JP2008283113A - フォトセンサー - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 199
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 57
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 70
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910018507 Al—Ni Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017840 NH 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000002594 fluoroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】 ドレイン電極7上に形成されたコンタクトホールCH1の開口エッヂが、フォトダイオード100のエッジを内包する配置関係を持つフォトセンサーのアレイ基板を提供する。
【選択図】 図2
Description
以下、本発明の実施の形態を示す図面に基づき具体的に説明する。図1は、本実施の形態にかかるフォトセンサーに備えられるTFTアレイ基板の平面図を示したものである。図2は、図1においてA−Aで示された個所における断面図である。
本実施の形態1において、フォトダイオード100の下部電極となるドレイン電極7とアモルファスシリコン膜9とを接続するコンタクトホールCH1を形成する際に、エッチング条件によっては、エッチングガスの成分がポリマーを形成し、ドレイン電極7上に再付着する場合がある。このような状態においては、フォトダイオードを構成するPドープしたアモルファスシリコン膜9、イントリンシックのアモルファスシリコン膜10、Bドープしたアモルファスシリコン膜11を成膜する際に、ドレイン電極7との密着性が悪くアモルファスシリコン膜の膜はがれが発生することがある。
実施の形態2においては、下部電極25のパターン端がコンタクトホールCH1を完全に覆うように形成していた。それには以下の背景がある。すなわち、もし下部電極25がコンタクトホールCH1よりも小さいとすると、下部電極25を加工する際に下地のドレイン電極7が露出するので、ドレイン電極7が下部電極25とエッチング選択性が無い場合は、下地のドレイン電極7もエッチングされてしまう。特に、ドレイン電極7における接続部7aにおいて生じた場合、薄膜トランジスタとフォトダイオード100との断線を引き起こしてしまう。そのため、下部電極25の材料としては、ドレイン電極7との選択性が要求され、選択の幅が狭くなるという問題があった。従って、通常は下部電極25をコンタクトホールCH1よりも大きく形成する。すなわち、下部電極25は、コンタクトホールCH1を覆うように形成されている。
実施の形態3においては、例えばアライメントエラーが生じた際に生じうる接続部分7aの断線を防止するために、接続部分7a以外の領域に比べて接続部分7aでのオーバーラップ量を増大させておく形態について説明した。実施の形態3と比較して本実施の形態4が有する特徴は、接続部分7a以外の領域において、下部電極25のパターン端部がコンタクトホールCH1よりも内側に位置する部位を含む点にある。この構造によりデータ配線14との間の容量をさらに低減することが可能となる効果を奏する。
リーク電流の少ない良好なフォトダイオードを得るために、実施の形態1では、フォトダイオードはコンタクトホールCH1の開口エッジ内とドレイン電極7に内包する配置となっていた。また、実施の形態2〜4では、フォトダイオード100は下部電極25に内包する配置となっていたが、コンタクトホールCH1の開口エッジ内での配置を前提としていた。しかし、前記のようにフォトダイオードを配置するためには、フォトリソ工程において少なくともコンタクトホールCH1とドレイン電極7とのアライメントマージン、コンタクトホールCH1とフォトダイオードとのアライメントマージンの2種類のアライメントマージンと、コンタクトホールCH1、ドレイン電極7、フォトダイオード100の3種類の仕上がりばらつきを考慮して設計を行う必要があるため、フォトダイオードの面積が減少し開口率低下につながる場合もある。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
4 半導体層
5 オーミックコンタクト層
6 ソース電極
7 ドレイン電極
7a 接続部分
8 第一のパッシベーション膜
9 Pドープしたアモルファスシリコン膜
10 アモルファスシリコン膜
11 Bドープしたアモルファスシリコン膜
12 透明電極
13 第二のパッシベーション膜
14 データ線
15 バイアス線
16 遮光層
17 第三のパッシベーション膜
18 第四のパッシベーション膜
20 配線の端部、21 導電パターン
22 端子引き出し電極、23 ショートリング配線
24 配線の端部
25 フォトダイオード下部電極
26、27 領域
CH1〜CH7 コンタクトホール
Claims (11)
- フォトダイオードと薄膜トランジスタをマトリクス状に配置したアクティブマトリクス型のTFTアレイ基板を備えたフォトセンサーであって、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極を有する複数本のゲート配線、前記ゲート電極にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層、前記半導体層に接続するソース電極およびドレイン電極とを備えており、
さらに、前記TFTアレイ基板は、前記薄膜トランジスタと前記ソース電極と前記ドレイン電極との上部に設けられたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に開口されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続するフォトダイオードとを備えており、
前記フォトダイオードが形成されている領域においては段差が無いことを特徴とするフォトセンサー。 - 前記フォトダイオードは前記コンタクトホールの開口エッヂより内側で、かつ、前記ドレイン電極のパターンよりも内側に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のフォトセンサー。
- 前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続するように形成される下部電極をさらに備え、
前記フォトダイオードは前記下部電極を介して前記ドレイン電極と接続するように形成されていることを特徴とする請求項2に記載のフォトセンサー。 - 前記下部電極は、前記コンタクトホールの開口エッヂを覆うように形成されていることを特徴とする請求項3に記載のフォトセンサー。
- 前記ドレイン電極は、前記半導体層上の領域と前記フォトダイオードが形成される領域との間にあって両方をつなぐ接続部分を有し、
前記接続部分において前記下部電極が前記コンタクトホールを覆うオーバーラップ量は、前記接続部分以外において前記下部電極が前記コンタクトホールを覆うオーバーラップ量よりも大きいことを特徴とする請求項3に記載のフォトセンサー。 - 前記ドレイン電極は、前記半導体層上の領域と前記フォトダイオードが形成される領域との間にあって両方をつなぐ接続部分を有し、前記接続部分以外の領域において、前記下部電極は前記コンタクトホールの開口エッヂよりも内側になっている部位を含むことを特徴とする請求項3に記載のフォトセンサー。
- 前記コンタクトホールは前記フォトダイオードと異なる位置に形成されており、
前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続するように形成される下部電極をさらに備え、
前記フォトダイオードは前記下部電極を介して前記ドレイン電極と接続するように形成されていることを特徴とする請求項1に記載のフォトセンサー。 - 前記ゲート電極を形成する金属はアルミもしくは銅を主成分とする金属を含むことを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載のフォトセンサー。
- 前記アルミを主成分とする金属は、AlNiNd、AlNiSi、AlNiMgのいずれかであることを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載のフォトセンサー。
- 前記パッシベーション膜よりも上層にシンチレーターが形成されており、少なくとも低ノイズアンプとA/Dコンバーターを有するデジタルボード、前記薄膜トランジスタを駆動するドライバーボード、および電荷を読み出す読み出しボードが接続されていることを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載のフォトセンサー。
- X線を前記シンチレーターにより可視光に変換することによりX線撮像表示を行う機能を有することを特徴とする請求項10に記載のフォトセンサー。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007127889A JP5286691B2 (ja) | 2007-05-14 | 2007-05-14 | フォトセンサー |
US12/115,109 US20090026509A1 (en) | 2007-05-14 | 2008-05-05 | Photosensor |
CNA2008100971255A CN101308856A (zh) | 2007-05-14 | 2008-05-14 | 光传感器 |
US14/509,414 US9419150B2 (en) | 2007-05-14 | 2014-10-08 | Photosensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007127889A JP5286691B2 (ja) | 2007-05-14 | 2007-05-14 | フォトセンサー |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008283113A true JP2008283113A (ja) | 2008-11-20 |
JP2008283113A5 JP2008283113A5 (ja) | 2010-06-03 |
JP5286691B2 JP5286691B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=40125182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007127889A Active JP5286691B2 (ja) | 2007-05-14 | 2007-05-14 | フォトセンサー |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20090026509A1 (ja) |
JP (1) | JP5286691B2 (ja) |
CN (1) | CN101308856A (ja) |
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