JP2008309770A - 放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサ - Google Patents
放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008309770A JP2008309770A JP2007327665A JP2007327665A JP2008309770A JP 2008309770 A JP2008309770 A JP 2008309770A JP 2007327665 A JP2007327665 A JP 2007327665A JP 2007327665 A JP2007327665 A JP 2007327665A JP 2008309770 A JP2008309770 A JP 2008309770A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation image
- scintillator
- aluminum substrate
- radiation
- metal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 88
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 88
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 87
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 59
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 38
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 14
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007888 film coating Substances 0.000 abstract 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004918 carbon fiber reinforced polymer Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
Abstract
【課題】高い輝度を有すると共にアルミニウム基板の腐食を防止できる放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサを提供すること。
【解決手段】放射線像変換パネルは、アルミニウム基板１２と、アルミニウム基板の表面に形成されたアルマイト層１４と、アルマイト層上に設けられており放射線透過性及び光反射性を有する金属膜１８と、金属膜１８を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する保護膜と、保護膜上に設けられており放射線像を変換する変換部１０とを備える。
【選択図】 図１
【解決手段】放射線像変換パネルは、アルミニウム基板１２と、アルミニウム基板の表面に形成されたアルマイト層１４と、アルマイト層上に設けられており放射線透過性及び光反射性を有する金属膜１８と、金属膜１８を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する保護膜と、保護膜上に設けられており放射線像を変換する変換部１０とを備える。
【選択図】 図１
Description
この発明は、医療用、工業用のＸ線撮影等に用いられる放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサに関するものである。
従来、医療、工業用のＸ線撮影では、Ｘ線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果の保存性の面から放射線検出器を用いた放射線イメージングシステムが普及してきている。このような放射線イメージングシステムにおいては、放射線検出器により２次元の放射線による画素データを電気信号として取得し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表示している。
代表的な放射線検出器としては、アルミニウム、ガラス、溶融石英等の基板上に放射線を可視光に変換するシンチレータを形成した放射線像変換パネル（以下、場合により「シンチレータパネル」という。）を形成し、これと撮像素子とを貼り合わせた構造を有する放射線検出器が存在する。この放射線検出器においては、基板側から入射する放射線をシンチレータで光に変換して撮像素子で検出している。
特許文献1及び２に記載されている放射線像変換パネルでは、表面にアルマイト層が形成されたアルミニウム基板上に輝尽性蛍光体を形成している。以下、場合により、基板上に輝尽性蛍光体を形成した放射線像変換パネルを「イメージングプレート」という。
特開２００６−１１３００７号公報
特開平４−１１８５９９号公報
しかしながら、上記放射線像変換パネルでは、シンチレータや輝尽性蛍光体等の蛍光体から出射される光に対するアルマイト層の反射率が低いため、放射線像変換パネルの輝度を十分に高くすることができない。また、例えばシンチレータや輝尽性蛍光体をアルミニウム基板上に蒸着する際に発生する熱によって、アルマイト層にクラックやピンホール等が形成されてしまう。その結果、アルミニウム基板とアルカリハライド系のシンチレータや輝尽性蛍光体とが反応することでアルミニウム基板が腐食してしまう。また、アルマイト層も腐食に強いとはいえシンチレータと反応して腐食する場合もある。腐食は得られる画像に影響を及ぼす。腐食箇所がたとえ微小な点のみであっても撮像された画像を利用して画像診断を行う際にはその画像の信頼性を低下させる。また、経時的にその腐食が大きくなることもある。さらに、放射線像変換パネルでは、基板面内の均一な輝度特性、解像度特性が要求されるが、基板が大型化すればするほど製造が困難となる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高い輝度を有すると共にアルミニウム基板の腐食を防止できる放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサを提供することを目的とする。
上述の課題を解決するため、本発明の放射線像変換パネルは、アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の表面に形成されたアルマイト層と、前記アルマイト層上に設けられており放射線透過性及び光反射性を有する金属膜と、前記金属膜を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する保護膜と、前記保護膜上に設けられており放射線像を変換する変換部と、を備える。
上記変換部として、シンチレータパネルを利用することもできる。
また、本発明の放射線イメージセンサは、アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の表面に形成されたアルマイト層と、前記アルマイト層上に設けられており放射線透過性及び光反射性を有する金属膜と、前記金属膜を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する保護膜と、前記保護膜上に設けられており放射線像を変換する変換部と、を備える放射線像変換パネルと、前記放射線像変換パネルの前記変換部から出射される光を電気信号に変換する撮像素子と、を備える。
本発明によれば、高い輝度を有すると共にアルミニウム基板の腐食を防止できる放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサを実現できる。
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の参照番号を附し、重複する説明は省略する。なお、各図の寸法は説明のために誇張している部分があり、必ずしも実際の寸法比とは一致しない。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るシンチレータパネル（放射線像変換パネルの一例）を模式的に示す一部破断斜視図である。図２は、図１に示されるII−II線に沿った断面図である。図１及び図２に示されるように、シンチレータパネル１０は、アルミニウム基板１２と、アルミニウム基板１２の表面に形成されたアルマイト層１４と、アルマイト層１４上に設けられた放射線透過性を有する中間膜１６とを備える。アルマイト層１４と中間膜１６とは密着している。また、シンチレータパネル１０は、中間膜１６上に設けられており放射線透過性及び光反射性を有する金属膜１８と、金属膜１８を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する酸化物層２０と、酸化物層２０を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する保護膜２２と、保護膜２２上に設けられたシンチレータ２４（放射線像を変換する変換部の一例）とを備える。中間膜１６、金属膜１８、酸化物層２０、保護膜２２、及びシンチレータ２４は互いに密着している。
図１は、第１実施形態に係るシンチレータパネル（放射線像変換パネルの一例）を模式的に示す一部破断斜視図である。図２は、図１に示されるII−II線に沿った断面図である。図１及び図２に示されるように、シンチレータパネル１０は、アルミニウム基板１２と、アルミニウム基板１２の表面に形成されたアルマイト層１４と、アルマイト層１４上に設けられた放射線透過性を有する中間膜１６とを備える。アルマイト層１４と中間膜１６とは密着している。また、シンチレータパネル１０は、中間膜１６上に設けられており放射線透過性及び光反射性を有する金属膜１８と、金属膜１８を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する酸化物層２０と、酸化物層２０を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する保護膜２２と、保護膜２２上に設けられたシンチレータ２４（放射線像を変換する変換部の一例）とを備える。中間膜１６、金属膜１８、酸化物層２０、保護膜２２、及びシンチレータ２４は互いに密着している。
本実施形態では、保護膜２２が、アルミニウム基板１２、アルマイト層１４、中間膜１６、金属膜１８、及び酸化物層２０の全体を密封している。保護膜２２は、酸化物層２０に形成されているピンホール等に起因する金属膜１８の腐食を防止する。また、アルミニウム基板１２、アルマイト層１４、中間膜１６、金属膜１８、酸化物層２０、保護膜２２、及びシンチレータ２４の全体は、保護膜２６によって密封されている。
Ｘ線等の放射線３０がアルミニウム基板１２側からシンチレータ２４に入射されると、シンチレータ２４から可視光等の光３２が出射される。よって、放射線像がシンチレータパネル１０に入射されると、当該放射線像はシンチレータ２４において光像に変換される。放射線３０は、保護膜２６、保護膜２２、アルミニウム基板１２、アルマイト層１４、中間膜１６、金属膜１８、酸化物層２０、及び保護膜２２を順に透過してシンチレータ２４に到達する。シンチレータ２４から出射される光３２は、保護膜２６を透過して外部に放出されると共に、保護膜２２を透過して金属膜１８及び酸化物層２０において反射されて外部に放出される。シンチレータパネル１０は、医療用、工業用のＸ線撮影等に用いられる。
アルミニウム基板１２は、主としてアルミニウムからなる基板であるが、不純物等が含まれてもよい。アルミニウム基板１２の厚さは、０．３〜１．０ｍｍであることが好ましい。アルミニウム基板１２の厚さが０．３ｍｍ未満であると、アルミニウム基板１２が湾曲することによってシンチレータ２４が剥離し易くなる傾向にある。アルミニウム基板１２の厚さが１．０ｍｍを超えると、放射線３０の透過率が低下する傾向にある。
アルマイト層１４は、アルミニウムを陽極酸化することによって形成され、多孔質のアルミニウム酸化物からなる。アルマイト層１４により、アルミニウム基板１２に傷がつきにくくなる。アルミニウム基板１２に傷がつくと、アルミニウム基板１２の反射率が所望の値未満となり、アルミニウム基板１２の面内で均一な反射率が得られない。アルミニウム基板１２の傷の有無は例えば目視によってでも検査が可能である。アルマイト層１４は、アルミニウム基板１２のシンチレータ２４が形成される側の面のみに形成されてもよいし、アルミニウム基板１２の両面に形成されてもよいし、アルミニウム基板１２の全体を被覆するように形成されてもよい。アルミニウム基板１２の両面にアルマイト層１４を形成すると、アルミニウム基板１２の反りや撓みを低減することができるので、シンチレータ２４が不均一に蒸着されることを防止できる。また、アルマイト層１４を形成すると、アルミニウム基板１２を圧延形成する工程で付いてしまう縞状のすじを消すことができるので、アルミニウム基板１２上に反射膜（金属膜１８及び酸化物層２０）を形成した場合でも、反射膜において、アルミニウム基板１２の面内で均一な反射率が得られる。アルマイト層１４の厚さは、１０〜５０００ｎｍであることが好ましい。アルマイト層１４の厚さが１０ｎｍ未満であると、アルミニウム基板１２の傷防止効果が低下する傾向にある。アルマイト層１４の厚さが５０００ｎｍを超えると、特にアルミニウム基板１２の角部分においてアルマイト層１４が剥離し、アルマイト層１４に大きなクラックが生じてアルマイト層１４の耐湿性が低下する傾向にある。一実施例において、アルマイト層１４の厚さは１０００ｎｍである。アルマイト層１４の厚さはアルミニウム基板１２の大きさ、厚さに応じて適宜決定される。
図３は、第１実施形態に係るシンチレータパネルのアルマイト層のＡＥＳスペクトルの一例を示すグラフである。この例では、アルゴンイオンを用いてアルマイト層１４を３１分間スパッタエッチングすることにより、アルマイト層１４の厚さ方向に元素分析を行っている。この場合、アルミニウム、酸素、及びアルゴンが検出されている。なお、アルゴンは、スパッタエッチング時のアルゴンイオンに起因しているので、アルマイト層１４に含まれる元素ではない。よって、本実施例ではアルマイト層１４はアルミニウム、及び酸素を含む。
再び図１及び図２を参照する。中間膜１６、保護膜２２、及び保護膜２６は、有機膜又は無機膜であり、互いに異なる材料からなってもよいし、同じ材料からなってもよい。中間膜１６、保護膜２２、及び保護膜２６は、例えばポリパラキシリレンからなるが、ポリモノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチルパラキシリレン等のキシリレン系の材料からなってもよい。また、中間膜１６、保護膜２２、及び保護膜２６は、例えば、ポリ尿素、ポリイミド等からなってもよいし、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、又はＳｉＮ等の無機材料からなってもよい。さらに、中間膜１６、保護膜２２、及び保護膜２６は、無機膜及び有機膜を組み合わせて形成されてもよい。一実施例において、中間膜１６、保護膜２２、及び保護膜２６の厚さは１０μｍである。中間膜１６はアルマイト層１４の微細な凹凸を低減するので、アルマイト層１４上に均一な厚さを有する金属膜１８を形成するのに有利に作用する。
金属膜１８は、例えばＡｌからなるが、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｐｔ又はＡｕ等からなってもよい。これらの中でも、Ａｌ又はＡｇが好ましい。金属膜１８は酸素等の金属元素以外の元素を含んでもよい。また、金属膜１８は、複数の金属膜からなってもよく、例えば、Ｃｒ膜とＣｒ膜上に設けられたＡｕ膜とを有してもよい。金属膜１８の厚さは、５０〜２００ｎｍであることが好ましい。一実施例において、金属膜１８の厚さは７０ｎｍである。なお、ＡＥＳ（オージェ電子分光分析）によれば、金属膜１８としてアルミニウム膜を使用した場合は、アルミニウム膜の蒸着条件や蒸着後の処理により不完全なアルミニウム酸化物として分析される場合がある。
図４は、第１実施形態に係るシンチレータパネルの金属膜のＡＥＳスペクトルの一例を示すグラフである。この例では、アルゴンイオンを用いて金属膜１８を２０分間スパッタエッチングすることにより、金属膜１８の厚さ方向に元素分析を行っている。この場合、アルミニウム、酸素、及びアルゴンが検出されている。なお、アルゴンは、スパッタエッチング時のアルゴンイオンに起因しているので、金属膜１８に含まれる元素ではない。金属膜１８は酸素を含むが、ＡＥＳスペクトルの形状から、アルマイト層１４と明確に区別可能である。
再び図１及び図２を参照する。酸化物層２０は、例えば、金属酸化物、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等からなる。酸化物層２０は、互いに異なる材料からなる複数の酸化物層からなってもよく、例えば、ＳｉＯ２膜とＴｉＯ２膜とからなってもよい。一実施例において、ＳｉＯ２膜の厚さは８０ｎｍであり、ＴｉＯ２膜の厚さは５０ｎｍである。ＳｉＯ２膜及びＴｉＯ２膜の厚さや積層数は、シンチレータ２４から出射される光３２の波長に対する反射率を考慮して決定される。また、酸化物層２０は金属膜１８の腐食防止機能も有する。
シンチレータ２４は、アルミニウム基板１２の厚さ方向から見てアルミニウム基板１２よりも小さい。シンチレータ２４は、例えば、放射線を可視光に変換する蛍光体からなり、Ｔｌ又はＮａ等がドープされたＣｓＩの柱状結晶等からなる。シンチレータ２４は、複数の柱状結晶が林立した構成を有する。シンチレータ２４は、ＴｌがドープされたＮａＩ、ＴｌがドープされたＫＩ、ＥｕがドープされたＬｉＩからなってもよい。また、シンチレータ２４に代えて、ＥｕがドープされたＣｓＢｒといった輝尽性蛍光体を使用してもよい。シンチレータ２４の厚さは、１００〜１０００μｍであることが好ましく、４５０〜５５０μｍであることがより好ましい。シンチレータ２４を構成する柱状結晶の平均柱径は、３〜１０μｍであることが好ましい。
以上説明したように、シンチレータパネル１０は、アルミニウム基板１２と、アルミニウム基板１２の表面に形成されたアルマイト層１４と、アルマイト層１４上に設けられており放射線透過性及び光反射性を有する金属膜１８と、金属膜１８を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する保護膜２２と、保護膜２２上に設けられたシンチレータ２４と備える。よって、シンチレータパネル１０では、シンチレータ２４から出射された光３２が金属膜１８によって反射されるので、高い輝度を得ることができる。また、アルマイト層１４とシンチレータ２４との間に金属膜１８及び保護膜２２が設けられているので、アルマイト層１４にクラックやピンホール等が形成されていても、アルミニウム基板１２とシンチレータ２４との反応を回避することができる。よって、アルミニウム基板１２の腐食を防止できる。さらに、アルマイト層１４を形成すると、アルミニウム基板１２の表面の傷を消すことができるので、シンチレータパネル１０面内の均一な輝度特性、解像度特性が得られる。
また、シンチレータパネル１０は、アルマイト層１４と金属膜１８との間に設けられた放射線透過性を有する中間膜１６を更に備える。よって、アルマイト層１４の表面を平坦化することができるので、金属膜１８の平坦性が向上する。したがって、金属膜１８の反射率の面内均一性が向上する。また、アルマイト層１４と金属膜１８との密着性を高めることができる。さらに、アルマイト層１４に形成されるクラックやピンホール等を湿気やシンチレータの構成材料等が通過することを防止できる。よって、アルミニウム基板１２の腐食が更に防止される。
また、シンチレータパネル１０は、金属膜１８を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する酸化物層２０を更に備える。よって、金属膜１８の耐湿性を向上させると共に、金属膜１８に傷が形成されることを防止できる。また、金属膜１８の反射率を高めることができる。
図５（ａ）〜図５（ｃ）及び図６（ａ）〜図６（ｄ）は、第１実施形態に係るシンチレータパネルの製造方法の一例を模式的に示す工程断面図である。以下、図５（ａ）〜図５（ｃ）及び図６（ａ）〜図６（ｄ）を参照して、シンチレータパネル１０の製造方法について説明する。
まず、図５（ａ）に示されるように、アルミニウム基板１２を準備する。次に、図５（ｂ）に示されるように、陽極酸化によりアルミニウム基板１２の表面にアルマイト層１４を形成する。例えば、希硫酸等の電解液中でアルミニウム基板１２を陽極で電解し酸化させる。これにより、中心に微細孔が形成された六角柱のセルの集合体からなるアルマイト層１４が形成される。なお、染料にアルマイト層１４を浸漬させることによってアルマイト層１４を着色することもできる。これにより、解像度を向上させ、又は輝度を高くすることができる。アルマイト層１４を形成した後、微細孔を塞ぐための封孔処理を施す。
次に、図５（ｃ）に示されるように、アルマイト層１４上にＣＶＤ法を用いて中間膜１６を形成する。さらに、図６（ａ）に示されるように、中間膜１６上に真空蒸着法を用いて金属膜１８を形成する。金属膜１８は、例えば純度９９．９％のアルミニウムからなる。その後、図６（ｂ）に示されるように、金属膜１８上に酸化物層２０を形成する。次に、図６（ｃ）に示されるように、アルミニウム基板１２、アルマイト層１４、中間膜１６、金属膜１８、及び酸化物層２０の全体を密封するように、ＣＶＤ法を用いて保護膜２２を形成する。さらに、図６Ｄに示されるように、蒸着法を用いて、保護膜２２を介して酸化物層２０上にシンチレータ２４を形成する。次に、図１及び図２に示されるように、アルミニウム基板１２、アルマイト層１４、中間膜１６、金属膜１８、酸化物層２０、保護膜２２、及びシンチレータ２４の全体を密封するように、ＣＶＤ法を用いて保護膜２６を形成する。このようにして、シンチレータパネル１０は製造される。なお、保護膜２２及び保護膜２６の密封は、ＣＶＤ時にアルミニウム基板１２のシンチレータ形成面と反対面側を基板ホルダから浮かせることで実現できる。このような方法としては、例えば米国特許明細書第６７７７６９０号に記載された方法がある。この方法では、ピンを用いてアルミニウム基板１２を浮かせている。この場合、アルミニウム基板１２とピンとの微小な接触面には保護膜が形成されない。
図７は、第１実施形態に係るシンチレータパネルを含む放射線イメージセンサの一例を示す図である。図７に示される放射線イメージセンサ１００は、シンチレータパネル１０と、シンチレータパネル１０のシンチレータ２４から出射される光３２を電気信号に変換する撮像素子７０とを備える。シンチレータ２４から出射される光３２はミラー５０によって反射され、レンズ６０に入射される。光３２は、レンズ６０によって集光され、撮像素子７０に入射される。レンズ６０は１つでもよいし複数でもよい。
Ｘ線源等の放射線源４０から出射された放射線３０は、図示しない検査対象物を透過する。透過した放射線像は、シンチレータパネル１０のシンチレータ２４に入射される。これにより、シンチレータ２４から、放射線像に対応した可視光像（撮像素子７０が感度を有する波長の光３２）が出射される。シンチレータ２４から出射された光３２は、ミラー５０及びレンズ６０を介して撮像素子７０に入射される。撮像素子７０としては、例えばＣＣＤやフラットパネル型イメージセンサ等が用いられる。その後、電子機器８０が撮像素子７０から電気信号を受け取り、当該電気信号は、配線３６を経由してワークステーション９０に伝達される。ワークステーション９０は、電気信号を解析してディスプレイに画像を表示する。
放射線イメージセンサ１００は、シンチレータパネル１０と、シンチレータパネル１０のシンチレータ２４から出射される光３２を電気信号に変換する撮像素子７０とを備える。よって、放射線イメージセンサ１００は、高い輝度を有すると共にアルミニウム基板１２の腐食を防止できる。
図８は、第１実施形態に係るシンチレータパネルを含む放射線イメージセンサの別の例を示す図である。図８に示される放射線イメージセンサ１００ａは、シンチレータパネル１０と、シンチレータパネル１０に対向配置され、シンチレータパネル１０のシンチレータ２４から出射される光を電気信号に変換する撮像素子７０とを備える。シンチレータ２４は、アルミニウム基板１２と撮像素子７０との間に配置されている。撮像素子７０の受光面はシンチレータ２４側に配置されている。シンチレータパネル１０と撮像素子７０とは、互いに接合されてもよいし、互いに離間してもよい。接合する場合、接着剤を利用してもよいし、シンチレータ２４及び保護膜２６の屈折率を考慮して出射される光３２の損失を低減するように光学結合材（屈折率整合材）を利用してもよい。
放射線イメージセンサ１００ａは、シンチレータパネル１０と、シンチレータパネル１０のシンチレータ２４から出射される光を電気信号に変換する撮像素子７０とを備える。よって、放射線イメージセンサ１００ａは、高い輝度を有すると共にアルミニウム基板１２の腐食を防止できる。
（第２実施形態）
図９は、第２実施形態に係るシンチレータパネルを模式的に示す断面図である。図９に示されるシンチレータパネル１０ａは、中間膜１６がアルミニウム基板１２及びアルマイト層１４の全体を密封している点を除いて、シンチレータパネル１０と同様の構成を有する。よって、シンチレータパネル１０ａでは、シンチレータパネル１０と同様の作用効果を奏することに加えて、アルミニウム基板１２の耐湿性が更に向上するので、アルミニウム基板１２の腐食をより確実に防止することができる。
図９は、第２実施形態に係るシンチレータパネルを模式的に示す断面図である。図９に示されるシンチレータパネル１０ａは、中間膜１６がアルミニウム基板１２及びアルマイト層１４の全体を密封している点を除いて、シンチレータパネル１０と同様の構成を有する。よって、シンチレータパネル１０ａでは、シンチレータパネル１０と同様の作用効果を奏することに加えて、アルミニウム基板１２の耐湿性が更に向上するので、アルミニウム基板１２の腐食をより確実に防止することができる。
（第３実施形態）
図１０は、第３実施形態に係るシンチレータパネルを模式的に示す断面図である。図１０に示されるシンチレータパネル１０ｂは、中間膜１６を有していない点を除いて、シンチレータパネル１０と同様の構成を有する。よって、シンチレータパネル１０ｂでは、シンチレータパネル１０と同様の作用効果を奏することに加えて構造を単純化することができる。図１１は、第３実施形態に係るシンチレータパネルの一実施例の断面ＳＥＭ写真である。
図１０は、第３実施形態に係るシンチレータパネルを模式的に示す断面図である。図１０に示されるシンチレータパネル１０ｂは、中間膜１６を有していない点を除いて、シンチレータパネル１０と同様の構成を有する。よって、シンチレータパネル１０ｂでは、シンチレータパネル１０と同様の作用効果を奏することに加えて構造を単純化することができる。図１１は、第３実施形態に係るシンチレータパネルの一実施例の断面ＳＥＭ写真である。
なお、アルマイト層１４上に金属膜１８を形成する場合、金属膜１８の厚さは、金属膜１８の均一な反射特性と密着強度等を考慮すると５０〜２００ｎｍが好ましい。また、金属膜１８の厚さは、アルミニウム基板１２の表面状態が金属膜１８に影響しないようにアルマイト層１４の厚さは金属膜１８の厚さより厚い方が好ましい。一実施例ではアルマイト層１４の厚さは１０００ｎｍである。
（第４実施形態）
図１２は、第４実施形態に係るシンチレータパネルを模式的に示す断面図である。図１２に示されるシンチレータパネル１０ｃは、酸化物層２０を有していない点を除いて、シンチレータパネル１０と同様の構成を有する。よって、シンチレータパネル１０ｃでは、シンチレータパネル１０と同様の作用効果を奏することに加えて構造を単純化することができる。
図１２は、第４実施形態に係るシンチレータパネルを模式的に示す断面図である。図１２に示されるシンチレータパネル１０ｃは、酸化物層２０を有していない点を除いて、シンチレータパネル１０と同様の構成を有する。よって、シンチレータパネル１０ｃでは、シンチレータパネル１０と同様の作用効果を奏することに加えて構造を単純化することができる。
（第５実施形態）
図１３は、第５実施形態に係るシンチレータパネルを模式的に示す断面図である。図１３に示されるシンチレータパネル１０ｄは、中間膜１６がアルミニウム基板１２及びアルマイト層１４の全体を密封している点を除いて、シンチレータパネル１０ｃと同様の構成を有する。よって、シンチレータパネル１０ｄでは、シンチレータパネル１０ｃと同様の作用効果を奏することに加えて、アルミニウム基板１２の耐湿性が更に向上するので、アルミニウム基板１２の腐食をより確実に防止することができる。
図１３は、第５実施形態に係るシンチレータパネルを模式的に示す断面図である。図１３に示されるシンチレータパネル１０ｄは、中間膜１６がアルミニウム基板１２及びアルマイト層１４の全体を密封している点を除いて、シンチレータパネル１０ｃと同様の構成を有する。よって、シンチレータパネル１０ｄでは、シンチレータパネル１０ｃと同様の作用効果を奏することに加えて、アルミニウム基板１２の耐湿性が更に向上するので、アルミニウム基板１２の腐食をより確実に防止することができる。
（第６実施形態）
図１４は、第６実施形態に係るシンチレータパネルを模式的に示す断面図である。図１４に示されるシンチレータパネル１０ｅは、シンチレータパネル１０の構成に加えて、アルミニウム基板１２に貼り付けられた放射線透過性の補強板２８を更に備える。アルミニウム基板１２は、補強板２８とシンチレータ２４との間に配置されている。
図１４は、第６実施形態に係るシンチレータパネルを模式的に示す断面図である。図１４に示されるシンチレータパネル１０ｅは、シンチレータパネル１０の構成に加えて、アルミニウム基板１２に貼り付けられた放射線透過性の補強板２８を更に備える。アルミニウム基板１２は、補強板２８とシンチレータ２４との間に配置されている。
補強板２８は、例えば両面テープや接着剤等によってアルミニウム基板１２に貼り付けられている。補強板２８としては、（１）炭素繊維強化プラスチック(ＣＦＲＰ：Carbon Fiber Reinforced Plastics)、（２）カーボンボード（木炭及び紙を炭化処理して固めたもの）、（３）カーボン基板（グラファイト基板）、（４）プラスチック基板、（５）上記（１）〜（４）の基板を薄く形成し発泡樹脂でサンドイッチしたもの、等を用いることができる。補強板２８の厚さは、アルミニウム基板１２及びアルマイト層１４の合計厚さよりも大きいことが好ましい。これにより、シンチレータパネル１０ｅ全体の強度が向上する。補強板２８は、アルミニウム基板１２の厚さ方向から見てシンチレータ２４よりも大きいことが好ましい。すなわち、アルミニウム基板１２の厚さ方向において補強板２８側から見たときに、補強板２８がシンチレータ２４を覆い隠していることが好ましい。これにより、補強板２８の影が映ることを防止できる。特に、低エネルギーの放射線３０を用いる場合、補強板２８の影に起因して画像が不均一になることを防止できる。
シンチレータパネル１０ｅでは、シンチレータパネル１０と同様の作用効果を奏することに加えて、シンチレータパネル１０ｅの平坦性及び剛性を更に向上させることができる。したがって、シンチレータパネル１０ｅでは、アルミニウム基板１２の湾曲に起因するシンチレータ２４の剥離を防止することができる。また、図７に示される放射線イメージセンサ１００ではシンチレータパネルを単体で用いるため、剛性の高いシンチレータパネル１０ｅを用いることが有効である。
なお、シンチレータパネル１０に代えて、シンチレータパネル１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄのいずれか一つに補強板２８を貼り付けてもよい。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないし、上記種々の作用効果を奏する構成に限定されるものではない。
例えば、放射線イメージセンサ１００，１００ａにおいて、シンチレータパネル１０に代えて、シンチレータパネル１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅのいずれか一つを用いてもよい。
また、シンチレータパネル１０は、中間膜１６及び酸化物層２０の両方を備えなくてもよい。さらに、シンチレータパネル１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅは、保護膜２６を備えなくてもよい。
上記実施形態では、放射線像変換パネルとしてシンチレータパネルを例示したが、シンチレータ２４に代えて輝尽性蛍光体（放射線像を変換する変換部の一例）を用いることによって、放射線像変換パネルとしてのイメージングプレートを作製することもできる。輝尽性蛍光体により、放射線像は潜像に変換される。この潜像をレーザ光でスキャンすることにより、可視光像を読み出す。可視光像は、検出器（ラインセンサ、イメージセンサ、光電子増倍管などの光センサ）によって検出される。
１２…アルミニウム基板、１４…アルマイト層、１６…中間層、１８…金属膜、２２、２６…保護膜、２４…シンチレータ、１０、１０a、１０ｂ…シンチレータパネル、５０…ミラー、６０…レンズ、７０…撮像素子、１００、１００a…放射線イメージセンサ。
Claims (7)
- アルミニウム基板と、
前記アルミニウム基板の表面に形成されたアルマイト層と、
前記アルマイト層上に設けられており放射線透過性及び光反射性を有する金属膜と、
前記金属膜を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する保護膜と、
前記保護膜上に設けられており放射線像を変換する変換部と、
を備える、放射線像変換パネル。 - 前記変換部が、シンチレータである請求項1記載の放射線像変換パネル。
- 前記アルマイト層と前記金属膜との間に設けられた放射線透過性を有する中間膜を更に備える、請求項１ー２のいずれか一つに記載の放射線像変換パネル。
- 前記金属膜を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する酸化物層を更に備える、請求項１ー３のいずれか一つに記載の放射線像変換パネル。
- 前記金属膜を被覆しており放射線透過性及び光透過性を有する酸化物層を更に備える、請求項１ー４のいずれか一つに記載の放射線像変換パネル。
- 前記アルミニウム基板に貼り付けられた放射線透過性の補強板を更に備え、前記アルミニウム基板は、前記補強板と前記シンチレータとの間に配置されている、請求項１ー５のいずれか一つに記載の放射線像変換パネル。
- 請求項１ー６のいずれか一つに記載の放射線像変換パネルと、
前記放射線像変換パネルの前記変換部から出射される光を電気信号に変換する撮像素子と、
を備える、放射線イメージセンサ。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/812,233 US7468514B1 (en) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008309770A true JP2008309770A (ja) | 2008-12-25 |
| JP2008309770A5 JP2008309770A5 (ja) | 2009-02-12 |
| JP4317251B2 JP4317251B2 (ja) | 2009-08-19 |
Family
ID=40131434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007327665A Active JP4317251B2 (ja) | 2007-06-15 | 2007-12-19 | 放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7468514B1 (ja) |
| JP (1) | JP4317251B2 (ja) |
| KR (3) | KR101042065B1 (ja) |
| CN (2) | CN101324671B (ja) |
| CA (1) | CA2633667C (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011033563A (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像検出装置およびその製造方法 |
| US8723127B2 (en) | 2009-03-13 | 2014-05-13 | Konica Minolta Business Technologies, Inc. | Radiation detector |
| WO2016167334A1 (ja) * | 2015-04-16 | 2016-10-20 | 三菱化学株式会社 | 放射線像変換スクリーン、フラットパネルディテクタ、放射線検出装置、及びシンチレータ |
| JP2017120192A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 国立大学法人島根大学 | シンチレータ及び電子検出器 |
| JP2018513982A (ja) * | 2015-03-20 | 2018-05-31 | ヴァレックス イメージング コーポレイション | シンチレータ |
| WO2021038899A1 (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | キヤノン電子管デバイス株式会社 | シンチレータパネル、および放射線検出器 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE502004010774D1 (de) * | 2004-10-08 | 2010-04-01 | Sgl Carbon Se | Polymergebundene fasergelege |
| CN101604118B (zh) * | 2008-12-31 | 2012-07-04 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种将高能x射线图像转换为可见光图像的装置 |
| US8957380B2 (en) * | 2009-06-30 | 2015-02-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor |
| JP2011137665A (ja) * | 2009-12-26 | 2011-07-14 | Canon Inc | シンチレータパネル及び放射線撮像装置とその製造方法、ならびに放射線撮像システム |
| GB2477346B (en) * | 2010-02-01 | 2016-03-23 | Scintacor Ltd | Scintillator assembly for use in digital x-ray imaging |
| JP5801891B2 (ja) | 2010-07-30 | 2015-10-28 | パルセータ, エルエルシーPulsetor, Llc | 電子イメージングを用いて試料の画像を作成する荷電粒子線装置及び方法 |
| WO2013022735A1 (en) * | 2011-08-05 | 2013-02-14 | Pulsetor, Llc | Electron detector including one or more intimately-coupled scintillator-photomultiplier combinations, and electron microscope employing same |
| US8829454B2 (en) | 2012-02-27 | 2014-09-09 | Analog Devices, Inc. | Compact sensor module |
| JP5922518B2 (ja) * | 2012-07-20 | 2016-05-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル及び放射線検出器 |
| US9116022B2 (en) | 2012-12-07 | 2015-08-25 | Analog Devices, Inc. | Compact sensor module |
| KR101455382B1 (ko) * | 2012-12-26 | 2014-10-27 | 한국전기연구원 | 휘진성 형광체를 이용한 하이브리드 엑스-선 검출 장치 |
| JP6739423B2 (ja) | 2014-09-25 | 2020-08-12 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 光を発生させるセラミック材料 |
| KR101601530B1 (ko) * | 2014-11-06 | 2016-03-09 | 현대자동차주식회사 | 전파 투과형 다층 광학막 |
| US10074624B2 (en) | 2015-08-07 | 2018-09-11 | Analog Devices, Inc. | Bond pads with differently sized openings |
| JP6504997B2 (ja) * | 2015-11-05 | 2019-04-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線像変換パネル、放射線像変換パネルの製造方法、放射線イメージセンサ及び放射線イメージセンサの製造方法 |
| JP6707130B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2020-06-10 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出器及び放射線画像撮影装置 |
| WO2018173894A1 (ja) * | 2017-03-22 | 2018-09-27 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出器及び放射線画像撮影装置 |
| US11056455B2 (en) | 2017-08-01 | 2021-07-06 | Analog Devices, Inc. | Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier |
| JP6433560B1 (ja) | 2017-09-27 | 2018-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル及び放射線検出器 |
| JP6433561B1 (ja) * | 2017-09-27 | 2018-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル及び放射線検出器 |
| CN113228272A (zh) | 2018-12-06 | 2021-08-06 | 美国亚德诺半导体公司 | 具有无源器件组件的集成器件封装 |
| JP7057299B2 (ja) | 2019-02-21 | 2022-04-19 | ニチバン株式会社 | 伸縮性パッドを用いた医療用貼付材 |
| US11664340B2 (en) | 2020-07-13 | 2023-05-30 | Analog Devices, Inc. | Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier |
| CN115107135A (zh) * | 2021-03-22 | 2022-09-27 | 云南传承木业有限公司 | 一种无醛强化木地板的制作方法 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000356679A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-12-26 | Hamamatsu Photonics Kk | シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ |
| JP2003262700A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Konica Corp | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの作製方法 |
| JP2004279428A (ja) * | 1998-06-18 | 2004-10-07 | Hamamatsu Photonics Kk | シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ |
| JP2004294137A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Konica Minolta Holdings Inc | 放射線像変換パネル及びその製造方法 |
| JP2004325126A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
| JP2005172511A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 放射線検出装置、その製造方法、および放射線撮像システム |
| JP2006078472A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-03-23 | Canon Inc | 放射線検出装置、シンチレータパネル及びこれらの製造方法 |
| WO2006049183A1 (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-11 | Mach Technology Co., Ltd. | 放射線画像撮像装置 |
| JP2006189377A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Canon Inc | シンチレータパネル、放射線検出装置、及び放射線検出システム |
| JP2006220439A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Canon Inc | シンチレータパネル、放射線検出装置及びその製造方法 |
| JP2006267013A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 輝尽性蛍光体パネル及び輝尽性蛍光体パネルの製造方法 |
| JP2007040836A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Fujifilm Corp | 放射線像変換パネル |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5689702A (en) | 1979-12-21 | 1981-07-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Laser beam reflecting mirror |
| JPS5889702A (ja) | 1981-11-20 | 1983-05-28 | 松下電器産業株式会社 | 導電性ペ−スト |
| JPS6173901A (ja) | 1984-09-19 | 1986-04-16 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知装置用金属鏡の製造方法 |
| DE3578359D1 (de) | 1984-12-17 | 1990-07-26 | Konishiroku Photo Ind | Schirm zum speichern eines strahlungsbildes. |
| US4873708A (en) | 1987-05-11 | 1989-10-10 | General Electric Company | Digital radiographic imaging system and method therefor |
| JP2677818B2 (ja) | 1987-08-17 | 1997-11-17 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換パネル |
| JPH04118599A (ja) | 1990-09-10 | 1992-04-20 | Fujitsu Ltd | Ｘ線画像変換シートおよびそのシートを用いる装置 |
| US5949848A (en) | 1996-07-19 | 1999-09-07 | Varian Assocaites, Inc. | X-ray imaging apparatus and method using a flat amorphous silicon imaging panel |
| CN1152265C (zh) * | 1998-06-18 | 2004-06-02 | 浜松光子学株式会社 | 闪烁体面板、放射线图象传感器及其制造方法 |
| WO1999066351A1 (fr) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Procede de depot de fil organique |
| US7034306B2 (en) * | 1998-06-18 | 2006-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| EP1139120B1 (en) * | 1998-06-18 | 2005-09-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image sensor, and method for manufacturing the same |
| KR100638413B1 (ko) * | 1999-04-09 | 2006-10-24 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지 센서 |
| CN101311748B (zh) * | 1999-04-16 | 2011-05-18 | 浜松光子学株式会社 | 闪烁器面板和放射线图象传感器 |
| JP5031172B2 (ja) * | 2000-09-11 | 2012-09-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル、放射線イメージセンサおよびそれらの製造方法 |
| CN1304853C (zh) * | 2000-09-11 | 2007-03-14 | 浜松光子学株式会社 | 闪烁器面板、放射线图象传感器和它们的制造方法 |
| DE20021657U1 (de) * | 2000-12-20 | 2002-05-02 | Alanod Al Veredlung Gmbh | Abdeckteil für eine Lichtquelle |
| DE20021660U1 (de) * | 2000-12-20 | 2002-05-02 | Alanod Al Veredlung Gmbh | Verbundmaterial |
| KR20030072606A (ko) * | 2001-01-30 | 2003-09-15 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 신틸레이터 패널 및 방사선 이미지 센서 |
| US6835936B2 (en) * | 2001-02-07 | 2004-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Scintillator panel, method of manufacturing scintillator panel, radiation detection device, and radiation detection system |
| US6652996B2 (en) | 2002-01-31 | 2003-11-25 | Eastman Kodak Company | Radiographic phosphor panel having improved speed and sharpness |
| JP4118599B2 (ja) | 2002-05-20 | 2008-07-16 | 三菱電機株式会社 | ダイバーシチ受信機および受信方法 |
| WO2004079396A1 (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | シンチレータパネルおよび放射線イメージセンサの製造方法 |
| JP3848288B2 (ja) * | 2003-04-25 | 2006-11-22 | キヤノン株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
| JP2005029895A (ja) | 2003-07-04 | 2005-02-03 | Agfa Gevaert Nv | 蒸着装置 |
| JP2005091221A (ja) | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換器 |
| JP2005181220A (ja) | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネル |
| JP2006119124A (ja) | 2004-09-22 | 2006-05-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネルおよびその製造方法 |
| US20060060792A1 (en) * | 2004-09-22 | 2006-03-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiographic image conversion panel and method of manufacturing the same |
| JP2006113007A (ja) | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像変換パネル |
| RU2298813C1 (ru) | 2005-12-26 | 2007-05-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт импульсной техники" (ФГУП НИИИТ) | Волоконно-оптическое устройство для визуализации распределения плотности потока импульсного ионизирующего излучения |
| KR100745991B1 (ko) | 2006-08-11 | 2007-08-06 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
-
2007
- 2007-06-15 US US11/812,233 patent/US7468514B1/en active Active
- 2007-12-19 JP JP2007327665A patent/JP4317251B2/ja active Active
-
2008
- 2008-06-05 CA CA2633667A patent/CA2633667C/en active Active
- 2008-06-12 KR KR1020080055234A patent/KR101042065B1/ko active IP Right Grant
- 2008-06-16 CN CN2008101099979A patent/CN101324671B/zh active Active
- 2008-06-16 CN CN201210285454.9A patent/CN102819032B/zh active Active
- 2008-11-10 US US12/268,080 patent/US7812315B2/en active Active
-
2011
- 2011-02-07 KR KR1020110010623A patent/KR101294870B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-05-23 KR KR1020120054990A patent/KR101294880B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004279428A (ja) * | 1998-06-18 | 2004-10-07 | Hamamatsu Photonics Kk | シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ |
| JP2000356679A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-12-26 | Hamamatsu Photonics Kk | シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ |
| JP2003262700A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Konica Corp | 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの作製方法 |
| JP2004294137A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Konica Minolta Holdings Inc | 放射線像変換パネル及びその製造方法 |
| JP2004325126A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
| JP2005172511A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 放射線検出装置、その製造方法、および放射線撮像システム |
| JP2006078472A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-03-23 | Canon Inc | 放射線検出装置、シンチレータパネル及びこれらの製造方法 |
| WO2006049183A1 (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-11 | Mach Technology Co., Ltd. | 放射線画像撮像装置 |
| JP2006189377A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Canon Inc | シンチレータパネル、放射線検出装置、及び放射線検出システム |
| JP2006220439A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Canon Inc | シンチレータパネル、放射線検出装置及びその製造方法 |
| JP2006267013A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 輝尽性蛍光体パネル及び輝尽性蛍光体パネルの製造方法 |
| JP2007040836A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Fujifilm Corp | 放射線像変換パネル |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8723127B2 (en) | 2009-03-13 | 2014-05-13 | Konica Minolta Business Technologies, Inc. | Radiation detector |
| JP2011033563A (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像検出装置およびその製造方法 |
| JP2018513982A (ja) * | 2015-03-20 | 2018-05-31 | ヴァレックス イメージング コーポレイション | シンチレータ |
| WO2016167334A1 (ja) * | 2015-04-16 | 2016-10-20 | 三菱化学株式会社 | 放射線像変換スクリーン、フラットパネルディテクタ、放射線検出装置、及びシンチレータ |
| JP2017120192A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 国立大学法人島根大学 | シンチレータ及び電子検出器 |
| WO2021038899A1 (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | キヤノン電子管デバイス株式会社 | シンチレータパネル、および放射線検出器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2633667C (en) | 2012-03-13 |
| CN101324671B (zh) | 2012-10-03 |
| CN102819032B (zh) | 2015-11-25 |
| KR20120081045A (ko) | 2012-07-18 |
| CN101324671A (zh) | 2008-12-17 |
| CA2633667A1 (en) | 2008-12-15 |
| US20080308736A1 (en) | 2008-12-18 |
| US7468514B1 (en) | 2008-12-23 |
| KR101294880B1 (ko) | 2013-08-08 |
| KR101042065B1 (ko) | 2011-06-16 |
| US7812315B2 (en) | 2010-10-12 |
| CN102819032A (zh) | 2012-12-12 |
| US20090072160A1 (en) | 2009-03-19 |
| KR101294870B1 (ko) | 2013-08-08 |
| JP4317251B2 (ja) | 2009-08-19 |
| KR20080110507A (ko) | 2008-12-18 |
| KR20110031442A (ko) | 2011-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4317251B2 (ja) | 放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサ | |
| JP4800434B2 (ja) | シンチレータパネル、放射線イメージセンサの製造方法 | |
| JP5198842B2 (ja) | 放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサ | |
| JP2008309769A (ja) | 放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサ | |
| JP5198841B2 (ja) | 放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサ | |
| TWI699547B (zh) | 放射線影像變換面板、放射線影像變換面板之製造方法、放射線影像感測器及放射線影像感測器之製造方法 | |
| EP3062127B1 (en) | Radiation image converting panel and radiation image sensor | |
| JP4283863B2 (ja) | シンチレータパネル |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081106 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081106 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20081106 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20090114 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090120 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090323 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090512 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090521 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4317251 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120529 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120529 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130529 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130529 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140529 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |