JP2008283113A5 - - Google Patents
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007127889A JP5286691B2 (ja) | 2007-05-14 | 2007-05-14 | フォトセンサー |
| US12/115,109 US20090026509A1 (en) | 2007-05-14 | 2008-05-05 | Photosensor |
| CNA2008100971255A CN101308856A (zh) | 2007-05-14 | 2008-05-14 | 光传感器 |
| US14/509,414 US9419150B2 (en) | 2007-05-14 | 2014-10-08 | Photosensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007127889A JP5286691B2 (ja) | 2007-05-14 | 2007-05-14 | フォトセンサー |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008283113A JP2008283113A (ja) | 2008-11-20 |
| JP2008283113A5 true JP2008283113A5 (enExample) | 2010-06-03 |
| JP5286691B2 JP5286691B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=40125182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007127889A Active JP5286691B2 (ja) | 2007-05-14 | 2007-05-14 | フォトセンサー |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20090026509A1 (enExample) |
| JP (1) | JP5286691B2 (enExample) |
| CN (1) | CN101308856A (enExample) |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5253799B2 (ja) * | 2007-12-17 | 2013-07-31 | 三菱電機株式会社 | フォトセンサー、及びフォトセンサーの製造方法 |
| JP4743269B2 (ja) * | 2008-04-23 | 2011-08-10 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5330779B2 (ja) | 2008-09-10 | 2013-10-30 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置、及びその製造方法 |
| JP2010109245A (ja) | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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| CN102790065B (zh) * | 2012-07-26 | 2015-04-08 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种传感器及其制造方法 |
| CN102790061B (zh) * | 2012-07-26 | 2016-05-11 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种传感器及其制造方法 |
| CN102790069B (zh) * | 2012-07-26 | 2014-09-10 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种传感器及其制造方法 |
| CN102790063B (zh) * | 2012-07-26 | 2017-10-17 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种传感器及其制造方法 |
| CN102790064B (zh) * | 2012-07-26 | 2015-04-08 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种传感器及其制造方法 |
| CN102832222B (zh) * | 2012-07-26 | 2014-12-10 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种传感器及其制造方法 |
| TWI637517B (zh) | 2012-10-24 | 2018-10-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
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| CN104124277B (zh) | 2013-04-24 | 2018-02-09 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板 |
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| JP3814568B2 (ja) | 2002-07-17 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いたx線検出装置 |
| JP2004063660A (ja) | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Canon Inc | 固体撮像装置及び放射線撮像装置 |
| JP4938961B2 (ja) * | 2002-11-13 | 2012-05-23 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
| JP4067055B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2008-03-26 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその製造方法、放射線撮像装置、放射線撮像システム |
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| JP4449749B2 (ja) | 2005-01-05 | 2010-04-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 放射線検出装置およびその製造方法 |
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-
2007
- 2007-05-14 JP JP2007127889A patent/JP5286691B2/ja active Active
-
2008
- 2008-05-05 US US12/115,109 patent/US20090026509A1/en not_active Abandoned
- 2008-05-14 CN CNA2008100971255A patent/CN101308856A/zh active Pending
-
2014
- 2014-10-08 US US14/509,414 patent/US9419150B2/en active Active
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