JP2009099789A - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェハ保持用テーブルに設けられるウェハガイドが研磨されてしまうことを防止し、ＳｉＣウェハの研磨の精度を向上させる。
【解決手段】ウェハ保持用テーブル１０において、ＳｉＣウェハ２０を保持するウェハガイド１３を第１ガイド部１３ａと第２ガイド部１３ｂとで構成する。そして、ウェハガイド１３のうち少なくとも研磨布と対向する第２ガイド部１３ｂの表面の面方位が｛０００１｝面、または｛０００１｝面から１°以下に傾斜した面を有する単結晶ＳｉＣを用いる。
【選択図】図１

Description

本発明は、炭化珪素半導体ウェハ（以下、ＳｉＣウェハという）に半導体デバイスが形成されたものがチップ状に分割されてなる炭化珪素半導体装置の製造方法に関する。

従来より、ＳｉＣウェハを研磨する方法が、例えば特許文献１、２で提案されている。図６は、従来の研磨加工の方法を示した図である。この図に示される研磨装置３０では、研磨定盤３１に研磨布３２が貼り付けられており、研磨布３２の上方にウェハ保持用テーブル４０が配置されている。また、ウェハ保持用テーブル４０に保持されたＳｉＣウェハ５０が研磨布３２と接触し、研磨布３２とウェハ保持用テーブル４０とによって挟まれている。

このような研磨装置３０を用いて、ＣＭＰ（化学的機械研磨）加工を行う。すなわち、研磨布３２の上に注液器３３が配置されており、この注液器３３から研磨布３２の上に研磨材が含まれた薬液３４を滴下する。そして、ウェハ保持用テーブル４０によってＳｉＣウェハ５０のうち研磨すべき面を研磨布３２に押し付け、研磨布３２の上に薬液３４を滴下しながらウェハ保持用テーブル４０および研磨定盤３１をそれぞれ回転させる。これにより、ＳｉＣウェハ５０を研磨する。

上記ウェハ保持用テーブル４０は、ＳｉＣウェハ５０を研磨布３２に押し付ける加工圧力に耐えられる構成となっている。図７は、上記ＣＭＰ加工に用いられるウェハ保持用テーブル４０の例を示した図である。図７に示されるウェハ保持用テーブル４０は、円柱状のチャックテーブル４１と、バッキング材４２と、ウェハガイド４３とを備えて構成されている。

そして、図７（ａ）に示されるウェハ保持用テーブル４０では、チャックテーブル４１の一端面の外縁部がウェハガイド４３にて一周して囲まれ、ウェハガイド４３で囲まれた領域にバッキング材４２が配置されている。そして、ウェハガイド４３で囲まれた領域であって、バッキング材４２の上にＳｉＣウェハ５０が配置されている。この場合、ＳｉＣウェハ５０のうち研磨される面は、ウェハガイド４３から突出した状態になっている。

また、図７（ｂ）に示されるウェハ保持用テーブル４０では、チャックテーブル４１の上にバッキング材４２が配置され、バッキング材４２のうちチャックテーブル４１とは反対側の面の外縁部がウェハガイド４３にて一周して囲まれている。そして、ウェハガイド４３で囲まれた領域であって、バッキング材４２の上にウェハガイド４３から突出するようにＳｉＣウェハ５０が配置されている。

さらに、図７（ｃ）に示されるウェハ保持用テーブル４０では、図７（ａ）に示されるものに対し、バッキング材４２の上に台座４４が配置され、この台座４４の上にＳｉＣウェハ５０がワックス４５にて固定されている。

上記ウェハガイド４３として、長寿命である樹脂やセラミックスが採用される。すなわち、このウェハガイド４３がＳｉＣウェハ５０の外周部分に配置されていることで、ＳｉＣウェハ５０がウェハ保持用テーブル４０から離れてしまうことを防止している。
特開２００６−１２１１１１号公報 特開２００２−１６０２４号公報

しかしながら、上記従来の技術では、ＳｉＣウェハ５０はダイヤモンドの次に硬いものであり、ＳｉＣウェハ５０を研磨するための研磨材はダイヤモンドが一般的で樹脂やセラミックスで形成されたウェハガイド４３がＳｉＣウェハ５０よりも先に研磨されてしまう。また、特許文献１に記載のメカノケミカル研磨も同様にウェハガイド４３が先に研磨されるという問題がある。このように、ＳｉＣウェハ５０を研磨する場合、ＳｉＣウェハ５０のみを研磨するように選択性を持たせて研磨することができない。

この場合、図７（ａ）、（ｂ）に示されるウェハ保持用テーブル４０をＳｉＣウェハ５０の研磨加工にて何度も行うと、ウェハガイド４３の高さが少しずつ低くなってしまい、研磨布３２の面に平行な方向に対してＳｉＣウェハ５０を保持する力が低下してしまう。これにより、ＳｉＣウェハ５０がテーブルから外れたり不安定な状態で保持されると、加工精度が低下してしまう。

また、図７（ｃ）に示されるウェハ保持用テーブル４０においては、ワックス４５で固定されたＳｉＣウェハ５０がウェハガイド４３から離れているためにウェハ外周領域の研磨速度が速くなって研磨ダレが起こり、すなわちウェハ外周領域がフラットではなくなり、研磨の加工精度が低下してしまう。

本発明は、上記点に鑑み、ウェハ保持用テーブルに設けられるウェハガイドが研磨されてしまうことを防止し、ＳｉＣウェハの研磨の精度を向上させることを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明は、炭化珪素で形成されると共に一面（２１）および他面を有する板状の半導体基板（２０）を研磨する研磨工程は、半導体基板（２０）を研磨するための研磨布（３２）の上方に配置され、半導体基板（２０）を保持すると共に、研磨布（３２）との間で半導体基板（２０）を挟み込むチャックテーブル（１１）と、チャックテーブル（１１）のうち研磨布（３２）に対向する面に設けられると共に半導体基板（２０）の周囲に配置され、少なくとも研磨布（３２）に向けられる部分が炭化珪素で構成されたガイド（１３）とを有する半導体基板保持用テーブル（１０）を用意する工程と、半導体基板（２０）の一面（２１）が研磨布（３２）を向くと共に一面（２１）がガイド（１３）よりも研磨布（３２）側に位置するように、半導体基板保持用テーブル（１０）に半導体基板（２０）を配置する工程と、半導体基板（２０）の一面（２１）を研磨布（３２）に押し付け、ＣＭＰ法またはメカノケミカル法によって半導体基板（２０）の一面（２１）を研磨する工程とを含んでおり、半導体基板保持用テーブル（１０）を用意する工程では、ガイド（１３）として、当該ガイド（１３）のうち研磨布（３２）に対向する部材に単結晶の炭化珪素で前記研磨布（３２）に対向する面の面方位が｛０００１｝面または｛０００１｝面から１°以下に傾斜した面を有する単結晶の炭化珪素を用いることを特徴とする。

これによると、炭化珪素の面方位で最も研磨速度の低い｛０００１｝面をガイド（１３）に用いているため、研磨対象となる半導体基板（２０）の傾斜した面との研磨速度の差を利用して、ガイド（１３）よりも半導体基板（２０）の方を選択的に研磨することができる。これにより、半導体基板（２０）の研磨で、ガイド（１３）が半導体基板（２０）よりも多く削られてしまうことを防止することができ、ガイド（１３）の消耗を防止することができる。すなわち、ガイド（１３）の高さを維持することができるので、研磨布（３２）の面に平行な方向に対して半導体基板（２０）を安定して保持することができ、半導体基板（２０）の加工精度を維持することができる。

また、半導体基板保持用テーブル（１０）に半導体基板（２０）を配置する工程では、半導体基板（２０）を板状の台座（１４）に固定し、この台座（１４）をチャックテーブル（１１）に設置することができる。

これにより、台座（１４）に複数の半導体基板（２０）を設置することができる。したがって、一度に大量の半導体基板（２０）の研磨を行うことができる。

そして、台座（１４）の外周で研磨布（３２）に対向する面にガイド（１３）が設けられたものを用いることができる。

さらに、半導体基板保持用テーブル（１０）を用意する工程では、ガイド（１３）として、半導体基板（２０）を一周して囲むものを用いることができる。これにより、研磨布（３２）の面と平行な方向すべてに同じ保持力を確保することができる。

半導体基板（２０）として、当該半導体基板（２０）の一面（２１）の面方位が｛０００１｝面に対して４°以上傾斜したオフ基板を用いることができる。

例えば、ガイド（１３）となるオフ角が１゜以下の単結晶の炭化珪素と半導体基板（２０）となるオフ角が４゜の単結晶の炭化珪素の研磨速度の比率（半導体基板／ガイド）は４以上となる。また、研磨布（３２）に対向するガイド（１３）の表面位置は半導体基板（２０）の表面位置よりも低いために、研磨布（３２）から受けるガイド（１３）の圧力は半導体基板（２０）の圧力よりも小さい。よって、半導体基板（２０）とガイド（１３）の研磨速度の比率はさらに大きくなり、ガイド（１３）の消耗は抑制される。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る研磨工程に用いられるウェハ保持用テーブル１０の概略断面図である。このウェハ保持用テーブル１０は、図６に示される研磨装置３０に用いることができる。

ウェハ保持用テーブル１０は、ＣＭＰ加工の際にＳｉＣウェハ２０を保持するものであり、チャックテーブル１１と、バッキング材１２と、ウェハガイド１３とを備えて構成されている。

チャックテーブル１１は、円柱状であって、ＳｉＣウェハ２０を保持するものである。また、バッキング材１２は、チャックテーブル１１の上に配置されるシート状の樹脂材である。バッキング材１２は、ＳｉＣウェハ２０を表面基準で加工するための弾性体キャリアを利用して均一な表面除去が期待できるクッション材である。

ウェハガイド１３は、チャックテーブル１１から当該チャックテーブル１１の端面の面方向にＳｉＣウェハ２０が外れてしまわないようにＳｉＣウェハ２０を保持するためのガイドである。このウェハガイド１３は、ＳｉＣウェハ２０の周囲に配置されている。

本実施形態では、ウェハガイド１３は、チャックテーブル１１の一端面の外縁部を一周して囲むリング形状をなしており、外径がチャックテーブル１１の外径と同じになっていると共に、内径がＳｉＣウェハ２０の外径とほぼ同じになっている。すなわち、ウェハガイド１３は、ＳｉＣウェハ２０を一周して囲む形態となっている。

なお、図１に示されるように、ＳｉＣウェハ２０とウェハガイド１３との間には、隙間が設けられている。この隙間は、ＳｉＣウェハ２０のサイズによって異なるが、例えばＳｉＣウェハ２０とウェハガイド１３とが接触する場合もあり得る。当該隙間の有無にかかわらず、ウェハガイド１３はＳｉＣウェハ２０を保持できれば良い。

このようなウェハガイド１３は、第１ガイド部１３ａと第２ガイド部１３ｂとによって構成されている。第１ガイド部１３ａは、チャックテーブル１１の上に配置される部分であり、樹脂やセラミックスで形成されている。

また、第２ガイド部１３ｂは、第１ガイド部１３ａの上に配置されるものであり、ＳｉＣで形成されたものである。すなわち、ウェハガイド１３は、少なくとも、図６に示される研磨装置３０の研磨布３２に対向する部分がＳｉＣウェハ２０と同じ材質、つまり炭化珪素（ＳｉＣ）で形成されている。

デバイスで利用されるオフ角（４°、８°等）の付いたＳｉＣウェハ２０の加工面（Ｓｉ面、Ｃ面）を研磨する場合、第２ガイド部１３ｂとして、研磨布３２に対向する面がＳｉ面で不純物がドーピングされてなく、オフ角が０°のＳｉＣ基板を用いることができる。より詳しくは、第２ガイド部１３ｂとして、第２ガイド部１３ｂのうち研磨布３２に対向する面の面方位が｛０００１｝面、または｛０００１｝面から１°以下に傾斜した面を有する単結晶の炭化珪素で形成されたオン基板を用いる。

なお、ＳｉＣの結晶面は、（０００１）面がＳｉ面、（０００−１）面がＣ面、｛０００１｝面がＳｉ面およびＣ面の両方の面である。

このように、図１に示されるウェハ保持用テーブル１０は、図７（ａ）に示されるウェハ保持用テーブル４０の構成に対して、第２ガイド部１３ｂが設けられた構成となっている。すなわち、ウェハガイド１３の表層のみがＳｉＣで形成されているものと言える。なお、第１ガイド部１３ａをＳｉＣで構成しても良い。つまり、ウェハガイド１３すべてがＳｉＣで形成されたものとすることもできる。この場合、ガイド１３のうち研磨布３２に対向する面の面方位が｛０００１｝面、または｛０００１｝面から１°以下に傾斜した面を有するオン基板を用いる。

そして、ウェハガイド１３の中空部分であってチャックテーブル１１の上にバッキング材１２が配置され、このバッキング材１２の上にＳｉＣウェハ２０が配置される。このように、ＳｉＣウェハ２０がウェハ保持用テーブル１０に配置されると、ＳｉＣウェハ２０のうち研磨すべき一面２１がウェハガイド１３の第２ガイド部１３ｂから突出した状態となる。

すなわち、ＳｉＣウェハ２０のうち第２ガイド部１３ｂから突出した部分が研磨される。したがって、ウェハガイド１３は、研磨によって得られるＳｉＣウェハ２０の厚さを考慮した高さに調節されている。本実施形態の場合、例えばＳｉＣウェハ２０が配置されるバッキング材１２の面と研磨布３２に向けられる第２ガイド部１３ｂの面との高さの差が研磨によって得られるＳｉＣウェハ２０の厚さにする。

以上が、ウェハ保持用テーブル１０の構成である。なお、ＳｉＣウェハ２０は、本発明の半導体基板に相当する。また、ウェハ保持用テーブル１０は本発明の半導体基板保持用テーブルに相当し、ウェハガイド１３は本発明のガイドに相当する。

次に、上記ウェハ保持用テーブル１０を用いた研磨加工について説明する。当該研磨加工においては、図１に示されるウェハ保持用テーブル１０の他に、図６に示される研磨定盤３１、研磨布３２、注液器３３、そして研磨材が含まれた薬液３４を用いる。

ＣＭＰ法による研磨を行うに際し、まず、図１に示されるウェハ保持用テーブル１０を用意する。この場合、ウェハ保持用テーブル１０において、ＳｉＣウェハ２０が高精度に研磨されるように、ウェハガイド１３の高さを最適に調節しておく。

この場合、ＳｉＣウェハ２０として、当該ＳｉＣウェハ２０の一面２１の面方位が｛０００１｝面に対して、例えば４°以上傾斜したオフ基板を用いることができる。

そして、ＳｉＣウェハ２０のうち研磨すべき一面２１の反対側の面をバッキング材１２に向け、バッキング材１２の上であってウェハガイド１３の中空部分にＳｉＣウェハ２０を収納する。これにより、ＳｉＣウェハ２０の一面２１がウェハガイド１３の第２ガイド部１３ｂよりも研磨布３２側に位置した状態となる。

この後、図６に示される研磨装置３０のうち研磨布３２の上にウェハ保持用テーブル１０を配置する。これにより、研磨布３２とウェハ保持用テーブル１０とによってＳｉＣウェハ２０を挟みこむ。

続いて、ウェハ保持用テーブル１０によってＳｉＣウェハ２０を研磨布３２に押し付け、研磨布３２の上に配置した注液器３３から研磨布３２の上に薬液３４を滴下しながらウェハ保持用テーブル１０および研磨定盤３１をそれぞれ回転させる。これにより、ＳｉＣウェハ２０の表面を化学的に、および機械的に研磨する。

この場合、ウェハガイド１３のうち研磨布３２と対向する部分、すなわち第２ガイド部１３ｂは、ＳｉＣウェハ２０と同じ材質であるＳｉＣで形成されたものであるため、第２ガイド部１３ｂがＳｉＣウェハ２０よりも早く削れてしまうことはない。

より具体的には、上述のように研磨対象であるＳｉＣウェハ２０としてオフ基板を用いる場合、オン基板である第２ガイド部１３ｂとオフ基板であるＳｉＣウェハ２０との研磨速度の比率（ＳｉＣウェハ／ガイド部）が、例えば４以上となる。つまり、第２ガイド部１３ｂとＳｉＣウェハ２０との研磨速度の差を利用してＳｉＣウェハ２０を研磨することができる。このため、第２ガイド部１３ｂがＳｉＣウェハ２０よりも削られにくく、ＳｉＣウェハ２０よりも早く削れることはない。

このようにしてＣＭＰ加工されたＳｉＣウェハ２０は、トランジスタやダイオード等の半導体デバイスを形成する工程等を経た後、ＳｉＣウェハ２０をダイシングカットすることで個々のチップに分割する。これにより、炭化珪素半導体装置が完成する。

以上説明したように、本実施形態では、ウェハ保持用テーブル１０において、ＳｉＣウェハ２０を保持するためのウェハガイド１３のうち少なくとも研磨布３２と対向する第２ガイド部１３ｂとして、ＳｉＣウェハ２０と同じ材質であるＳｉＣを用いることが特徴となっている。より具体的には、第２ガイド部１３ｂとして、当該第２ガイド部１３ｂのうち研磨布３２に対向する面の面方位が｛０００１｝面および｛０００１｝面から１°以下に傾斜した面を有するオン基板を用いることが特徴となっている。さらに、｛０００１｝面は、Ｓｉ面である（０００１）面を用いると、Ｃ面である（０００−１）面よりも研磨速度が遅いためよい。

これによると、オン基板はオフ基板であるＳｉＣウェハ２０よりも研磨速度が遅く、第２ガイド部１３ｂはＳｉＣウェハ２０よりも研磨布から受ける圧力が小さいため、ＳｉＣウェハ２０の研磨で、ウェハガイド１３の消耗を抑制できる。このため、ウェハガイド１３を長寿命ガイドとして利用することができる。

また、ウェハガイド１３が削れないようにできるため、ウェハガイド１３の高さを保つことができる。これにより、ウェハガイド１３におけるＳｉＣウェハ２０を保持する力を維持することができ、ＳｉＣウェハ２０を安定に、高精度で研磨することができる。

上述のように、少なくとも、ウェハガイド１３の第２ガイド部１３ｂはＳｉＣで形成され、劣化が小さいため、研磨に何度も使用することができる。

そして、ウェハガイド１３として、ＳｉＣウェハ２０を一周して囲むリング状のものを用いることで、ＳｉＣウェハ２０を保持するに際し、研磨布３２の面方向すべてに同じ保持力を確保することができる。すなわち、ＳｉＣウェハ２０が安定して保持されるようにすることができる。

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図２は、本実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法に用いられるウェハ保持用テーブルの概略断面図である。この図に示されるように、チャックテーブル１１の上にバッキング材１２が配置され、このバッキング材１２の上にウェハガイド１３が配置されている。この場合、研磨後にＳｉＣウェハ２０が精度よく研磨できるようにバッキング材１２の一面を基準にして、ウェハガイド１３の高さ調節が行われる。このように、バッキング材１２の上にウェハガイド１３を設けることもできる。

（第３実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図３は、本実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法に用いられるウェハ保持用テーブルの概略断面図である。この図に示されるように、ウェハ保持用テーブル１０には、バッキング材１２の上に台座１４が設けられており、この台座１４の上にＳｉＣウェハ２０がワックス１５で固定されている。この場合、台座１４に設置されたＳｉＣウェハ２０が精度よく研磨できるように、ウェハガイド１３の高さ調節が行われる。

これにより、ウェハガイド１３によってＳｉＣウェハ２０の一面２１に不均一に力が加わることがないため、研磨精度の悪化を抑制することができ、加工品質を向上させることができる。

上記のように、台座１４にＳｉＣウェハ２０を固定する場合、１つの台座１４に複数のＳｉＣウェハ２０を固定することができるため、大量のＳｉＣウェハ２０を同時に研磨する場合に有効である。

（第４実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図４は、本実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法に用いられるウェハ保持用テーブルの概略断面図である。この図に示されるように、ウェハ保持用テーブル１０は、チャックテーブル１１の外縁部に土手部１６が設けられており、この土手部１６で囲まれた部分にバッキング材１２が配置されている。

また、バッキング材１２の上に台座１４が配置され、この台座１４の外縁部にウェハガイド１３が配置されている。本実施形態では、ウェハガイド１３に囲まれた領域にワックス１５にてＳｉＣウェハ２０が固定されている。本実施形態においても、研磨後のＳｉＣウェハ２０が高精度に研磨されるように、ウェハガイド１３の高さ調節が行われている。

このように、台座１４にウェハガイド１３を設けることもできる。これによると、チャックテーブル１１から容易に台座１４を取り外すことができる。すなわち、チャックテーブル１１に土手部１６が設けられたものを共通の部材とすることができ、ウェハガイド１３の交換やＳｉＣウェハ２０の交換を台座１４の単位で行うことができる。

なお、図４では、ＳｉＣウェハ２０とウェハガイド１３とが接触しているが、図１に示されるように、ＳｉＣウェハ２０とウェハガイド１３との間に隙間があっても良い。

（他の実施形態）
上記各実施形態では、チャックテーブル１１の上にバッキング材１２を配置しているが、例えばチャックテーブル１１からエアーを吹き出させてウェハガイド１３に対するＳｉＣウェハ２０の位置を調節することもできる。逆に、チャックテーブル１１からエアーを吸い込んで、ＳｉＣウェハ２０、台座１４を吸着することもできる。

上記各実施形態では、ウェハ保持用テーブル１０にバッキング材１２が備えられているが、バッキング材１２は必須のものではなく、ウェハ保持用テーブル１０に備えられていなくても良い。

第４実施形態では、１枚のＳｉＣウェハ２０を台座１４に固定する場合について説明したが、第３実施形態と同様に、台座１４に複数のＳｉＣウェハ２０を固定しても良い。

上記各実施形態では、ＳｉＣウェハ２０を保持するものとして、ウェハガイド１３を用いていたが、リテーナリングを用いることもできる。リテーナリングは、ウェハガイド１３と同じものであり、研磨加工中にＳｉＣウェハ２０がウェハ保持用テーブル１０から外れることを防止することと加工面の均一性を確保するために利用されるものである。また、表面基準を維持するためのものはバッキング材１２の保持だけでなくエアーバック等にも適用できるものである。なお、リテーナリングは、ウェハガイド１３と同様に本発明のガイドに相当するものである。

また、図５に示されるように、ウェハガイド１３は、ＳｉＣウェハ２０の一周全てを囲むだけでなく間隔をあけた状態でもＳｉＣウェハ２０からの距離が一定でＳｉＣウェハ２０を保持できるものであれば良い。

なお、結晶の方位を示す場合、本来ならば所望の数字の上にバー（−）を付すべきであるが、パソコン出願に基づく表現上の制限が存在するため、本明細書においては、所望の数字の前にバーを付すものとする。

本発明の第１実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法に用いられるウェハ保持用テーブルの概略断面図である。 本発明の第２実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法に用いられるウェハ保持用テーブルの概略断面図である。 本発明の第３実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法に用いられるウェハ保持用テーブルの概略断面図である。 本発明の第４実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法に用いられるウェハ保持用テーブルの概略断面図である。 他の実施形態において、ウェハガイドの一例を示した図である。 従来の研磨加工の方法を示した図である。 従来において、ＣＭＰ加工に用いられるウェハ保持用テーブルの例を示した図である。

符号の説明

１０…ウェハ保持用テーブル、１１…チャックテーブル、１３…ウェハガイド、１４…台座、２０…半導体基板としてのＳｉＣウェハ、２１…ＳｉＣウェハの一面、３２…研磨布。

Claims (5)

1. 炭化珪素で形成されると共に一面（２１）および他面を有する板状の半導体基板（２０）を研磨する研磨工程を含んだ炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
   前記研磨工程は、
   前記半導体基板（２０）を研磨するための研磨布（３２）の上方に配置され、前記半導体基板（２０）を保持すると共に、前記研磨布（３２）との間で前記半導体基板（２０）を挟み込むチャックテーブル（１１）と、
   前記チャックテーブル（１１）のうち前記研磨布（３２）に対向する面に設けられると共に前記半導体基板（２０）の周囲に配置され、少なくとも前記研磨布（３２）に向けられる部分が炭化珪素で構成されたガイド（１３）とを有する半導体基板保持用テーブル（１０）を用意する工程と、
   前記半導体基板（２０）の一面（２１）が前記研磨布（３２）を向くと共に前記一面（２１）が前記ガイド（１３）よりも前記研磨布（３２）側に位置するように、前記半導体基板保持用テーブル（１０）に前記半導体基板（２０）を配置する工程と、
   前記半導体基板（２０）の一面（２１）を前記研磨布（３２）に押し付け、ＣＭＰ法またはメカノケミカル法によって前記半導体基板（２０）の一面（２１）を研磨する工程とを含んでおり、
   前記半導体基板保持用テーブル（１０）を用意する工程では、前記ガイド（１３）として、当該ガイド（１３）のうち前記研磨布（３２）に対向する部材に単結晶の炭化珪素で前記研磨布（３２）に対向する面の面方位が｛０００１｝面、または｛０００１｝面から１°以下に傾斜した面を有する単結晶の炭化珪素を用いることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
2. 前記半導体基板保持用テーブル（１０）に前記半導体基板（２０）を配置する工程では、前記半導体基板（２０）を板状の台座（１４）に固定し、この台座（１４）を前記チャックテーブル（１１）に設置することを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
3. 前記半導体基板保持用テーブル（１０）に前記半導体基板（２０）を配置する工程では、前記台座（１４）のうち前記研磨布（３２）に対向する面にガイド（１３）が設けられたものを用いることを特徴とする請求項２に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
4. 前記半導体基板保持用テーブル（１０）を用意する工程では、前記ガイド（１３）として、前記半導体基板（２０）を一周して囲むものを用いることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
5. 前記半導体基板（２０）として、当該半導体基板（２０）の一面（２１）の面方位が｛０００１｝面に対して１°以上傾斜したオフ基板を用いることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。

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