05-20 2005-01-06 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 発光型表示装置
TW200500979A (en) 2003-05-20 2005-01-01 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Light emission type display apparatus
JP4641710B2 (ja) 2003-06-18 2011-03-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4403399B2 (ja) * 2003-09-19 2010-01-27 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
US7973319B2 (en) 2003-09-19 2011-07-05 Sony Corporation Display unit, method of manufacturing same, organic light emitting unit, and method of manufacturing same
KR100529846B1 (ko) * 2003-12-26 2005-11-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
JP4439260B2 (ja) 2003-12-26 2010-03-24 三洋電機株式会社 表示装置の製造方法
JP4479250B2 (ja) 2004-01-21 2010-06-09 ソニー株式会社 表示装置の製造方法および表示装置
JP5110772B2 (ja) 2004-02-03 2012-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体薄膜層を有する基板の製造方法
KR100656497B1 (ko) * 2004-02-09 2006-12-11 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2005310742A (ja) 2004-03-25 2005-11-04 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4947909B2 (ja) * 2004-03-25 2012-06-06 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100611756B1 (ko) * 2004-06-18 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP4578215B2 (ja) 2004-11-30 2010-11-10 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
TWI382079B (zh) 2004-07-30 2013-01-11 Sanyo Electric Co 有機電場發光元件及有機電場發光顯示裝置
CN101091251B (zh) * 2004-08-18 2011-03-16 康宁股份有限公司 包含高应变玻璃或玻璃陶瓷的绝缘体上半导体结构
CN101027942B (zh) 2004-09-24 2010-06-16 株式会社半导体能源研究所 发光器件
JP4823629B2 (ja) 2004-09-24 2011-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7247545B2 (en) * 2004-11-10 2007-07-24 Sharp Laboratories Of America, Inc. Fabrication of a low defect germanium film by direct wafer bonding
EP1659623B1 (en) * 2004-11-19 2008-04-16 S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. Method for fabricating a germanium on insulator (GeOI) type wafer
WO2006059737A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof, semiconductor device, and electronic apparatus
JP4363319B2 (ja) 2004-12-14 2009-11-11 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2006269670A (ja) 2005-03-23 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌディスプレイ
JP5072243B2 (ja) * 2005-03-25 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7851989B2 (en) 2005-03-25 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
TWI467702B (zh) 2005-03-28 2015-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶裝置和其製造方法
TWI429327B (zh) 2005-06-30 2014-03-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置、顯示裝置、及電子設備
US7898623B2 (en) * 2005-07-04 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device and method of driving display device
FR2888663B1 (fr) * 2005-07-13 2008-04-18 Soitec Silicon On Insulator Procede de diminution de la rugosite d'une couche epaisse d'isolant
EP1998373A3 (en) 2005-09-29 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
EP1777689B1 (en) * 2005-10-18 2016-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic equipment each having the same
CN101577231B (zh) 2005-11-15 2013-01-02 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR100698086B1 (ko) * 2005-12-29 2007-03-23 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체소자의 제조방법
US7651896B2 (en) 2006-08-30 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
FR2911430B1 (fr) * 2007-01-15 2009-04-17 Soitec Silicon On Insulator "procede de fabrication d'un substrat hybride"
CN101281912B (zh) * 2007-04-03 2013-01-23 株式会社半导体能源研究所 Soi衬底及其制造方法以及半导体装置

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