JP2017063173A5 - - Google Patents
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Description
好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、当該分野で公知の任意の適切な研磨パッドであってよい。当業者であれば、本発明の方法において使用するのに適したケミカルメカニカルポリッシングパッドの選び方を知っているだろう。更に好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、織物及び不織の研磨パッドから選択される。更になお好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、ポリウレタン研磨層を含む。最も好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む。好ましくは、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、研磨面上に少なくとも１本の溝を有する。
好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、３００mm研磨機でプラテン速度９３回転／分、キャリア速度８７回転／分、ケミカルメカニカルポリッシング組成物流量２００mL/分、公称ダウンフォース２０．６８kPaで、≧１，０００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を有するが、ここで、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む。
好ましくは、基板が露出二酸化ケイ素フィーチャーを有する、本発明の基板を研磨する方法において、提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、３００mm研磨機でプラテン速度９３回転／分、キャリア速度８７回転／分、ケミカルメカニカルポリッシング組成物流量２００mL/分、公称ダウンフォース２０．６８kPaで、≧１，０００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を有するが、ここで、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む。
Claims (10)
- 基板を研磨する方法であって：
基板（ここで、この基板は、露出二酸化ケイ素フィーチャーを有する）を提供すること；
初期成分として、
水；
０．０１〜４０重量％コロイダルシリカ砥粒；
ジルコニル化合物；及び
０重量％酸化剤
を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物（ここで、このケミカルメカニカルポリッシング組成物のｐＨは、≦６である）を提供すること；
研磨面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；
ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨面上のケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との接触面近くに分注すること；及び
ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との接触面に０．６９〜３４．５kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すこと（ここで、基板が研磨され；そして幾らかの露出二酸化ケイ素フィーチャーが基板から除去される）を含む方法。 - 露出二酸化ケイ素フィーチャーが、オルトケイ酸テトラエチルから誘導される、請求項１記載の方法。
- ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、腐食防止剤を含まない、請求項２記載の方法。
- ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、３００mm研磨機でプラテン速度９３回転／分、キャリア速度８７回転／分、ケミカルメカニカルポリッシング組成物流量２００mL/分、公称ダウンフォース２０．６８kPaで、≧１，０００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を有しており；そして、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む、請求項２記載の方法。
- ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、３００mm研磨機でプラテン速度９３回転／分、キャリア速度８７回転／分、ケミカルメカニカルポリッシング組成物流量２００mL/分、公称ダウンフォース２０．６８kPaで、≧１，０００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を有しており；そして、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む、請求項３記載の方法。
- 提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物が、初期成分として、
水；
０．１〜４０重量％コロイダルシリカ砥粒；
ジルコニル化合物；及び
無機酸
からなる、請求項１記載の方法。 - 露出二酸化ケイ素フィーチャーが、オルトケイ酸テトラエチルから誘導される、請求項６記載の方法。
- ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、３００mm研磨機でプラテン速度９３回転／分、キャリア速度８７回転／分、ケミカルメカニカルポリッシング組成物流量２００mL/分、公称ダウンフォース２０．６８kPaで、≧１，０００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を有しており；そして、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む、請求項７記載の方法。
- ジルコニル化合物が、塩化ジルコニルであり、そして無機酸が、塩酸である、請求項６記載の方法。
- 露出二酸化ケイ素フィーチャーが、オルトケイ酸テトラエチルから誘導され；そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物が、３００mm研磨機でプラテン速度９３回転／分、キャリア速度８７回転／分、ケミカルメカニカルポリッシング組成物流量２００mL/分、公称ダウンフォース２０．６８kPaで、≧１，０００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を有しており；そして、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む、請求項９記載の方法。
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