JP2008528435A - 微孔質結晶性ゼオライト物質(ゼオライトitq−32)、該物質の製造法および該物質の使用 - Google Patents

微孔質結晶性ゼオライト物質(ゼオライトitq−32)、該物質の製造法および該物質の使用 Download PDF

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Abstract

本発明は、焼成された状態であって、シラノールの存在によって発現する結晶格子中の欠陥が存在しない状態で下記の実験式によって表される微孔質結晶性ゼオライト物質に関する:
x(M1/nXO):yYO:SiO
(式中、MはH、少なくとも1種の+n価の無機カチオン及びこれらの混合物から選択されるカチオンを示し、Xは+3の酸化状態の少なくとも1種の化学元素を示し、Yは+4の酸化状態の少なくとも1種の化学元素(但し、Siは除く)を示し、xは0〜0.2の値を示し、yは0〜0.1の値を示す。)。該ゼオライト物質は、合成されたときの状態及び焼成された状態において、ITQ−32として知られている特徴的なX線回折図形を示す。本発明は、該ゼオライト物質の製造法及び該ゼオライト物質の使用にも関する。

Description

本発明は、有機化合物の変換、吸着及び分離用の触媒または触媒成分として有用な微孔質結晶性ゼオライト物質の技術分野に属する。
ゼオライトはTO四面体の結晶格子によって形成される微孔質の結晶性物質であり、該四面体は、分子サイズの溝(channel)および/または空洞(cavity)を有する3次元的構造をもたらす全ての頂点を共有する。これらの組成は可変的であり、Tは一般に形式酸化状態が+3または+4の原子、例えば、Si、Ge、Ti、Al、B、Ga等を示す。T原子のいずれかが+4よりも小さい酸化状態にあるときには、形成される結晶格子は負の荷電を示し、該荷電は該溝もしくは空洞内の有機もしくは無機カチオンの存在によって補償される。有機分子およびHOもこの種の溝と空洞内に収容されるので、一般に、ゼオライトの化学組成は次の実験式によって表示することができる。
x(M1/nXO):yYO:zR:wH
式中、Mは荷電+nの1もしくは複数の有機もしくは無機カチオンを示し、Xは1もしくは複数の3価元素を示し、Yは1もしくは複数の4価元素(一般的にはSi)を示し、Rは1もしくは複数の有機物質を示す。M、X、YおよびRの特性、並びにx、y、zおよびwの値は合成後の処理によって変化させることができるが、合成後もしくはその後の焼成処理に付した後のゼオライトの化学組成は、各々のゼオライトおよびその調製法に応じて幅のある特性を示す。
溝と空洞の特有の系を有する結晶性構造は特徴的なX線回折図形を示し、これによって該構造を相互に区別することができる。
多くのゼオライトは、構造規定剤(structure directing agent;SDA)として作用する有機分子の存在下で合成されている。SDAとして作用する有機分子は一般にその組成中に窒素を含んでおり、反応媒体中においては安定な有機カチオンを生成させることができる。
ゼオライトの合成中における前駆体種の移動化(mobilisation)は、SDA自体の水酸化物(例えば、ゼオライトZSM−5の場合は、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド)として導入することができる塩基性媒体とOH基の存在下でおこなうことができる。ゼオライトの合成においては、フッ化物イオンも移動化剤として作用する。例えば、ヨーロッパ特許EP−A−337479号明細書には、ゼオライトZSM−5の合成のためにシリカの移動化剤として、低いpHのHO中においてHFを使用することが記載されている。
本発明は、新規な微孔質結晶性ゼオライト物質を提供するためになされたものであって、「ゼオライトITQ−32」及びその製造法に関する。このゼオライト物質は、焼成状態及び焼成処理に付さない合成後の状態において、他の既知のゼオライト物質の場合とは異なるX線回折図形を示す。従って、該X線回折図形はこの新規なゼオライト物質の特徴である。
まず第1に、本発明は、
(1)焼成された状態であって、シラノールの存在によって発現する結晶格子中の欠陥が存在しない状態で下記の実験式によって表されること、及び
(2)合成後の状態において、少なくとも下記の表Iに示す角度2θ(度)と相対強度(I/I)を有するX線回折図形を示すこと
を特徴とする微孔質結晶性ゼオライト物質に関する:
x(M1/nXO):yYO:SiO
式中、MはH、少なくとも1種の+n価の無機カチオン及びこれらの混合物から選択されるカチオンを示し、Xは+3の酸化状態の少なくとも1種の化学元素を示し、Yは+4の酸化状態の少なくとも1種の化学元素(但し、Siは除く)を示し、xは0〜0.2の値を示し、yは0〜0.1の値を示す。
Figure 2008528435
表中、Iは最も強いピークの強度(100の値が帰属される)を示し、wは弱い相対強度(0〜20%)を示し、mは中間の相対強度(20〜40%)を示し、sは強い相対強度(40〜60%)を示し、vsは非常に強い相対強度(60〜100%)を示す。
本発明による微孔質結晶性ゼオライト物質は、内部に吸蔵された有機化合物を除去するための焼成処理に付した後においては、少なくとも下記の表IIに示す角度2θ(度)と相対強度(I/I)を有するX線回折図形を示す(表中のw、m、s及びvsは前記と同意義である):
Figure 2008528435
Xは、好ましくは、Al、Ga、B、Fe、Cr及びこれらの混合物から選択され、また、Yは、Ge、Ti、Sn、V及びこれらの混合物から選択される。前記の実験式において、xは、好ましくは、0.1未満の値を示し、yは、好ましくは、0.05未満の値を示す。
本発明の好ましい実施態様によれば、焼成された状態であって、シラノールの存在によって発現する結晶格子中の欠陥が存在しない状態においては、微孔質結晶性ゼオライト物質は下記の実験式によって表される:
x(M1/nXO):yYO:SiO
式中、MはH、少なくとも1種の+n価の無機カチオン(好ましくは、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン及びこれらの混合カチオン)及びこれらの混合物から選択されるカチオンを示し、Xは、Al、Ga、B、Fe、Cr及びこれらの混合物から選択される+3の酸化状態の少なくとも1種の化学元素を示し、Yは、Ge、Ti、Sn、V及びこれらの混合物から選択される+4の酸化状態の少なくとも1種の化学元素(但し、Siは除く)を示し、xは0〜0.1の値を示し、yは0〜0.05の値を示す。
また、該ゼオライト物質は、合成後の状態においては少なくとも前記の表Iに示す角度2θ(度)と相対強度(I/I)を有するX線回折図形を示し、また、焼成された状態においては、少なくとも前記の表IIに示す角度2θ(度)と相対強度(I/I)を有するX線回折図形を示す。
本発明の特に好ましい実施態様によれば、微孔質結晶性ゼオライト物質ITQ−32は純粋なシリカである(即ち、前記の一般式において、x及びyは0である)。
本発明の別の特に好ましい実施態様によれば、微孔質結晶性ゼオライト物質ITQ−32は、前記の一般式において、XがAl又はBを示し、yが0を示すゼオライト物質である。
本発明の別の特に好ましい実施態様によれば、微孔質結晶性ゼオライト物質ITQ−32は、前記の一般式において、YがTi又はSnを示し、xが0を示すゼオライト物質である。
本発明の特に好ましい実施態様によれば、微孔質結晶性ゼオライト物質ITQ−32は、前記の一般式において、XがAl又はBを示し、YがTi又はSnを示すゼオライト物質である。
ITQ−32のX線回折図形は、固定発散スリット(1/8度)及びCuからのKα放射線を使用する粉体法によって測定した。ゼオライトITQ−32の試料に関して単一線又は個別線として示した回折データは、反射の多重的な重なり合った線から成ることがあることに留意すべきである。このような重なり合った線は、特定の条件下(例えば、結晶学的変化が相違する条件下)においては、分割線又は部分的分割線として出現することがある。一般に、結晶学的変化は、各々の単位格子のパラメータに対して小さな変化をもたらすに過ぎず、及び/又は結晶の対称性における変化は構造的変化をもたらさない。従って、回折ピークの位置、幅及び相対強度は、ゼオライト物質の化学的組成並びに水和度及び結晶サイズに関する特定の尺度によって左右される。
特に、結晶格子がケイ素とアルミニウムの酸化物のみから構成されるゼオライトITQ−32であって(Si/Alのモル比=36)、フッ化物アニオンの存在下において構造規定剤として第4級アンモニウムカチオンであるN,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウムを用いて合成された該ゼオライトは、合成後の状態において、図1に示すX線回折図形を示す。この回折図形は、表IIIに示す2θ(度)の値と相対強度(I/I)によって特徴付けられる。表III中の「w」、「m」、「s」及び「vs」は表Iの場合と同意義である。
Figure 2008528435
上記のITQ−32試料の内部に吸蔵された有機化合物を除去するために580℃での焼成処理に付した後の該試料のX線回折図形を図2に示す。この回折図形は、表IVに示す2θ(度)の値と相対強度(I/I)によって特徴付けられる。表IV中の「w」、「m」、「s」及び「vs」は表Iの場合と同意義である。ゼオライトITQ−32の合成後の状態のX線回折図形と焼成された状態のX線回折図形を比較すれば明らかなように、該ゼオライトは非常に大きな熱安定性を示す。
Figure 2008528435
第2に、本発明は、微孔質結晶性物質ITQ−32の合成方法であって、
(1)1種又は複数種のSiO源、1種又は複数種の有機カチオンR源、1種又は複数種のフッ化物イオン源及び水を少なくとも含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで加熱すること、及び
(2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする該合成方法に関する:
ROH/SiO=0.01〜1.0、
F/SiO=0.1〜3.0、及び
O/SiO=1〜50。
本発明による上記の合成方法の特定の実施態様によれば、該合成方法は、
(1)1種又は複数種のSiO源、1種又は複数種の有機カチオンR源、1種又は複数種のフッ化物イオン源及び水のみを含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで加熱すること、及び
(2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする:
ROH/SiO=0.01〜1.0、
F/SiO=0.1〜3.0、及び
O/SiO=1〜50。
本発明による上記の合成方法の別の特定の実施態様によれば、該合成方法は、
(1)反応混合物が1種又は複数種の3価元素X源をさらに含有すること、及び
(2)反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする:
ROH/SiO=0.01〜1.0、
/SiO=0〜0.1(0を除く)、
F/SiO=0.1〜3.0、及び
O/SiO=1〜50。
本発明による上記の合成方法の別の特定の実施態様によれば、該合成方法は、
(1)反応混合物が1種又は複数種の4価元素Y源(Siを除く)をさらに含有すること、及び
(2)反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする:
ROH/SiO=0.01〜1.0、
YO/SiO=0〜0.1(0を除く)、
F/SiO=0.1〜3.0、及び
O/SiO=1〜50。
本発明による上記の合成方法の別の特定の実施態様によれば、該合成方法は、
(1)反応混合物が1種又は複数種の3価元素X源及び1種又は複数種の4価元素Y源(Siを除く)をさらに含有すること、及び
(2)反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする:
ROH/SiO=0.01〜1.0、
/SiO=0〜0.1(0を除く)、
YO/SiO=0〜0.1(0を除く)、
F/SiO=0.1〜3.0、及び
O/SiO=1〜50。
本発明による上記の合成方法の別の特定の実施態様によれば、該合成方法は、
(1)i)SiO源、ii)Si以外の1種又は複数種の4価元素Yであって、Ge、Ti、V、Sn及びこれらの混合物から選択される4価元素Y源、iii)1種又は複数種の3価元素Xであって、Al、B、Ga、Fe、Cr及びこれらの混合物から選択される3価元素X源、iv)+n価の無機カチオンMであって、H、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選択される少なくとも1種の+n価の無機カチオン並びにこれらの混合カチオンから選択される無機カチオンM源、v)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、vi)フッ化物イオン源、及びvii)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
(2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする:
ROH/SiO=0.01〜1.0、
1/nOH/SIO=0〜1.0(0を除く)、
/SiO=0〜0.1(0を除く)、
YO/SiO=0〜0.1(0を除く)、
F/SiO=0.1〜3.0、及び
O/SiO=1〜50。
本発明による上記の合成方法の好ましい特定の実施態様によれば、該合成方法は、
(1)i)SiO源、ii)Si以外の1種又は複数種の4価元素Yであって、Ge、Ti、V、Sn及びこれらの混合物から選択される4価元素Y源、iii)1種又は複数種の3価元素Xであって、Al、B、Ga、Fe、Cr及びこれらの混合物から選択される3価元素X源、iv)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、v)フッ化物イオン源、及びvi)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
(2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする:
ROH/SiO=0.1〜1.0、
/SiO=0〜0.05(0を除く)、
YO/SiO=0〜0.05(0を除く)、
F/SiO=0.1〜2.0、及び
O/SiO=1〜20。
本発明による上記の合成方法の好ましい特定の実施態様によれば、該合成方法は、
(1)i)SiO源、ii)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、iii)フッ化物イオン源、及びiv)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
(2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする:
ROH/SiO=0.01〜1.0、
F/SiO=0.1〜3.0、及び
O/SiO=1〜50。
本発明による上記の合成方法の好ましい特定の実施態様によれば、該合成方法は、
(1)i)SiO源、ii)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、iii)フッ化物イオン源、及びiv)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
(2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする:
ROH/SiO=0.1〜1.0、
F/SiO=0.1〜2.0、及び
O/SiO=1〜20。
本発明による上記の合成方法の別の好ましい特定の実施態様によれば、該合成方法は、
(1)i)SiO源、ii)1種又は複数種の3価元素Xであって、Al、B、Ga、Fe、Cr及びこれらの混合物から選択される3価元素X源、iii)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、iv)フッ化物イオン源、及びv)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
(2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする:
ROH/SiO=0.01〜1.0、
/SiO=0〜0.1(0を除く)、
F/SiO=0.1〜3.0、及び
O/SiO=1〜50。
本発明による上記の合成方法の好ましい特定の実施態様によれば、該合成方法は、
(1)i)SiO源、ii)1種又は複数種の3価元素Xであって、Al、B、Ga、Fe、Cr及びこれらの混合物から選択される3価元素X源、iii)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、iv)フッ化物イオン源、及びv)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
(2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする:
ROH/SiO=0.1〜1.0、
/SiO=0〜0.05(0を除く)、
F/SiO=0.1〜2.0、及び
O/SiO=1〜20。
本発明による上記の合成方法の別の好ましい特定の実施態様によれば、該合成方法は、
(1)i)SiO源、ii)Si以外の1種又は複数種の4価元素Yであって、Ge、Ti、V、Sn及びこれらの混合物から選択される4価元素Y源、iii)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、iv)フッ化物イオン源、及びv)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
(2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする:
ROH/SiO=0.01〜1.0、
YO/SiO=0〜0.1(0を除く)、
F/SiO=0.1〜3.0、及び
O/SiO=1〜50。
本発明による上記の合成方法の好ましい特定の実施態様によれば、該合成方法は、
(1)i)SiO源、ii)Si以外の1種又は複数種の4価元素Yであって、Ge、Ti、V、Sn及びこれらの混合物から選択される4価元素Y源、iii)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、iv)フッ化物イオン源、及びv)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
(2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする:
ROH/SiO=0.1〜1.0、
YO/SiO=0〜0.05(0を除く)、
F/SiO=0.1〜2.0、及び
O/SiO=1〜20。
ゼオライト物質ITQ−32を得るための上記反応混合物の組成は、一般的には下記のモル比で表示されるパラメータr、s、t、u、v及びwを有する式で表される:
rROH:sM1/nOH:tX:uYO:vF:SiO:wH
式中、Mは1種又は複数種の+n価の無機カチオンM(好ましくはアルカリ金属又はアルカリ土類金属)を示し、Xは1種又は複数種の3価元素(好ましくはAl、B、Ga、Fe、Cr及びこれらの混合物)を示し、YはSi以外の1種又は複数種の4価元素(好ましくはGe、Ti、V、Sn及びこれらの混合物)を示し、Rは1種又は複数種の有機カチオン(好ましくはN,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウム)を示し、Fは1種又は複数種のフッ化物イオン源(好ましくはHF、NHF及びこれらの混合物)を示し、また、r、s、t、u、v及びwの値は次の通りである:
r=ROH/SiO=0.01〜1.0(好ましくは0.1〜1.0)、
s=M1/nOH/SiO=0〜1.0(好ましくは0〜0.2)、
t=X/SiO=0〜0.1(好ましくは0〜0.05)、
u=YO/SiO=0〜0.1(好ましくは0〜0.05)、
v=F/SiO=0.1〜3.0(好ましくは0.1〜2.0)、及び
w=HO/SiO=1〜50(好ましくは1〜20)。
合成用反応混合物の成分は異なる原料に由来してもよく、該原料に応じて、結晶化の時間と条件を変化させることができる。
反応混合物の加熱処理は、好ましくは130℃〜200℃の温度でおこなう。反応混合物の加熱処理は静的におこなってもよく、あるいは撹拌下でおこなってもよい。結晶化が完了した後、固体状生成物を濾過処理又は遠心分離処理によって分離した後、乾燥処理に付す。次いで、乾燥した生成物を350℃よりも高い温度(好ましくは400℃〜1000℃)での焼成処理に付すことにより、ゼオライトの内部及び出口に吸蔵された有機残存物を分解させることによって、ゼオライトの溝の内部を空白にする。
SiO源としてはテトラエチルオルトシリケート、コロイドシリカ、非晶質シリカおよびこれらの混合物を使用してもよい。
フッ化物アニオンは、前駆体種に対する易動化剤(mobilising agent)として使用される。好ましいフッ化物イオン源はHF、NHF及びこれらの混合物である。
1種又は複数種の有機カチオンRは、好ましくは塩の形態(例えば、ハロゲン化物)又は水酸化物の形態で反応混合物中へ添加される。アルカリ金属源、アルカリ土類金属源又はこれらの混合物(M)は、水酸化物又は塩の形態で使用してもよい。
好ましい態様においては、有機カチオンRはN,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムである。これらの有機カチオンは水酸化物、その他の塩、又は水酸化物とその他の塩(好ましくはハロゲン化物)との混合物として反応混合物中へ添加される。
有機カチオンN,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウムは下記の反応式に従って合成される。
Figure 2008528435
上記の反応式において、光化学的に誘発されるN−メチルマレイミド(生成物A)の付加環化反応をおこなうことによって、対応するジイミド(生成物B)が得られる。このジイミドをLiAlHで還元することによってジアミン(生成物C)が得られる。このジアミンを4級化することによってN,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウムのヨウ化物(生成物D)が得られる。
下記の化学式で表される有機カチオン4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムは、ヨウ化メチルを用いるN−シクロヘキシルピペラジンのアルキル化によって得られる。
Figure 2008528435
上記合成法の特定の実施態様によれば、本発明による結晶性物質ITQ−32を結晶化促進剤として、反応混合物中へ添加される。添加量は、反応混合物中へ添加される無機酸化物の全重量に対して、0.01〜20重量%(好ましくは0.05〜10重量%)である。
さらに、本発明の合成法によって得られるゼオライト物質は、既知の技法によってペレット化することができ、該ペレットは有機化合物の変換反応用の触媒又は触媒成分として使用することができ、また、有機化合物の吸着過程及び分離過程において吸着剤として使用することができる。
上記の用途に供するためには、好ましくは、ゼオライト物質ITQ−32を焼成処理に付すことによって、内部に吸蔵された有機物を除去する。
触媒の分野での使用に供する場合、ゼオライト物質ITQ−32は酸性形態にすることができ、及び/又は適当なカチオン、例えば、H又はアルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタニド系列元素及びこれらの混合物から選択される+n価の無機カチオン等で交換された形態にすることができる。
吸着/分離過程において使用されるITQ−32は純粋なケイ質状態(即ち、組成中にケイ素と酸素以外の元素を含まない状態)で調製することができる。
図1は、実施例3で得られた合成後のITQ−32のX線回折図形の最も特徴的なピーク群を示す。
図2は、実施例3で得られたITQ−32の焼成後のX線回折図形の最も特徴的なピーク群を示す。
以下、本発明を実施例によって例示的に説明する。
実施例1
この実施例においては、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウムジヒドロキシドの調製について説明する。この有機カチオンは次のようにして調製した。N−メチルマレイミド2.0g(18.0mmol)をCHCN(450ml)に溶解させた溶液を10本のパイレックス(登録商標)ガラス製試験管内へ分けて入れた。この溶液中へN気流を15分間通して泡立たせた後、連続的な撹拌下において、高圧Hgランプ(200<λ<900mm)を用いる照射処理に9時間付した。次いで、処理溶液を真空下で濃縮させることによって、対応するジイミドを定量的に得た。
ジイミドの還元
得られたジイミド11.8g(53.2mmol)を、無水ジエチルエーテル(300ml)中へLiAlH(10.1g;265.9mmol)を懸濁させて0℃に冷却させた懸濁液中へ、N雰囲気下において添加した。得られた混合物を8時間還流させた後、連続的な撹拌下において、室温で一夜放置した。得られた粗生成物を氷浴中へ導入し、次いで、該氷浴中へHO(3ml)、15%NaOH溶液(5ml)及びHO(3ml)を順次ゆっくりと添加した。室温で連続的な撹拌処理を30分間おこなった後、得られた混合物を濾過処理に付し、濾液をジエチルエーテルによる抽出処理に付した。有機相を、NaSOを用いる乾燥処理に付した後、真空下での濃縮処理に付すことによって対応するジアミンを5.6g得た(収率:63%)。
ジアミンの4級化
得られたジアミン8.6g(51.9mmol)をMeOH(70ml)に溶解させた溶液中へCHI(80ml;1285.4mmol)を添加した。得られた混合物を、連続的な撹拌下において、室温で72時間保持した後、当量のCHIを添加し、さらに撹拌処理を72時間続行した。次いで、得られた混合物を、乾燥状態に至らないまで、真空下で濃縮させた。濃縮物へジエチルエーテルを添加することによって沈殿物を生成させた。得られた沈殿物を真空濾過処理に付すことによって4級アンモニウム塩20.8g得た(収率:89%)。この固体状生成物の特性を元素分析、H−NMR及び13C−NMRにより分析することによって、該生成物がN,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウムカチオンのヨウ化物(RI)であることを確認した。
得られたカチオンのヨウ化物を、下記の手順により、イオン交換樹脂を用いて水酸化物へ変換させた。カチオンのヨウ化物(RI)20g(44mmol)を水に溶解させた。「Dowex SBR」樹脂89gを該水溶液中へ添加し、得られた混合物を翌日まで撹拌処理に付した。次いで濾過処理と蒸留水を用いる洗浄処理をおこなうことによって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウムジヒドロキシド[R(OH)]の溶液を得た。該溶液を、HCl水溶液を用いて滴定したところ(指示薬:フェノールフタレイン)、交換効率は90%よりも高かった。最終的な溶液は、該溶液1000gあたり0.47当量のヒドロキシドを含有した。
実施例2
この実施例においては、4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムの調製について説明する。丸底フラスコ内へN−シクロヘキシルピペラジン15g(89mmol)及びKCO(12.3g;89mmol)を入れ、該混合物を約300mlのアセトンに溶解させた。該溶液中へヨウ化メチル51g(359mmol)をゆっくりと添加した後、室温下での撹拌処理に24時間付した。次いで、ロータベーパー(rotavapor)を用いて溶剤を除去し、ジエチルエーテルを添加した。得られた固体を、ソックスレー抽出器を用いる抽出処理に一夜付した(抽出溶剤:クロロホルム)。得られた懸濁液を、ロータベーパーを用いる濃縮処理に付した後、該濃縮物へジエチルエーテルを添加することによって沈殿物(塩)を生成させた。この沈殿物を濾過処理によって捕集した後、ジエチルエーテルを用いて十分に洗浄し、次いで真空下で乾燥させた(収率:>90%)。この固体状生成物の特性を元素分析、H−NMR及び13C−NMRにより分析することによって、該生成物が4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムカチオンのヨウ化物(R’I)であることを確認した。
得られたカチオンのヨウ化物を、下記の手順により、イオン交換樹脂を用いて水酸化物へ変換させた。カチオンのヨウ化物(R’I)20g(62mmol)を水に溶解させた。「Dowex SBR」樹脂62gを該水溶液中へ添加し、得られた混合物を翌日まで撹拌処理に付した。次いで濾過処理と蒸留水を用いる洗浄処理をおこなうことによって、4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムヒドロキシド(R’OH) の溶液を得た。該溶液を、HCl水溶液を用いて滴定したところ(指示薬:フェノールフタレイン)、交換効率は90%よりも高かった。最終的な溶液は、該溶液1000gあたり1当量のヒドロキシドを含有する。
実施例3
この実施例においては、ゼオライトITQ−32の調製例について説明する。Alイソプロポキシド0.081gを、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)4.13g及びN,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウムジヒドロキシド[R(OH)]溶液(該溶液1000g中のヒドロキシドの含有量:0.47当量)21.51gと混合した。TEOSの加水分解に由来するエタノールが完全に除去されると共に、所定の最終組成をもたらすのに必要な量の水が除去されるまで、該混合物を撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、蒸発処理後の残存物へフッ化水素酸溶液(HF:50重量%)0.40gを添加した。得られたゲルの組成は下記の通りである:
SiO:0.01Al:0.25R(OH):0.5HF:7H
得られた混合物を、ポリテトラフルオロエチレンで内張したオートクレーブ内へ導入し、次いで回転装置を備えたストーブ内において、175℃で14日間加熱した。固体状生成物を濾取し、蒸留水を用いて洗浄した後、100℃での乾燥処理に付して得られた生成物のX線回折図形を図1に示す。図中の最も特徴的なピーク群に関するデータを表IIIに示す。この生成物を空気中における580℃で3時間の焼成処理に付すことによって、該生成物に吸蔵された有機種を除去した。この焼成処理に付したゼオライトITQ−32のX線回折図形を図2に示す。図中の最も特徴的なピーク群に関するデータを表IVに示す。これらのデータから明らかなように、該ゼオライトは焼成処理中において安定であった。
実施例4
この実施例においては、ゼオライトITQ−32の調製例について説明する。Alイソプロポキシド0.196gを、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)4g及びN,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウムジヒドロキシド[R(OH)]溶液(該溶液1000g中のヒドロキシドの含有量:0.47当量)21.44gと混合した。TEOSの加水分解に由来するエタノールが完全に除去されると共に、所定の最終組成をもたらすのに必要な量の水が除去されるまで、該混合物を撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、蒸発処理後の残存物へフッ化水素酸溶液(HF:50重量%)0.40gを添加した。得られたゲルの組成は下記の通りである:
SiO:0.025Al:0.26R(OH):0.52HF:7H
得られた混合物を、ポリテトラフルオロエチレンで内張したオートクレーブ内へ導入し、次いで回転装置を備えたストーブ内において、175℃で20日間加熱した。固体状生成物を濾取し、蒸留水を用いて洗浄した後、100℃での乾燥処理に付して得られた生成物はITQ−32であった。
実施例5
この実施例においては、ゼオライトITQ−32の調製例について説明する。Alイソプロポキシド0.151gを、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)7.88g及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムヒドロキシド(R’OH) の溶液(該溶液1000g中のヒドロキシドの含有量:1当量)20.08gと混合した。TEOSの加水分解に由来するエタノールが完全に除去されると共に、所定の最終組成をもたらすのに必要な量の水が除去されるまで、該混合物を撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、蒸発処理後の残存物へフッ化水素酸溶液(HF:50重量%)0.80gを添加した。得られたゲルの組成は下記の通りである:
SiO:0.01Al:0.54R’OH:0.54HF:7H
得られた混合物を、ポリテトラフルオロエチレンで内張したオートクレーブ内へ導入し、次いで回転装置を備えたストーブ内において、175℃で6日間加熱した。固体状生成物を濾取し、蒸留水を用いて洗浄した後、100℃での乾燥処理に付して得られた生成物はITQ−32であった。
実施例6
この実施例においては、ゼオライトITQ−32の調製例について説明する。テトラエチルオルトシリケート(TEOS)7.86g及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムヒドロキシド(R’OH)の溶液(該溶液1000g中のヒドロキシドの含有量:1当量)20gと混合した。TEOSの加水分解に由来するエタノールが完全に除去されると共に、所定の最終組成をもたらすのに必要な量の水が除去されるまで、該混合物を撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、蒸発処理後の残存物へフッ化水素酸溶液(HF:50重量%)0.80g及び実施例5に記載のようにして調製したゼオライトITQ−32(0.22g)の懸濁液を添加した。得られたゲルの組成は下記の通りである:
SiO:0.54R’OH:0.54HF:7H
得られた混合物を、ポリテトラフルオロエチレンで内張したオートクレーブ内へ導入し、次いで回転装置を備えたストーブ内において、175℃で2日間加熱した。固体状生成物を濾取し、蒸留水を用いて洗浄した後、100℃での乾燥処理に付して得られた生成物はITQ−32であった。
実施例7
この実施例においては、ゼオライトITQ−32の調製例について説明する。Alイソプロポキシド0.099g及びTi(IV)テトラエトキシド(TiTEO)0.055gを、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)5g及びN,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウムジヒドロキシド[R(OH)]溶液(該溶液1000g中のヒドロキシドの含有量:0.73当量)16.94gと混合した。TEOS及びTiTEOの加水分解に由来するエタノールが完全に除去されると共に、所定の最終組成をもたらすのに必要な量の水が除去されるまで、該混合物を撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、蒸発処理後の残存物へフッ化水素酸溶液(HF:50重量%)0.49gを添加した。得られたゲルの組成は下記の通りである:
SiO2:0.01Al2O3:0.01TiO2:0.26R(OH)2:0.52HF:7H2O
得られた混合物を、ポリテトラフルオロエチレンで内張したオートクレーブ内へ導入し、次いで回転装置を備えたストーブ内において、175℃で14日間加熱した。固体状生成物を濾取し、蒸留水を用いて洗浄した後、100℃での乾燥処理に付して得られた生成物はITQ−32であった。
実施例8
この実施例においては、ゼオライトITQ−32の調製例について説明する。テトラエチルオルトシリケート(TEOS)4gをN,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウムジヒドロキシド[R(OH)]溶液(該溶液1000g中のヒドロキシドの含有量:0.54当量)18.14gと混合した。次いで、Ga(NO・10HO(0.17g)を水1gに溶解させた溶液を該混合物中へ添加した。TEOSの加水分解に由来するエタノールが完全に除去されると共に、所定の最終組成をもたらすのに必要な量の水が除去されるまで、該混合物を撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、蒸発処理後の残存物へフッ化水素酸溶液(HF:50重量%)0.39gを添加した。得られたゲルの組成は下記の通りである:
SiO:0.01Ga:0.25R(OH):0.5HF:7H
得られた混合物を、ポリテトラフルオロエチレンで内張したオートクレーブ内へ導入し、次いで回転装置を備えたストーブ内において、175℃で16日間加熱した。固体状生成物を濾取し、蒸留水を用いて洗浄した後、100℃での乾燥処理に付して得られた生成物はITQ−32であった。
実施例9
この実施例においては、ゼオライトITQ−32の調製例について説明する。テトラエチルオルトシリケート(TEOS)4gをN,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウムジヒドロキシド[R(OH)]溶液(該溶液1000g中のヒドロキシドの含有量:0.54当量)15.27gと混合した。次いで、HBO(0.059g)を該混合物中へ添加した。TEOSの加水分解に由来するエタノールが完全に除去されると共に、所定の最終組成をもたらすのに必要な量の水が除去されるまで、該混合物を撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、蒸発処理後の残存物へフッ化水素酸溶液(HF:50重量%)0.40gを添加した。得られたゲルの組成は下記の通りである:
SiO:0.025B:0.26R(OH):0.52HF:7H
得られた混合物を、ポリテトラフルオロエチレンで内張したオートクレーブ内へ導入し、次いで回転装置を備えたストーブ内において、175℃で24日間加熱した。固体状生成物を濾取し、蒸留水を用いて洗浄した後、100℃での乾燥処理に付して得られた生成物はITQ−32であった。
図1は、実施例3で得られた合成後のITQ−32のX線回折図形の最も特徴的なピーク群を示す。 図2は、実施例3で得られたITQ−32の焼成後のX線回折図形の最も特徴的なピーク群を示す。

Claims (31)

  1. (1)焼成された状態であって、シラノールの存在によって発現する結晶格子中の欠陥が存在しない状態で下記の実験式によって表されること、及び
    (2)合成したときに、少なくとも下記の表Iに示す角度2θ(度)と相対強度(I/I)を有するX線回折図形を示すこと
    を特徴とする微孔質結晶性ゼオライト物質:
    x(M1/nXO):yYO:SiO
    式中、MはH、少なくとも1種の+n価の無機カチオン及びこれらの混合物から選択されるカチオンを示し、Xは+3の酸化状態の少なくとも1種の化学元素を示し、Yは+4の酸化状態の少なくとも1種の化学元素(但し、Siは除く)を示し、xは0〜0.2の値を示し、yは0〜0.1の値を示す。
    Figure 2008528435
    表中、Iは最も強いピークの強度(100の値が帰属される)を示し、wは弱い相対強度(0〜20%)を示し、mは中間の相対強度(20〜40%)を示し、sは強い相対強度(40〜60%)を示し、vsは非常に強い相対強度(60〜100%)を示す。
  2. 焼成された状態において、少なくとも下記の表IIに示す角度2θ(度)と相対強度(I/I)を有するX線回折図形を示すことを特徴とする請求項1記載の微孔質結晶性ゼオライト物質:
    Figure 2008528435
    表中、wは弱い相対強度(0〜20%)を示し、mは中間の相対強度(20〜40%)を示し、sは強い相対強度(40〜60%)を示し、vsは非常に強い相対強度(60〜100%)を示す。
  3. Xが、Al、Ga、B、Fe、Cr及びこれらの混合物から選択される請求項1又は2記載の微孔質結晶性ゼオライト物質。
  4. Yが、Ge、Ti、Sn、V及びこれらの混合物から選択される請求項1又は2記載の微孔質結晶性ゼオライト物質。
  5. xが0.1未満の値を示す請求項1又は2記載の微孔質結晶性ゼオライト物質。
  6. yが0.05未満の値を示す請求項1又は2記載の微孔質結晶性ゼオライト物質。
  7. (1)焼成された状態であって、シラノールの存在によって発現する結晶格子中の欠陥が存在しない状態で下記の実験式によって表されること、
    (2)合成したときに、少なくとも下記の表Iに示す角度2θ(度)と相対強度(I/I)を有するX線回折図形を示すこと、及び
    (3)焼成された状態において、少なくとも下記の表IIに示す角度2θ(度)と相対強度(I/I)を有するX線回折図形を示すこと
    を特徴とする請求項1又は2記載の微孔質結晶性ゼオライト物質:
    x(M1/nXO):yYO:SiO
    式中、MはH、少なくとも1種の+n価の無機カチオン(好ましくは、アルカリ金属カチオン又はアルカリ土類金属カチオン)及びこれらの混合物から選択されるカチオンを示し、Xは、Al、Ga、B、Fe、Cr及びこれらの混合物から選択される+3の酸化状態の少なくとも1種の化学元素を示し、Yは、Ge、Ti、Sn、V及びこれらの混合物から選択される+4の酸化状態の少なくとも1種の化学元素(但し、Siは除く)を示し、xは0〜0.1の値を示し、yは0〜0.05の値を示す。
    Figure 2008528435
    表中、I、w、m、s及びvsは請求項1に記載の意義と同意義である。
    Figure 2008528435
    表中、I、w、m、s及びvsは請求項1に記載の意義と同意義である。
  8. xが0を示し、yが0を示す請求項1又は2記載の微孔質結晶性ゼオライト物質。
  9. XがAl又はBを示し、yが0を示す請求項1又は2記載の微孔質結晶性ゼオライト物質。
  10. YがTi又はSnを示し、xが0を示す請求項1又は2記載の微孔質結晶性ゼオライト物質。
  11. XがAl又はBを示し、YがTi又はSnを示す請求項1又は2記載の微孔質結晶性ゼオライト物質。
  12. 請求項1から11いずれかに記載の微孔質結晶性物質の合成方法であって、
    (1)1種又は複数種のSiO源、1種又は複数種の有機カチオンR源、1種又は複数種のフッ化物イオン源及び水を少なくとも含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで加熱すること、及び
    (2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする該合成方法:
    ROH/SiO=0.01〜1.0、
    F/SiO=0.1〜3.0、及び
    O/SiO=1〜50。
  13. 請求項1から11いずれかに記載の微孔質結晶性物質の合成方法であって、
    (1)1種又は複数種のSiO源、1種又は複数種の有機カチオンR源、1種又は複数種のフッ化物イオン源及び水のみを含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで加熱すること、及び
    (2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする該合成方法:
    ROH/SiO=0.01〜1.0、
    F/SiO=0.1〜3.0、及び
    O/SiO=1〜50。
  14. (1)反応混合物が1種又は複数種の3価元素X源をさらに含有すること、及び
    (2)反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする請求項12記載の方法:
    ROH/SiO=0.01〜1.0、
    /SiO=0〜0.1(0を除く)、
    F/SiO=0.1〜3.0、及び
    O/SiO=1〜50。
  15. (1)反応混合物が1種又は複数種の4価元素Y(Siを除く)源をさらに含有すること、及び
    (2)反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする請求項12記載の方法:
    ROH/SiO=0.01〜1.0、
    YO/SiO=0〜0.1(0を除く)、
    F/SiO=0.1〜3.0、及び
    O/SiO=1〜50。
  16. (1)反応混合物が1種又は複数種の3価元素X源及び1種又は複数種の4価元素Y(Siを除く)源をさらに含有すること、及び
    (2)反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする請求項12記載の方法:
    ROH/SiO=0.01〜1.0、
    /SiO=0〜0.1(0を除く)、
    YO/SiO=0〜0.1(0を除く)、
    F/SiO=0.1〜3.0、及び
    O/SiO=1〜50。
  17. (1)i)SiO源、ii)Si以外の1種又は複数種の4価元素Yであって、Ge、Ti、V、Sn及びこれらの混合物から選択される4価元素源、iii)1種又は複数種の3価元素Xであって、Al、B、Ga、Fe、Cr及びこれらの混合物から選択される3価元素源、iv)+n価の無機カチオンM源、v)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、vi)フッ化物イオン源、及びvii)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
    (2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする請求項12記載の方法:
    ROH/SiO=0.01〜1.0、
    1/nOH/SiO=0〜1.0(0を除く)、
    /SiO=0〜0.1(0を除く)、
    YO/SiO=0〜0.1(0を除く)、
    F/SiO=0.1〜3.0、及び
    O/SiO=1〜50。
  18. (1)i)SiO源、ii)Si以外の1種又は複数種の4価元素Yであって、Ge、Ti、V、Sn及びこれらの混合物から選択される4価元素源、iii)1種又は複数種の3価元素Xであって、Al、B、Ga、Fe、Cr及びこれらの混合物から選択される3価元素源、iv)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、v)フッ化物イオン源、及びvi)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
    (2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする請求項12記載の方法:
    ROH/SiO=0.1〜1.0、
    /SiO=0〜0.05(0を除く)、
    YO/SiO=0〜0.05(0を除く)、
    F/SiO=0.1〜2.0、及び
    O/SiO=1〜20。
  19. (1)i)SiO源、ii)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、iii)フッ化物イオン源、及びiv)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
    (2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする請求項12記載の方法:
    ROH/SiO=0.01〜1.0、
    F/SiO=0.1〜3.0、及び
    O/SiO=1〜50。
  20. (1)i)SiO源、ii)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、iii)フッ化物イオン源、及びiv)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
    (2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする請求項12記載の方法:
    ROH/SiO=0.1〜1.0、
    F/SiO=0.1〜2.0、及び
    O/SiO=1〜20。
  21. (1)i)SiO源、ii)1種又は複数種の3価元素Xであって、Al、B、Ga、Fe、Cr及びこれらの混合物から選択される3価元素源、iii)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、iv)フッ化物イオン源、及びv)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
    (2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする請求項12記載の方法:
    ROH/SiO=0.01〜1.0、
    /SiO=0〜0.1(0を除く)、
    F/SiO=0.1〜3.0、及び
    O/SiO=1〜50。
  22. (1)i)SiO源、ii)1種又は複数種の3価元素Xであって、Al、B、Ga、Fe、Cr及びこれらの混合物から選択される3価元素源、iii)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、iv)フッ化物イオン源、及びv)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
    (2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする請求項12記載の方法:
    ROH/SiO=0.01〜1.0、
    /SiO=0〜0.05(0を除く)、
    F/SiO=0.1〜2.0、及び
    O/SiO=1〜20。
  23. (1)i)SiO源、ii)Si以外の1種又は複数種の4価元素Yであって、Ge、Ti、V、Sn及びこれらの混合物から選択される4価元素源、iii)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、iv)フッ化物イオン源、及びv)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
    (2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする請求項12記載の方法:
    ROH/SiO=0.01〜1.0、
    YO/SiO=0〜0.1(0を除く)、
    F/SiO=0.1〜3.0、及び
    O/SiO=1〜50。
  24. (1)i)SiO源、ii)Si以外の1種又は複数種の4価元素Yであって、Ge、Ti、V、Sn及びこれらの混合物から選択される4価元素源、iii)1種又は複数種の有機カチオンR源であって、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム及び4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムから選択される有機カチオンR源、iv)フッ化物イオン源、及びv)水を含有する反応混合物を80〜200℃で結晶化に達するまで撹拌下又は非撹拌下で加熱すること、及び
    (2)該反応混合物が下記のモル組成比を有することを特徴とする請求項12記載の方法:
    ROH/SiO=0.1〜1.0、
    YO/SiO=0〜0.05(0を除く)、
    F/SiO=0.1〜2.0、及び
    O/SiO=1〜20。
  25. 有機カチオンRが、N,N,N’,N’−テトラメチル−デカヒドロ−シクロブタ[1,2−c;3,4−c’]ジピロリジニウム又は4−シクロヘキシル−1,1−ジメチル−ピペラジニウムであって、該有機カチオンRが水酸化物、その他の塩、又は水酸化物とその他の塩との混合物として反応混合物中へ添加される請求項12記載の方法。
  26. 請求項1又は2記載の結晶性物質を結晶化促進剤として、反応混合物中へ添加される無機酸化物の全重量に対して、0.01〜20重量%の割合で反応混合物中へ添加する請求項12記載の方法。
  27. 請求項1又は2記載の結晶性物質を結晶化促進剤として、反応混合物中へ添加される無機酸化物の全重量に対して、0.05〜10重量%の割合で反応混合物中へ添加する請求項12記載の方法。
  28. 有機化合物の変換反応用の触媒又は触媒成分としての請求項2記載のゼオライト物質の使用。
  29. 有機化合物の分離過程における請求項2記載のゼオライト物質の使用。
  30. 有機化合物の吸着における吸着剤としての請求項2記載のゼオライト物質の使用。
  31. 請求項28から30いずれかに記載の使用であって、ゼオライト物質が、酸性形態、H及び/又はアルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタニド系列元素及びこれらの混合物から選択される+n価の無機カチオンから選択されるカチオンで交換された形態及びこれらの混合形態から選択される形態である該使用。
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