JP2007021703A - 研磨用組成物 - Google Patents
研磨用組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007021703A JP2007021703A JP2005211815A JP2005211815A JP2007021703A JP 2007021703 A JP2007021703 A JP 2007021703A JP 2005211815 A JP2005211815 A JP 2005211815A JP 2005211815 A JP2005211815 A JP 2005211815A JP 2007021703 A JP2007021703 A JP 2007021703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing composition
- single crystal
- composition
- colloidal silica
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】 (0001)Si面を好適に研磨することができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する用途で主に使用されるものであり、コロイダルシリカなどの砥粒と、オルト過ヨウ素酸やメタ過ヨウ素酸ナトリウムなどのヨウ素化合物とを含有し、水酸化リチウムやアンモニアなどのアルカリを必要に応じてさらに含有する。この研磨用組成物のpHは6以上である。
【選択図】 なし
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する用途で主に使用されるものであり、コロイダルシリカなどの砥粒と、オルト過ヨウ素酸やメタ過ヨウ素酸ナトリウムなどのヨウ素化合物とを含有し、水酸化リチウムやアンモニアなどのアルカリを必要に応じてさらに含有する。この研磨用組成物のpHは6以上である。
【選択図】 なし
Description
本発明は、例えば、六方晶炭化ケイ素単結晶基板のような炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物に関する。
4H−SiC単結晶基板や6H−SiC単結晶基板などの炭化ケイ素単結晶基板は通常、ダイヤモンド砥粒を含むスラリーを用いて基板の表面を予備研磨する工程と、予備研磨した基板の表面を仕上げ研磨する工程とを経て製造される。仕上げ研磨においては、予備研磨により基板の表面に生じる非晶質の加工変質層が除去されるとともに、加工変質層の除去の後に露出する基板の結晶面が平坦化される。この仕上げ研磨の際に使用される研磨用組成物としては、特許文献1に開示されているように、コロイダルシリカを含有したpH7〜10の研磨用組成物が知られている。しかしながら、特許文献1の研磨用組成物は結晶面を研磨する能力が低いため、特許文献1の研磨用組成物を用いた場合には仕上げ研磨に要する時間が極めて長くなるという問題があった。特に六方晶炭化ケイ素単結晶基板である4H−SiC単結晶基板又は6H−SiC単結晶基板の(0001)Si面は、(0001)Si面以外の4H−SiC単結晶基板又は6H−SiC単結晶基板の面(例えば(000−1)C面)に比べて酸化速度及びエッチング速度が低く、(0001)Si面を高い研磨速度で研磨することは困難であった。
特開2004−299018号公報
そこで本発明の目的は、(0001)Si面を好適に研磨することができる研磨用組成物を提供することにある。
上記の目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、砥粒とヨウ素化合物とを含有してpHが6以上である研磨用組成物を提供する。
請求項2に記載の発明は、前記ヨウ素化合物がヨウ素酸、過ヨウ素酸又はそれらの塩からなる請求項1に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項2に記載の発明は、前記ヨウ素化合物がヨウ素酸、過ヨウ素酸又はそれらの塩からなる請求項1に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項3に記載の発明は、リチウム化合物又はアンモニアからなるアルカリをさらに含有する請求項1又は2に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項4に記載の発明は、炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する用途で使用される請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項4に記載の発明は、炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する用途で使用される請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨用組成物を提供する。
本発明によれば、(0001)Si面を好適に研磨することができる研磨用組成物が提供される。
以下、本発明の第1及び第2実施形態を説明する。
第1実施形態の研磨用組成物は、所定量のヨウ素酸塩又は過ヨウ素酸塩とコロイダルシリカゾルを混合し、必要に応じて水で希釈することにより製造される。従って、第1実施形態の研磨用組成物は、砥粒としてのコロイダルシリカ、ヨウ素化合物としてのヨウ素酸塩又は過ヨウ素酸塩、及び水から実質的になる。
第1実施形態の研磨用組成物は、所定量のヨウ素酸塩又は過ヨウ素酸塩とコロイダルシリカゾルを混合し、必要に応じて水で希釈することにより製造される。従って、第1実施形態の研磨用組成物は、砥粒としてのコロイダルシリカ、ヨウ素化合物としてのヨウ素酸塩又は過ヨウ素酸塩、及び水から実質的になる。
第2実施形態の研磨用組成物は、所定量のヨウ素酸又は過ヨウ素とアルカリとコロイダルシリカゾルを混合し、必要に応じて水で希釈することにより製造される。従って、第2実施形態の研磨用組成物は、砥粒としてのコロイダルシリカ、ヨウ素化合物としてのヨウ素酸又は過ヨウ素酸、pH調整剤としてのアルカリ、及び水から実質的になる。つまり、第2実施形態の研磨用組成物は、ヨウ素酸塩又は過ヨウ素酸塩の代わりにヨウ素化合物としてヨウ素酸又は過ヨウ素酸を含有する点並びにアルカリを含有する点で第1実施形態の研磨用組成物と異なる。
第1及び第2実施形態の研磨用組成物は、4H−SiC単結晶基板又は6H−SiC単結晶基板を研磨する用途、より具体的には4H−SiC単結晶基板又は6H−SiC単結晶基板の(0001)Si面を研磨する用途で使用される。
第1及び第2実施形態の各研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量が0.05質量%よりも少ない場合、さらに言えば0.1質量%よりも少ない場合、もっと言えば1質量%よりも少ない場合には、研磨用組成物が十分な研磨能力を有さない虞がある。従って、より高い研磨速度を得るためには、各研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量は0.05質量%以上であることが好ましく、より好ましくは0.1質量%以上、最も好ましくは1質量%以上である。一方、各研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量が50質量%よりも多い場合、さらに言えば48質量%よりも多い場合、もっと言えば45質量%よりも多い場合には、市販のコロイダルシリカゾルよりも高濃度のコロイダルシリカゾルが研磨用組成物の製造に必要となるために不経済である。従って、各研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量は50質量%以下であることが好ましく、より好ましくは48質量%以下、最も好ましくは45質量%以下である。
平均一次粒子径が5nmよりも小さいコロイダルシリカ、さらに言えば平均一次粒子径が15nmよりも小さいコロイダルシリカ、もっと言えば平均一次粒子径が25nmよりも小さいコロイダルシリカは、(0001)Si面を研磨する能力があまり高くない。従って、より高い研磨速度を得るためには、第1及び第2実施形態の各研磨用組成物に含まれるコロイダルシリカの平均一次粒子径は5nm以上であることが好ましく、より好ましくは15nm以上、最も好ましくは25nm以上である。一方、コロイダルシリカの平均一次粒子径が120nmよりも大きい場合、さらに言えば100nmよりも大きい場合、もっと言えば85nmよりも大きい場合には、研磨用組成物が十分な研磨能力を発揮するためには各研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量をかなり高くする必要が生じる。従って、各研磨用組成物のコスト低減のためには、各研磨用組成物に含まれるコロイダルシリカの平均一次粒子径は120nm以下であることが好ましく、より好ましくは100nm以下、最も好ましくは85nm以下である。なお、コロイダルシリカの平均一次粒子径は、例えばBET法により測定される比表面積から算出される。
研磨速度の向上のために第1実施形態の研磨用組成物に含まれるヨウ素化合物はヨウ素酸塩及び過ヨウ素酸塩のいずれであってもよいが、中でも過ヨウ素酸塩であることが好ましく、より好ましくはメタ過ヨウ素酸ナトリウム(NaIO4)である。過ヨウ素酸塩はヨウ素酸塩に比べて酸化還元電位が高く酸化力が強い点で好ましく、メタ過ヨウ素酸ナトリウムは他の過ヨウ素酸塩に比べて入手が容易である点で好ましい。
研磨速度の向上のために第2実施形態の研磨用組成物に含まれるヨウ素化合物はヨウ素酸及び過ヨウ素酸のいずれであってもよいが、中でも過ヨウ素酸であることが好ましく、より好ましくはオルト過ヨウ素酸(H5IO6)である。過ヨウ素酸はヨウ素酸に比べて酸化還元電位が高く酸化力が強い点で好ましく、オルト過ヨウ素酸は他の過ヨウ素酸に比べて入手が容易である点で好ましい。
第1及び第2実施形態の各研磨用組成物中のヨウ素化合物の含有量が0.1g/Lよりも少ない場合、さらに言えば0.5g/Lよりも少ない場合、もっと言えば1g/Lよりも少ない場合には、あまり高い研磨速度で(0001)Si面を研磨することができない虞がある。従って、より高い研磨速度を得るためには、各研磨用組成物中のヨウ素化合物の含有量は0.1g/L以上であることが好ましく、より好ましくは0.5g/L以上、最も好ましくは1g/L以上である。一方、各研磨用組成物中のヨウ素化合物の含有量が500g/Lよりも多い場合、さらに言えば250g/Lよりも多い場合、もっと言えば100g/Lよりも多い場合には、研磨パッドの劣化が早まる虞がある。それに加えて研磨用組成物に含まれるヨウ素化合物がヨウ素酸塩又は過ヨウ素酸塩である場合には、研磨用組成物中に沈殿が生じる虞もある。従って、こうした不具合を避けるためには、各研磨用組成物中のヨウ素化合物の含有量は500g/L以下であることが好ましく、より好ましくは250g/L以下、最も好ましくは100g/L以下である。
第2実施形態の研磨用組成物に含まれるアルカリは、良好な保存安定性を有した研磨用組成物を得るためには、水酸化リチウム(LiOH)や無機リチウム塩などのリチウム化合物あるいはアンモニア(NH3)であることが好ましく、より好ましくは水酸化リチウム又はアンモニアである。無機リチウム塩としては具体的には、リチウム塩化物、リチウム炭酸塩、リチウム硝酸塩、リチウム硫酸塩、リチウムリン酸塩などが挙げられるが、その中でも入手が容易なのはリチウム塩化物及びリチウム炭酸塩である。
第2実施形態の研磨用組成物中のアルカリの含有量が0.1g/Lよりも少ない場合、さらに言えば0.5g/Lよりも少ない場合、もっと言えば1g/Lよりも少ない場合には、研磨用組成物のpHがあまり高くないために(0001)Si面を研磨する研磨用組成物の能力が低下する虞がある。従って、より高い研磨速度を得るためには、研磨用組成物中のアルカリの含有量は0.1g/L以上であることが好ましく、より好ましくは0.5g/L以上、最も好ましくは1g/L以上である。一方、研磨用組成物中のアルカリの含有量が20g/Lよりも多い場合、さらに言えば15g/Lよりも多い場合、もっと言えば10g/Lよりも多い場合には、研磨用組成物の保存安定性が低下する虞がある。従って、良好な保存安定性を得るためには、研磨用組成物中のアルカリの含有量は20g/L以下であることが好ましく、より好ましくは15g/L以下、最も好ましくは10g/L以下である。
第1及び第2実施形態の各研磨用組成物のpHは、(0001)Si面の好適な研磨を実現するためには6以上であることが必須である。ただし、たとえpHが6以上であってもpHが低くなるにつれて(0001)Si面を研磨する各研磨用組成物の能力は低下する傾向がある。従って、より高い研磨速度を得るためには、各研磨用組成物のpHは7以上であることが好ましい。一方、各研磨用組成物のpHが高すぎると、研磨用組成物中のコロイダルシリカが溶解を起こす虞がある。従って、コロイダルシリカの溶解を防ぐという観点からすると、各研磨用組成物のpHは14以下であることが好ましく、より好ましくは13以下、最も好ましくは12以下である。
第1及び第2実施形態によれば以下の利点が得られる。
・ 第1及び第2実施形態の各研磨用組成物は、従来の研磨用組成物に比べて、4H−SiC単結晶基板又は6H−SiC単結晶基板の(0001)Si面を高い研磨速度で研磨する能力を有する。これは、第1及び第2実施形態の各研磨用組成物に含まれているヨウ素酸、過ヨウ素酸又はそれらの塩からなるヨウ素化合物がpH6以上の領域において(0001)Si面を酸化するのに十分な酸化力を発揮するためと考えられる。
・ 第1及び第2実施形態の各研磨用組成物は、従来の研磨用組成物に比べて、4H−SiC単結晶基板又は6H−SiC単結晶基板の(0001)Si面を高い研磨速度で研磨する能力を有する。これは、第1及び第2実施形態の各研磨用組成物に含まれているヨウ素酸、過ヨウ素酸又はそれらの塩からなるヨウ素化合物がpH6以上の領域において(0001)Si面を酸化するのに十分な酸化力を発揮するためと考えられる。
・ 第2実施形態の研磨用組成物にはアルカリが配合されている。そのため、ヨウ素化合物としてヨウ素酸又は過ヨウ素酸という酸を含有していても、pHが6以上となるように第2実施形態の研磨用組成物を調製することに困難はない。
前記実施形態は次のように変更されてもよい。
・ 第1及び第2実施形態の各研磨用組成物に含まれる砥粒は、フュームドシリカのようなコロイダルシリカ以外のシリカであってもよいし、あるいはアルミナ又は酸化クロムであってもよい。ただし、シリカ(特にコロイダルシリカ)を用いた場合には、アルミナや酸化クロムを用いた場合に比べて、研磨後の研磨対象物の表面に傷が生じにくいので、好ましくはシリカ(特にコロイダルシリカ)である。
・ 第1及び第2実施形態の各研磨用組成物に含まれる砥粒は、フュームドシリカのようなコロイダルシリカ以外のシリカであってもよいし、あるいはアルミナ又は酸化クロムであってもよい。ただし、シリカ(特にコロイダルシリカ)を用いた場合には、アルミナや酸化クロムを用いた場合に比べて、研磨後の研磨対象物の表面に傷が生じにくいので、好ましくはシリカ(特にコロイダルシリカ)である。
・ 第1実施形態の研磨用組成物には必要に応じてpH調整剤としてのアルカリを添加してもよい。第1実施形態の研磨用組成物に添加されるアルカリの好ましい種類、第1実施形態の研磨用組成物中のアルカリの好ましい含有量は、第2実施形態の場合と同じである。
・ 第2実施形態の研磨用組成物に含まれるアルカリを省いてもよい。すなわち、第2実施形態の研磨用組成物は、コロイダルシリカ、ヨウ素酸又は過ヨウ素酸、及び水から実質的になるものであってもよい。ただし、より高い研磨速度を得るためには、アルカリを含有することが好ましい。なお、アルカリを省く場合であっても研磨用組成物のpHが6以上であることは必須である。
・ 第1及び第2実施形態の各研磨用組成物には必要に応じて防腐剤や消泡剤のような公知の添加剤を添加してもよい。
・ 第1及び第2実施形態の各研磨用組成物は、(0001)Si面以外の4H−SiC単結晶基板又は6H−SiC単結晶基板の面を研磨する用途で使用されてもよい。あるいは、3C−SiC単結晶基板のような立方晶炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する用途で使用されてもよい。また、炭化ケイ素単結晶基板以外の炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する用途で使用されてもよいし、あるいは炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物以外の研磨対象物を研磨する用途で使用されてもよい。ただし、第1及び第2実施形態の各研磨用組成物は、従来の研磨用組成物に比べて、炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物、とりわけ4H−SiC単結晶基板又は6H−SiC単結晶基板の(0001)Si面を研磨する能力が特に高い。従って、炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する用途で使用されることが好ましく、4H−SiC単結晶基板又は6H−SiC単結晶基板の(0001)Si面を研磨する用途で使用されることがより好ましい。
・ 第1及び第2実施形態の各研磨用組成物は、(0001)Si面以外の4H−SiC単結晶基板又は6H−SiC単結晶基板の面を研磨する用途で使用されてもよい。あるいは、3C−SiC単結晶基板のような立方晶炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する用途で使用されてもよい。また、炭化ケイ素単結晶基板以外の炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する用途で使用されてもよいし、あるいは炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物以外の研磨対象物を研磨する用途で使用されてもよい。ただし、第1及び第2実施形態の各研磨用組成物は、従来の研磨用組成物に比べて、炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物、とりわけ4H−SiC単結晶基板又は6H−SiC単結晶基板の(0001)Si面を研磨する能力が特に高い。従って、炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する用途で使用されることが好ましく、4H−SiC単結晶基板又は6H−SiC単結晶基板の(0001)Si面を研磨する用途で使用されることがより好ましい。
次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。
コロイダルシリカゾル、ヨウ素化合物又はそれに代わる化合物、及びpH調整剤を適宜に混合し、必要に応じて水で希釈することにより実施例1〜11及び比較例1〜13の研磨用組成物を調製した。各研磨用組成物中のコロイダルシリカ、ヨウ素化合物又はそれに代わる化合物及びpH調整剤の詳細並びに各研磨用組成物のpHは表1に示すとおりである。なお、各研磨用組成物に含まれるコロイダルシリカの平均一次粒子径は35nmである。
コロイダルシリカゾル、ヨウ素化合物又はそれに代わる化合物、及びpH調整剤を適宜に混合し、必要に応じて水で希釈することにより実施例1〜11及び比較例1〜13の研磨用組成物を調製した。各研磨用組成物中のコロイダルシリカ、ヨウ素化合物又はそれに代わる化合物及びpH調整剤の詳細並びに各研磨用組成物のpHは表1に示すとおりである。なお、各研磨用組成物に含まれるコロイダルシリカの平均一次粒子径は35nmである。
実施例1〜11及び比較例1〜13の各研磨用組成物を用いて表2に示す研磨条件で炭化ケイ素単結晶基板の(0001)Si面を研磨した。研磨前後の基板の重量を測定し、その測定値から算出した研磨速度を表1の“研磨速度”欄に示す。
実施例1〜11及び比較例1〜13の各研磨用組成物100mLを容量250mLのポリ容器に入れて室温で3ヶ月の間静置し、研磨用組成物の外観的な変化を定期的に観察した。その観察結果に基づいて各研磨用組成物の保存安定性について評価した結果を表1の“安定性”欄に示す。同欄中、◎は、3ヶ月経過後にゲル化や沈殿の発生、粘度上昇などの変化が研磨用組成物に認められなかったことを示し、○は、1ヶ月経過後には変化が認められなかったが3ヶ月経過後には変化が認められたことを示す。
前記実施形態より把握できる技術的思想について以下に記載する。
・ 請求項1〜4のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する研磨方法。これによれば、(0001)Si面を好適に研磨することができる研磨方法が提供される。
・ 請求項1〜4のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する研磨方法。これによれば、(0001)Si面を好適に研磨することができる研磨方法が提供される。
・ 請求項1〜4のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する工程を経て得られる研磨製品。これによれば、(0001)Si面が好適に研磨された研磨製品が提供される。
Claims (4)
- 砥粒とヨウ素化合物とを含有してpHが6以上である研磨用組成物。
- 前記ヨウ素化合物がヨウ素酸、過ヨウ素酸又はそれらの塩からなる請求項1に記載の研磨用組成物。
- リチウム化合物又はアンモニアからなるアルカリをさらに含有する請求項1又は2に記載の研磨用組成物。
- 炭化ケイ素単結晶からなる研磨対象物を研磨する用途で使用される請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005211815A JP2007021703A (ja) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | 研磨用組成物 |
KR1020060066901A KR20070012209A (ko) | 2005-07-21 | 2006-07-18 | 연마용 조성물 및 연마 방법 |
US11/490,900 US20070021040A1 (en) | 2005-07-21 | 2006-07-21 | Polishing composition and polishing method |
DE102006033919A DE102006033919A1 (de) | 2005-07-21 | 2006-07-21 | Polierzusammensetzung und Polierverfahren |
CN 200610108551 CN1900192A (zh) | 2005-07-21 | 2006-07-21 | 抛光用组合物及抛光方法 |
US12/188,660 US20080305718A1 (en) | 2005-07-21 | 2008-08-08 | Polishing Composition and Polishing Method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005211815A JP2007021703A (ja) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | 研磨用組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007021703A true JP2007021703A (ja) | 2007-02-01 |
Family
ID=37656188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005211815A Pending JP2007021703A (ja) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | 研磨用組成物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007021703A (ja) |
CN (1) | CN1900192A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099789A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2016072371A1 (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
JP2016094588A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-26 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140012135A (ko) * | 2011-04-26 | 2014-01-29 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 비산화물 단결정 기판의 연마 방법 |
DE112012002344T5 (de) * | 2011-06-03 | 2014-02-27 | Asahi Glass Co., Ltd. | Poliermittel und Polierverfahren |
CN110922896A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-03-27 | 宁波日晟新材料有限公司 | 一种高效环保碳化硅抛光液及其制备方法和应用 |
-
2005
- 2005-07-21 JP JP2005211815A patent/JP2007021703A/ja active Pending
-
2006
- 2006-07-21 CN CN 200610108551 patent/CN1900192A/zh active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099789A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2016072371A1 (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-12 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
JP2016094588A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-26 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
US10759981B2 (en) | 2014-11-07 | 2020-09-01 | Fujimi Incorporated | Polishing method and polishing composition |
US11015098B2 (en) | 2014-11-07 | 2021-05-25 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1900192A (zh) | 2007-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20080305718A1 (en) | Polishing Composition and Polishing Method | |
JP6670587B2 (ja) | 研磨方法およびポリシング用組成物 | |
JP2007027663A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP7373403B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP4827963B2 (ja) | 炭化珪素の研磨液及びその研磨方法 | |
JP2007021703A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2007234784A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP6509184B2 (ja) | SiCウェハのCMP材料除去レートを向上させるためのシリコンカーバイドエッチング剤としての岩塩型塩 | |
JP6694745B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP6622991B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2010023199A (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
JPWO2005090511A1 (ja) | 研磨用組成物および研磨方法 | |
JP2018154789A (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
TW201942320A (zh) | 研磨用組合物 | |
WO2022168860A1 (ja) | 研磨用組成物 | |
WO2011049216A1 (ja) | 炭化ケイ素研磨用組成物 | |
WO2016072371A1 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2007021704A (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
WO2023054385A1 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2019172904A (ja) | 研磨用組成物、研磨方法 | |
JP2010023198A (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
WO2022168858A1 (ja) | 研磨用組成物 | |
TW202330822A (zh) | 研磨用組合物 | |
WO2021200149A1 (ja) | 研磨用組成物および研磨方法 | |
WO2023189512A1 (ja) | 研磨用組成物 |