JP2008524590A - 表面弾性波検知方法およびシステム - Google Patents

Abstract

センサチップの第１の面（例えば前面）の中央に少なくとも２つの表面弾性波（ＳＡＷ）検知素子がその上に配置されるセンサチップを含むセンサシステムおよび方法が本明細書に開示される。ＳＡＷ検知素子はセンサチップの第１の面の共通領域を占める。エッチングされたダイアフラム内にセンサシステムまたはセンサデバイスの機械的ひずみを集中させ、それによって強度、感度を高め、製造し易くするために、エッチングされたダイアフラムは２つのＳＡＷ検知素子と関連する第１の面とは反対の、センサチップの第２の面（すなわち後面）の中央に配置される。

Description

実施形態は一般に検知方法およびシステムに関する。実施形態はさらに微細加工された検知デバイスに関する。加えて、実施形態は表面弾性波（ＳＡＷ）デバイスおよびセンサに関する。実施形態はさらにトルク、圧力および／または温度センサに関する。

表面弾性波センサはトルク、圧力および／または温度検出のような多様な検知の用途に使用可能である。このようなセンサは例えば、水晶のような圧電材料内にエッチングされたダイアフラム上に表面弾性波（ＳＡＷ）デバイスを配置することによって実装可能である。しかし、これまでは技術的なハードルがこのようなデバイスの効率的な実装を阻んできた。現在、過酷な環境で、または回転部品に関連してトルク、圧力および／または温度センサを使用する強い需要がある。

圧力検知デバイスを実装する試みがこれまでなされてきた。しかし、センサの用途に関して多くの問題がある。例えば、ＳＡＷセンサでは機械的なひずみが伝播経路の長さと波の速度の双方に影響する。このように、周波数および／または位相の変化がこのひずみと相関する。従来のＳＡＷトルクセンサでは、例えばトルクセンサ構造に１つまたは２つのＳＡＷチップが実装されていた。しかし、このようなデバイスを使用すると、製造コストが高くなり、チップのサイズが大きくなり、微細加工が困難になる結果をまねく。したがって既存の設計では大きなサイズの基板と回路が必要であり、さらに製造中の較正のコストが高くなる。

したがって特にトルク、圧力および／または温度検知を含む、改良されたＳＡＷセンサアプリケーションの必要性がある。本明細書に記載のような微細加工のアプローチは従来の検知システムの上記の問題を克服することができると思われる。

本発明の下記の大要は本発明独自の革新的な特徴のいくつかを理解し易くするためのものであり、詳細に記載することは意図していない。本発明の完全な理解は、明細書、特許請求の範囲、図面および要約の全体を全体的にとらえることによって得られるものである。

したがって、本発明の１つの態様は改良されたセンサをベースにしたシステムおよび方法を提供することである。
本発明の別の態様は改良されたＳＡＷセンサをベースにしたシステムおよび方法を提供することである。

本発明のさらに別の態様は改良された水晶ＳＡＷセンサをベースにしたシステムおよび方法を提供することである。

本発明の上記の態様およびその他の目的と利点は、現在では本明細書に記載のように達成可能である。センサチップの第１の面（例えば前面）の中央に少なくとも２つの表面弾性波（ＳＡＷ）検知素子がその上に配置されるセンサチップを含むセンサシステムおよび方法が本明細書に開示される。ＳＡＷ検知素子はセンサチップの第１の面の共通領域を占める。エッチングされたダイアフラム内にセンサシステムまたはセンサデバイスの機械的ひずみを集中させ、それによって強度、感度を高め、製造し易くするために、エッチングされたダイアフラムは少なくとも２つのＳＡＷ検知素子と関連する第１の面とは反対の、センサチップの第２の面（すなわち後面）の中央に配置される。

センサチップは掃引水晶から構成でき、一方、ＳＡＷセンサ素子はインターディジタル変換器（ＩＤＴ）から形成される。センサチップは設計上の考慮に応じて遅延線構造または共振子構造に配置可能である。ダイアフラムはウエットまたはドライエッチング液、または機械的エッチング方法を使用してエッチング可能である。センサチップに関連する周波数、位相または振幅の変化が機械的ひずみと相関することに留意されたい。

別個の図面全体を通して同様の参照番号が同一の、または機能的に同類の要素を示し、また本明細書に組み込まれ、またその一部をなす添付図面は本発明をさらに例示し、発明の詳細な説明を伴って本発明の原理を説明する役割を果たす。

これらの非限定的な実施例で論じられる特定の数値および構成は変更可能であり、本発明の実施形態を説明するために引用されたものであり、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。

本明細書に開示される実施形態は一般にディープ水晶エッチング、水晶−水晶直接パッケージングおよび水晶ケージの外側に突出する金属コネクタ用の基本技術と並んで、トルク、圧力および／または温度検知のためのエッチングされた水晶ダイアフラムの機械的設計のための方法論を記載する。このようなコンセプトは複数のＳＡＷ共振子の実装に基づく検知構成に適用できる。

２つのＳＡＷ共振子またはＳＡＷ遅延線を少なくとも部分的に検知ダイアフラム上に配置できる。ＳＡＷ共振子またはＳＡＷ遅延線はトルクひずみを測定するためのハーフブリッジを形成するように互いに垂直に配置する必要がある。

トルク、圧力および／または温度測定のための水晶をベースにしたワイヤレスおよび／または受動ＳＡＷセンサの設計および製造に先立ち、信頼性があり柔軟な水晶ＳＡＷセンサの挙動をトルク、圧力および／または温度の検知動作の全範囲にわたって確実に実行できるように、ダイアフラム上のひずみ状態の機械的シミュレーションを行う必要がある。

測定されるトルク範囲に応じて、トルクがかかって撓む水晶ダイアフラムはパッケージ用に使用される別の水晶ウエーハによって縁部に、またトルクストップ上に支持されるより薄い水晶ウエーハ（すなわちエッチングされた領域がないウエーハ）から形成されてもよく、またはエッチングされたトルク検知用の水晶ダイアフラムを得るために水晶を選択的にエッチングすることによって形成可能である。ウエット、ドライまたは機械的水晶エッチングによって実施される水晶ダイアフラムはより小さいトルク測定用にも形成可能である。

一般に、ＳＡＷセンサ動作の周波数を高めると、ＳＡＷデバイスの寸法を大幅に縮小でき、一方、ライセンス不要の周波数帯域における動作を確保するための周波数帯域幅制限を容易に満たすことができる。ＳＡＷフィルタの標準的技術はインターディジタル変換器（ＩＤＴ）変換ドメインを定義するためにも応用できる。直接水晶結合技術は極めて平坦な表面を必要とするので、全水晶パッケージ内に外部結合パッドへの導電路を形成する方法として金属イオン注入を利用することが好ましい。チタンは好ましい種類の金属の１つであり、チタン注入のエネルギおよび注入量は、センサアンテナへの適応回路が必要とする導電路の設計された電気抵抗によって決められる。

ＳＡＷデバイスのパッケージングとカプセル封入は、ＳＡＷデバイスが配置される水晶基板の表面での熱応力は動作周波数を変えることがあるので、温度依存特性、長期的安定性、ヒステリシスおよびクリープに多大な影響を及ぼす。したがって、ＳＡＷセンサのパッケージングは重要なステップである。熱望膨張率の不整合による熱応力を回避するため、真の全水晶パッケージング（ＴＡＱＰ）技法を下記のような直接水晶−水晶ウエーハ結合ステップの流れで実装可能である。
１．受け取り状態の水晶ウエーハの微細粗さ評価
（ＡＦＭ；ＲＭＳ＜１．３ｎｍ）
２．処理された水晶カバー（ウエーハレベル）および水晶ＳＡＷ基板（ウエーハレベル）の微細粗さ評価（ＡＦＭ；ＲＭＳ＜１．３ｎｍ）
３．３０〜５０分間沸騰させ、濃縮されたＨＮＯ_３中での水晶カバーおよび水晶ＳＡＷ基板の親水化処理、この処理後にＲＭＳは低減）
４．ＤＩウエーハ内でリンスした後に乾燥
５．メガソニックＲＣＡ溶液（ＮＨ_４ＯＨ：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ＝１：１：５）で１０分間洗浄した後、ＨＣＬ：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ＝１：１：６）で１０分間洗浄
６．水晶カバーおよび水晶ＳＡＷ基板の乾燥
７．カバーおよびＳＡＷ基板の即時の接触、位置合せ
８．温度Ｔ＜４５０℃で１時間Ｎ_２で熱焼なまし（すなわち、温度は約１０℃／分で上下すべき）、
９．結合の制御、５０ｎｍの薄いブレードによる「亀裂開口」法が用いられる。

高トルク測定の場合は、水晶強度の値を５０Ｍｐａと想定すると、エッチングされた水晶ダイアフラムは一般に使用する必要はない。このような状態では、ダイアフラムをベースにした検知原理が中程度および低いトルク動作用のＴＡＱＰステップの流れで実施されるように、全体として「開始」水晶ウエーハを使用できる。

図１は好ましい実施形態によって実装可能なＳＡＷトルクセンサシステム１００のブロック図を示している。図１では、側面図１０１と上面図１０３はシステム１００の変更された図面を示していることに留意されたい。一般に、システム１００は水晶センサ基板１０２を含んでおり、その上にＸ−ＳＡＷ共振子１０４とＹ−ＳＡＷ共振子１０６とが配置される。ＸおよびＹ共振子１０４および１０６は、それらが逆の信号極性を有するように基盤１０２上に配置される。このような配置によってシステム１００は圧縮ひずみと引っ張りひずみとを測定できる。したがってシステム１００を使用してトルクの方向と大きさを容易に測定できる。側面図１０１では結合位置１０８および１１０は基板１０２の近傍に示されていることに留意されたい。

図２は代替実施形態にしたがって実装可能なＳＡＷトルクセンサシステム２００のブロック図を示している。システム２００は、システム２００の側面図２０１と上面図２０３とを示している。一般に、基板２０２は結合位置２０８および２１０と関連して備えることができる。微細加工された空洞２１２を基板２０２から形成できる。加えて、基準ＳＡＷ共振子２１８および温度ＳＡＷ共振子２１４を基板２０２上に、または基板２０２から構成できる。加えて、トルクＳＡＷ共振子２１６は空洞２１２の上方に位置する領域２１７内で基板２０２上に構成できる。

共振子２１６は、領域２１３内のひずみの増大によりトルク信号が最大になるように基盤２０２内の薄い区分２１３の上方に配置される。温度ＳＡＷ共振子２１４は温度のみにしか影響されないような位置に配置される。基準ＳＡＷ共振子２１８は、トルクによって影響されないように基板２０２上に配置され、温度のための基準共振子として使用可能である。温度情報は増大するトルクまたは圧力の正確な読み取りに必要である。専用の温度センサがない構成（例えば図４および５を参照）では、温度情報はハーフブリッジ構造（一方は圧縮ひずみ、他方は引っ張りひずみを受ける）を利用して得ることができる。次に、生成された２つの周波数を互いに混和して、差または合計を生成することができよう。差はトルクであり、合計は温度であろう。

図３Ａは一実施形態により実装可能なＳＡＷトルクセンサ・パッケージングシステム３００の上面図を示している。同様に、図３Ｂは一実施形態によるシステム３００の側面図を示している。システム３００は一般にＳＡＷ基板３０３上に配置された基準ＳＡＷ共振子３０８と温度ＳＡＷ共振子３１２とを含んでいる。トルクＳＡＷ共振子３１０は図２の構成に関して前述したもの同様に基板３０３上に配置可能である。アンテナ接点または出力ピン３０２およびピン３０４が、共振子３０８、３１０および３１２を囲む壁３３０を通してシステム３００から突出している。

空洞３３４はパッケージベース３２２から構成され、ひずみ集中装置としての機能を果たすことができる。溶接および／または接着部３２５および３２７は取り付けフランジ（図３Ａ−３Ｂには図示せず）の周囲に構成可能である。気密シール３２６および３２８もパッケージング壁３３０およびカバー３２４に備えることができる。同様のパッケージング壁３３０もカバー３２４と関連して実装される。ＳＡＷ基板３０３も基板３０３の薄い領域３１１の下に配置された空洞３１３を含めるように構成される。加えて、基板３０３をベース３２２に固着するため、結合位置３３０および３３２が基板３０３の下に配置される。

システム３００のパッケージは、ＳＡＷセンサ基板３０３とパッケージベース３０２内にそれぞれ配設された空洞３１３および３３４を利用することによってトルクＳＡＷ共振子３１０内のひずみを最大限にするように設計されている。このようなパッケージまたはシステム３００はベース３２２用の強度が高いステンレススチール（例えば１７−７ ＰＨ、ハスタロイ、ＥＮ５６など）を、また壁３３０から形成されたパッケージ壁用にはより柔軟なステンレススチールを使用して形成可能である。ガラス−金属シール（ＧＴＭＳ）３０６もパッケージ壁３３０を形成する柔軟なステンレススチール材料から形成可能である。このようなＧＴＭＳは、ＧＴＭＳの信頼性が保たれるように低ひずみ領域内に配置可能である。

一般に、トルク測定用に使用される本明細書に記載のＳＡＷデバイスでは、ＳＡＷ水晶ウエーハを製造するためにいくつかの処理ステップを利用できる。このような処理ステップの例を下記に示す。
１．受け取った状態の化学研磨された二重側面の水晶ＳＡＷウエーハの微細粗さ評価
２．ウエーハの洗浄
３．次のステップで抵抗マスクとして使用される薄い金属層の溶着
４．ＳＡＷ表面から外部接続部（単数または複数）へと通る金属通路のために必要なチャネル−ギャップ形成のためのフォトリソグラフィステップ
５．チャネル−ギャップのＲＩＥエッチング
６．金属除去
７．ウエーハの洗浄
８．チタン注入用の抵抗マスクとして利用される薄膜層の溶着
９．チタン注入のためのフォトリソグラフィステップ
１０．埋設導電路改正のためのチタン注入
１１．ＳＡＷ電極形成および外部接触のために使用される金属層の溶着
１２．金属パターン形成のためのフォトリソグラフィステップ
１３．金属エッチング
１４．ウエーハの洗浄
１５．３０〜５０分間沸騰させ、濃縮されたＨＮＯ_３中での水晶ＳＡＷウエーハの親水化処理
１６．ＤＩウエーハ内でリンスした後に乾燥
１７．メガソニックＲＣＡ溶液（ＮＨ_４ＯＨ：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ＝１：１：５）で１０分間洗浄した後、ＨＣｌ：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏ＝１：１：６）で１０分間洗浄
１８．乾燥
上記の処理ステップが完了すると、水晶ベース板を形成するために別の水晶ウエーハに同様の処理ステップのセットを実施することができる。２つの水晶ウエーハが直接結合される準備ができると、下記のようにウエーハの切断およびチップの組立て処理を行うことができる。
１．水晶ＳＡＷウエーハおよび水晶ベース板の接触、位置合せ
２．温度Ｔ＜４５０℃で１時間Ｎ_２中で熱焼なまし（すなわち、温度は約１０℃／分で上下に傾斜されるべき）
３．結合の制御、５０ｍｍのブレードにより「亀裂開口」法が用いられる。
４．部分ウエーハ切断（すなわち水晶ＳＡＷウエーハの厚みに等しい厚みに、一方向だけで切断）
５．ＡＱＰ微細構造のチップ間空隙で結合されたチップの厚み全体の切断
６．パッケージベース板上の特殊樹脂とチップとの結合
７．双方のチップと接触する金属用の導電性樹脂の投入
８．ワイヤボンディング
９．保護樹脂の投入
１０．キャッピングおよび溶接
同様にして、ＡＱＰ ＳＡＷセンサの別の製造方法の技術を記載することができる。水晶ウエーハを例えば、ウエット、ドライまたは機械的エッチングによってエッチングすることができよう。「全水晶」センサパッケージの場合は、アンテナへの電極接続を「ウエーハ通し」接続によって行うことができよう。「ウエーハ通し」設計の場合、「通し」穴をレーザー、超音波、またはウエットエッチングによって穿孔することができよう。

ＳＡＷセンサでは、機械的なひずみが伝播経路の長さと波の速度の双方に影響する。周波数および／または位相の変化がこのひずみと相関する。したがって図２〜４の構成は、センサの感度の上昇を促進し、同時に製造し易くし、かつダイアフラムの直径の選択に際して設計上より多くの選択肢を可能にするために、機械的なひずみがダイアフラムのような単一部品に集中する実施形態の変化形態を示している。

図４は一実施形態によって実装可能なＳＡＷセンサシステム４００のブロック図を示している。システム４００は一般に、２つのＳＡＷチップ４０２および４０４がその上に配置されるシャフト４０１を含んでいる。ＳＡＷチップ４０２は、ＳＡＷチップ４０２の後面にエッチングされたダイアフラム４０６を含んでいる。同様に、ＳＡＷチップ４０４は、ＳＡＷチップ４０２の後面にエッチングされたダイアフラム４０８を含んでいる。チップの強度を高め、このようなチップの機械的ひずみをエッチングされたダイアフラム４０８に集中させるために、エッチングはＳＡＷチップ４０２および４０４の後面から行われる。

図５は別の実施形態によって実装可能なＳＡＷセンサシステム５００のブロック図を示している。システム５００は２つのＳＡＷセンサ５０４および５０６を示している。ダイアフラム５０８はＳＡＷセンサ５０４の後面でエッチングされ、一方、ダイアフラム５１０はＳＡＷセンサ５０６の後面でエッチングされる。双方のＳＡＷチップ５０４および５０６は共に同じ基板５０２内に配置される。

図６は好ましい実施形態によって実装可能なエッチングされたセンサシステム６０１のブロック図を示している。システム６０１は一般にセンサチップ６００を含んでおり、その上に少なくとも２つの表面弾性波（ＳＡＷ）検知素子６１０および６１２がセンサチップ６００の第１の面（例えば前面）の中央に配置される。ＳＡＷ検知素子６１０、６１２はセンサチップの第１の面の共通領域を占めている。エッチングされたダイアフラム６０６は、センサシステム６０１またはセンサデバイスの機械的ひずみをエッチングされたダイアフラム６０６に集中させ、それによって強度、感度を高め、製造し易くするため、２つのＳＡＷ検知素子６１０、６０８とは反対の、センサチップ６００の第２の面（すなわち後面）の中央に配置される。

センサチップ６００は掃引水晶から構成可能であり、一方、ＳＡＷ検知素子６１０，６１２はインターディジタル変換器（ＩＤＴ）から構成される。センサチップ６００は設計上の考慮に応じて遅延線構造または共振子構造に配置可能である。ダイアフラム６０６はウエット、ドライ、または機械的エッチング方法を使用してエッチング可能である。センサチップ６００に関連する周波数または位相の変化が機械的ひずみと相関することに留意されたい。例えばリフレクタ６１４、６１６、６１８がＳＡＷ検知素子６１０と関連するように、複数のリフレクタを備えることができる。同様に、リフレクタ６２０、６２２、６２４はＳＡＷ検知素子６１２と関連する。

このように、ＳＡＷチップのＩＤＴの（例えば遅延線または共振子）はＳＡＷチップ６００の一方の面に配置され、一方、エッチングはチップ６００の他方の面から達成される。使用されるエッチング液は製造上の必要性に応じてドライまたはウエットのものでよい。掃引水晶が好ましいのは、機械的強度が高まり、エッチングされた表面形状がより良くなるからである。システム６００はトルクセンサとして利用可能である。

例えば現在予見されず、認められておらず、または後に出願人あるいはその他によって達成され、または達成され得る、本明細書の教示の様々な他の代替、修正、変化形態、改良、同等の教示または実質的に同等の教示は特許請求の範囲およびその補正に含まれることを意図するものである。

好ましい実施形態によって実装可能なＳＡＷトルクセンサシステム１００のブロック図である。 代替実施形態によって実装可能なＳＡＷトルクセンサシステムのブロック図である。 １つの実施形態によって実装可能なＳＡＷトルクセンサ・パッケージングシステムの上面図である。 ある実施形態による、図３Ａのシステムの側面図である。 好ましい実施形態によって実装可能なエッチング式トルクセンサシステムのブロック図である。 別の実施形態によって実装可能なＳＡＷセンサシステムのブロック図である。 好ましい実施形態によって実装可能なエッチング式センサシステムのブロック図である。

Claims (23)

1. センサチップと、
   前記センサチップの第１の面の中央に位置し、前記センサチップの前記第１の面上の共通領域を占める少なくとも２つの表面弾性波（ＳＡＷ）検知素子と、
   エッチングされたダイアフラム内に機械的ひずみを集中させ、それによって強度、感度を高め、製造し易くするため、前記少なくとも２つのＳＡＷ検知素子と関連する前記第１の面とは反対の、前記センサチップの第２の面の中央に位置するエッチングされたダイアフラムと、
   を備えるセンサシステム。
2. 前記センサチップは掃引水晶を備える、請求項１に記載のシステム。
3. 前記少なくとも２つのＳＡＷ検知素子は前記素子のインターディジタル変換器を備える、請求項１に記載のシステム。
4. 前記センサチップは遅延線構造を備える、請求項１に記載のシステム。
5. 前記センサチップは共振子構造を備える、請求項１に記載のシステム。
6. 前記エッチングされたダイアフラムはウエットエッチング液を使用してエッチングされる、請求項１に記載のシステム。
7. 前記エッチングされたダイアフラムはドライエッチング液を使用してエッチングされる、請求項１に記載のシステム。
8. 前記エッチングされたダイアフラムは機械的にエッチングされる、請求項１に記載のシステム。
9. 前記センサチップに関連する周波数の変化は前記機械的ひずみに相関する、請求項１に記載のシステム。
10. 前記センサチップに関連する位相の変化は前記機械的ひずみに相関する、請求項１に記載のシステム。
11. 前記センサチップに関連する遅延時間の変化は前記機械的ひずみに相関する、請求項１に記載のシステム。
12. 前記少なくとも２つのＳＡＷ検知素子は第１のＳＡＷセンサと第２のＳＡＷセンサとを備える、請求項１に記載のシステム。
13. 前記センサチップの前記第１の面上に前記第１のＳＡＷセンサに関連する第１組のリフレクタと、前記第２のＳＡＷセンサに関連する第２組のリフレクタとをさらに備える、請求項１２に記載のシステム。
14. 掃引水晶を備えるセンサチップと、
    前記センサチップの第１の面の中央に位置し、インターディジタル変換器を備え、前記センサチップの前記第１の面上の共通の領域を占める少なくとも２つの表面弾性波（ＳＡＷ）検知素子と、
    エッチングされたダイアフラム内に機械的ひずみを集中させ、それによって強度、感度を高め、製造し易くするため、前記少なくとも２つのＳＡＷ検知素子と関連する前記第１の面とは反対の、前記センサチップの第２の面の中央に位置するエッチングされたダイアフラムと、を備え、
    前記第１組のリフレクタは前記第２組のリフレクタと反対に延びる、
    センサシステム。
15. 前記センサチップは遅延線構造を備える、請求項１４に記載のシステム。
16. 前記センサは共振子構造を備える請求項１４に記載のシステム。
17. 掃引水晶を備えるセンサチップを準備するステップと、
    センサチップの第１の面上の共通の領域を占め、インターディジタル変換器を備える、前記センサチップの前記第１の面の中心に位置する少なくとも２つの表面弾性波（ＳＡＷ）検知素子を配置するステップと、
    エッチングされたダイアフラム内に機械的ひずみを集中させ、それによって強度、感度を高め、製造し易くするため、前記少なくとも２つのＳＡＷ検知素子と関連する前記第１の面とは反対の、前記センサチップの第２の面の中央でダイアフラムをエッチングするステップと、を含む検知方法。
18. 前記センサチップを遅延線構造で配置するステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
19. 前記センサチップを共振子構造で配置するステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
20. ウエットエッチング液を使用して前記センサチップの前記第２の面でダイアフラムをエッチングするステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
21. ドライエッチング液を使用して前記センサチップの前記第２の面で前記ダイアフラムをエッチングするステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
22. 前記センサチップの前記第２の面で前記ダイアフラムを機械的にエッチングするステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
23. 第１のＳＡＷセンサと第２のＳＡＷセンサとを備えるように前記少なくとも２つのＳＡＷ検知素子を構成するステップと、
    前記センサチップの前記第１の面上の第１組のリフレクタを前記第１のＳＡＷセンサに関連させ、第２組のリフレクタを前記第２のＳＡＷセンサに関連させるステップとをさらに含む、請求項１７に記載の方法。

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