JP2008527341A - バイオセンサー用新規な電極デザイン - Google Patents

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Abstract

テストストリップが適当なテスト機と対になっているときに体液中の重要な信号を測定するテストストリップであって、該テストストリップおよび該テスト機はテストストリップトレースの完全性を確かめるための、テストストリップトレースの寄生抵抗を測定するための、またテストストリップトレース中の寄生抵抗損失の主な原因となるテストストリップに印加される電圧に補償を提供するための構造を持っていることを特徴とする。さらに導電性トレースは、該テストストリップ上に存在する全ての電極およびトレースの構造上の疑問を確かなものとするために位置付けられている。

Description

本発明は、検体濃度信号に対する干渉物(血糖の場合のヘマトクリット値および温度など)に関する信号のみならず、体液中の検体(血糖など)の濃度に関する信号などの信号を測定するために使用する装置に関するものである。本発明は、バイオセンサーテストストリップの品質確保用の装置および方法に特に関するものである。
体液中の物質の濃度の測定は、多くの医療状態の診断および治療に対して重要な道具である。例えば、血液などの体液中のグルコースの測定は、糖尿病の有効な治療には、きわめて重要である。
糖尿病治療法は、典型的には2つのタイプのインシュリン治療:基礎的な治療および食事時間治療を包含している。基礎インシュリンは、就寝前に取られる連続、例えば徐放性インシュリンとする。食事時間インシュリン治療は、砂糖および炭水化物の代謝を含め、多数の因子により生じる血糖中の変動を制御するために、迅速作用インシュリンの追加の投与を提供する。血糖変動の正しい制御は、血中のグルコース濃度の正確な測定を必要とする。それを失敗すると、失明、極端な場合の脱水症などの極端な合併症を生じて、最後には、糖尿病患者から男性または女性の指、手、足などの使用を奪ってしまうことになる。
血液中のサンプル中の検体、例えばグルコースの濃度を測定する多数の方法が知られている。そのような方法は、典型的には2つの範疇;光学的方法および電気化学的方法のうちの1つに当てはまる。一般的には、光学的方法は、典型的には検体と結びついた公知の色を生じる試薬と共に検体の濃度により生じる流体におけるスペクトルシフトを観察するための分光分析法を包含する。電気化学的方法は、典型的には検体と組み合わせたとき電荷移動を生じる試薬と共に検体濃度と電流(電流測定)、電位(電位差測定法)または蓄積電荷(クーロン測定法)との間の相関関係に依存している。例えば、ここに完全に組み入れられているコロンバスの米国特許第4233029号、ペースの米国特許第4225410号、コロンバスの米国特許第4323536号、マグリーの米国特許第4008448号、リルジャらの米国特許第4654197号、スツミンスキーらの米国特許第5108564号、南海らの米国特許第5120420号、スツミンスキーらの米国特許第5128015号、ホワイトらの米国特許第5243516号、デイーボルドらの米国特許第5437999号、ポールマンらの米国特許第5288636号、カーターらの米国特許第5628890号、ヒルらの米国特許第5682884号、ヒルらの米国特許第5727548号、クリスモアらの米国特許第5997817号、藤原らの米国特許第6004441号、プリーデルらの米国特許第4919770号、シーの米国特許第6054039号を参照のこと。テストを行うためのバイオセンサーは、典型てきには、体液中の重要な検体と化学的に反応する試薬をその上に持っている使い捨てテストストリップである。該テストストリップは、検体濃度を求めかつユーザーに対してそれを表示するために、検体と試薬の間の反応を、試験機が測定できるように、非使い捨て試験機と対になっている。
図1は、10で一般的に示される典型的な先行技術の使い捨てバイオセンサーテストストリップを概略的に示している(例えば、本出願と同じ代理人により、指定されかつ参照としてここに組み入れられた米国特許第4999582および米国特許第5438271を参照のこと)。テストストリップ10は、導電性の基材で形成され、その上には、導電性領域14、16が形成されている。化学試薬18は、該テストストリップ10の片端において、導電性領域14、16に亘り用いられる。試薬18は、測定電極14aおよび16aの間に電位が印加されたときに検出されるように、生体サンプル中の関心のある検体と反応する。
従ってテストストリップ10は、検体を含んでいるサンプルと直接接触するようになる測定電極14a、16aを含んだ反応ゾーン20を持っており、それに対してサンプル中の濃度は求められる。電流測定またはクーロン測定による電気化学的測定システムにおいては、反応ゾーン20中の測定電極14a、16aは、測定電極に電位を供給しかつこの電位(例えば、電流、インピーダンス、電荷など)に対する電気化学的センサーの応答を測定する電気回路(典型的には先行技術でよく知られているように、テストストリップが挿入されるテスト機(示されていない)中へ)に接続されている。
テスト機はテストストリップ10の接触ゾーン22中で、接触パッド14b、16bにテストストリップ10を接触させる。接触ゾーン22は通常(しかし必ずしも常ではないが)テストストリップ10の反対端において、測定ゾーン20から幾分か離れて位置している。導電性トレース14c、16cは、接触ゾーン22中の接触パッド14b、16bを反応ゾーン20中の各測定電極14a、16aに連結させる。
電極、トレースおよび接続パッドが電気導電性薄フィルム(例えば、限定的でない例として、貴金属、カーボンインクおよび銀ペースト)から構成されているバイオセンサー10に対しては、特に接触ゾーン22を反応ゾーン20に接触させる導電性トレース14c、16cの抵抗は数百オームに達する。この寄生抵抗は、導電性トレース14c、16cの長さに沿って電圧降下を引き起こしその結果、反応ゾーン20中の測定電極14a、16a送られる電位は、接触ゾーン22中のテストストリップ10の接触パッド14b、16bに対して、テスト機により印加される電位よりもかなり低い。反応ゾーン20内で起きる反応のインピーダンスは、導電性トレース14c、16cの寄生抵抗の大きさのオーダー内であり得るから、測定された信号は、該トレースにより誘引されるI−R(電流×抵抗)降下により、かなりのオフセットを持つことになる。このオフセットがテストストリップからテストストリップへと変化する場合には、測定結果にノイズが加わることになる。さらに、磨耗、割れ、引っかき傷、化学分解などのテストストリップ10の物理的損傷が、製造、運送、貯蔵および/またはユーザーの取り扱いミスの間に生じ得る。これらの欠点が、それらが極端な高抵抗またはオープン回路を示すポイントまで、導電性領域14、16に損傷を与えることになる。トレース抵抗におけるそのような増加は、テスト機が正確なテストを行うのを妨げることになる。
テストストリップが、適当なテスト機と対になっているときに体液中の重要な信号を測定するテストストリップであって、該テストストリップおよび該テスト機は、テストストリップトレースの完全性を確かめるための、テストストリップトレースの寄生抵抗を測定するための、またテストストリップトレース中の寄生抵抗損失の主な原因となるテストストリップに印加される電圧に補償を提供するための構造を持っていることを特徴とする。さらに導電性トレースは、該テストストリップ上に存在する全ての電極およびトレースの構造上の疑問を確かなものとするために位置付けられている。
本発明の原理の理解を促進する目的のために、図面中に図示された実施の態様を参照し、かつ実施の態様を記述するために特定の語彙を使用する。それにもかかわらず、それにより本発明の範囲を限定する意図がないことを理解されるものとする。図示された装置のいかなる修正およびいかなる変更も、またそこに図示されている本発明の原理のさらなる応用も、本発明に関係する当業者に対して通常起こるものとして考慮される。特に本発明は、血糖計という語彙のもとに考察するけれども、本発明は他の検体および他のサンプルタイプを測定するための装置を用いて使用できることが意図されている。そのような他の実施の態様は、当業者にとって明白なここで議論される実施の態様へのある種の適合を必要としている。
本発明の装置および方法は、幅広い多様なデザインを持ったまた幅広い多様な構築技術およびプロセスを用いて作られるテストストリップを用いて使用されるが、本発明の第1実施の態様のテストストリップは、図2中に概略的に示されかつ一般的には200で示される。テストストリップ10の部分と実質的に同一のテストストリップ200の部分は、同様な参照指示子を用いてマークされる。図2を参照してテストストリップ200は、50nmの導電性金層(例えば、スパッタリングまたは蒸着により、非限定的例により)を用いてそのトップ表面上に塗布された厚み350μmのポリエステル(デュポン社から入手可能なメリネックス329など)の不透明なピースから形成される底基板12を含んでいる。それに対してトレースと接触パッドを接続する電極は、例えばレーザー切断法により導電層中にパターンを形成される。レーザー切断法の1つの実施の態様は、石英上クロムマスクを経由して通過するエキシマレーザーにより行われる。クロムにより定められるマスクパターンは、フィールドの他の部分を石英を経由させながら、反射されるレーザーフィールドの部分を生じさせ、蒸着される金上にレーザー光により接触されるパターンを形成する。レーザー切断法は、以下詳細に記述する。例えば、作用電極214a、対向電極216aおよび対向センサー電極224aが図示されたように形成され、各トレース214c、216cおよび224cにより、各測定接触パッド214b、215bおよび224bに連結される。当技術でよく知られているように、テストストリップ200が一度挿入されると、テスト計(示されていない)のコネクター接触により接触されるように、これらの接触パッド214b、215bおよび224bは、テストストリップ200上に導電性領域を提供する。
図2および図3は、テストストリップの対向電極ライン中での寄生I−R低下の補償を可能にすることにより、先行技術に基づいて、テストストリップデザインを改良する本発明の実施の態様を示している。図2のテストストリップ200は、対向センサー電極224a、接触パッド224bおよびトレース224cの添加以外は、図1の先行技術テストストリップ10と実質的には同一である。対向センスライン224の付与は、接触パッド216bおよび224bの間の寄生抵抗に対して、テスト計(以下記述する)が、補償できるようになる。図3の回路を用いて使用したとき、図2の実施の態様は、テストストリップ200の対向電極側でのI−R降下に対してのみ補償を行うことに注意すること。本開示を参照して当業者にとっては明白であるように、希望すれば、作用電極側に複製することができるけれども、テストストリップ200の作用電極側上での寄生抵抗は、この回路を用いても検出できない。さらに、テストストリップの作用電極および対向電極の両電極上の寄生抵抗に対する補償方法は以下に示される。従って図2の対向センスラインは、図3に冠してより詳細に説明されるように、テスト機が対向ライン216中でのいかなる寄生抵抗の電圧降下に対しても補償を可能にさせている。
図3を参照して、テスト機内に収められた第1実施の態様の補償回路(一般的には300で示されている)の概略電気回路図を示している。示されているように、テストストリップ200がテスト機中に挿入されたときに、該回路が接触パッド214b、215bおよび224bに連結される。当業者なら理解されるように、電位が対向電極接触パッド216bに対して印加され、それが対向電極216aと作用電極214aの間に、試薬18に適用される生体サンプルに存在する検体の量に比例した電流を生じさせる。作用電極214aからの電流は、作用電極トレース214cにより作用電極接触パッド214bに伝達され、電流対電圧増幅器310に対して提供される。増幅器310のアナログ出力電圧は、アナログーデジタル変換器(A/D)312により、デジタル信号に変換される。その後、該デジタル信号はテストストリップ200に適用される生体サンプル内の検体濃度を定量するために、事前に貯蔵されたプログラムにより、マイクロプロセッサ314により所有される。この濃度は液晶表示(LCD)画面などの適当な出力装置316により、ユーザーに表示される。
マイクロプロセッサ314も、対向電極接触パッド216bに印加される電位を指示するデジタル信号を出力する。このデジタル信号がデジタルーアナログ変換器(D/A)318により、アナログ電圧信号に変換される。D/A318のアナログ出力は、操作増幅器320の第1入力中に印加される。操作増幅器320の第2入力は、対向センス電極接触パッド224bに連結されている。操作増幅器320の出力は、対向電極接触パッド216bに連結されている。
操作増幅器320は電圧追随構造中に接続され、その中で第2入力に現れる電圧が第1入力に現れる命令された電圧に等しくなるまで、増幅器はその出力(操作の物理的限界内で)を調節する。操作増幅器320の第2入力は高インピーダンス入力であり、したがって対向センスライン224中には実質的に電流は流れない。実質的に電流は流れないから対向センスライン224中のいかなる寄生抵抗も電圧降下を生じさせなくて、操作増幅器320の第2入力に現れる電圧は、対向センス電極224aにおける電圧と実質的に同じになり、そのことはそれらの物理的近似性から同様に対向電極216aに現れる電圧と実質的に同じとなる。
従って操作増幅器320は、対向電極216a(対向センスライン224を越えてフィードバックされる)に現れる実際の電位がマイクロプロセッサ314により命じられる電位に等しくなるまで、対向電極接触パッド216bに印加される電位を変更する作用を行う。従って操作増幅器320は、対向電極トレース216c中での寄生抵抗により生じる電圧降下に対する補償を自動的に行いかつ対向電極216aに現れる電位は望みの電位となる。従って、電流を生じた電圧がマイクロプロセッサ314により命じられたのと同一電圧であるから、作用電極により生じた電流から生体サンプル中の検体濃度を計算することはより正確になる。回路300により与えられる寄生抵抗電圧降下に対する補償がなければ、マイクロプロセッサ314は命じられた電圧が対向電極216aに対して実際印加されたという誤った推測の下に得られる電流を解析することになる。
非制限的な例により、カーボンインク印刷、銀ペーストシルク印刷、スクライブ金属処理プラスチック、電気鍍金、化学メッキ、および光化学エッチングなどの種々の方法がマルチ電極を持ったテストストリップの製造に用いられる。以下述べるように、追加の電極センスラインを持ったテストストリップの1つの製造方法は、レーザー切断技術により行われる。バイオセンサー用電極を製造するこれらの技術を用いた例は、2001年5月25日にファイルされた米国特許出願継続番号第09/866030「連続的カバーレイチャンネル付きレーザー切断電極を持ったバイオセンサー」中に、および1999年10月4日にファイルされた「パターン形成された積層体に対するレーザー確定特性および電極」というタイトルの米国特許出願継続番号第09/411940中に記載されており、それらの開示は参照としてここに組み入れられている。レーザー切断は、きわめて小さな特性サイズを持った導電性領域を反復方法で正確に製造可能にさせるから、本発明によるテストストリップ製造に有用である。レーザー切断は、テストストリップのサイズを増すことなく、本発明の過剰のセンスラインをテストストリップに追加するための手段を提供する。
本発明においては、互いに対してかつバイオセンサー全体に対して電気部品の正確な配置を提供することが好ましい。1つの実施の態様においては、マスクを通して行われる広いフィールドのレーザー切断または電気部品用正確なパターンを持つ他の装置の使用により、少なくとも部分的に部品の相対的な配置が達成される。これにより隣接端の正確な位置付けが可能となり、またそれが先端の滑らかさに対する精密許容差によりさらに高められる。
図4は、第1電極セット404および第2電極セット403、さらに対応するトレース406および407と接触パッド408、409それぞれからなる電極システムを定めるその上に形成された導電性材料403を持った基板402を含めて、本発明のレーザー切断プロセスを示すために有用な単純なバイオセンサー401を図示している。バイオセンサー401は、レーザー切断プロセスを示す目的のためにここで使用されかつ本発明のセンスラインを組み入れるものとして示していないことに注意すること。該導電性材料403は、純粋な金属または合金または金属導電体となる他の材料を含んでいても良い。いくつかの実施の態様においては、該導電性材料は、電極を形成するために使用されるレーザーの波長および迅速かつ正確な加工を受けやすい厚みの波長で吸収性がある。非限定的な例としては、アルミニウム、炭素、銅、クロム、金、インジウム錫酸化物(ITO)、パラジウム、白金、銀、金錫酸化物、チタン、それらの混合物およびこれらの元素の合金または金属化合物が挙げられる。いくつかの実施の態様においては、該導電性材料は、貴金属または合金または他の酸化物を包含する。他の実施の態様は、金、パラジウム、アルミニウム、チタン、白金、ITOおよびクロムなどの導電性材料を使用する。該導電性材料の厚みは30〜70nmの間の範囲であり、その他は50nmの厚みで使用する。
該導電性材料の厚みは、材料の透過性およびバイオセンサーの使用に関する他の因子に依存していることを理解されているものとする。
図示していないが、得られたパターンを持った導電性材料を、さらなる金属層で塗布またはメッキすることができることも理解されているものとする。例えば該導電性材料は銅であって、その後レーザーで電極パターンに切断され、続いて、該銅をチタン/タングステン層で、その後金でメッキして希望の電極を形成しても良い。大抵の実施の態様においては、ベース402上に乗った導電性材料の単一層が使用される。一般的には必要ではないが、当業界で公知であるが、クロムニッケルまたはチタンなどの種層または補助層を用いることにより、ベースに対しての導電性材料の接着を高めることができる。いくつかの実施の態様においては、バイオセンサー401は、金、パラジウム、白金またはITOの単一層を持っている。
バイオセンサー401は、それぞれ図4、図6および図7に示されているように、2つの装置10、10’を用いて実例的に製造される。特に記載が無ければ、装置410、410’は、同様な方法で操作されることを理解されているものとする。図5を参照して、バイオセンサー401は、幅約40mmの80nmの金積層体を持ったリボン420のロールを、特別仕立ての広域レーザー切断装置410中に送ることにより、製造される。装置410は、レーザー光412のビームを生じるレーザー光源411と、クロムメッキの石英マスク414と、光学系416とからなっている。図示された光学系416は、単一レンズであるが、光学系416は、光412を所定の形状にさせるように共同作業する種々のレンズであっても良いことを理解されているものとする。
適当な切断装置410(図5および図6)の非限定的な例は、ドイツのガルブセンのLPKFエレクトロニクス社から市販されている特別注文のマイクロラインレーザー200−4レーザーシステムであり、それは、ドイツ、ゲッチンゲンのラムダフィージク社から市販されているLPX−400、LPX−300またはLPX−200レーザーシステムおよび米国ミネソタ州ミネアポリスのインファイナイト・グラフィク社から市販されているクロムメッキの石英マスクとを組み入れている。
マイクロラインレーザー200−4レーザーシステム(図5および図6)に対して、レーザー光源411は、LPX−200KrF−UV−レーザーである。しかし、本開示により、さらに高い波長のUVレーザーを使用可能であることを理解されているものとする。レーザー光源411は、600mJのパルスエネルギーおよび50Hzのパルス反復周期で248nmで作動する。レーザー光412の強度は、誘電性ビームアクチュエーター(示されていない)により、3〜92%の間で無限に調節可能である。ビームプロファイルは、27×15mm2(0.62平方インチ)でかつパルス期間は25nsである。マスク411上のレイアウトは、光学エレメントビーム拡張器、ホモジナイザーおよびフィールドレンズ(示されていない)により均一に投影される。ホモジナイザーの性能は、エネルギープロファイルを測定することにより求められる。画像化光学系416は、マスク414の構造をリボン420上に移す。画像化比は2:1で、一方では大面積を除去できるが、他方では用いられるクロムマスクの切断ポイント以下に、エネルギー密度を維持することができる。2:1の画像化比を示したが、いかなる他の比の数字も希望するデザインの要求により本開示にしたがって可能である。リボン420は、矢印425に示されたように移動し、継続して多数のレイアウト切片を切断可能にしている。
マスク414の位置決めとリボン420の移動とレーザーエネルギーは、コンピュータで制御されている。図5に示されているように、レーザービーム412は、切断されるリボン420上に投影される。クリアー領域またはマスク414の窓418を経由した光412は、リボン420から金属を切断する。マスク414のクロム塗布領域424は、レーザー光412を遮蔽し、それらの領域での切断を防ぎ、その結果リボン420表面上に金属処理された構造が得られる。図6を参照して、電気部品の完全な構造は第2マスク414’を経由した追加の切断工程を必要とする。光学系および切断される電気部品のサイズによるが、本開示にしたがって単一切断工程のみまたは切断2工程が必要であることを理解されているものとする。さらに多重マスクの代わりに、本開示にしたがって、多重のフィールドが同一マスク上で形成されることを理解されているものとする。
特に適当な切断装置410’の第2非限定的例(図7)は、ドイツのガルブセンのLPKFエレクトロニクス社から市販されている特別注文のレーザーシステムであり、それは、ドイツ、ゲッチンゲンのラムダフィージク社から市販されているラムダSTEEL(安定エネルギーエキシマレーザー)レーザーシステムおよび米国ミネソタ州ミネアポリスのインファイナイト・グラフィク社から市販されているクロムメッキの石英マスクとを組み入れている。該レーザーシステムは、308nmの波長で1000mJパルスエネルギーまでの特性を持っている。さらに、該レーザーシステムは、周波数100Hzを持っている。装置410’は、図5および図6に示されるように2つの経路を持ったバイオセンサーを作るために形成しても良いが、いくつかの実施の態様においては、該光学系は25ns単一パスで10×40mmのパターンの形成を許諾する。
特定の理論に縛られたくないが、マスク414、414’、414’’を経由して通過するレーザーパルスまたはレーザービーム412は、リボン420上の表面402の1μm未満以内で吸収されていると信じられている。ビーム412の光子は、金属/ポリマー界面での化学結合の光乖離および迅速破壊を引き起こすのに充分なエネルギーを持っている。迅速な化学結合破壊は吸収領域内で急速な圧力増加を引き起こし、かつ材料(金属フィルム403)がポリマーベース表面から強制的に噴出されると信じられている。典型的なパルス時間は、約20〜25ナノ秒であるから、材料との相互作用は非常に迅速に起こりかつ導電性材料403の先端および周囲構造に対する熱損傷は最小限になる。電気部品の生成した先端は、本発明により考案されたように高度な先端品質と正確な配置を持っている。
リボン420から金属を除去または切断するために使用されるフルエンスエネルギーは、リボン420が形成される材料と、ベース材料に対する金属フィルムの接着と、金属フィルムの厚みと、ベース材料上にフィルムを置くために使用されるプロセス、すなわち支持および蒸着とに依存している。フルエンスは、KALADEX(登録商標)上の金に対しては約50〜約90mJ/cm2、ポリイミド上の金に対しては約100〜約120mJ/cm2、またMELINEX(登録商標)上の金に対しては約60〜約120mJ/cm2のレベルである。上記のレベルより小さいまたは大きいフルエンスレベルは、本開示にしたがって他のベース材料に対して適当であることが理解される。
リボン420の領域のパターン形成は、マスク414、414’を使用することにより達成される。各マスク414、414’は、形成される電気部品のパターンのあらかじめ決められた部分の正確な2次元説明図を含んだマスクフィールド422を包含している。図6は、接触パッドおよびトレース部分を包含したマスクフィールド422を図示している。図6に示されるように、第2マスク414’は、トレースの第2対応部分およびフィンガーを含んだ電極パターンを含んでいる。以前述べたように切断される領域のサイズによって、マスク414は本開示にしたがって電極パターン(図7)の完全な図または図5および図6に図示されているものとは異なったパターンの部分を含むことができる。本発明の1つの態様においてテストストリップ上の電気部品の全パターンは、一回でレーザー除去される、すなわちブロードフィールドが該テストストリップ(図7)の全サイズを包含する。別の方法では図5および図6に示したように、全バイオセンサーの部分が巧く行われていることが意図されている。
マスク414を以下考察するが特に指示しなければ、該考察は同様に、マスク414、414’に対して適用されることを理解されているものとする。図5を参照して、クロムで防御されているマスクフィールド422の領域424は、リボン420に対するレーザービーム412の投影を遮蔽する。マスクフィールド422中のクリアー領域または窓418は、レーザービーム412が、マスク414を経由して通過可能にさせかつリボン420の所定の領域に衝撃を与える。図5に示されているように、マスクフィールド422のクリアー領域418はリボン420の領域に対応し、そこから導電性材料403は除去されることになる。
さらにマスクフィールド422は、ライン430により示される長さとライン432により示される幅を持っている。LPX−200の2:1の画像化比が与えられたとすると、マスクの長さ30は得られるパターンの長さ434の長さの2倍でありまたマスクの幅432は、リボン420上に得られるパターンの幅436の幅の2倍であることを理解されているものとする。マスクフィールド422の相対的寸法および得られるパターンは、本開示にしたがって変化できることを理解されているものとする。マスク414’(図6)は、電気部品の2次元説明図を完成するために使用されている。
続けて図5を参照して、レーザー切断装置410において、エキシマレーザー光源411はビーム412を発射し、それが石英上クロムマスク414を通過する。マスクフィールド422はビームの他の部分を通過させながら、レーザービーム412の部分を反射させ、レーザービーム412により衝撃を与えられる場所の金膜上にパターンを形成する。リボン420は装置410に対して静止しており、または装置410を経由して連続的にロール上を移動していることを理解されているものとする。従って、リボン420の移動の非限定的速度は、約0m/分〜約100m/分であり、またいくつかの実施の態様においては、それは約30m/分〜約60m/分である。リボン420の移動速度は、選択された装置410によってのみ制限されかつ本開示にしたがって、レーザー光源411のパルス時間に依存して、100m/分を越えても良いことを理解されているものとする。
一度、マスク414のパターンがリボン420上に創られると、該リボンは巻き戻され、またマスク414’と共に装置410を経由して送られる(図6)。または、レーザー装置410は本開示にしたがって、連続で位置決め可能であることを理解されているものとする。このようにして、マスク414、414’を用いることにより、同一マスク中の多重マスクフィールド422を包含する工程反復プロセスを用いて、リボン420の大面積をパターン形成できて、ベース基板上に複雑な電極パターンおよび他の電気部品の経済的な創作と電気部品の正確な先端とバース材料からの多量の金属フィルムの除去とを可能にする。
図8および図9に図示された本発明の実施の態様は、テストストリップ上の作用電極および対向電極リードの両者のI−R降下補償の手はずを整えることにより、先行技術を越えて改良している。ここで図8を参照して、800で一般的に示される本発明の第2の実施の態様のテストストリップ構造を概略的に示している。テストストリップ800は、その最上表面を50nmの導電性金層(例えば、非制限的例によりスパッタリングまたは蒸着により)で塗布された底基板12からなる。それに対してトレースと接触パッドを接続する電極はこれまで記述してきたように、レーザー切断プロセスにより、導電性層中にパターン形成される。例えば、作用電極814aと、作用センス電極826aと、対向電極216aと、対向センス電極224aは示されたように形成され、そして各トレース814c、826c、216cおよび224cにより各測定接触パッド814b、826b、216bおよび224bに連結されている。これらの接触パッド814b、826b、216bおよび224bは、テストストリップ800がテスト機に挿入されたとき、テスト機(示していない)のコネクター接触により接触されるテストストリップ800上に導電性領域を提供する。
図8のテストストリップ800は作用センス電極826aと、接触パッド826bと、トレース826cの付加以外は、図2の第1実施の態様のテストストリップ200と実質的に同一である。作用センス電極826の提供により、テスト機が接触パッド814bおよび216bへの接続による接触抵抗により生じるI−R降下に対する補償とトレース814cおよび216cのトレース抵抗に対する補償を行うことを可能にする。
図9を参照して、テスト機中に収められた第2実施の態様の電極補償回路(一般的には900により示している)の概略電気回路図が示されている。示されたように、テストストリップ800がテスト機中に挿入されたときに、該回路は接触パッド814b、826b、216bおよび224bに連結される。当業者により理解されるように電位は対向電極接触パッド216bに対して印加され、それが対向電極216bと試薬18に用いられる生体サンプル中に存在する検体量に比例する作用電極814aの間に電流を生じさせる。作用電極814bからの電流は、作用電極トレース814cにより、作用電極接触パッド814bに伝達され、また電流−電圧増幅器310に提供される。増幅器310の類似の出力電圧は、A/D312によりデジタル信号に変換される。このデジタル信号は、その後テストストリップ800に対して用いられる生体サンプル内の重要な検体濃度を求めるために、あらかじめ貯蔵されたプログラムにより、マイクロプロセッサ314により処理される。この濃度がLCD出力装置316によりユーザーに表示される。
マイクロプロセッサ314も対向電極接触パッド216bに印加される電位を示すデジタル信号を出力する。このデジタル信号がD/A318によりアナログ信号に変換される。D/A318のアナログ出力は操作増幅器320の第1入力に印加される。操作増幅器320の第2入力は操作増幅器910の出力に連結されている。操作増幅器910は計装用増幅器を用いて、差増幅器構造に接続されている。操作増幅器910の第1入力は作用センス電極接触パッド826bに連結され、一方操作増幅器910の第2入力は対向センス電極接触パッド224bに連結されている。操作増幅器320の出力は対向電極接触パッド216bに連結されている。
操作増幅器320は電圧追随構造に連結され、そこでは第2入力に現れる電圧が第1入力に現れる命令された電圧に等しくなるまで、その出力(操作の物理的限界以内)を調節する。
操作増幅器910の両入力は高インピーダンス入力であるから、対向センスライン224または作用センスライン826中には実質的に電流は流れない。実質的に電流は流れないから、対向センスライン224または作用センスライン826中の寄生抵抗は電位降下を生じさせないし、操作増幅器910の入力を横切って現れる電圧は測定セル(すなわち対向電極216aおよび作用電極814aを横切って)を横切る電圧と実質的に同じである。操作増幅器910は差増幅器構造に接続されているから、その出力は測定セルを横切る電圧を表している。
従って操作増幅器320は測定セルを横切って現れる電位がマイクロプロセッサ314により命じられる電位に等しくなるまで、その出力(すなわち、対向電極接触パッド216bに印加される電位)を変化させる作用を行う。従って操作増幅器320は対向電極トレース216cと、対向電極コンタクト216bと、作用電極トレース814cと作用電極コンタクト814bとにおける寄生抵抗により生じる電位効果に対する補償を自動的に行い、従って測定セルを横切って現れる電位は望みの電位となる。従って作用電極から生じる電流から、生体サンプル中の検体濃度を計算することはさらに正確になる。
図8と併せて、図10は、テスト機がI−R降下を補償する事ができることを確かなものとするために、作用電極ラインおよび対向電極ラインの両方の抵抗が所定の閾値以上にならないという確証を提供するのみならず、作用電極ラインおよび対向電極ライン双方に対するI−R降下補償を提供することにより、先行技術を超えた改良をする本発明の第3の実施の態様を示している。ここで図10を参照して、テスト機内に収められた第3実施の態様の補償回路(一般的に1000で示している)の概略電気回路図が示されている。電極補償回路1000は、図8のテストストリップ800と共に働く。示されたように、テストストリップ800がテスト機中に挿入されたとき、該回路は接触パッド814b、826b、216bおよび224bに連結される。当業者なら理解されるように、電位は対向電極接触パッド216bに対して印加され、それが試薬18に用いられる生体サンプル中に存在する検体の量に比例している電流を、対向電極216aと作用電極814aの間に生じる。作用電極814aからの電流は、作用電極トレース814cにより、作用電極接触パッド814bに伝達され、また電圧対電流増幅器310に提供される。電圧対電流増幅器310の出力は、スイッチ1004が閉じられた位置にあるとき、単一利得を持つバッファーとして形成されている計装化増幅器1002の入力に印加される。増幅器1002のアナログ出力電圧はA/D312により、デジタル信号に変換される。その後デジタル信号は、その後テストストリップ800に対して用いられる生体サンプル内の検体濃度を求めるために、あらかじめ貯蔵されたプログラムにより、マイクロプロセッサ314により処理される。この濃度がLCD出力装置316により、ユーザーに表示される。
マイクロプロセッサ314も対向電極接触パッド216bに印加される電位を示すデジタル信号を出力する。このデジタル信号がD/A318によりアナログ信号に変換される。D/A318のアナログ出力は、スイッチ1006が示された位置にあるときに、電圧追随器(フォロワ)として形成された操作増幅器320の入力に印加される。操作増幅器320の出力は対向電極接触パッド216bに連結されており、それが試薬18適用される体液サンプルの測定を可能にする。さらに図10に示されたように、位置付けられたスイッチ1006、1008および1010を用いて、回路が図9に示されるように形成され、また図9に冠して以上述べてきたように、寄生抵抗およびコンタクト抵抗に対して自動的補償を行うために使用される。
対向電極ライン216中の寄生抵抗の量を測定するために、スイッチ1008は図10中に示された位置に置かれ、スイッチ1006は図10中に示されたのと反対の位置に置かれ、一方スイッチ1010は閉じられている。従って、操作増幅器320は単一の利得を持ったバッファーとして作用しかつ既知の抵抗Rnomを経由して、対向電極接触パッド216bに電位を印加する。この抵抗が電流を生じさせ、対向電極ライン216およびスイッチ1010を経由して電流センスラインに連結されている電圧対電流増幅器310により察知される対向センスライン224中に流し込む。電圧対電流増幅器310の出力はA/D312を経由して、マイクロプロセッサ314に提供される。Rnomの値は既知であるから、マイクロプロセッサ314は対向センスライン224および対向電極ライン216中の寄生抵抗値を計算できる。この寄生抵抗値はテストストリップ800に物理的損傷が起こったかどうか、またはテストストリップ800がテストを行うために信頼性良く使用できない程度まで、非導電性ビルドアップが接触パッド上に存在しているかどうかを決めるために、テスト機中に収められている所定の閾値と比較できる。そのような状況において、テスト機はテストを進める前に別のテストストリップをテスト機中に挿入するべきであることをユーザーに知らせるためにプログラムを作成しても良い。
作用電極ライン814中の寄生抵抗の量を測定するために、スイッチ1006および1008は図10中に示された位置とは反対の位置に置かれ、一方スイッチ1010は開かれている。従って、操作増幅器320は単一利得を持ったバッファーとして作用し、また既知の抵抗Rnomを経由して作用センス接触パッド826bに電位を印加する。この抵抗が電流を生じさせ、作用センス接触パッド826および電圧対電流増幅器310により察知される作用電極ライン814中に流し込む。電圧対電流増幅器310の出力はA/D312を経由して、マイクロプロセッサ314に提供される。Rnomの値は既知であるから、マイクロプロセッサ314は作用センス接触パッド826および作用電極ライン814中の寄生抵抗値を計算できる。この寄生抵抗値はテストストリップ800に物理的損傷が起こったかどうか、またはテストストリップ800がテストを行うために信頼性良く使用できない程度まで、非導電性ビルドアップが接触パッド上に存在しているかどうかを決めるために、テスト機中に収められている所定の閾値と比較できる。そのような状況において、テスト機はテストを進める前に別のテストストリップをテスト機中に挿入するべきであることをユーザーに知らせるためにプログラムを作成しても良い。
図11は図8に示されるように、作用電極と対向電極双方に対してI−R降下補償を持つ本発明による第3実施の態様テストストリップを概略的に図示している。第3実施の態様のテストストリップ1100は、その最上表面を50nmの導電性層(例えば、非制限的例によりスパッタリングまたは蒸着により)で塗布された底基板12からなる。それに対してトレースと接触パッドを接続する電極は、これまで記述してきたように、レーザー切断プロセスにより、導電性層中にパターン形成される。当業者らにとってすぐに明らかなように、図11のテストストリップは図8のテストストリップに類似している。図8のテストストリップとは違って、対向センスライン224と作用センスライン826は反応ゾーン20中には伸びていない。さらに、対向電極216aは1つの代わりに複数のフィンガー1104を包含している。他の実施の態様において、作用電極814aも複数のフィンガー1104を包含できる。さらに毛細管スペース1102は、それが電極216aおよび814aの部分を覆うように反応ゾーン20中にサンプルを引き込むために、設けられている。
図11中に図示されたデザインは、いくつかの性能限定を固有に包含している。ラインA−A、B−B、C−Cなどは電極216a、814a、またはフィンガー1104の構造的完全性に欠陥があるかどうかを決めるために疑問できない領域である。例えばトレース抵抗を増加する引っかき傷または該トレースを完全に切断する傷などの、これらの領域における物理的欠陥は、以上記述した品質確認チェックにより検出できない。このことはセンスライン224c、826cがテスト機とラインA−A間にあるポイントに各電極トレース216c、814cを合わせるという事実による。従ってラインA−AとラインF−F間でのテストストリップ1100に対する損傷は、品質確認テストループの外にあり、また以上記載したI−R降下補償または寄生抵抗閾値に対して、なんらインパクトを与えない。従ってセンスライン824、224は、流体サンプルが得られかつ分析される前にテストストリップ1100の機能を完全にテストすることを妨げる。それ故に、流体サンプルの望みの特性の最終測定は誤ったものとなる。
図12は、図11に示されたデザインの欠点を克服するためのより強固なテストストリップデザインを示している。テストストリップ1200は、作用センスライン826と各電極814a、216aを交差する各ポイント1206、1208を持つ対向センスライン224とを包含している。作用センスライン826および対向センスライン224は、基板12上の導電性トレースである。ポイント1206とテストストリップ1200用のテスト機中の電源の間の距離(テストストリップの縦軸に平行な面で測定される)は、試薬18内の作用電極814aの部分上のポイントと電源間の距離より大きいか等しい。同様に、ポイント1208とテストストリップ1200用の電源の間の距離は、試薬18内の対向電極216aの部分上のポイントと電源間の距離より大きいか等しい。ポイント1206、1208を含めた作用センスライン826と対向センスライン224を持つことは、電源と測定電極フィンガーの間のテストストリップ1200上の全てのポイントが構造上の完全さおよび寄生抵抗に関して、尋問されるのを可能にしている。図3と組み合わせて図12から見られるように、電源はコンタクトゾーン(22)中に位置する接触パッドを経由してテストストリップに連結されている。従って交差ポイント(1206、1208)とコンタクトゾーン(22)の間の距離は、電極(814a、216a)とコンタクトゾーン(22)の間の距離より大きいかまたは等しい。
図11中のデザインとは異なり、図12中のデザインは構造的欠陥に対して、電極216a、814aおよび関連するフィンガーに尋問を可能にするように位置付ける。もし欠陥が見出されると、それは補償可能であるか、または指示することができて、テストストリップ1200は処理できて新しいテストストリップが使用される。このことは流体サンプルの望みの特性の測定における誤りを除去する助けとなる。
ここに引用した全ての文献、先行応用および他の文書は、各々が参照として個々に組み入れられまた完全に説明されてきたように、ここに完全に参照により組み入れる。
本発明は、図面および前記において詳細に図示しかつ記述してきたが、該記述は実例として考えるものであり、特性において限定的ではない。本発明の精神以内に入る全ての変化および変形は保護されることが望ましい。
付帯した図面を参照して、単に例示の目的でさらに記述する。
体液中の重要な検体の濃度を測定するための典型的な先行技術のテストストリップの概略平面図である。 本発明による第1実施の態様のテストストリップの概略平面図である。 図2の第1実施の態様のテストストリップを用いて使用するための第1実施の態様の電気的テスト回路の概略図である。 体液中の重要な検体の濃度を測定するのに使用するための第2の典型的なテストストリップの拡大組み立て図である。 本発明を用いて使用するために適した切断装置を示す図である。 第2マスクを示す図5のレーザー切断装置の図である。 本発明を用いて使用するために適した切断装置の図である。 本発明による第2実施の態様のテストストリップの概略平面図である。 図8の第2実施の態様のテストストリップを用いて使用するための第2実施の態様の電気的テスト回路の概略図である。 図8の第2実施の態様のテストストリップを用いて使用するための第3実施の態様の電気的テスト回路の概略図である。 第3実施の態様のテストストリップの概略平面図である。 第4実施の態様のテストストリップの概略平面図である。

Claims (10)

  1. 第1測定電極(814a)および
    該第1測定電極に操作可能に連結された第1導電性トレース(826)とからなる電源により電力を供給される電気化学的テストストリップであって、
    該第1導電性トレース上の少なくとも1ポイントと電源の間の距離が、該第1測定電極上のいずれかのポイントと電源との間の距離よりも大きいか、または等しいことを特徴とするテストストリップ。
  2. さらに第2測定電極(216a)および
    該第2測定電極に操作可能に連結された第2導電性トレース(224)とからなる請求項1記載のテストストリップであって、
    該第2導電性トレース上の少なくとも1ポイントと電源の間の距離が、該第2測定電極上のいずれかのポイントと電源との間の距離よりも大きいか、または等しいことを特徴とするテストストリップ。
  3. 該第1測定電極が、複数の第1フィンガーからなることを特徴とする請求項1記載のテストストリップ。
  4. 該第2測定電極が、複数の第2フィンガーからなることを特徴とする請求項2記載のテストストリップ。
  5. 該第1フィンガー上に配置されかつ望みの流体品質を指示する流体サンプル中でテストストリップにより測定される電位を作るために操作される試薬をさらに含むことを特徴とする請求項2記載のテストストリップ。
  6. 該第2フィンガー上に配置されかつ望みの流体品質を指示する流体サンプル中でテストストリップにより測定される電位を作るために操作される試薬をさらに含むことを特徴とする請求項3記載のテストストリップ。
  7. 該第1導電性トレース上の少なくとも1ポイントが、該第1導電性トレースが該第1測定電極と交差するポイント(1206)であることを特徴とする請求項1記載のテストストリップ。
  8. 該第2導電性トレース上の少なくとも1ポイントが、該第2導電性トレースが該第2測定電極と交差するポイント(1208)であることを特徴とする請求項2記載のテストストリップ。
  9. 作用電極(814a)および
    該作用電極に操作可能に連結された作用センスライン(826)とからなり、該作用センスラインが、ポイント(1206)で該作用電極と交差するものを含む電源により電力を供給される電気化学的テストストリップであって、
    該ポイント(1206)と該テストストリップ上の接触ゾーン(22)との間の距離が、該作用電極の部分上のいずれかのポイントと接触ゾーン(22)との間の距離よりも大きいか、または等しいことを特徴とするテストストリップ。
  10. 対向電極(216a)および
    該対向電極に操作可能に連結された対向センスライン(224)とからなり、該対向センスラインが、ポイント(1208)で該対向電極と交差するものをさらに含む請求項8記載のテストストリップであって、
    該ポイント(1208)と該テストストリップ上の接触ゾーン(22)との間の距離が、該対向電極の部分上のいずれかのポイントと接触ゾーン(22)との間の距離よりも大きいか、または等しいことを特徴とするテストストリップ。
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