JP2008531319A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008531319A5
JP2008531319A5 JP2007558239A JP2007558239A JP2008531319A5 JP 2008531319 A5 JP2008531319 A5 JP 2008531319A5 JP 2007558239 A JP2007558239 A JP 2007558239A JP 2007558239 A JP2007558239 A JP 2007558239A JP 2008531319 A5 JP2008531319 A5 JP 2008531319A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sapphire
polishing
acid
salt
slurry
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007558239A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008531319A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2006/007518 external-priority patent/WO2006115581A2/en
Publication of JP2008531319A publication Critical patent/JP2008531319A/ja
Publication of JP2008531319A5 publication Critical patent/JP2008531319A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (26)

  1. 塩基性pHを有し且つ溶解した塩化合物をサファイア除去速度を増進させる量含む水性媒体に懸濁した無機研磨剤物質を研磨剤量含む研磨スラリーでサファイア表面を磨耗させることを含む、サファイア表面を研磨する方法。
  2. 前記無機研磨剤物質が前記研磨スラリーの1〜50質量%を構成する、請求項1に記載の方法。
  3. 前記研磨剤物質が2〜200nmの範囲の平均粒子サイズを有する、請求項1に記載の方法。
  4. 前記研磨剤物質がコロイドシリカである、請求項1に記載の方法。
  5. 前記水性媒体が少なくとも9のpHを有する、請求項1に記載の方法。
  6. 前記塩化合物が或る酸のアルカリ金属またはアルカリ土類金属塩である、請求項1に記載の方法。
  7. 前記アルカリ金属塩はナトリウム塩またはリチウム塩である、請求項に記載の方法。
  8. 前記アルカリ土類金属塩はカルシウム塩である、請求項に記載の方法。
  9. 前記酸が無機酸または有機酸である、請求項に記載の方法。
  10. 前記無機酸が塩化水素酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硫酸、および硝酸からなる群から選択される、請求項に記載の方法。
  11. 前記有機酸が、アスコルビン酸、シュウ酸、ピコリン酸またはこれらの混合物である、請求項に記載の方法。
  12. 前記塩化合物が鉄塩またはアルミニウム塩である、請求項1に記載の方法。
  13. 前記塩化合物が塩化リチウム、塩化ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、硫酸ナトリウム、塩化カルシウム、水酸化第二鉄、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
  14. 前記塩化合物のサファイア除去速度を増進させる量が、同一の研磨条件下で使用され、前記塩化合物は含まないが同じ研磨剤物質を同じ濃度で含む研磨スラリーを使用して得られるサファイア除去の速度に比べて少なくとも45%サファイア除去速度を増進するのに十分な量である、請求項1に記載の方法。
  15. 前記除去速度を増進させる量は、前記スラリーの合計質量を基準として前記塩化合物が0.1〜1.5質量%である、請求項1に記載の方法。
  16. 前記サファイア表面がサファイアC面の表面である、請求項1に記載の方法。
  17. 前記サファイア表面がサファイアR面の表面である、請求項1に記載の方法。
  18. 研磨スラリーと回転研磨パッドで、回転キャリアーに取り付けたサファイアウェハーの表面を磨耗させることを含むサファイア表面を研磨する方法であって、
    該研磨スラリーが少なくとも9のpHを有し且つ溶解した塩化合物をサファイア除去速度を増進させる量含む水性媒体に懸濁したシリカ物質を研磨剤量含み、
    該パッドの研磨表面が該サファイアウェハーの表面に対して選択された下向きの力で押し付けられ、該スラリーの少なくとも一部が該パッドの研磨表面と該サファイアウェハーの表面との間に配置されている、請求項1、3、4、6、9または15のいずれか1項に記載の研磨方法。
  19. 前記スラリーが実質的に界面活性剤を含まない、請求項18に記載の方法。
  20. (a)回転キャリアーに取り付けたサファイアウェハーの表面に前記研磨スラリーを適用し、該研磨スラリーが、1〜11の範囲のpHを有し且つ溶解した無機酸のアルカリ金属またはアルカリ土類金属塩をサファイア除去速度を増進させる量含む水性媒体に懸濁した研磨剤コロイドシリカを1〜50質量%含むこと;および
    (b)該ウェハーの表面に対して垂直な軸について選択された速度で回転するプレーナー研磨表面を有する研磨パッドで該ウェハーの表面を磨耗させ、
    該パッドの研磨表面が選択されたレベルの下向きの力で該ウェハーの表面に対して垂直に該ウェハーの表面に対して押し付けられ、
    該研磨スラリーの少なくとも一部が該パッドの研磨表面と該サファイアウェハーの表面との間に配置され、
    同一のパッドで、同一のパッド回転速度で、同一のキャリアー回転速度で、且つ同一の垂直な下向きの力で、或る酸のアルカリ金属またはアルカリ土類金属塩は含まないが同一のコロイドシリカを同量含む研磨スラリーを使用して該サファイア表面を磨耗させることによって得られるサファイア除去速度よりも少なくとも45%増の除去速度で、該回転パッドが該ウェハーの表面からサファイアを除去すること、
    を含むサファイア表面を研磨する、請求項1に記載の方法。
  21. 前記コロイドシリカが2〜40質量%の範囲の濃度で前記スラリーに存在する、請求項20に記載の方法。
  22. 前記塩化合物が、有機酸、無機酸およびこれらの混合物からなる群から選択される酸のアルカリ金属またはアルカリ土類金属塩である、請求項20に記載の方法。
  23. 水性キャリアーに懸濁したコロイドシリカを研磨剤量含み且つ溶解した塩化合物をサファイア除去速度を増進させる量含んでなる、サファイア研磨スラリー。
  24. 前記塩化合物がアルカリ金属塩である、請求項23に記載の研磨スラリー。
  25. 前記アルカリ金属塩が塩化ナトリウムである、請求項23に記載の研磨スラリー。
  26. 前記コロイドシリカが2〜40質量%の範囲の濃度で前記スラリーに存在する、請求項23に記載のスラリー。
JP2007558239A 2005-03-04 2006-03-02 サファイア表面を研磨するための組成物および方法 Pending JP2008531319A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US65865305P 2005-03-04 2005-03-04
PCT/US2006/007518 WO2006115581A2 (en) 2005-03-04 2006-03-02 Composition and method for polishing a sapphire surface

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008531319A JP2008531319A (ja) 2008-08-14
JP2008531319A5 true JP2008531319A5 (ja) 2009-03-19

Family

ID=37215174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007558239A Pending JP2008531319A (ja) 2005-03-04 2006-03-02 サファイア表面を研磨するための組成物および方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20060196849A1 (ja)
EP (1) EP1868953A4 (ja)
JP (1) JP2008531319A (ja)
KR (1) KR20070114800A (ja)
CN (1) CN101511532A (ja)
CA (1) CA2599401A1 (ja)
IL (1) IL185418A0 (ja)
TW (1) TWI287484B (ja)
WO (1) WO2006115581A2 (ja)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5098483B2 (ja) * 2007-07-25 2012-12-12 住友金属鉱山株式会社 サファイア基板の研磨方法
WO2009046311A2 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Composite slurries of nano silicon carbide and alumina
CN101302403B (zh) * 2008-07-03 2011-10-19 大连理工大学 用于大尺寸金刚石晶圆超精密低损伤抛光的抛光液及制备方法
WO2010075091A2 (en) 2008-12-15 2010-07-01 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Bonded abrasive article and method of use
JP5443192B2 (ja) * 2010-02-10 2014-03-19 株式会社ディスコ サファイア基板の加工方法
JP5919189B2 (ja) * 2010-04-28 2016-05-18 株式会社バイコウスキージャパン サファイア研磨用スラリー、及びサファイアの研磨方法
CN102585705B (zh) * 2011-12-21 2014-02-05 上海新安纳电子科技有限公司 一种用于蓝宝石衬底的化学机械抛光液及其应用
US10052848B2 (en) 2012-03-06 2018-08-21 Apple Inc. Sapphire laminates
CN103184010A (zh) * 2012-04-05 2013-07-03 铜陵市琨鹏光电科技有限公司 一种用于led用蓝宝石衬底片精密抛光的抛光液
CN102775916B (zh) * 2012-07-16 2015-01-07 芜湖海森材料科技有限公司 一种提高蓝宝石表面质量的抛光组合物
US9221289B2 (en) 2012-07-27 2015-12-29 Apple Inc. Sapphire window
EP2888077B8 (en) * 2012-08-24 2017-09-27 Ecolab USA Inc. Methods of polishing sapphire surfaces
CN102873590B (zh) * 2012-10-24 2015-07-15 广州普贺宝石饰品有限公司 黑曜石抛光方法
CN102911606A (zh) * 2012-11-10 2013-02-06 长治虹源科技晶片技术有限公司 一种蓝宝石抛光液及配制方法
US9232672B2 (en) 2013-01-10 2016-01-05 Apple Inc. Ceramic insert control mechanism
JP6436517B2 (ja) * 2013-02-20 2018-12-12 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US9896604B2 (en) * 2013-03-15 2018-02-20 Ecolab Usa Inc. Methods of polishing sapphire surfaces
CN103252708B (zh) * 2013-05-29 2016-01-06 南京航空航天大学 基于固结磨料抛光垫的蓝宝石衬底的超精密加工方法
US9388328B2 (en) 2013-08-23 2016-07-12 Diamond Innovations, Inc. Lapping slurry having a cationic surfactant
US9633831B2 (en) 2013-08-26 2017-04-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing composition for polishing a sapphire surface and methods of using same
US9678540B2 (en) 2013-09-23 2017-06-13 Apple Inc. Electronic component embedded in ceramic material
US9632537B2 (en) 2013-09-23 2017-04-25 Apple Inc. Electronic component embedded in ceramic material
CN103753381B (zh) * 2013-11-12 2016-06-22 江苏吉星新材料有限公司 A-面蓝宝石晶片的表面抛光方法
US9154678B2 (en) 2013-12-11 2015-10-06 Apple Inc. Cover glass arrangement for an electronic device
US9225056B2 (en) 2014-02-12 2015-12-29 Apple Inc. Antenna on sapphire structure
JP6506913B2 (ja) 2014-03-31 2019-04-24 ニッタ・ハース株式会社 研磨用組成物及び研磨方法
JP6408236B2 (ja) * 2014-04-03 2018-10-17 昭和電工株式会社 研磨組成物、及び該研磨組成物を用いた基板の研磨方法
DE212015000206U1 (de) * 2014-08-27 2017-05-02 Apple Inc. Saphirabdeckung für elektronische Vorrichtungen
TWI611010B (zh) * 2014-08-29 2018-01-11 卡博特微電子公司 拋光藍寶石表面之組合物及方法
CN107075345B (zh) * 2014-10-14 2019-03-12 花王株式会社 蓝宝石板用研磨液组合物
JP6536176B2 (ja) * 2015-05-27 2019-07-03 日立化成株式会社 サファイア用研磨液、貯蔵液及び研磨方法
US10406634B2 (en) 2015-07-01 2019-09-10 Apple Inc. Enhancing strength in laser cutting of ceramic components
US10112278B2 (en) * 2015-09-25 2018-10-30 Apple Inc. Polishing a ceramic component using a formulated slurry
CN105462504A (zh) * 2015-12-11 2016-04-06 蓝思科技(长沙)有限公司 一种c向蓝宝石抛光液及其制备方法
RU2635132C1 (ru) * 2017-02-20 2017-11-09 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Компас" (ООО "НТЦ "Компас") Полировальная суспензия для сапфировых подложек
US10377014B2 (en) 2017-02-28 2019-08-13 Ecolab Usa Inc. Increased wetting of colloidal silica as a polishing slurry
US10775889B1 (en) 2017-07-21 2020-09-15 Apple Inc. Enclosure with locally-flexible regions
CN110018028B (zh) * 2019-04-17 2023-01-13 宸鸿科技(厦门)有限公司 一种蓝宝石基材电子组件的金相切片样品制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5927316B2 (ja) * 1976-06-11 1984-07-04 日本電信電話株式会社 結晶の無じよう乱鏡面研摩方法
US4959113C1 (en) * 1989-07-31 2001-03-13 Rodel Inc Method and composition for polishing metal surfaces
CA2039998A1 (en) * 1990-10-09 1992-04-10 Donald C. Zipperian Mechanochemical polishing abrasive
JPH10204416A (ja) * 1997-01-21 1998-08-04 Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk 研磨用組成物
JP4132432B2 (ja) * 1999-07-02 2008-08-13 日産化学工業株式会社 研磨用組成物
US20040055993A1 (en) * 1999-10-12 2004-03-25 Moudgil Brij M. Materials and methods for control of stability and rheological behavior of particulate suspensions
EP2045307A1 (en) * 2000-05-12 2009-04-08 Nissan Chemical Industries, Ltd. Polishing composition
US7416680B2 (en) * 2001-10-12 2008-08-26 International Business Machines Corporation Self-cleaning colloidal slurry composition and process for finishing a surface of a substrate
US7306748B2 (en) * 2003-04-25 2007-12-11 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Methods for machining ceramics
US7201784B2 (en) * 2003-06-30 2007-04-10 Intel Corporation Surfactant slurry additives to improve erosion, dishing, and defects during chemical mechanical polishing of copper damascene with low k dielectrics
WO2005019364A1 (en) * 2003-08-14 2005-03-03 Ekc Technology, Inc. Periodic acid compositions for polishing ruthenium/high k substrates
US7223156B2 (en) * 2003-11-14 2007-05-29 Amcol International Corporation Method chemical-mechanical polishing and planarizing corundum, GaAs, GaP and GaAs/GaP alloy surfaces
US8197303B2 (en) * 2006-12-28 2012-06-12 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Sapphire substrates and methods of making same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008531319A5 (ja)
TWI287484B (en) Composition and method for polishing a sapphire surface
JP5385141B2 (ja) 水に可溶性酸化剤を使用する炭化ケイ素の研磨方法
TWI397578B (zh) 拋光鎳-磷的方法
TWI444458B (zh) 用於金屬移除速率控制之鹵化物陰離子
TWI596202B (zh) 用於鎳-磷記憶碟之拋光組合物
JP2009526659A5 (ja)
JP2008503874A5 (ja)
JP2007027663A (ja) 研磨用組成物
JP6506913B2 (ja) 研磨用組成物及び研磨方法
JP4243307B2 (ja) ガラス基板の加工方法及びガラス基板加工用リンス剤組成物
WO2016065060A1 (en) Cobalt polishing accelerators
WO2015118927A1 (ja) 研磨用砥粒とその製造方法と研磨方法と研磨装置とスラリー
US9944829B2 (en) Halite salts as silicon carbide etchants for enhancing CMP material removal rate for SiC wafer
WO2018116521A1 (ja) 研摩液及び研摩方法
TW201542788A (zh) 硏磨劑組合物及磁碟基板之硏磨法
JP2013527985A5 (ja)
JPWO2005090511A1 (ja) 研磨用組成物および研磨方法
JP2007021703A (ja) 研磨用組成物
JP2010023199A (ja) 研磨用組成物及び研磨方法
JP2017063173A5 (ja)
JP6054341B2 (ja) 研磨用砥粒とその製造方法と研磨方法と研磨部材とスラリー
JP2000053946A5 (ja)
JP2009545134A5 (ja)
JPH0463428A (ja) ウエハーのファイン研磨用濃縮組成物