JP5941559B2 - 低誘電性光画像形成性組成物及びそれから製造した電子デバイス - Google Patents
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Description
409.74gの90:10メチル:フェニルシルセスキオキサンポリマー(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)中69.0%固形物)、29.76gのポリ(ビニルピロリドン−co−ビニルアセテート)ポリマー(プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)中50%固形物(Sigma−Aldrichから入手可能))、及び29.76gのIrgacure 108(メチルイソブチルケトン(MIBK)中20.0%固形物:Cibaから入手可能)をPGME中に溶解して、60%全固形物を達成した。
84.12gの90:10メチル:フェニルシルセスキオキサンポリマー(PGMEA中69.0%固形物)、12.90gのポリ(ビニルピロリドン−co−ビニルアセテート)ポリマー(PGME中50%固形物)(Sigma−Aldrichから入手可能)、及びIrgacure 108(2−メチル−アルファ−[2−[[オクチルスルホニル)オキシ]イミノ]−3(2H)−チエニリデン]ベンゼンアセトニトリル、MIBK中20.0%固形物)を、PGME中に溶解して、64.6%全固形物を達成した。
164.39gの90:10メチル:フェニルシルセスキオキサンポリマー(PGMEA中69.0%固形物)、11.94gのポリビニルピロリドンポリマー(PGME中50%固形物)(Sigma−Aldrichから入手可能)、及び11.94gのIrgacure 108(MIBK中20.0%固形物)をPGME中に溶解して60%全固形物を達成した。生じた光画像形成性誘電性組成物を濾過し、0.1524m(6インチ)ケイ素ウェハ上にスピンコートし、そして95℃で60秒間ソフトベークして、フィルム厚が10.5マイクロメーターのフォトレジストフィルムを得た。これらのフォトレジストフィルムを、Ultratechステッパ上で広帯域光にパターン様に暴露し、そしてそれぞれ90℃/60秒間、95℃/60秒間、及び100℃/60秒間でポスト露光ベークした。次いで、2.38重量%TMAH現像剤を用いて30秒間のパドル現像ステップを行って、約10マイクロメーターのフィルム厚の図形を解像した。次いで、得られたパターン化された誘電性フィルムを、窒素雰囲気下にホットプレートで250℃で60分間ベークした。
252.06gの90:10メチル:フェニルシルセスキオキサンポリマー(PGMEA中71.30%固形物)、39.94gのポリ(ビニルピロリドン−co−ビニルアセテート)ポリマー(PGME中50%固形物)(Sigma−Aldrichから入手可能)、及び9.98gのIrgacure 108(MIBK中20.0%固形物)をPGMEA中に溶解して66.8%全固形物を達成した。生じた光画像形成性誘電性組成物を濾過し、0.1524m(6インチ)ケイ素ウェハ上にスピンコートし、そして140℃で300秒間ソフトベークし、その後、他のコーティング及び140℃で300秒間のソフトベークを行って、フィルム厚が約80μmのフィルムを得た。このフォトレジストフィルムを、Suss Alinerで広帯域光にパターン様に暴露し、そして80℃で80秒間ポスト露光ベークした。次いで、2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)現像剤を用いて60秒間のパドル現像を三回行って、フィルム厚が約80マイクロメーターの40ミクロンラインの図形を解像した。得られたパターン化された誘電性画像の二つを、窒素雰囲気下にホットプレート上で温度ランピングを用いて200℃で60分間ベークした。チップ上の硬化した誘電性フィルムを顕微鏡で検査した。クラックは観察されなかった。
21.25gの90:10メチル:フェニルシルセスキオキサンポリマー(PGMEA中69.0%固形物)、及び0.146gのNIN PAG(N−ヒドロキシナフタルイミドノナフレート、Toyo Gosei,Tokyo,Japanから入手可能)をPGMEA中に溶解して59%全固形物を達成した。
本願は特許請求の範囲に記載の発明に係るものであるが、本願の開示は以下も包含する。
1.
(a)次式の少なくとも一種の繰り返し単位を有しかつ複数の官能性末端基を有するアルカリ可溶性ポリマー、
(b)前記アルカリ可溶性ポリマーと混和性の水溶性有機ポリマー、及び
(c)光酸発生剤及び光塩基発生剤の少なくとも一種から選択される架橋触媒、
を含む、光画像形成性誘電性組成物。
2.
非加水分解性の基が、水素、置換されたアルキル、アルキル、置換されたモノシクロアルキル、モノシクロアルキル、ポリシクロアルキル、置換されたポリシクロアルキル、置換された単環式アリール、単環式アリール、置換された多環式アリール、多環式アリール、置換された単環式アラルキル、単環式アラルキル、多環式アラルキル、置換された多環式アラルキル、カルボキシ及びカルビノールから選択される、請求項1に記載の組成物。
3.
官能性末端基が、ヒドロキシ、アルコキシ、エポキシ類、オキセタン類、ビニルエーテル類、マレイミド類、フェノール類、(メタ)アクリレート類、チオール類、カルボン酸エステル類、カルボニル官能基、及びスルホネートエステル類から選択される、請求項1または2に記載の組成物。
4.
水溶性有機ポリマーが、約100℃超のガラス転移温度及び約10未満の誘電率を有する、請求項1〜3のいずれか一つに記載の組成物。
5.
コーティング及び乾燥後に、光画像形成後に、及び熱硬化、光硬化もしくは両者の後に、4未満の誘電率を有する絶縁性組成物を供する、請求項1〜4のいずれか一つに記載の組成物。
6.
水溶性有機ポリマーが、コーティング及び乾燥後に、光画像形成後に、及び/または熱硬化、光硬化もしくは両者の後にクラックの無い組成物を供するための有効量で組成物中に含まれる、請求項1〜5のいずれか一つに記載の組成物。
7.
クエンチャを更に含む、請求項1〜6のいずれか一つに記載の組成物。
8.
堆積及び乾燥後に粘着性の無いコーティングを供する、請求項1〜7のいずれか一つに記載の組成物。
9.
水溶性有機ポリマーが、ビニルラクタム類、ビニルラクトン類、ビニルイミダゾール類、ビニルピロリドン、ビニルアルコール類、ビニルアセテート類、またはこれらのコポリマーから誘導されるモノマー性単位を含む、請求項1〜8のいずれか一つに記載の組成物。
10.
水溶性有機ポリマーが、コーティングされた時に約5マイクロメーター超のコーティングを与えるための有効量で組成物中に含まれる、請求項1〜9のいずれか一つに記載の組成物。
11.
a)請求項1〜10のいずれか一つに記載の組成物で基材をコーティングするステップ、b)組成物を加熱して溶媒を実質的に除去するステップ、
c)乾燥した組成物を化学線で像様露光するステップ、
d)任意選択的に、露光された組成物を加熱してそれを更に硬化するステップ、
e)水性アルカリ性現像剤を用いて組成物を現像して、組成物の未露光の部分を除去するステップ、及び
f)任意選択的に、得られた露光及び現像された組成物を加熱してそれを更に硬化するステップ、
を含む、基材上に誘電性パターンを形成する方法。
12.
誘電性パターンにクラックがない、請求項11に記載の方法。
13.
コーティングが、約5マイクロメーター超である、請求項11または12に記載の方法。
14.
コーティング及び乾燥後に組成物に粘着性が無い、請求項11〜13のいずれか一つに記載の方法。
15.
請求項11〜14のいずれか一つに記載の方法によって製造されるデバイス。
16.
基材上での誘電性パターンの形成における、請求項1〜11のいずれか一つに記載の組成物の使用。
Claims (16)
- 非加水分解性の基が、水素、置換されたアルキル、アルキル、置換されたモノシクロアルキル、モノシクロアルキル、ポリシクロアルキル、置換されたポリシクロアルキル、置換された単環式アリール、単環式アリール、置換された多環式アリール、多環式アリール、置換された単環式アラルキル、単環式アラルキル、多環式アラルキル、置換された多環式アラルキル、カルボキシ及びカルビノールから選択される、請求項1に記載の組成物。
- 官能性末端基が、ヒドロキシ、アルコキシ、エポキシ類、オキセタン類、ビニルエーテル類、マレイミド類、フェノール類、(メタ)アクリレート類、チオール類、カルボン酸エステル類、カルボニル官能基、及びスルホネートエステル類から選択される、請求項1または2に記載の組成物。
- 水溶性有機ポリマーが、100℃超のガラス転移温度及び10未満の誘電率を有する、請求項1〜3のいずれか一つに記載の組成物。
- コーティング及び乾燥後に、光画像形成後に、及び熱硬化、光硬化もしくは両者の後に、4未満の誘電率を有する絶縁性組成物を供する、請求項1〜4のいずれか一つに記載の組成物。
- 水溶性有機ポリマーが、コーティング及び乾燥後に、光画像形成後に、及び/または熱硬化、光硬化もしくは両者の後にクラックの無い組成物を供するための有効量で組成物中に含まれ、前記有効量は、組成物のアリカリ可溶性ポリマーの重量を基準にして0.1重量%〜35重量%の範囲である、請求項1〜5のいずれか一つに記載の組成物。
- クエンチャを更に含む、請求項1〜6のいずれか一つに記載の組成物。
- 堆積及び乾燥後に粘着性の無いコーティングを供する、請求項1〜7のいずれか一つに記載の組成物。
- 水溶性有機ポリマーが、ビニルラクタム類、ビニルラクトン類、ビニルイミダゾール類、ビニルピロリドン、ビニルアルコール類、ビニルアセテート類、またはこれらのコポリマーから誘導されるモノマー性単位を含む、請求項1〜8のいずれか一つに記載の組成物。
- 水溶性有機ポリマーが、コーティングされた時に5マイクロメーター超のコーティングを与えるための有効量で組成物中に含まれる、請求項1〜9のいずれか一つに記載の組成物。
- a)請求項1〜10のいずれか一つに記載の組成物で基材をコーティングするステップ、b)組成物を加熱して溶媒を実質的に除去するステップ、
c)乾燥した組成物を化学線で像様露光するステップ、
d)任意選択的に、露光された組成物を加熱してそれを更に硬化するステップ、
e)水性アルカリ性現像剤を用いて組成物を現像して、組成物の未露光の部分を除去するステップ、及び
f)任意選択的に、得られた露光及び現像された組成物を加熱してそれを更に硬化するステップ、
を含む、基材上に誘電性パターンを形成する方法。 - 誘電性パターンにクラックがない、請求項11に記載の方法。
- コーティングが、5マイクロメーター超である、請求項11または12に記載の方法。
- コーティング及び乾燥後に組成物に粘着性が無い、請求項11〜13のいずれか一つに記載の方法。
- 基材上に形成された誘電性パターンを含むデバイスを製造する方法であって、
a)請求項1〜10のいずれか一つに記載の組成物で基材をコーティングするステップ、b)組成物を加熱して溶媒を実質的に除去するステップ、
c)乾燥した組成物を化学線で像様露光するステップ、
d)任意選択的に、露光された組成物を加熱してそれを更に硬化するステップ、
e)水性アルカリ性現像剤を用いて組成物を現像して、組成物の未露光の部分を除去するステップ、及び
f)任意選択的に、得られた露光及び現像された組成物を加熱してそれを更に硬化するステップ、
を含む、前記方法。 - 基材上での誘電性パターンの形成における、請求項1〜11のいずれか一つに記載の組成物の使用。
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US10544329B2 (en) | 2015-04-13 | 2020-01-28 | Honeywell International Inc. | Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications |
US10254650B2 (en) * | 2016-06-29 | 2019-04-09 | Honeywell International Inc. | Low temperature SC1 strippable oxysilane-containing coatings |
US20190211259A1 (en) | 2016-08-22 | 2019-07-11 | Merck Patent Gmbh | Mixture for optical devices |
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US10544330B2 (en) * | 2017-01-20 | 2020-01-28 | Honeywell International Inc. | Gap filling dielectric materials |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4442197A (en) | 1982-01-11 | 1984-04-10 | General Electric Company | Photocurable compositions |
EP0153904B1 (de) | 1984-02-10 | 1988-09-14 | Ciba-Geigy Ag | Verfahren zur Herstellung einer Schutzschicht oder einer Reliefabbildung |
US4603101A (en) | 1985-09-27 | 1986-07-29 | General Electric Company | Photoresist compositions containing t-substituted organomethyl vinylaryl ether materials |
JPH06148895A (ja) | 1992-11-06 | 1994-05-27 | Toray Ind Inc | 感光性樹脂組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
TW526390B (en) | 1997-06-26 | 2003-04-01 | Shinetsu Chemical Co | Resist compositions |
US5962067A (en) * | 1997-09-09 | 1999-10-05 | Lucent Technologies Inc. | Method for coating an article with a ladder siloxane polymer and coated article |
TW588072B (en) | 2000-10-10 | 2004-05-21 | Shipley Co Llc | Antireflective porogens |
TW594416B (en) * | 2001-05-08 | 2004-06-21 | Shipley Co Llc | Photoimageable composition |
TW200401816A (en) * | 2002-06-03 | 2004-02-01 | Shipley Co Llc | Electronic device manufacture |
US7041748B2 (en) * | 2003-01-08 | 2006-05-09 | International Business Machines Corporation | Patternable low dielectric constant materials and their use in ULSI interconnection |
JP5102428B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2012-12-19 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 導波路組成物およびこれから形成された導波路 |
EP1586603B1 (en) * | 2004-04-14 | 2007-06-13 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Waveguide compositions and waveguides formed therefrom |
JP4491283B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2010-06-30 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜形成用組成物を用いたパターン形成方法 |
EP1940989B1 (en) * | 2005-09-29 | 2010-12-15 | Dow Corning Corporation | Method of releasing high temperature films and/or devices from metallic substrates |
US8013077B2 (en) * | 2007-03-02 | 2011-09-06 | Fujifilm Corporation | Insulating film forming composition and production method of insulating film |
US7754510B2 (en) | 2007-04-02 | 2010-07-13 | Xerox Corporation | Phase-separated dielectric structure fabrication process |
EP2071400A1 (en) * | 2007-11-12 | 2009-06-17 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Coating compositions for use with an overcoated photoresist |
TWI384025B (zh) * | 2009-04-27 | 2013-02-01 | Ind Tech Res Inst | 聚乙烯醇膜組成物及包含其之偏光板 |
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