JP2008288273A - Cof用配線基板とその製造方法、並びに半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁フィルム1の片側の面に、搭載される半導体素子7の表面に設けられた電極パッドと接合するためのインナーリード11と、COFを搭載する外部基板の端子と接合するためのアウターリード12とを有する配線13が設けられたCOF用配線基板の、半導体チップ7が搭載される予定の領域14内で、インナーリード11が存在しない部分に、放熱板15が配置されている。
【選択図】図1
Description
先ず、図7(a)に示すように、ポリイミドフィルム1と銅箔2とからなる基材の銅箔2の表面にフォトレジスト層3を形成する。
次に、形成されたフォトレジスト層3にマスク(図示せず)を介して紫外線を照射し所望のパターンに感光させる(図7(b))。
次に、フォトレジスト層を現像し、フォトレジストパターン4を形成する(図7(c))。
次に、フォトレジストパターン4の開口部に露出する銅箔をエッチングして、銅配線パターン5を形成し、その後フォトレジストパターンを除去する(図7(d))。
次に、銅配線パターン5の表面に、半導体素子の電極パッドと接合するためのSn、Au等のめっき層6を形成する(図7(e))。
最後に、インナーリードとアウターリードを露出させて所望の保護レジスト膜を形成する(図示せず)。
図1において、11はインナーリード、12はアウターリード、13はフォトレジスト12を有する配線、一点鎖線で囲まれた部分14は半導体素子が搭載されるべき領域、15は領域14の中央部(インナーリード11が配置されていない部分)に設けられた第1の放熱板、16は領域14の範囲外で配線13が存在しない範囲に設けられていて第1の放熱板に連結された第2の放熱板である。
まず図2(a)に示すように厚さ5〜15μmの銅層2を形成したポリイミドフィルム1の銅層面に感光性樹脂をコーティングしてフォトレジスト層3を形成する。
次に、形成されたフォトレジスト層3に図1に示した配線部と第1及び第2の放熱板部に対応するパターンを有するマスクを介して紫外線を照射し、所望のパターンに感光させる(図2(b))。
次に、従来のCOF用配線基板の製造方法と同様にフォトレジスト層3を現像し、フォトレジストパターン4を形成する(図2(c))。
次に、フォトレジストパターン4の開口部に露出する銅層部分をエッチングして、銅配線パターン5を形成し、その後フォトレジストパターン4を除去して図1に示した配線基板を得る(図2(d))。
次に、銅配線パターン5の表面即ち配線部のインナーリード部とアウターリード部に錫等のめっき層6を形成する(図2(e))。
その後、半導体素子搭載予定部即ち第1の放熱板15の部分とアウターリード部と第2の放熱板16の部分を露出させるように、ソルダーレジスト(日立化成工業(株)製SN−9000)を図3に示した如きスクリーンを用いスクリーン印刷にて形成した。ソルダーレジストとしては、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂があるが、特に指定はない。
先ずスパッタリングによって1μm以下の厚さの金属層をポリイミドフィルム1上に形成する。金属層2としては、ニッケル合金層の上に銅を堆積したものを用いる。次に、この上に感光性樹脂をコーティングし、フォトマスクを用いて露光現像し、銅めっきにより厚さ4〜15μmの配線13および放熱板15,16を形成する。感光樹脂の剥離及びスパッタリングによって形成された金属層のうち配線13および放熱板15,16以外の部分をエッチングにより溶解させる。次に、金属部分に錫めっきを行う。その後、半導体素子の電極との接合部分および第二の放熱板16となるべき部分を露出するようにソルダーレジストを形成する。ソルダーレジストは、日立化成工業(株)製SN−9000をスクリーン印刷にて形成した。
この実施形態は、第1の放熱板15と第2の放熱板16に複数の開口15'及び16'がそれぞれ設けられている点で上述の実施形態とは異なるが、その他の構成は上述の実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付すに留め、それらについての説明は省略する。この実施形態のCOF用配線基板も実質上上述の実施形態のもと同様の工程を経て製作されるが、最終工程として周知の穿孔技術による適宜の穿孔工程が付加される点で第一の実施形態とは異なる。
この実施形態によれば、多数の開口15'及び16'を介して放熱が行われるので、放熱効果が一層改善されるという利点がある。なお、これら多数の開口は、第1の放熱板15と第2の放熱板16の何れか一方に設けられても良い。
この実施形態は、第2の放熱板17が配線13の一つと一体に形成されている点で上述の他の形態とは異なるが、その他の構成は上述の実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付すに留め、それらについての説明は省略する。この実施形態のCOF用配線基板も、第2の放熱板17が配線13の一つと一体に形成される点をの除いて、既述の実施形態のもと同様の工程を経て製作されるので、これ以上の説明は省略する。
この実施形態によれば、多数の開口15'及び17'と配線13を介して放熱が行われるので、放熱効果がより一層改善されるという利点がある。
2 銅箔
3 フォトレジスト層
4 フォトレジストパターン
5 銅配線パターン
6 めっき層
7 半導体素子
8 バンプ
9、11 インナーリード
10 樹脂封止
12 アウターリード
13 配線
14 半導体素子が搭載される予定の領域
15 第1の放熱板
15’,16’,17' 開口
16,17 第2の放熱板B
Claims (6)
- 絶縁フィルムの片側の面に配線が形成されていて、該配線は、半導体素子の電極パッドに接合するためのインナーリードと、外部基板に接合するためのアウターリードとを有しており、前記半導体素子が搭載されるべき領域内で前記インナーリードが存在しない部分に第1の放熱板が配置され、かつ前記半導体素子が搭載される領域外で前記配線が存在しない部分に第2の放熱板が配置されており、かつ前記第1と第2の放熱板が連結されているCOF用配線基板において、少なくとも前記第1と第2の放熱板の何れかに複数個の開口が設けられていることを特徴とするCOF用配線基板。
- 絶縁フィルムの片側の面に配線が形成されていて、該配線は、半導体素子の電極パッドと接合するためのインナーリードと、外部基板に接合するためのアウターリードとを有しており、前記半導体素子が搭載されるべき領域内で前記インナーリードが存在しない部分に第1の放熱板が配置され、かつ前記半導体素子が搭載される領域外で前記配線が存在しない部分に第2の放熱板が配置されているCOF用配線基板において、前記第2の放熱板が配線と連結されていることを特徴とするCOF用配線基板。
- 少なくとも前記第1と第2の放熱板の何れかに複数個の開口が設けられていることを特徴とする請求項2に記載のCOF用配線基板。
- 絶縁フィルムの片側の面に配線が形成されていて、該配線は、半導体素子の電極パッドと接合するためのインナーリードと、外部基板に接合するためのアウターリードを有しており、前記半導体チップが搭載されるべき領域内で前記インナーリードが存在しない部分に第1の放熱板が配置され、且つ前記半導体素子が搭載される領域外で前記配線が存在しない部分に第2の放熱板が配置されており、かつ前記第1と第2の放熱板が連結されているCOF用配線基板において、少なくとも前記第2の放熱板の一部がソルダーレジストで覆われずに金属部分が露出していることを特徴とするCOF用配線基板。
- 絶縁フィルムの片側の面に、搭載される半導体素子表面に設けられた電極パッドと接合するためのインナーリードと、COFを搭載する外部基板の端子と接合するためのアウターリードとを有する配線が設けられたCOF用配線基板において、前記半導体素子が搭載されるべき領域内で、インナーリードが存在しない部分に第1の放熱板が配置されていることを特徴とするCOF用配線基板を製造するに際し、前記第1の放熱板と、第2の放熱板と、インナーリードとアウターリードとを含む配線とを、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法の内の何れか一つにより一括して形成することを特徴とするCOF用配線基板の製造方法。
- 請求項1乃至4の何れかに記載のCOF用配線基板を用いて作成された半導体装置。
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