JP2008298862A - パターン形成方法及びそれに用いる樹脂組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(1)レジスト層を選択的に露光した後、現像して第一のパターンを形成する工程と、(2)隣接する第一のパターンどうしの間に、ポリシロキサンを含む樹脂成分及び溶媒を含有するとともに、酸発生剤から発生する酸の作用により架橋可能な樹脂組成物からなる未架橋埋め込み部を形成する工程と、(3)未架橋埋め込み部の所定領域を架橋させて、第一のパターン、第一の架橋部、未架橋埋め込み部、及び第二の架橋部がこの順で配列して繰り返す配列構造を形成する工程と、(4)第一のパターン及び未架橋埋め込み部を除去して第二のパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法である。
【選択図】なし
Description
SiX4 (2)
R3 aSiX4−a (3)
(樹脂成分)
本発明の樹脂組成物に含有される樹脂成分には、ポリシロキサンが含有される。このポリシロキサンの具体例としては、下記一般式(2)及び下記一般式(3)の少なくともいずれかで表されるシラン化合物を用いて得られる、加水分解物及び縮合物の少なくともいずれかを含むものを挙げることができる。
SiX4 (2)
R3 aSiX4−a (3)
本発明の樹脂組成物に含有される溶媒は、アルコール又はエーテルを含むものであるとともに、後述する第一のパターン、第一の架橋部、及び第二の架橋部を実質的に溶解させず、かつ、未架橋埋め込み部を溶解可能なものであることが好ましい。
本発明の樹脂組成物には、第一のパターン上に塗布し、隣接する第一のパターンどうしの間に埋め込むに際しての作業性を調整する目的で、前述の溶媒以外の「その他の溶媒」を混合させることもできる。「その他の溶媒」としては、第一のパターンを浸食せず、かつ、樹脂組成物を均一に塗布する作用を示すものを好適に用いることができる。
本発明の樹脂組成物には、必要に応じて架橋剤を含有させることが好ましい。架橋剤を含有させることにより、現像液に対して難溶又は不溶な架橋部(第二のパターン)を容易に形成することができる。架橋剤の具体例としては、メラミン骨格、ベンゾグアナミン骨格、グリコールウリル骨格、エポキシ骨格、オキセタン骨格、又はビニルエーテル骨格を有するもの等を挙げることができる。
本発明の樹脂組成物には、樹脂組成物の塗布性、消泡性、及びレベリング性等を向上させる目的で界面活性剤を配合することもできる。配合可能な界面活性剤の具体例としては、以下、商品名で、BM−1000、BM−1100(以上、BMケミー社製);メガファックF142D、同F172、同F173、同F183(以上、大日本インキ化学工業社);フロラードFC−135、同FC−170C、同FC−430、同FC−431(以上、住友スリーエム社製);サーフロンS−112、同S−113、同S−131、同S−141、同S−145(以上、旭硝子社製);SH−28PA、同−190、同−193、SZ−6032、SF−8428(以上、東レダウコーニングシリコーン社製)等のフッ素系界面活性剤を挙げることができる。なお、これらの界面活性剤の配合量は、樹脂成分100質量部に対して、好ましくは5質量部以下である。
((1)工程)
(1)工程では、有機下層膜を形成したシリコンウェハ等の基板上に、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によってポジ型感放射線性樹脂組成物(以下、「ポジ型レジスト剤」又は「レジスト剤」ともいう)を塗布する。これにより、レジスト剤からなるレジスト層を形成することができる。なお、レジスト剤を塗布した後、必要に応じてプレベーク(PB)することによって塗膜中の溶剤を揮発させてもよい。このプレベークの加熱条件は、レジスト剤の配合組成によって適宜選択されるが、通常、30〜200℃、好ましくは50〜150℃である。
(2)工程では、形成された第一のパターン上に、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって本発明の一実施形態である樹脂組成物を塗布する。この際、第一のパターンが覆われるように樹脂組成物を塗布する。樹脂組成物を塗布した後、通常、加熱処理(ベーク)することにより、図2に示すような、隣接する第一のパターン1どうしの間に、樹脂組成物5からなる未架橋埋め込み部7を形成することができる。なお、この(2)工程は、必要に応じて複数回行ってもよい。
(3)工程では、未架橋埋め込み部7の、第一のパターン1との界面近傍を架橋させる(図3参照)。ここで、未架橋埋め込み部7は、酸発生剤から発生する酸の作用により架橋可能な、本発明の一実施形態である樹脂組成物によって形成された部分である。このため、未架橋埋め込み部7の架橋は、第一のパターン1との界面近傍のみ進行することとなる。なお、架橋は、例えば光照射又は熱処理することによって進行させることができる。これにより、図4に示すような、第一のパターン1、第一の架橋部11、未架橋埋め込み部7、及び第二の架橋部12がこの順で配列して繰り返す配列構造15を形成することができる。なお、未架橋埋め込み部7の架橋は、第一のパターン1を構成するレジスト剤に含有される酸発生剤の影響によって進行するため、光照射や熱処理の条件を適宜調整することで、形成される第一の架橋部11及び第二の架橋部12の線幅をある程度調整することも可能である。
(4)工程では、第一のパターン1と未架橋埋め込み部7を除去する。これにより、図6に示すような、所定の線幅L2,L3,L4,L5の第一の架橋部11と第二の架橋部12を備えた第二のパターン2を形成することができる。
本発明のパターン形成方法において用いられるレジスト剤(ポジ型感放射線性樹脂組成物)は、露光によって酸発生剤から発生した酸の作用により酸解離性基が解離して、アルカリ現像液に対する溶解性が高くなったレジストの露光部がアルカリ現像液によって溶解、除去され、ポジ型のパターンを得ることができるものである。
レジスト剤用樹脂は、所望とする繰り返し単位に対応する重合性不飽和単量体を含む単量体成分を、ヒドロパーオキシド類、ジアルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキシド類、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤を使用し、必要に応じて連鎖移動剤の存在下、適当な溶媒中で重合することにより製造することができる。
本発明で用いるポジ型レジスト剤には、酸発生剤が含有されている。この酸発生剤は、例えば、下記一般式(4)で表される構造を有する、露光により分解される化合物が好ましい。
本発明で用いるポジ型レジスト剤には、酸拡散制御剤が含有されていることが好ましい。酸拡散制御剤は、露光により酸発生剤から生じる酸のレジスト層中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する成分である。このような酸拡散制御剤を配合することにより、レジスト剤の貯蔵安定性が向上し、レジストの解像度が更に向上するとともに、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間(PED)の変動によるパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物とすることができる。酸拡散制御剤としては、含窒素有機化合物や光崩壊性塩基を用いることが好ましい。この光崩壊性塩基は、露光により分解して酸拡散制御性を発現するオニウム塩化合物である。
含窒素有機化合物としては、例えば、下記一般式(5)で表される化合物(以下、「含窒素化合物(I)」ともいう)、同一分子内に二つの窒素原子を有する化合物(以下、「含窒素化合物(II)」ともいう)、同一分子内に三つ以上の窒素原子を有するポリアミノ化合物及びその重合体(以下、まとめて「含窒素化合物(III)」ともいう)、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。
光崩壊性塩基は、露光により分解して酸拡散制御性を発現する塩基を発生するオニウム塩化合物である。このようなオニウム塩化合物の具体例としては、下記一般式(6)で表されるスルホニウム塩化合物、及び下記一般式(7)で表されるヨードニウム塩化合物を挙げることができる。
本発明で用いるポジ型レジスト剤は、レジスト剤用樹脂、酸発生剤、酸拡散制御剤等を溶剤に溶解させたものであることが好ましい。溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、2−ヘプタノン、及びシクロヘキサノンからなる群より選択される少なくとも一種(以下、「溶剤(1)」ともいう)が好ましい。また、溶剤(1)以外の溶剤(以下、「その他の溶剤」ともいう)を使用することもできる。更には、溶剤(1)とその他の溶剤を併用することもできる。
無水マレイン酸0.54gを水10.8gに加熱溶解させて、マレイン酸水溶液を調製した。メチルトリエトキシシラン(下記式(9))24.5g、及び4−メチル−2−ペンタノール53.5gを入れたフラスコに、冷却管と、調製したマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートをセットした。オイルバスにて60℃に加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからエバポレータにセットし、反応により生成したエタノールを除去して樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液中の固形分(樹脂)の含有割合は、焼成法により測定した結果、16.1%であった。また、固形分(樹脂)の重量平均分子量(Mw)は2000であった。この樹脂溶液5gを4−メチル−2−ペンタノール30gに溶解させた後、孔径0.2μmのフィルタでろ過して樹脂組成物(実施例1)を得た。
無水マレイン酸0.54gを水10.8gに加熱溶解させて、マレイン酸水溶液を調製した。プロピルトリエトキシシラン(下記式(10))24.5g、及びジブチルエーテル53.5gを入れたフラスコに、冷却管と、調製したマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートをセットした。オイルバスにて60℃に加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからエバポレータにセットし、反応により生成したエタノールを除去して樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液中の固形分(樹脂)の含有割合は、焼成法により測定した結果、14.3%であった。また、固形分(樹脂)の重量平均分子量(Mw)は1500であった。この樹脂溶液5gをジブチルエーテル30gに溶解させた後、孔径0.2μmのフィルタでろ過して樹脂組成物(実施例2)を得た。
無水マレイン酸0.54gを水10.8gに加熱溶解させて、マレイン酸水溶液を調製した。エチルトリエトキシシラン(下記式(11))19.5g、ブチルトリエトキシシラン(下記式(12))7.6g、及びジブチルエーテル53.5gを入れたフラスコに、冷却管と、調製したマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートをセットした。オイルバスにて60℃に加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからエバポレータにセットし、反応によって生成したエタノールを除去して樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液中の固形分(樹脂)の含有割合は、焼成法により測定した結果、17.3%であった。また、固形分(樹脂)の重量平均分子量(Mw)は1200であった。この樹脂溶液5gをジブチルエーテル30gに溶解させた後、孔径0.2μmのフィルタでろ過して樹脂組成物(実施例3)を得た。
無水マレイン酸0.54gを水10.8gに加熱溶解させて、マレイン酸水溶液を調製した。テトラエトキシシラン(下記式(13))20.6g、メチルトリエトキシシラン(下記式(14))5.7g、及び4−メチル−2−ペンタノール53.5gを入れたフラスコに、冷却管と、調製したマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートをセットした。オイルバスにて60℃に加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからエバポレータにセットし、反応によって生成したエタノールを除去して樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液中の固形分(樹脂)の含有割合は、焼成法により測定した結果、19.8%であった。また、固形分(樹脂)の重量平均分子量(Mw)は2400であった。この樹脂溶液5gを4−メチル−2−ペンタノール30gに溶解させた後、孔径0.2μmのフィルタでろ過して樹脂組成物(実施例4)を得た。
無水マレイン酸0.54gを水10.8gに加熱溶解させて、マレイン酸水溶液を調製した。メチルトリアセトキシシラン(下記式(15))15.7g、ビニルトリクロロシラン(下記式(16))3.7、及び4−メチル−2−ペンタノール53.5gを入れたフラスコに、冷却管と、調製したマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートをセットした。オイルバスにて60℃に加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからエバポレータにセットし、反応によって生成したエタノールを除去して樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液中の固形分(樹脂)の含有割合は、焼成法により測定した結果、15.2%であった。また、固形分(樹脂)の重量平均分子量(Mw)は3100であった。この樹脂溶液5gを4−メチル−2−ペンタノール30gに溶解させた後、孔径0.2μmのフィルタでろ過して樹脂組成物(実施例5)を得た。
無水マレイン酸0.54gを水10.8gに加熱溶解させて、マレイン酸水溶液を調製した。テトライソシアナートシラン(下記式(17))25.7g、ビニルトリス(メチルエチルケトキシイミノ)シラン(下記式(18))8.3、及び4−メチル−2−ペンタノール53.5gを入れたフラスコに、冷却管と、調製したマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートとをセットした。オイルバスにて60℃に加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからエバポレータにセットし、反応によって生成したエタノールを除去して樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液中の固形分(樹脂)の含有割合は、焼成法により測定した結果、19.3%であった。また、固形分(樹脂)の重量平均分子量(Mw)は5200であった。この樹脂溶液5gを4−メチル−2−ペンタノール30gに溶解させた後、孔径0.2μmのフィルタでろ過して樹脂組成物(実施例6)を得た。
無水マレイン酸0.54gを水10.8gに加熱溶解させて、マレイン酸水溶液を調製した。(3−トリメトキシシリルプロピル)ジエチレントリアミン(下記式(19))19.8g、及び4−メチル−2−ペンタノール53.5gを入れたフラスコに、冷却管と、調製したマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートをセットした。オイルバスにて60℃に加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからエバポレータにセットし、反応によって生成したエタノールを除去して樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液中の固形分(樹脂)の含有割合は、焼成法により測定した結果、19.3%であった。また、固形分(樹脂)の重量平均分子量(Mw)は5200であった。この樹脂溶液5gを4−メチル−2−ペンタノール30gに溶解させた後、孔径0.2μmのフィルタでろ過して樹脂組成物(実施例7)を得た。
無水マレイン酸0.54gを水10.8gに加熱溶解させて、マレイン酸水溶液を調製した。アクリロキシプロピルトリメトキシシラン(下記式(20))20.1g、及び4−メチル−2−ペンタノール53.5gを入れたフラスコに、冷却管と、調製したマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートをセットした。オイルバスにて60℃に加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからエバポレータにセットし、反応によって生成したエタノールを除去して樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液中の固形分(樹脂)の含有割合は、焼成法により測定した結果、20.2%であった。また、固形分(樹脂)の重量平均分子量(Mw)は2400であった。この樹脂溶液5gを4−メチル−2−ペンタノール30gに溶解させた後、孔径0.2μmのフィルタでろ過して樹脂組成物(実施例8)を得た。
無水マレイン酸0.54gを水10.8gに加熱溶解させて、マレイン酸水溶液を調製した。O−(メタクリロキシエチル)−N−(トリエトキシシリルプロピル)ウレタン(下記式(21))12.7g、及び4−メチル−2−ペンタノール53.5gを入れたフラスコに、冷却管と、先に調製しておいたマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートをセットした。オイルバスにて60℃に加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからエバポレータにセットし、反応によって生成したエタノールを除去して樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液中の固形分(樹脂)の含有割合は、焼成法により測定した結果、13.2%であった。また、固形分(樹脂)の重量平均分子量(Mw)は1100であった。この樹脂溶液5gを4−メチル−2−ペンタノール30gに溶解させた後、孔径0.2μmのフィルタでろ過して樹脂組成物(実施例9)を得た。
無水マレイン酸0.54gを水10.8gに加熱溶解させて、マレイン酸水溶液を調製した。トリエトキシシラン(下記式(22))21.5g、及びジブチルエーテル53.5gを入れたフラスコに、冷却管と、先に調製しておいたマレイン酸水溶液を入れた滴下ロートをセットした。オイルバスにて60℃に加熱した後、マレイン酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからエバポレータにセットし、反応によって生成したエタノールを除去して樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液中の固形分(樹脂)の含有割合は、焼成法により測定した結果、21.1%であった。また、固形分(樹脂)の重量平均分子量(Mw)は9000であった。この樹脂溶液5gをジブチルエーテル30gに溶解させた後、孔径0.2μmのフィルタでろ過して樹脂組成物(実施例10)を得た。
上述の合成例1〜9によって得られたそれぞれの樹脂組成物に対して、表1に示す配合処方に従って架橋剤を添加することにより、樹脂組成物(実施例11〜19)を得た。
8インチシリコンウェハ上に、下層反射防止膜(商品名「CT08」、JSR社製)を、商品名「CLEAN TRACK ACT8」(東京エレクトロン社製)を使用してスピンコートした後、300℃ベークして膜厚300nmの塗膜を形成した。形成した塗膜上に、レジスト剤(商品名「JSR ArF AIM5056JN」、JSR社製)をスピンコートした後、PB(110℃、90秒)することにより膜厚180nmのレジスト層を形成した。ArF液浸露光装置(商品名「NSR−S306C」、ニコン社製)を使用し、NA:0.78、σ:0.85、2/3Annの光学条件にて露光した。商品名「CLEAN TRACK ACT8」のLDノズルを使用してパドル現像(60秒間)を行った後、超純水でリンスし、更に、4000rpm、15秒間振り切りでスピンドライすることにより、第一のパターンが形成された評価用基板Aを得た。得られた評価用基板Aを走査型電子顕微鏡(商品名「S9360」、日立計測器社製)で観察し、80nmライン/120nmスペースの第一のパターンが形成されていることを確認した。
評価用基板A上に、実施例1〜19の樹脂組成物のそれぞれを、商品名「CLEAN TRACK ACT8」を使用してスピンコートして塗布した。第一のパターンの変化量(nm)を測定し、以下の基準に従って第一のパターンの残存性を評価した。評価結果を表2に示す。
○:変化量が5nm未満
×:変化量が5nm以上
評価用基板A上に、実施例1〜19の樹脂組成物のそれぞれを、商品名「CLEAN TRACK ACT8」を使用してスピンコートして塗布した後、100℃で60秒ベークして、隣接する第一のパターンどうしの間(スペース部)に樹脂組成物を埋め込んだ(最大厚み:300nm)。走査型電子顕微鏡(商品名「S−4800」、日立計測器社製)を使用して樹脂組成物が埋め込まれた部分の断面を観察し、以下の基準に従って埋め込み性を評価した。評価結果を表2に示す。
○:樹脂組成物が埋め込まれた部分に、気泡等による空隙が観察されない
×:樹脂組成物が埋め込まれた部分に、気泡等による空隙が観察される
評価用基板A上に、実施例1〜19の樹脂組成物のそれぞれを、商品名「CLEAN TRACK ACT8」を使用してスピンコートして塗布した後、100℃で60秒ベークして、隣接する第一のパターンどうしの間(スペース部)に樹脂組成物を埋め込んだ(最大厚み:300nm)。150℃で90秒間ベークした後、商品名「CLEAN TRACK ACT8」のLDノズルにて、2.38質量%TMAH水溶液を現像液としてパドル現像(60秒間)し、超純水でリンスした。次いで、4000rpm、15秒間振り切りでスピンドライすることにより、評価用基板Bを得た。得られた評価用基板Bの断面を観察し、以下の基準に従って硬化性及び剥離性を評価した。評価結果を表2に示す。
○:第一のパターンのライン幅が太くなり、かつ、スペース部が狭くなっている
×:第一のパターンのライン幅に変化なし、又はスペース部がつぶれている
評価基板B上に、商品名「CLEAN TRACK ACT8」を使用して、シクロヘキサノンをレジスト剥離溶液として用いて60秒間パドルを行った後、4000rpmで15秒間振り切るようにスピンドライすることにより、評価用基板Cを得た。得られた評価用基板Cの断面を観察し、以下の基準に従って第一のパターンの剥離性を評価した。評価結果を表2に示す。
○:第一のパターンが剥離されている
×:第一のパターンが剥離されていない、又は樹脂組成物の架橋部が残っていない
評価用基板Cを、バレル型酸素プラズマ灰化装置(商品名「PR−501」、ヤマト科学社製)を使用して、300Wで15秒間酸素アッシング処理を行った。酸素アッシング処理前における架橋部(第二のパターン)の厚み(T1)と、酸素アッシング処理後における架橋部(第二のパターン)の厚み(T2)との差(変化量:T1−T2(nm))を算出し、以下の基準に従って耐酸素アッシング性を評価した。評価結果を表2に示す。
○:変化量(T1−T2)が10nm以下
×:変化量(T1−T2)が10nm超
Claims (11)
- (1)酸発生剤を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて有機下層膜を介して基板上に形成されたレジスト層を選択的に露光した後、現像して第一のパターンを形成する工程と、
(2)隣接する前記第一のパターンどうしの間に、ポリシロキサンを含む樹脂成分及び溶媒を含有するとともに、前記酸発生剤から発生する酸の作用により架橋可能な樹脂組成物からなる未架橋埋め込み部を形成する工程と、
(3)前記未架橋埋め込み部の、前記第一のパターンとの界面近傍を架橋させて、前記第一のパターン、第一の架橋部、前記未架橋埋め込み部、及び第二の架橋部がこの順で配列して繰り返す配列構造を形成する工程と、
(4)前記第一のパターン及び前記未架橋埋め込み部を除去して第二のパターンを形成する工程と、
を含むパターン形成方法。 - 前記(2)工程において、
前記第一のパターンの上面を露出させて、前記未架橋埋め込み部を形成する請求項1に記載のパターン形成方法。 - 前記(3)工程において、
前記第一のパターンの上面を露出させて、前記配列構造を形成する請求項1に記載のパターン形成方法。 - 前記(4)工程において、
前記未架橋埋め込み部を除去し、次いで、
前記第一のパターンを全面露光した後、現像して、前記第一のパターンを除去する請求項1〜3のいずれか一項に記載のパターン形成方法。 - 前記(4)工程において、
前記配列構造を全面露光した後、現像して、前記第一のパターン及び前記未架橋埋め込み部を一度に除去する請求項1〜3のいずれか一項に記載のパターン形成方法。 - 前記ポジ型感放射線性樹脂組成物が、
下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有する樹脂を含有する請求項1〜5のいずれか一項に記載のレジストパターン形成方法。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載のパターン形成方法の(2)工程で用いられる、
ポリシロキサンを含む樹脂成分及び溶媒を含有するとともに、前記酸発生剤から発生する酸の作用により架橋可能な樹脂組成物。 - 前記溶媒が、前記第一のパターン、前記第一の架橋部、及び前記第二の架橋部を実質的に溶解させず、前記未架橋埋め込み部を溶解可能な、アルコール又はエーテルを含むものである請求項7に記載の樹脂組成物。
- 前記溶媒が、炭素数4〜10の、アルコール又はエーテルである請求項7又は8に記載の樹脂組成物。
- 前記ポリシロキサンが、下記一般式(2)及び下記一般式(3)の少なくともいずれかで表されるシラン化合物を用いて得られる、加水分解物及び縮合物の少なくともいずれかを含むものである請求項7〜9のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
SiX4 (2)
R3 aSiX4−a (3)
(前記一般式(2)及び(3)中、Xは、相互に独立して、塩素原子、アルコキシ基、ケトキシム基、アセトキシ基、又はイソシアナート基を示す。前記一般式(2)中、R3は、相互に独立して、水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状、若しくは環状のアルキル基、エステル基、エーテル基、アミド基、又はアミノ基を含む1価の有機基を示し、aは、1〜3の整数を示す) - グリコールウリル骨格、エポキシ骨格、オキセタン骨格、又はビニルエーテル骨格を有する架橋剤を更に含有する請求項7〜10のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
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