JP2007532451A - 微孔性非晶質物質、該物質の製造法及び有機化合物の接触変換における該物質の使用 - Google Patents

微孔性非晶質物質、該物質の製造法及び有機化合物の接触変換における該物質の使用 Download PDF

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Abstract

本発明は、焼成した無水状態で次の実験式で表される微孔性非晶質物質に関する:
x(M1/nXO):yYO:SiO
式中、xは0を含む0.2未満の値を示し、yは0を含む0.2未満の値を示し、MはH、1種若しくは複数種の+n価の無機カチオン及びこれらの混合物から選択されるカチオンを示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の化学元素を示し、Yは1種若しくは複数種の+4の酸化状態の元素を示す。本発明による上記物質は、均一な細孔分布、0.05cm・g−1以上の微孔体積及び100m・g−1よりも大きな比表面積を有することによっても特徴づけられる。本発明は、上記物質の製造法と使用にも関する。

Description

本発明は、微孔性モレキュラーシーブに関する。
ゼオライトはTO四面体の結晶格子によって形成される微孔性の結晶質物質であり、該四面体は、分子サイズの溝(channel)及び/又は空洞(cavity)を有する3次元的構造をもたらす全ての頂点を共有する。これらの組成は可変的であり、Tは一般に形式酸化状態が+3又は+4の原子、例えば、Si、Ge、Ti、Al、B、Ga等を示す。
ゼオライトの内部には、大きさが規則的な溝と空洞が存在するために、大きな表面積がもたらされる。これらの結晶性物質においては、孔径が均一でその分布幅が狭いために、溝の大きさに応じて、異なる大きさを有する分子を選択的に吸着させることが可能となる。
さらに、特有の溝/空洞系を有する各々のゼオライトの結晶構造は特徴的なX線回折図形をもたらす。従って、ゼオライトは、各々の化学的組成の範囲とX線回折図形によって相互に差別化される。両方の特徴(結晶構造と化学的組成)は各々のゼオライトの物理的−化学的特性及び種々の工業的プロセスにおける可能な用途を決定する。
微孔性及び中孔性(mesoporous)の非晶質物質は、モレキュラーシーブ特性(換言すれば、非常に狭い細孔分布を有する特性)を達成する過程において、例えば、シリケート、シリコアルミネート及びシリコチタネート等として開発された。狭い細孔分布を示す微孔性物質の場合、該物質は完全な非晶質であると見なすことができないことが判明した。実際上、X線回折図形によれば、このような物質は長距離規則度を有していなかったが、赤外(IR)分光分析によって明確にされたように、短距離規則度を有していた。このため、このような物質はゼオライトのような結晶性物質のコアを含有すると結論づけられた:D.D.クラグテン、J.M.フェデイコ、K.R.サバント、J.D.リマー、D.G.フラチョス、R.F.ロボ、及びM.チャパチス、ジャーナル・オブ・フィジカルケミストリーB、2003年、第107巻(37)、第10006頁〜第10016頁。
中孔性物質の場合、界面活性剤を用いてクレスゲらによって開発された非晶質の中孔性モレキュラーシーブの合成法は、吸着、触媒反応及びエレクトロニクスにおいて新しい適用分野を開拓した:C.T.クレスゲ、M.E.レオノビッツ、W.J.ロース、J.C.バルツリ、及びJ.S.ベック、ネイチャー、1992年、第359巻(6397)、第710頁〜第712頁。
従って、新規な非晶質の中孔性モレキュラーシーブの開発は、上記の技術分野において2nm未満(特に1nm未満)の孔径が要求される場合には、新規な用途を開拓することが期待されており、本発明はこのような要請に応えるためになされたものである。
即ち本発明は、焼成した無水状態で下記の実験式で表される化学的組成を有すると共に、均一な細孔分布、0.05cm・g−1以上の微孔体積及び100m・g−1よりも大きな比表面積を有することによって特徴づけられる微孔性非晶質物質に関する:
x(M1/nXO):yYO:SiO
式中、xは0を含む0.2未満(好ましくは0.1未満)の値を示し、yは0を含む0.2未満(好ましくは0.1未満)の値を示し、MはH、1種若しくは複数種の+n価の無機カチオン及びこれらの任意の混合物から選択されるカチオンを示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の化学元素を示し、Yは1種若しくは複数種の+4の酸化状態の化学元素を示す。
上記の微孔性非晶質物質において、Xは好ましくは、Al、Ga、B、Fe、Cr、及びこれらの任意の混合物から成る群から選択され、また、Yは好ましくは、Ti、Ge、Sn、V及びこれらの任意の混合物から成る群から選択される。
本発明の好ましい実施態様によれば、該微孔性非晶質物質は、焼成した無水状態で下記の実験式で表される化学的組成を有することによって特徴づけられる:
x(M1/nXO):yYO:SiO
式中、xは0を含む0.1未満の値を示し、yは0を含む0.1未満の値を示し、MはH、1種若しくは複数種の+n価の無機カチオン及びこれらの任意の混合物から選択されるカチオンを示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の化学元素を示し、Yは1種若しくは複数種の+4の酸化状態の化学元素を示す。
1種若しくは複数種の3価元素Xは、好ましくはAl、Ga、B、Fe、Cr、及びこれらの任意の混合物から成る群から選択され、YはTi、Ge、Sn、V及びこれらの混合物から成る群から選択され、Mが表す無機カチオンとしては、1種若しくは複数種のアルカリ金属、アルカリ土類金属又はこれらの任意の混合物が例示される。
本発明の特定の実施態様によれば、該微孔性非晶質物質は下記の式に対応する化学的組成を有する:
x(M1/nXO):SiO
式中、xは0を含む0.2未満の値を示し、MはH、1種若しくは複数種の+n価の無機カチオン及びこれらの任意の混合物から選択されるカチオンを示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の化学元素を示す。
本発明の特定の実施態様によれば、該微孔性非晶質物質は、焼成した無水状態で下記の式に対応する化学的組成を有する:
yYO:SiO
式中、yは0を含む0.2未満(好ましくは0.1未満)の値を示し、Yは1種若しくは複数種の+4の酸化状態の化学元素(好ましくはTi、Ge、Sn、V又はこれらの任意の混合物)を示す。
本発明の特定の実施態様によれば、該微孔性非晶質物質は、焼成した無水状態で下記の式に対応する化学的組成を有する:
x(HXO):SiO
式中、xは0を含む0.2未満(好ましくは0.1未満)の値を示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の化学元素(好ましくはAl、Ga、B、Fe、Cr又はこれらの任意の混合物)を示す。
本発明の特定の実施態様によれば、該微孔性非晶質物質は、焼成した無水状態で式SiOに対応する化学的組成を有する。
本発明による微孔性非晶質物質(総称的にMASと呼ぶ)は、ミクロ細孔の範囲内において狭くて均一な細孔分布を示す。
該微孔性非晶質物質は、X線回折図形においていずれの回折ピークも示さないこと、及びIRスペクトルにおいてゼオライトのような結晶性シリケートに特徴的な吸収帯(400〜600cm−1)を示さないことによって特徴づけられる。
本発明は、下記の工程 i)及び ii)を含む前述の微孔性非晶質物質の製造法にも関する:
i)少なくともSiO源、1種若しくは複数種の有機化合物及び水を含有する反応混合物であって、下記の酸化物モル比を有する反応混合物を調製し、
ii)該反応混合物を撹拌下若しくは非撹拌下において80〜200℃(好ましくは100〜200℃)で、微孔性非晶質物質が形成されるまで加熱する:
ROH/SiO=0.01〜3.0(好ましくは0.1〜1.0)
O/SiO=1〜100(好ましくは1〜50)
(式中、Rは1種若しくは複数種の有機化合物を示す)。
上記の反応混合物は所望によりフッ化物イオン源を含有していてもよい。この場合、フッ化物イオン源としては、例えば、フッ化水素酸又はフッ化アンモニウム等を使用することができる。
本発明の特定の実施態様によれば、微孔性非晶質物質の製造法には、下記の工程 i)及び ii)が含まれる:
i)少なくともSiO源、1種若しくは複数種の4価元素Y源、1種若しくは複数種の有機化合物及び水を含有する反応混合物であって、下記の酸化物モル比を有する反応混合物を調製し、
ii)該反応混合物を撹拌下若しくは非撹拌下において80〜200℃(好ましくは100〜200℃)で、微孔性非晶質物質が形成されるまで加熱する:
ROH/SiO=0.01〜3.0(好ましくは0.1〜1.0)
O/SiO=1〜100(好ましくは1〜50)
YO/SiO=0.001〜0.2
(式中、Rは1種若しくは複数種の有機化合物を示し、Yは1種若しくは複数種の+4の酸化状態の元素、好ましくはTi、Ge、Sn、V及びこれらの任意の混合物から選択される元素を示す)
4価元素Yの添加は、反応混合物の加熱前又は加熱中におこなってもよい。反応混合物は所望によりフッ化物イオン源を含有していてもよい。
本発明の特定の実施態様によれば、微孔性非晶質物質の製造法には、下記の工程 i)及び ii)が含まれる:
i)少なくともSiO源、1種若しくは複数種の3価元素X源、1種若しくは複数種の有機化合物及び水を含有する反応混合物であって、下記の酸化物モル比を有する反応混合物を調製し、
ii)該反応混合物を撹拌下若しくは非撹拌下において80〜200℃(好ましくは100〜200℃)で、微孔性非晶質物質が形成されるまで加熱する:
ROH/SiO=0.01〜3.0(好ましくは0.1〜1.0)
O/SiO=1〜100(好ましくは1〜50)
/SiO=0.001〜0.1
(式中、Rは1種若しくは複数種の有機化合物を示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の元素、好ましくはAl、Ga、B、Fe、Cr及びこれらの任意の混合物から選択される元素を示す)
3価元素Xの添加は、反応混合物の加熱前又は加熱中におこなってもよい。また、反応混合物は所望によりフッ化物イオン源を含有していてもよい。この場合、反応混合物中のフッ化物イオンの含有量は、HF/SiO=0.05〜3.0になるように調整するのが好ましい。
本発明の別の特定の実施態様によれば、微孔性非晶質物質の製造法には、下記の工程 i)及び ii)が含まれる:
i)少なくともSiO源、1種若しくは複数種の3価元素X源、1種若しくは複数種の+n価の元素M源、1種若しくは複数種の有機化合物及び水を含有する反応混合物であって、下記の酸化物モル比を有する反応混合物を調製し、
ii)該反応混合物を撹拌下若しくは非撹拌下において80〜200℃(好ましくは100〜200℃)で、微孔性非晶質物質が形成されるまで加熱する:
ROH/SiO=0.01〜3.0(好ましくは0.1〜1.0)
O/SiO=1〜100
/SiO=0.001〜0.1
(式中、Rは1種若しくは複数種の有機化合物を示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の元素を示し、MはH、1種若しくは複数種の+n価の無機カチオン及びこれらの混合物から選択されるカチオンを示す)
3価元素Xの添加は、反応混合物の加熱前又は加熱中におこなってもよい。また、反応混合物は所望によりフッ化物イオン源を含有していてもよい。この場合、反応混合物中のフッ化物イオンの含有量は、M1/nF/SiO=0.05〜3.0になるように調整するのが好ましい。
本発明の別の特定の実施態様によれば、微孔性非晶質物質の製造法には、下記の工程 i)及び ii)が含まれる:
i)少なくともSiO源、1種若しくは複数種の3価元素X源、1種若しくは複数種の4価元素Y源、1種若しくは複数種の+n価の元素M源、1種若しくは複数種の有機化合物及び水を含有する反応混合物であって、下記の酸化物モル比を有する反応混合物を調製し、
ii)該反応混合物を撹拌下若しくは非撹拌下において80〜200℃(好ましくは100〜200℃)で、微孔性非晶質物質が形成されるまで加熱する:
ROH/SiO=0.01〜3.0(好ましくは0.1〜1.0)
O/SiO=1〜100(好ましくは1〜50)
/SiO=0.001〜0.1
YO/SiO=0.001〜0.2
(式中、Rは1種若しくは複数種の有機化合物を示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の元素を示し、Yは1種若しくは複数種の+4価の酸化状態の元素を示し、MはH、1若しくは複数の+n価の無機カチオン及びこれらの混合物から選択されるカチオンを示す)
3価元素X及び/又は4価元素Yの添加は、反応混合物の加熱前又は加熱中におこなってもよい。また、反応混合物は所望によりフッ化物イオン源を含有していてもよい。この場合、反応混合物中のフッ化物イオンの含有量は、M1/nF/SiO=0.05〜3.0になるように調整するのが好ましい。
好ましい実施態様によれば、反応混合物は下記の酸化物モル比を有する:
ROH/SiO=0.1〜1.0
1/nF/SiO=0〜1.0
/SiO=0.001〜0.05
YO/SiO=0.001〜0.1
O/SiO=1〜50
(式中、Xは、Al、B、Ga、Fe及びCrから成る群から選択される1種若しくは複数種の3価元素を示し、Yは、Ti、Ge、Sn及びVから成る群から選択される1種若しくは複数種の4価元素を示す)
本発明による上記の製造法において使用するSiO源としては、テトラエチルオルトシリケート、コロイドシリカ及び非晶質シリカ等が例示される。
+3の酸化状態の元素の中でも、特にAlを使用することができ、使用できるAl源としては、アルミニウムアルコキシド、アルミニウム酸化物及びアルミニウム塩等が例示される。
本発明による上述の製造法のいずれの実施態様においても、有機化合物Rは、好ましくは水酸化物の形態で使用する。あるいは、塩、例えば、ハロゲン化物(好ましくは塩化物、臭化物又はヨウ化物)の形態の有機カチオンを使用することも可能である。
上記の製造法の好ましい実施態様によれば、有機化合物は1個又は複数個のアミン基を有する。また、該有機化合物は1個又は複数個のアンモニウム基も含むことができる。
上記の製造法の好ましい実施態様によれば、有機化合物は次の群から選択される:N(16)−メチルスパルテイニウム、1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシド、1,8−ビスキヌクリジニウムオクタンヒドロキシド、1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシド、ヘキサメトニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド。
反応混合物の熱処理は静的に行うことができ、あるいは、撹拌下で行うことができる。微孔性非晶質物質の調製工程が終了したならば、固体状生成物を分離した後、乾燥処理に付す。その後の400〜700℃(好ましくは450〜600℃)での焼成処理によれば、該非晶質物質は耐熱性があり、また、吸蔵された有機残留物の分解によって微孔の出口が形成されて該微孔は自由な状態になることが示される。
一般に、反応混合物は下記の実験式に対応する組成を有する:
aROH:bM1/nF:xX:yYO:SiO:wH
式中、Rは1種若しくは複数種の有機化合物を示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の元素を示し、Yは1種若しくは複数種の+4価の酸化状態の元素を示し、MはH、1種若しくは複数種の+n価の無機カチオン及びこれらの混合物から選択されるカチオンを示し、a、b、x、y及びwは下記の意義を有する:
a=ROH/SiO=0.01〜3.0(好ましくは0.1〜1.0)
b=M1/nF/SiO=0〜3.0(好ましくは0.1〜1.0)
x=X/SiO=0〜0.01(好ましくは0〜0.05)
y=YO/SiO=0〜0.2(好ましくは0〜0.1)
w=HO/SiO=1〜100(好ましくは1〜50、より好ましくは1〜20)
本発明は、前述の微孔性非晶質物質を有機化合物の変換方法において触媒として使用する方法であって、所定量の該触媒を供給原料と接触させることを含む該使用方法にも関する。
該変換方法は、有機化合物(好ましくは炭化水素)の接触分解法であってもよい。
本発明の好ましい実施態様によれば、該変換方法は下記の群から選択される:
水素化分解法、炭化水素の穏やかな水素化分解法、機能化炭化水素の穏やかな水素化分解法、炭化水素と機能化炭化水素の穏やかな水素化分解法、オレフィンの水素化異性化法、軽質パラフィンの異性化法、脱パラフィン化法、脱イソパラフィン化法及びアルキル化法。
該変換方法がアルキル化法の場合、アルキル化法は下記の群から選択することができる:
オレフィンを用いるイソパラフィンのアルキル化法、イソパラフィンを用いるオレフィンのアルキル化法、オレフィン又はアルコールを用いる芳香族化合物のアルキル化法、オレフィン又はアルコールを用いる置換芳香族化合物のアルキル化法、オレフィン又はアルコールを用いるチオフェン系化合物のアルキル化法、オレフィン又はアルコールを用いるアルキルチオフェン系化合物のアルキル化法、オレフィン又はアルコールを用いるアルキルベンゾチオフェン系化合物のアルキル化法。
特に好ましい方法においては、アルキル化法は、プロピレンを用いるベンゼンのアルキル化である。
上記の微孔性非晶質物質の使用法の別の実施態様によれば、該非晶質物質は、アシル化剤として酸、酸塩化物又は有機酸無水物を用いる置換芳香族化合物のアシル化反応において触媒として作用することができる。
さらに別の実施態様によれば、該変換方法は、酸化剤としてH、有機過酸化物又は有機ペルオキシドを用いる有機化合物の選択的酸化である。
さらにまた別の実施態様によれば、該変換方法は、メールバイン−ポンドルフ−バーレイ型酸化反応及びバイヤー−ビリガー型酸化反応から選択される。
本発明による上記の微孔性非晶質物質がTiを含有する場合、該非晶質物質は下記の群から選択される反応における触媒として使用することができる:
オレフィンのエポキシ化法、アルカンの酸化、アルコールの酸化、酸化剤として有機若しくは無機ヒドロペルオキシド(例えば、H、t−ブチルヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシド)又は分子状酸素を用いる硫黄含有有機化合物の酸化反応であって、スルホキシドとスルホンを生成する該酸化反応、及びケトンのアンモ酸化(特にNHとH又はNHとOを用いるシクロヘキサノンからシクロヘキサノンオキシムへのアンモ酸化)。
本発明による上記の微孔性非晶質物質がSnを含有する場合、該非晶質物質は、酸化剤としてHを用いるバイヤー−ビリガー型酸化反応における触媒として使用することができる。
次に、添付図面について簡単に説明する。
図1は、有機化合物としてN(16)−メチルスパルテイニウムを使用して実施例1において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のX線回折図形である。
図2は、有機化合物としてN(16)−メチルスパルテイニウムを使用して実施例1において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質(MAS−1)のIRスペクトルである。
図3は、有機化合物としてN(16)−メチルスパルテイニウムを使用して実施例1において調製した本発明による焼成後の微孔性非晶質物質の細孔分布を示すグラフである。
図4は、有機化合物としてN(16)−メチルスパルテイニウムを使用して実施例2において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のX線回折図形である。
図5は、有機化合物としてN(16)−メチルスパルテイニウムを使用して実施例3において調製した本発明による焼成前のTi含有微孔性非晶質物質のX線回折図形である。
図6は、有機化合物としてN(16)−メチルスパルテイニウムを使用して実施例4において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質(純粋なシリカMAS−1)のX線回折図形である。
図7は、有機化合物として1,8−ビスキヌクリジニウムオクタンヒドロキシドを使用して実施例5において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質(MAS−2)のX線回折図形である。
図8は、有機化合物として1,8−ビスキヌクリジニウムオクタンヒドロキシドを使用して実施例5において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のIRスペクトルである。
図9は、有機化合物として1,8−ビスキヌクリジニウムオクタンヒドロキシドを使用して実施例5において調製した本発明による焼成後の微孔性非晶質物質の細孔分布を示すグラフである。
図10は、有機化合物として1,8−ビスキヌクリジニウムオクタンヒドロキシドを使用して実施例6において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のX線回折図形である。
図11は、有機化合物として1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシドを使用して実施例7において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質(MAS−3)のX線回折図形である。
図12は、有機化合物として1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシドを使用して実施例7において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のIRスペクトルである。
図13は、有機化合物として1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシドを使用して実施例7において調製した本発明による焼成後の微孔性非晶質物質の細孔分布を示すグラフである。
図14は、有機化合物として1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシドを使用して実施例8において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のX線回折図形である。
図15は、有機化合物としてヘキサメトニウムヒドロキシドを使用して実施例9において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質(MAS−4)のX線回折図形である。
図16は、有機化合物としてヘキサメトニウムヒドロキシドを使用して実施例9において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のIRスペクトルである。
図17は、有機化合物としてヘキサメトニウムヒドロキシドを使用して実施例9において調製した本発明による焼成後の微孔性非晶質物質の細孔分布を示すグラフである。
図18は、有機化合物としてテトラエチルアンモニウムヒドロキシドを使用して実施例10において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質(MAS−5)のX線回折図形である。
図19は、有機化合物としてテトラエチルアンモニウムヒドロキシドを使用して実施例10において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のIRスペクトルである。
図20は、有機化合物としてテトラエチルアンモニウムヒドロキシドを使用して実施例11において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のX線回折図形である。
実施例1
アルミニウムイソプロポキシド(0.272g)及びテトラエチルオルトシリケート(4.167g)をN(16)−メチルスパルテイニウムヒドロキシド溶液(0.91モル/kg)11.00g中で加水分解させた。得られた溶液を、加水分解によって生成したアクコールと余剰水が蒸発するまで撹拌した。次いで、48.1重量%のフッ化水素酸HF溶液(0.416g)を添加した後、反応混合物が下記の最終組成(ROHはN(16)−メチルスパルテイニウムヒドロキシドを示す)を有するまで蒸発処理を続行した:

SiO:0.033Al:0.50ROH:0.50HF:2H
このゲルを、テフロン(登録商標)で内張したスチール製オートクレーブ内へ入れ、175℃において静的に16時間加熱した。得られた固体を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付した。得られた固体(MAS−1)のX線回折図形及びIRスペクトルを図1及び図2にそれぞれ示す。X線回折図形は、固定発散格子及びCuからのKα線を用いて測定した。
この生成物の内部に吸蔵された有機物とフッ化物イオンを除去するために、該生成物を空気気流中における580℃での焼成処理に3時間付した。得られた固体(MAS−1)の比表面積、細孔体積及び孔径はそれぞれ738m/g、0.28cm/g及び7.5Åであった。ホバルツ−カバゾエ式に従うAr吸着法によって測定した細孔分布を図3に示す。
実施例2
アルミニウムイソプロポキシド(2.04g)及びテトラエチルオルトシリケート(52.08g)をN(16)−メチルスパルテイニウムヒドロキシド溶液(0.94モル/kg)132.98g中で加水分解させた。得られた溶液を、加水分解によって生成したエタノールとイソプロパノールが蒸発するまで撹拌した。次いで、48.1重量%のフッ化水素酸HF溶液(5.20g)を添加した後、反応混合物が下記の組成(ROHはN(16)−メチルスパルテイニウムヒドロキシドを示す)を有するまで蒸発処理を続行した:

SiO:0.02Al:0.50ROH:0.50HF:2H
このゲルを、テフロン(登録商標)で内張したスチール製オートクレーブ内へ入れ、175℃において静的に16時間加熱した。得られた固体を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付した。得られた固体(MAS−1)のX線回折図形を図4に示す。
この生成物を空気気流中における580℃での焼成処理に3時間付して得られた固体(MAS−1)の比表面積及び細孔体積はそれぞれ643m/g及び0.24cm/gであった。
実施例3
テトラエチルオルトチタネート(0.19g)及びテトラエチルオルトシリケート(8.33g)をN(16)−メチルスパルテイニウムヒドロキシド溶液(0.86モル/kg)24.39g中で加水分解させた。得られた溶液を、加水分解によって生成したアルコール及び余剰水の一部が蒸発するまで撹拌した。次いで、50重量%のフッ化水素酸HF溶液(0.80g)を添加した。合成されたゲルの最終組成は次の通りである(ROHはN(16)−メチルスパルテイニウムヒドロキシドを示す):

SiO:0.02TiO:0.50ROH:0.50HF:2H
このゲルを、テフロン(登録商標)で内張したスチール製オートクレーブ内へ入れ、175℃において静的に3日間加熱した。得られた固体を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付した。得られた固体(Ti−MAS−1)のX線回折図形を図5に示す。
実施例4
テトラエチルオルトシリケート(34.67g)をN(16)−メチルスパルテイニウムヒドロキシド溶液(1.133モル/kg)73.45g中で加水分解させた。得られた溶液を、加水分解によって生成したエタノールが蒸発するまで撹拌した。次いで、46.9重量%のフッ化水素酸HF溶液(3.55g)を添加した後、反応混合物が下記の最終組成(ROHはN(16)−メチルスパルテイニウムヒドロキシドを示す)を有するまで蒸発処理を続行した:

SiO:0.50ROH:0.50HF:3H
このゲルを、テフロン(登録商標)で内張したスチール製オートクレーブ内へ入れ、175℃において静的に2日間の加熱処理に付すことによって、純粋なシリカMAS−1を得た。得られた固体のX線回折図形を図6に示す。
実施例5
アルミニウムイソプロポキシド(0.12g)及びテトラエチルオルトシリケート(6.34g)を1,8−ビスキヌクリジニウムオクタンヒドロキシド溶液(0.81モルOH/kg)18.80g中で加水分解させた。得られた溶液を、加水分解によって生成したエタノールとイソプロパノールが蒸発するまで撹拌した。次いで、49.8重量%のフッ化水素酸HF溶液(0.61g)を添加した後、反応混合物が下記の組成[R(OH)は1,8−ビスキヌクリジニウムオクタンヒドロキシドを示す]を有するまで蒸発処理を続行した:

SiO:0.01Al:0.25R(OH):0.50HF:15H
このゲルを、テフロン(登録商標)で内張したスチール製オートクレーブ内へ入れ、175℃において撹拌下で7日間加熱した。得られた固体を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付した。得られた固体(MAS−2)のX線回折図形及びIRスペクトルを図7及び図8にそれぞれ示す。
この生成物の内部に吸蔵された有機物とフッ化物イオンを除去するために、該生成物を空気気流中における580℃での焼成処理に3時間付した。得られた固体(MAS−2)の比表面積、細孔体積及び孔径はそれぞれ388m/g、0.14cm/g及び6.0Åであった。ホバルツ−カバゾエ式に従うAr吸着法によって測定した細孔分布を図9に示す。
実施例6
アルミニウムイソプロポキシド(0.16g)及びテトラエチルオルトシリケート(8.32g)を1,8−ビスキヌクリジニウムオクタンヒドロキシド溶液(1.06モルOH/kg)18.84g中で加水分解させた。得られた溶液を、加水分解によって生成したエタノールとイソプロパノールが蒸発するまで撹拌した。次いで、46.9重量%のフッ化水素酸HF溶液(0.85g)を添加した後、反応混合物が下記の組成[R(OH)は1,8−ビスキヌクリジニウムオクタンヒドロキシドを示す]を有するまで蒸発処理を続行した:

SiO:0.01Al:0.50R(OH):0.50HF:15H
このゲルを、テフロン(登録商標)で内張したスチール製オートクレーブ内へ入れ、150℃において撹拌下で3日間加熱した。得られた固体を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付した。得られた固体(MAS−2)のX線回折図形を図10に示す。
実施例7
アルミニウムイソプロポキシド(1.27g)及びテトラエチルオルトシリケート(12.93g)を1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシド溶液(0.47モルOH/kg)70.04g中で加水分解させた。得られた溶液を、加水分解によって生成したアルコールと余剰水が蒸発するまで撹拌した。次いで、50重量%のフッ化水素酸HF溶液(1.33g)を添加した後、反応混合物が下記の最終組成[R(OH)は1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシドを示す]を有するまで蒸発処理を続行した:

SiO:0.05Al:0.27R(OH):0.54HF:7.25H
このゲルを、テフロン(登録商標)で内張したスチール製オートクレーブ内へ入れ、175℃において撹拌下で5日間加熱した。得られた固体を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付した。得られた固体(MAS−3)のX線回折図形及びIRスペクトルを図11及び図12にそれぞれ示す。
この生成物の内部に吸蔵された有機物とフッ化物イオンを除去するために、該生成物を空気気流中における580℃での焼成処理に3時間付した。得られた固体(MAS−1)の比表面積、細孔体積及び孔径はそれぞれ418m/g、0.15cm/g及び6.2Åであった。ホバルツ−カバゾエ式に従うAr吸着法によって測定した細孔分布を図13に示す。
実施例8
アルミニウムイソプロポキシド(0.34g)及びテトラエチルオルトシリケート(8.65g)を1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシド溶液(0.28モルOH/kg)38.75g中で加水分解させた。得られた溶液を、加水分解によって生成したエタノールとイソプロパンールが蒸発するまで撹拌した。次いで、50重量%のフッ化水素酸HF溶液(0.88g)を添加した後、反応混合物が下記の組成[R(OH)は1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシドを示す]を有するまで蒸発処理を続行した:

SiO:0.02Al:0.27R(OH):0.54HF:7.25H
このゲルを、テフロン(登録商標)で内張したスチール製オートクレーブ内へ入れ、175℃において撹拌下で4日間加熱した。得られた固体を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付した。得られた固体(MAS−3)のX線回折図形を図14に示す。
実施例9
GeO(0.24g)をヘキサメトニウムヒドロキシド溶液(0.84モルOH/kg)39.01gに溶解させた。得られた溶液中において、テトラエチルオルトシリケート(11.84g)を加水分解させ、得られた反応溶液を、生成したエタノールが蒸発するまで撹拌した。次いで、48.1重量%のフッ化水素酸HF溶液(1.37g)を添加した後、反応混合物が下記の組成[R(OH)はヘキサメトニウムヒドロキシドを示す]を有するまで蒸発処理を続行した:

0.96SiO:0.04GeO:0.2R(OH):0.56HF:7H
このゲルを、テフロン(登録商標)で内張したスチール製オートクレーブ内へ入れ、135℃において撹拌下で5日間加熱した。得られた固体を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付した。得られた固体(MAS−4)のX線回折図形及びIRスペクトルを図15及び図16にそれぞれ示す。
この生成物の内部に吸蔵された有機物とフッ化物イオンを除去するために、該生成物を空気気流中における580℃での焼成処理に3時間付した。得られた固体(MAS−4)の比表面積、細孔体積及び孔径はそれぞれ348m/g、0.13cm/g及び5.5Åであった。ホバルツ−カバゾエ式に従うAr吸着法によって測定した細孔分布を図17に示す。
実施例10
テトラエチルオルトシリケート(TEOS)(19.9g)を、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAOH)溶液(40重量%)14.39g及び水(3g)との混合物中へ添加し、得られた混合物を撹拌した。次いで、40%TEAOH溶液9g中へ金属アルミニウム(99.95%)0.32gを溶解させた溶液を添加した。得られた混合物を、TEOSの加水分解によって生成したエタノール及び下記の最終組成が得られるのに必要は量の水が除去されるまで、撹拌下での蒸発処理に付した。最後に、48重量%のフッ化水素酸HFの水溶液(2.15g)を添加した。得られたゲルの組成は次の通りである[ROHはテトラエチルアンモニウムヒドロキシドを示す]:

SiO:0.062Al:0.665ROH:0.54HF:7H
このゲルを、テフロン(登録商標)で内張したスチール製オートクレーブ内へ入れ、該オートクレーブを、回転装置を具備した加熱炉内において140℃で6日間加熱した。得られた固体状生成物を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付すことによって、ゲル100gあたり27.9gの固体を得た。得られた固体(MAS−5)のX線回折図形及びIRスペクトルを図18及び図19にそれぞれ示す。
この生成物の内部に吸蔵された有機物とフッ化物イオンを除去するために、該生成物を空気気流中における580℃での焼成処理に3時間付した。
実施例11
テトラエチルオルトシリケート(15.00g)を、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAOH)溶液(40重量%)16.36g及び水(3g)との混合物中において撹拌下で加水分解させた。得られた混合物を、加水分解によって生成したアルコールと余剰水が蒸発するまで撹拌処理に付した。次いで、50重量%のフッ化水素酸HFの水溶液(1.56g)を添加し、得られた混合物を、下記の最終組成が得られるまで蒸発処理に付した[ROHはテトラエチルアンモニウムヒドロキシドを示す]:

SiO:0.54ROH:0.54HF:7H
このゲルを、テフロン(登録商標)で内張したスチール製オートクレーブ内において、175℃で4時間の撹拌下での加熱処理に付した。得られた固体状生成物を濾取し、蒸留水で洗浄した後、100℃での乾燥処理に付すことによって得られた固体(MAS−5)のX線回折図形図20に示す。
実施例12
この実施例においては、n−ヘキサデカンの水素化分解反応における二元機能触媒の触媒活性について説明する。該二元機能触媒は、実施例2で調製したMASに起因する酸性機能及び1.0重量%のPtに起因する水素化−脱水素化機能を具備する触媒であって、該触媒は、ヘキサクロロ白金酸水溶液を該MASへ含浸させることによって調製した。該水素化分解反応は、固定床連続型反応器を用いて次の条件下で行った:温度;270℃、圧力;40 bar、H/n−ヘキサデカンのモル比;95、接触時間(W/F);0.27時間。これらの条件下でのn−ヘキサデカンの転化率は84.6%であり、C16異性体への選択率は2.3%であり、また、水素化分解生成物への選択率は97.7%であった。水素化生成物中には、炭素原子数が1又は2の生成物は検出されなかった。C〜C生成物の収率は35.8%であった。
実施例13
この実施例においては、水素処理したガスオイル(250〜380℃の沸点を有する炭化水素10.6重量%、380℃よりも高い沸点を有する炭化水素89.4%及び硫黄分87ppmを含有する)の水素化分解反応における二元機能触媒の触媒活性について説明する。該二元機能触媒は、実施例2で調製したMASに起因する酸性機能及び1重量%のPtに起因する水素化機能を具備する触媒であって、ヘキサクロロ白金酸水溶液を該MASへ含浸させることによって調製した。該水素化分解反応は次の条件下で行った:温度;370℃、圧力;50bar 、標準状態でのH/ガスオイルのモル比;988、接触時間(W/F);0.2時間。
これらの条件下での水素化分解反応を8時間おこなたところ、380℃での転化率は56.4%であり、また、ガス、ナフサ(65〜150℃)、ケロシン(150〜250℃)及び平均留出物(250〜380℃)の収率はそれぞれ0.7%、12.5%、20.1%及び23.0%であった。
実施例14
この実施例においては、実施例2で調製した「MAS」の接触分解反応における触媒活性について説明する。この場合、反応成分としてはn−デカンを使用した。反応条件は次の通りである:温度;500℃、圧力;大気圧、触媒/供給物の重量比;0.70、反応時間;60秒間。このような条件下での転化率は33%であった。
実施例15
この実施例においては、実施例2で調製した「MAS」の真空ガスオイルの分解反応における触媒活性について説明する。反応条件は次の通りである:温度;500℃、圧力;大気圧、触媒/供給物の重量比;0.65、反応時間;60秒間。このような条件下での転化率は60重量%であり、ガス、ガソリン、ディーゼル及びコークスの収率はそれぞれ19.1%、23.2%、14.0%及び3.7%であった。また、ガス中のプロピレン/プロパン比は4.9であり、プロピレンの収率は7%であった。
図1は、有機化合物としてN(16)−メチルスパルテイニウムを使用して実施例1において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のX線回折図形である。 図2は、有機化合物としてN(16)−メチルスパルテイニウムを使用して実施例1において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質(MAS−1)のIRスペクトルである。 図3は、有機化合物としてN(16)−メチルスパルテイニウムを使用して実施例1において調製した本発明による焼成後の微孔性非晶質物質の細孔分布を示すグラフである。 図4は、有機化合物としてN(16)−メチルスパルテイニウムを使用して実施例2において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のX線回折図形である。 図5は、有機化合物としてN(16)−メチルスパルテイニウムを使用して実施例3において調製した本発明による焼成前のTi含有微孔性非晶質物質のX線回折図形である。 図6は、有機化合物としてN(16)−メチルスパルテイニウムを使用して実施例4において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質(純粋なシリカMAS−1)のX線回折図形である。 図7は、有機化合物として1,8−ビスキヌクリジニウムオクタンヒドロキシドを使用して実施例5において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質(MAS−2)のX線回折図形である。 図8は、有機化合物として1,8−ビスキヌクリジニウムオクタンヒドロキシドを使用して実施例5において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のIRスペクトルである。 図9は、有機化合物として1,8−ビスキヌクリジニウムオクタンヒドロキシドを使用して実施例5において調製した本発明による焼成後の微孔性非晶質物質の細孔分布を示すグラフである。 図10は、有機化合物として1,8−ビスキヌクリジニウムオクタンヒドロキシドを使用して実施例6において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のX線回折図形である。 図11は、有機化合物として1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシドを使用して実施例7において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質(MAS−3)のX線回折図形である。 図12は、有機化合物として1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシドを使用して実施例7において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のIRスペクトルである。 図13は、有機化合物として1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシドを使用して実施例7において調製した本発明による焼成後の微孔性非晶質物質の細孔分布を示すグラフである。 図14は、有機化合物として1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシドを使用して実施例8において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のX線回折図形である。 図15は、有機化合物としてヘキサメトニウムヒドロキシドを使用して実施例9において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質(MAS−4)のX線回折図形である。 図16は、有機化合物としてヘキサメトニウムヒドロキシドを使用して実施例9において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のIRスペクトルである 図17は、有機化合物としてヘキサメトニウムヒドロキシドを使用して実施例9において調製した本発明による焼成後の微孔性非晶質物質の細孔分布を示すグラフである。 図18は、有機化合物としてテトラエチルアンモニウムヒドロキシドを使用して実施例10において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質(MAS−5)のX線回折図形である。 図19は、有機化合物としてテトラエチルアンモニウムヒドロキシドを使用して実施例10において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のIRスペクトルである。 図20は、有機化合物としてテトラエチルアンモニウムヒドロキシドを使用して実施例11において調製した本発明による焼成前の微孔性非晶質物質のX線回折図形である。

Claims (32)

  1. 焼成した無水状態で下記の実験式で表される化学的組成を有すると共に、均一な細孔分布、0.05cm・g−1以上の微孔体積及び100m・g−1よりも大きな比表面積を有することによって特徴づけられる微孔性非晶質物質:
    x(M1/nXO):yYO:SiO
    式中、xは0を含む0.2未満の値を示し、yは0を含む0.2未満の値を示し、MはH、1種若しくは複数種の+n価の無機カチオン及びこれらの混合物から選択されるカチオンを示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の化学元素を示し、Yは1種若しくは複数種の+4の酸化状態の化学元素を示す。
  2. 焼成した無水状態で下記の実験式で表される化学的組成を有する請求項1記載の微孔性非晶質物質:
    x(M1/nXO):yYO:SiO
    式中、xは0を含む0.1未満の値を示し、yは0を含む0.1未満の値を示し、MはH、1種若しくは複数種の+n価の無機カチオン及びこれらの混合物から選択されるカチオンを示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の化学元素を示し、Yは1種若しくは複数種の+4の酸化状態の元素を示す。
  3. Xが、Al、Ga、B、Fe、Cr、及びこれらの混合物から成る群から選択される請求項1又は2記載の微孔性非晶質物質。
  4. Yが、Ti、Ge、Sn、V及びこれらの混合物から成る群から選択される請求項1又は2記載の微孔性非晶質物質。
  5. 化学的組成が下記の式に対応する請求項1、2又は3記載の微孔性非晶質物質:
    x(M1/nXO):SiO
    式中、xは0を含む0.2未満の値を示し、MはH、1種若しくは複数種の+n価の無機カチオン及びこれらの混合物から選択されるカチオンを示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の化学元素を示す。
  6. 焼成した無水状態での化学的組成が下記の式で表され請求項1、2又は3記載の微孔性非晶質物質:
    yYO:SiO
    式中、yは0を含む0.2未満の値を示し、Yは1種若しくは複数種の+4の酸化状態の化学元素を示す。
  7. 焼成した無水状態での化学的組成が下記の実験式で表される請求項1、2又は3記載の微孔性非晶質物質:
    x(HXO):SiO
    式中、xは0を含む0.2未満の値を示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の化学元素を示す。
  8. 焼成した無水状態での化学的組成がSiOで表される請求項1、2又は3記載の微孔性非晶質物質。
  9. 下記の工程 i)及び ii)を含む請求項1から8いずれかに記載の微孔性非晶質物質の製造法:
    i)少なくともSiO源、1種若しくは複数種の有機化合物及び水を含有する反応混合物であって、下記の酸化物モル比を有する反応混合物を調製し、
    ii)該反応混合物を撹拌下若しくは非撹拌下において80〜200℃で、微孔性非晶質物質が形成されるまで加熱する:
    ROH/SiO=0.01〜3.0
    O/SiO=1〜100
    (式中、Rは1種若しくは複数種の有機化合物を示す)
  10. 反応混合物がフッ化物イオン源をさらに含有する請求項9記載の製造法。
  11. 下記の工程 i)及び ii)を含む請求項9又は10記載の製造法:
    i)少なくともSiO源、1種若しくは複数種の4価元素Y源、1種若しくは複数種の有機化合物及び水を含有する反応混合物であって、下記の酸化物モル比を有する反応混合物を調製し、
    ii)該反応混合物を撹拌下若しくは非撹拌下において80〜200℃で、微孔性非晶質物質が形成されるまで加熱する:
    ROH/SiO=0.01〜3.0
    O/SiO=1〜100
    YO/SiO=0.001〜0.2
    (式中、Rは1種若しくは複数種の有機化合物を示し、Yは1種若しくは複数種の+4の酸化状態の元素を示す)
  12. 下記の工程 i)及び ii)を含む請求項9又は10記載の製造法:
    i)少なくともSiO源、1種若しくは複数種の3価元素X源、1種若しくは複数種の有機化合物及び水を含有する反応混合物であって、下記の酸化物モル比を有する反応混合物を調製し、
    ii)該反応混合物を撹拌下若しくは非撹拌下において80〜200℃で、微孔性非晶質物質が形成されるまで加熱する:
    ROH/SiO=0.01〜3.0
    O/SiO=1〜100
    /SiO=0.001〜0.1
    (式中、Rは1種若しくは複数種の有機化合物を示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の元素を示す)
  13. 下記の工程 i)及び ii)を含む請求項9又は10記載の製造法:
    i)少なくともSiO源、1種若しくは複数種の3価元素X源、1種若しくは複数種の+n価の元素M源、1種若しくは複数種の有機化合物及び水を含有する反応混合物であって、下記の酸化物モル比を有する反応混合物を調製し、
    ii)該反応混合物を撹拌下若しくは非撹拌下において80〜200℃で、微孔性非晶質物質が形成されるまで加熱する:
    ROH/SiO=0.01〜3.0
    O/SiO=1〜100
    /SiO=0.001〜0.1
    (式中、Rは1種若しくは複数種の有機化合物を示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の元素を示し、MはH、1若しくは複数の+n価の無機カチオン及びこれらの混合物から選択されるカチオンを示す)
  14. 下記の工程 i)及び ii)を含む請求項9又は10記載の製造法:
    i)少なくともSiO源、1種若しくは複数種の3価元素X源、1種若しくは複数種の4価元素Y源、1種若しくは複数種の+n価の元素M源、1種若しくは複数種の有機化合物及び水を含有する反応混合物であって、下記の酸化物モル比を有する反応混合物を調製し、
    ii)該反応混合物を撹拌下若しくは非撹拌下において80〜200℃で、微孔性非晶質物質が形成されるまで加熱する:
    ROH/SiO=0.01〜3.0
    O/SiO=1〜100
    /SiO=0.001〜0.1
    YO/SiO=0.001〜0.2
    (式中、Rは1種若しくは複数種の有機化合物を示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の元素を示し、Yは1種若しくは複数種の+4価の酸化状態の元素を示し、MはH、1若しくは複数の+n価の無機カチオン及びこれらの混合物から選択されるカチオンを示す)
  15. 反応混合物が下記の酸化物モル比を有する請求項14記載の製造法:
    ROH/SiO=0.1〜1.0
    O/SiO=1〜50
    /SiO=0.001〜0.05
    YO/SiO=0.001〜0.1
    (式中、Xは、Al、B、Ga、Fe及びCrから成る群から選択される1種若しくは複数種の3価元素を示し、Yは、Ti、Ge、Sn及びVから成る群から選択される1種若しくは複数種の4価元素を示す)
  16. 反応混合物が下記の実験式に対応する組成を有する請求項14記載の製造法:
    aROH:bM1/nF:xX:yYO:SiO:wH
    式中、Rは1種若しくは複数種の有機化合物を示し、Xは1種若しくは複数種の+3の酸化状態の元素を示し、Yは1種若しくは複数種の+4価の酸化状態の元素を示し、MはH、1種若しくは複数種の+n価の無機カチオン及びこれらの混合物から選択されるカチオンを示し、a、b、x、y及びwは下記の意義を有する:
    a=ROH/SiO=0.01〜3.0
    b=M1/nF/SiO=0.1〜3.0
    x=X/SiO=0〜0.05
    y=YO/SiO=0〜0.1
    w=HO/SiO=1〜50
  17. 反応混合物を、撹拌下又は非撹拌下において100〜200℃で加熱する請求項9から16いずれかに記載の製造法。
  18. 有機化合物Rが水酸化物形態である請求項9から17いずれかに記載の製造法。
  19. 有機化合物が1個又は複数個のアミン基を有する請求項9から17いずれかに記載の製造法。
  20. 有機化合物が1個又は複数個のアンモニウム基を有する請求項9から17いずれかに記載の製造法。
  21. 有機化合物が次の化合物から選択される請求項9から17いずれかに記載の製造法:N(16)−メチルスパルテイニウム、1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシド、1,8−ビスキヌクリジニウムオクタンヒドロキシド、1,4−ビスシクロヘキシルピロリジニウムブタンヒドロキシド、ヘキサメトニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド。
  22. 請求項1から14いずれかに記載の微孔性非晶質物質を有機化合物の変換方法において触媒として使用する方法であって、所定量の該触媒を供給原料と接触させることを含む該使用方法。
  23. 変換方法が、有機化合物の接触分解法である請求項22記載の使用方法。
  24. 有機化合物が炭化水素である請求項23記載の使用方法。
  25. 変換方法が下記の群から選択される請求項22記載の使用方法:水素化分解法、炭化水素の穏やかな水素化分解法、機能化炭化水素の穏やかな水素化分解法、炭化水素と機能化炭化水素の穏やかな水素化分解法、オレフィンの水素化異性化法、軽質パラフィンの異性化法、脱パラフィン化法、脱イソパラフィン化法及びアルキル化法。
  26. アルキル化法が下記の群から選択される請求項25記載の使用方法:オレフィンを用いるイソパラフィンのアルキル化法、イソパラフィンを用いるオレフィンのアルキル化法、オレフィン又はアルコールを用いる芳香族化合物のアルキル化法、オレフィン又はアルコールを用いる置換芳香族化合物のアルキル化法、オレフィン又はアルコールを用いるチオフェン系化合物のアルキル化法、オレフィン又はアルコールを用いるアルキルチオフェン系化合物のアルキル化法、オレフィン又はアルコールを用いるアルキルベンゾチオフェン系化合物のアルキル化法。
  27. アルキル化法が、プロピレンを用いるベンゼンのアルキル化である請求項25記載の使用方法。
  28. 変換法が、アシル化剤として酸、酸塩化物又は有機酸無水物を用いる置換芳香族化合物のアシル化反応である請求項22記載の使用方法。
  29. 変換法が、酸化剤としてH、有機過酸化物又は有機ヒドロペルオキシドを用いる有機化合物の選択的酸化反応である請求項22記載の使用方法。
  30. 変換法が、メールバイン−ポンドルフ−バーレイ型酸化反応及びバイヤー−ビリガー型酸化反応から選択される請求項22記載の使用方法。
  31. 非晶質物質がTiを含有し、変換法が下記の群から選択される請求項22記載の使用方法:オレフィンのエポキシ化、アルカンの酸化、アルコールの酸化、酸化剤として有機若しくは無機ヒドロペルオキシド又は分子状酸素を用いる硫黄含有有機化合物の酸化であって、スルホキシドとスルホンを生成する該酸化、及びケトンのアンモ酸化。
  32. 非晶質物質がSnを含有し、変換法が、酸化剤としてHを用いるバイヤー−ビリガー反応における酸化である請求項22記載の使用方法。
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