JP2008306027A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008306027A5
JP2008306027A5 JP2007152496A JP2007152496A JP2008306027A5 JP 2008306027 A5 JP2008306027 A5 JP 2008306027A5 JP 2007152496 A JP2007152496 A JP 2007152496A JP 2007152496 A JP2007152496 A JP 2007152496A JP 2008306027 A5 JP2008306027 A5 JP 2008306027A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating film
manufacturing
semiconductor device
forming
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007152496A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2008306027A (ja
JP5202877B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2007152496A priority Critical patent/JP5202877B2/ja
Priority claimed from JP2007152496A external-priority patent/JP5202877B2/ja
Publication of JP2008306027A publication Critical patent/JP2008306027A/ja
Publication of JP2008306027A5 publication Critical patent/JP2008306027A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5202877B2 publication Critical patent/JP5202877B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2007152496A 2007-06-08 2007-06-08 半導体装置の製造方法 Active JP5202877B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007152496A JP5202877B2 (ja) 2007-06-08 2007-06-08 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007152496A JP5202877B2 (ja) 2007-06-08 2007-06-08 半導体装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008306027A JP2008306027A (ja) 2008-12-18
JP2008306027A5 true JP2008306027A5 (enExample) 2010-06-17
JP5202877B2 JP5202877B2 (ja) 2013-06-05

Family

ID=40234460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007152496A Active JP5202877B2 (ja) 2007-06-08 2007-06-08 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5202877B2 (enExample)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009246227A (ja) 2008-03-31 2009-10-22 Toshiba Corp 半導体装置
JP5875752B2 (ja) * 2010-07-26 2016-03-02 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置の製造方法
JP5166576B2 (ja) * 2011-07-07 2013-03-21 シャープ株式会社 ＧａＮ系半導体素子の製造方法
JP5998446B2 (ja) * 2011-09-29 2016-09-28 富士通株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
JP6240460B2 (ja) * 2013-10-02 2017-11-29 トランスフォーム・ジャパン株式会社 電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法
CN110120347B (zh) * 2018-02-05 2023-11-17 住友电气工业株式会社 形成场效应晶体管的方法
JP7067336B2 (ja) * 2018-07-20 2022-05-16 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2019165056A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
WO2025204632A1 (ja) * 2024-03-27 2025-10-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、通信装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08191147A (ja) * 1995-01-12 1996-07-23 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3209169B2 (ja) * 1997-11-28 2001-09-17 日本電気株式会社 ゲート電極の形成方法
JP3853711B2 (ja) * 2002-07-24 2006-12-06 日本電信電話株式会社 半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008306027A5 (enExample)
JP2011077514A5 (enExample)
JP2005520356A5 (enExample)
JP2011009724A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2011142310A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2009283496A5 (enExample)
WO2009041713A3 (en) Method for manufacturing an oxide semiconductor field-effect transistor
JP2011192974A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2008515188A5 (enExample)
JP2008235876A5 (enExample)
JP2011029627A5 (enExample)
JP2012054547A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2009060096A5 (enExample)
JP2010166040A5 (enExample)
JP2012160719A5 (enExample)
JP2013153160A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2012216796A5 (enExample)
JP2007096055A5 (enExample)
JP2008294408A5 (enExample)
JP2009021568A5 (enExample)
JP2011192958A5 (enExample)
JP2011029628A5 (enExample)
JP2009038357A5 (enExample)
JP2012199527A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2011100981A5 (ja) 半導体装置の作製方法