JP2011065136A - 自己整合型スペーサー多重パターニング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(a)パターン形成される1以上の層を含む半導体基体に;(b)第1の樹脂成分と光活性成分とを含む第1の感光性組成物の第1の層を適用し;(c)パターン化されたフォトマスクを通した活性化放射線に第1の層を露光し;(d)露光された第1の層を現像してレジストパターンを形成し;(e)レジストパターンを熱処理し;(f)当該レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理し;(g)第2の樹脂成分と光酸発生剤とを含む第2の感光性組成物の第2の層を、前記レジストパターンのアルカリ性表面と接触するように適用し;(h)第2の層を活性化放射線に露光し;(i)現像して、第2の層の現像中に除去されない第2の層の部分を含むスペーサーを形成する;ことを含む自己整合型スペーサー多重パターニング方法。
【選択図】図1
Description
本発明は概して、電子デバイスの製造に関する。より具体的には、本発明は自己整合型スペーサーリソグラフィ技術を用いて電子デバイスを形成する方法に関する。本発明は、高密度フォトリソグラフィパターンおよびフィーチャーを形成するための半導体デバイスの製造における特定の用途を見いだす。二重またはより高次のパターニングが本発明に従って行われうる。
ここで、本発明は図1A−Iを参照して説明され、図1A−Iは本発明に従った自己整合型スペーサーダブルパターニング方法についての第1の典型的なプロセスを断面図で示す。
L1レジストポリマー(ポリ(IAM/α−GBLMA/ODOTMA/HAMA))合成
10.51グラム(g)の2−メチル−アクリル酸1−イソプロピル−アダマンタニルエステル(IAM)、6.82gの2−メチル−アクリル酸2−オキソ−テトラヒドロ−フラン−3−イルエステル(α−GBLMA)、6.36gの2−メチル−アクリル酸3−オキソ−4,10−ジオキサ−トリシクロ[5.2.1.02,6]デセ−8−イルエステル(ODOTMA)および6.31gの2−メチル−アクリル酸3−ヒドロキシ−アダマンタニルエステル(HAMA)を27gのテトラヒドロフラン(THF)に溶解した。この混合物を窒素で20分間バブリングすることにより脱ガスした。凝縮器、窒素入口、および機械式攪拌機を備えた500mlのフラスコに11gのTHFを入れ、溶液を67℃の温度にした。5.23gのジメチル−2,2−アゾジイソブチラート(全モノマーを基準にして17mol%)を5gのTHFに溶解し、フラスコに入れた。モノマー溶液を反応器に、1時間あたり16.0ミリリットル(mL/時)の割合で3時間30分間供給した。次いで、重合混合物をさらに30分間67℃で攪拌した。次いで、反応器に5gのTHFを添加し、重合混合物を室温まで冷却した。1.0Lのイソプロピルアルコール中で沈殿を行った。ろ過後、ポリマーを乾燥させ、50gのTHFに再溶解させ、1.1Lのイソプロピルアルコール中で再沈殿させ、ろ過し、真空オーブン中45℃で48時間乾燥させて、25.4gの以下に示されるポリ(IAM/α−GBLMA/ODOTMA/HAMA)ポリマー(Mw=7,934およびMw/Mn=〜1.46)を得た:
3.169gの上述のように形成されたポリマーを、70重量%のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート(PGMEA)と30重量%のシクロヘキサノンとの溶媒混合物96.38gに溶解した。この混合物に、0.405gのトリフェニルスルホニウム(アダマンタン−1−イルメトキシカルボニル)−ジフルオロ−メタンスルホナート、0.041gの1−(tert−ブトキシカルボニル)−4−ヒドロキシピペリジンおよび0.005gのポリフォックス(POLYFOX登録商標)PF−656界面活性剤(オムノバソリューションズインコーポレーテッド;Omnova Solutions Inc.)を添加した。得られた混合物をローラー上で6時間延ばして、次いで、0.2ミクロン孔サイズのテフロン登録商標フィルターを通して、それによりポジ型フォトレジスト組成物を形成した。
表面処理溶液は、脱イオン水中のトリス(2−アミノエチル)アミン(TAEA)(シグマ−アルドリッチ)の1重量%溶液5g、10重量%の界面活性剤溶液(テルジトル(TERGITOL)TMN−6、ザダウケミカルカンパニー、米国、ミシガン州、ミッドランド)1g、および脱イオン水194gを混合することにより調製された。この溶液を、0.1ミクロン孔サイズのナイロンフィルターを通してろ過した。
TEL CLEAN TRACK商標LITHIUS商標i+コーター/現像機において、300mmのシリコンウェハにAR商標40A反射防止剤(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズLLC)をスピンコートし、第1の反射防止塗膜(BARC)を形成した。このウェハを215℃で60秒間ベークし、75nm厚の第1のBARC膜を生じさせた。次いで、この第1のBARC上に、AR商標124反射防止剤(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)を用いて、第2のBARC層がコーティングされ、205℃で60秒間ベークされ、23nmの上部BARC層を生じさせた。
上述のように形成されたL1フォトレジスト組成物が二層BARCの上にコーティングされ、110℃で60秒間ソフトベークされ、750Åの厚みのレジスト膜を生じさせた。第1のレジスト層はトップコート層(OC商標2000トップコート物質、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)でコーティングされ、15〜75mJ/cm2の様々な線量で、様々な臨界寸法を有するレチクルを通して、開口数1.35を有するASML TWINSCAN商標XT:1900i液浸スキャナーおよびX−偏光の双極子−35Y照明(0.96アウターシグマ/0.76インナーシグマ)を用いて露光された。このウェハは、次いで、100℃で60秒間露光後ベーク(PEB)され、マイクロポジット(Microposit商標)MF CD−26現像機(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)を用いて12秒間現像され、第1のリソグラフィ(L1)パターンにした。
ウェハは180℃で60秒間ハードベークされた。次いで、まず、ウェハが2.38重量%のTMAH水溶液で12秒間、TEL GPノズルを用いてすすがれ、次いで、ウェハを回転させつつ、TELウェハトラック上で上記表面処理溶液配合物ですすがれる逐次的なプロセスで、このウェハは表面処理化学物質に曝露された。
裸のシリコンウェハ上に450Åの膜厚を提供するであろうスピン速度で、コーター/現像機において、EPIC商標2098ポジ型フォトレジスト(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)を、表面処理されたL1パターン上にコーティングした。このウェハは120℃で60秒間ソフトベークされ、次いで、OC商標2000トップコート物質(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)でコーティングされた。第1のリソグラフィプロセスにおけるのと同じスキャナセッティングであるが、12〜34mJ/cm2の様々な露光線量でマスクなしにフラッド露光を使用して、第2のリソグラフィ(L2)が行われた。次いで、ウェハは110℃で60秒間露光後ベーク(PEB)され、マイクロポジット(Microposit商標)MF CD−26現像機(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)を用いて12秒間現像された。これにより、スペーサー構造が形成された。
102 層
102’ エッチングされたフィーチャーのパターン
103 ハードマスク
103’ パターン形成されたハードマスク
104 反射防止塗膜(BARC)
104’パターン形成された反射防止塗膜(BARC)
106 第1の感光層
106’第1のレジストパターン
106’’ ハードベークされた第1のレジストパターン
106’’a パターン
108 活性化放射線
110 第1のフォトマスク
112 改変された第1のレジストパターン表面
112’ 拡大されたアルカリ性領域
114 第2の感光層
114’ 未反応の第2の感光性組成物の層(スペーサー)
114a’ 追加のスペーサー
114’’ トリミングされたスペーサー(犠牲スペーサー)
116 側壁スペーサー
Claims (10)
- (a)パターン形成される1以上の層を含む半導体基体を提供し;
(b)第1の樹脂成分と第1の光活性成分とを含む第1の感光性組成物の第1の層を、パターン形成される1以上の層上に適用し;
(c)パターン化されたフォトマスクを通した活性化放射線に第1の層を露光し;
(d)露光された第1の層を現像してレジストパターンを形成し;
(e)ハードベークプロセスにおいてレジストパターンを熱処理し;
(f)ハードベークされたレジストパターンを、当該レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理し;
(g)第2の樹脂成分と光酸発生剤とを含む第2の感光性組成物の第2の層を、パターン形成される1以上の層上に、かつ前記レジストパターンのアルカリ性表面と接触するように適用し;
(h)第2の層を活性化放射線に露光し;並びに、
(i)露光された第2の層を現像して、第2の層の現像中に除去されない第2の層の部分を含むスペーサーを、パターン形成される1以上の層上に形成する;
ことを含む自己整合型スペーサー多重パターニング方法。 - 第2の層を露光する工程がフラッド露光である、請求項1に記載の方法。
- 第2の層を露光しおよび現像する工程が、それぞれ、前記レジストパターンを露光しおよび除去する、請求項1に記載の方法。
- 第2の層を露光しおよび現像する工程の後に、前記レジストパターンを除去することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- スペーサーをマスクとして使用して、スペーサーの下にある1以上の層をパターニングすることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- (i)前記スペーサーの側壁上に、第2の層とは異なる物質からなるスペーサー層を形成し;並びに
(ii)基体から第1のスペーサーを選択的に除去して、パターン形成される1以上の層上のスペーサー層から形成される第2のスペーサーを残す;
ことをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - レジストパターンを熱処理することが、約150℃以上の温度で行われる、請求項6に記載の方法。
- 前記レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で前記レジストパターンを処理することが、アルカリ性物質および界面活性剤で前記レジストパターンを処理することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で前記レジストパターンを処理することが、第一級または第二級アミンで前記レジストパターンを処理することを含む、請求項1に記載の方法。
- (a)パターン形成される1以上の層を含む半導体基体;
(b)パターン形成される1以上の層上のレジストパターンであって、アルカリ性表面を有するレジストパターン;並びに
(c)樹脂成分と光酸発生剤成分とを含む組成物を含む感光層であって、第1のレジストパターンの側壁に接触した感光層;
を含むコーティングされた基体。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US26960009P | 2009-06-26 | 2009-06-26 | |
US61/269,600 | 2009-06-26 | ||
US28155309P | 2009-11-19 | 2009-11-19 | |
US28168109P | 2009-11-19 | 2009-11-19 | |
US61/281,553 | 2009-11-19 | ||
US61/281,681 | 2009-11-19 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011065136A true JP2011065136A (ja) | 2011-03-31 |
JP2011065136A5 JP2011065136A5 (ja) | 2014-10-16 |
JP5698923B2 JP5698923B2 (ja) | 2015-04-08 |
Family
ID=42697262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010145173A Expired - Fee Related JP5698923B2 (ja) | 2009-06-26 | 2010-06-25 | 自己整合型スペーサー多重パターニング方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8431329B2 (ja) |
EP (1) | EP2287667B1 (ja) |
JP (1) | JP5698923B2 (ja) |
KR (2) | KR101967191B1 (ja) |
CN (1) | CN101963755B (ja) |
TW (1) | TWI476816B (ja) |
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- 2010-06-25 TW TW099120757A patent/TWI476816B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-06-25 EP EP10167364A patent/EP2287667B1/en not_active Not-in-force
- 2010-06-25 CN CN2010102669695A patent/CN101963755B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-25 JP JP2010145173A patent/JP5698923B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-28 KR KR1020100061493A patent/KR101967191B1/ko active IP Right Grant
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CN101963755B (zh) | 2012-12-19 |
KR101967191B1 (ko) | 2019-04-09 |
US20100330498A1 (en) | 2010-12-30 |
US8431329B2 (en) | 2013-04-30 |
EP2287667A1 (en) | 2011-02-23 |
KR20110002796A (ko) | 2011-01-10 |
TWI476816B (zh) | 2015-03-11 |
CN101963755A (zh) | 2011-02-02 |
EP2287667B1 (en) | 2013-03-27 |
KR101967189B1 (ko) | 2019-04-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140602 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under section 19 (pct) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20140902 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5698923 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |