CN114566510A - 探测面板及其制备方法和平板探测器 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种探测面板，包括：衬底基板，衬底基板上设置有多条栅线、多条信号探测线和多个像素单元，像素单元内设置有薄膜晶体管和光学传感器，薄膜晶体管的栅极与对应的栅线电连接，薄膜晶体管的第一电极与对应的信号探测线电连接，薄膜晶体管的第二电极与位于同一像素单元内光学传感器的第三电极电连接；多个像素单元包括至少一个探测用像素单元和至少一个标记用像素单元，光学传感器背向衬底基板的一侧设置有第一偏置电压线和第二偏置电压线，第一偏置电压线与第二偏置电压线相交设置且彼此绝缘，探测用像素单元内光学传感器的第四电极与对应的第一偏置电压线电连接，标记用像素单元内薄膜晶体管的第二电极与对应的第二偏置电压线电连接。
Description
技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种探测面板及其制备方法和平板探测器。
背景技术
X射线检测广泛应用于现代医疗影像检测中，目前最先进的直接数字化X射线摄影(Digital Radiography，DR)是在具有图像处理功能的计算机控制下，采用一维或者二维的X射线探测器直接把X射线信息转化为数字图像信息的技术。当前DR设备主要采用的二维平板X射线探测器(Flat X-ray Panel Detector，FPXD)包括直接式平板探测器和间接式平板探测器。
发明内容
本公开至少一个实施例提供一种探测面板及其制备方法和平板探测器，可解决标记用像素单元对位于标记用像素单元周边的探测用像素单元产生信号串扰的问题，有利于提升成像质量。
第一方向，本公开实施例提供了一种探测面板，包括：衬底基板，所述衬底基板上设置有多条栅线和多条信号探测线，多条所述栅线和多条所述信号探测线限定出像素单元阵列，所述像素单元阵列包括多个像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管和光学传感器，所述光学传感器包括：第三电极、第四电极和位于所述第三电极与所述第四电极之间的感光图形，所述薄膜晶体管的栅极与对应的所述栅线电连接，所述薄膜晶体管的第一电极与对应的所述信号探测线电连接，所述薄膜晶体管的第二电极与位于同一所述像素单元内所述光学传感器的所述第三电极电连接；
所述多个像素单元包括至少一个探测用像素单元和至少一个标记用像素单元，所述光学传感器背向所述衬底基板的一侧设置有第一偏置电压线和第二偏置电压线，所述第一偏置电压线与所述第二偏置电压线相交设置且彼此绝缘，所述探测用像素单元内所述光学传感器的第四电极与对应的第一偏置电压线电连接，所述标记用像素单元内所述薄膜晶体管的第二电极与对应的所述第二偏置电压线电连接。
在一些实施例中，所述第一偏置电压线的延伸方向与所述信号探测线的延伸方向平行；
所述第二偏置电压线的延伸方向与所述栅线的延伸方向平行。
在一些实施例中，所述第二偏置电压线包括：沿第一方向间隔设置的多个第一导电部、连接相邻所述第一导电部的导电桥线以及至少一个第二导电部；
所述第一导电部和所述第二导电部与所述第一偏置电压线同层设置，所述导电桥线位于所述第一偏置电压线背向所述衬底基板的一侧且与所述第一偏置电压线彼此绝缘，所述第二导电部的一端与所述第一导电部直接相连，所述第二导电部的另一端延伸至对应的所述标记用像素单元内并与该标记用像素单元内薄膜晶体管的第二电极电连接。
在一些实施例中，在所述第一偏置电压线背向所述衬底基板的一侧形成有绝缘保护层，所述绝缘保护层上设置有透明屏蔽电极图形；
所述导电桥线与所述透明屏蔽电极图形同层设置且彼此绝缘。
在一些实施例中，所述第二导电部的另一端延伸至对应的所述标记用像素单元内并与该标记用像素单元内所述光学传感器的所述第三电极通过过孔相连。
在一些实施例中，所述第一导电部在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板的上正投影所处区域内。
在一些实施例中，在所述像素单元阵列中，存在所述标记用像素单元的像素单元行为特定像素单元行，位于同一所述特定像素单元行内的全部所述标记用像素单元对应同一条所述第二偏置电压线。
在一些实施例中，在所述像素单元阵列中，存在相邻的两个特定像素单元行，该相邻的两个特定像素单元行内全部所述标记用像素单元对应同一条所述第二偏置电压线。
在一些实施例中，所述探测面板上划分有至少一个标记区域，所述标记区域内设置有至少两个所述标记用像素单元；
在同一所述标记区域内，任一所述标记用像素单元均存在至少一个与其在行方向和列方向上均相邻的其他标记用像素单元，任一所述标记用像素单元均不存在与其位于同一行且在列方向上相邻的其他标记用像素单元，且任一所述标记用像素单元均不存在与其位于同一列且在行方向上相邻的其他标记用像素单元。
在一些实施例中，在同一所述标记区域内，多个所述标记用像素单元呈斜线排布，所述斜线的延伸方向与行方向和列方向均相交；
或者，在同一所述标记区域内，多个所述标记用像素单元呈V字型排布；
或者，在同一所述标记区域内，多个所述标记用像素单元呈倒V字型排布；
或者，在同一所述标记区域内，多个所述标记用像素单元呈菱形排布；
或者，在同一所述标记区域内，多个所述标记用像素单元呈X字型排布。
在一些实施例中，还包括：位于所述薄膜晶体管背向所述衬底基板一侧的遮光图形，所述遮光图形在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述薄膜晶体管内有源层图形的在所述衬底基板上的正投影，所述遮光图形与所述第一偏置电压线同层设置。
第二方面，本公开实施例提供了一种平板探测器，包括如第一方面提供的所述探测面板。
第三方面，本公开实施例提供了一种如第一方面所述探测面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成多条栅线、多条信号探测线以及多个像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管和光学传感器，所述光学传感器包括：第三电极、第四电极和位于所述第三电极与所述第四电极之间的感光图形，所述薄膜晶体管的栅极与对应的所述栅线电连接，所述薄膜晶体管的第一电极与对应的所述信号探测线电连接，所述薄膜晶体管的第二电极与位于同一所述像素单元内所述光学传感器的所述第三电极电连接，所述多个像素单元包括至少一个探测用像素单元和至少一个标记用像素单元；
在所述光学传感器背向所述衬底基板的一侧形成第一偏置电压线和第二偏置电压线，所述第一偏置电压线与所述第二偏置电压线相交设置且彼此，所述探测用像素单元内所述光学传感器的第四电极与对应的第一偏置电压线电连接，所述标记用像素单元内所述薄膜晶体管的第二电极与对应的所述第二偏置电压线电连接。
在一些实施例中，在所述光学传感器背向所述衬底基板的一侧形成用于加载偏置电压的第一偏置电压线和第二偏置电压线的步骤包括：
在所述光学传感器背向所述衬底基板的一侧形成平坦化层，所述平坦化层上形成有连通至所述探测用像素单元内所述光学传感器的第四电极的第一过孔，以及连通至所述标记用像素单元内所述光学传感器的第三电极的第二过孔；
通过一次图案化工艺在所述平坦化层背向所述衬底基板的一侧形成偏置电压线层，所述偏置电压线层包括：所述第一偏置电压线、所述第一导电部和所述第二导电部，所述第一偏置电压线通过所述第一过孔与对应的所述光学传感器的第四电极相连，所述第二导电部通过所述第二过孔与对应的所述光学传感器的第三电极相连；
在所述偏置电压线层背向所述衬底基板的一侧形成绝缘保护层，所述绝缘保护层上形成有连通至所述第一导电部的第三过孔；
在所述绝缘保护层背向所述衬底基板的一侧形成透明电极层，所述透明电极层包括：导电桥线，所述导电桥线通过所述第三过孔与对应的两个相邻所述第一导电部相连，以实现相邻所述第一导电部之间电连接。
在一些实施例中，所述透明电极层还包括：透明屏蔽电极图形。
附图说明
图1为相关技术中存在标记用像素单元的探测面板的一种俯视示意图；
图2为相关技术中一个标记用像素单元的俯视示意图；
图3为相关技术中标记用像素单元及其周围的探测用像素单元所对应成像的示意图；
图4为本公开实施例提供探测面板的一种俯视示意图；
图5为本公开实施例中一个标记用像素单元的俯视示意图；
图6为本公开实施例中一个探测用像素单元的俯视示意图；
图7a为图5中A-A'向的一种截面示意图；
图7b为图5中A-A'向的另一种截面示意图；
图7c为图5中B-B'向的一种截面示意图；
图7d为图5中C-C'向的一种截面示意图；
图8为本公开实施例中标记用像素单元和探测用像素单元的不同排布示意图；
图9为图8中(b)部分的俯视示意图；
图10为图8中(c)部分的俯视示意图；
图11为图8中(d)部分的俯视示意图；
图12为图8中(e)部分的俯视示意图；
图13为本公开实施例提供的探测面板的一种制备方法流程图；
图14为本公开实施例中步骤S3的一种可选实施流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的一种探测面板及其制备方法和平板探测器进行详细描述。
在平板探测器的开发过程中，为实现图像追踪功能，客户提出在探测面板上特定位置处制备便于识别的标记用像素单元(Marking Pixel)。图1为相关技术中存在标记用像素单元Pix_M的探测面板的一种俯视示意图，图2为相关技术中一个标记用像素单元Pix_M的俯视示意图，如图1和图2所示，在相关技术中，为给各像素单元Pix提供偏置电压信号，往往会设置多条偏置电压线5a，每一条偏置电压线5a对应一列像素单元Pix，该偏置电压线5a与对应列像素单元Pix内各光学传感器4的顶电极相连。另外，当偏置电压线5a所对应的一列像素单元Pix内存在标记用像素单元Pix_M时，该偏置电压线5a还与标记用像素单元Pix_M内的薄膜晶体管3的源极电连接。
在探测过程中，偏置电压线5a将偏置电压信号加载至标记用像素单元Pix_M内薄膜晶体管3的源极，在标记用像素单元Pix_M内薄膜晶体管3导通时，偏置电压信号通过薄膜晶体管3写入至对应的信号探测线2中，以供外部处理芯片进行读取。在后期成像过程中，标记用像素单元Pix_M所对应的灰度值将维持在全饱和状态(以16bit为例，全饱和状态所对应的灰度值为216-1＝65535)。
然而，在实际应用中发现，当标记用像素单元Pix_M内薄膜晶体管3导通时，偏置电压线5a、薄膜晶体管3以及薄膜晶体管3的漏极所连接的信号探测线2三者电连接，偏置电压线5a会对信号探测线2进行充电以使得信号探测线2上加载偏置电压信号。在充电过程中，信号探测线2上所加载电信号的电压大小和电流大小快速变化并对周围的其他信号探测线2产生串扰，具体包括互容串扰(通过电场耦合导致周围其他信号探测线2产生感应噪声电压)和互感串扰(通过磁场作用使得周围其他信号探测线2感应噪声电流)；串扰的严重程度与偏置电压线5a所提供的偏置电压信号的电压大小呈正相关，即偏置电压信号的电压大小越大，则与偏置电压线5a电连接的信号探测线2在充电过程中对周围其他信号探测线2的串扰越大。
在相关技术中，为保证探测用像素单元Pix_S内光学传感器4的正常工作，偏置电压线5a中所提供的偏置电压信号的电压(一般为负电压)大小较大，电压一般在-10V～-3V之间，从而导致上述串扰问题十分明显。在后期成像过程中，与标记用像素单元Pix_M在行方向上相邻的一个或连续几个探测用像素单元Pix_S所对应的灰度值偏大。
另外，在信号探测线2上加载了具有较大电压的偏置电压信号后，在下一行像素单元Pix进行驱动探测时，与该信号探测线2相连的探测用像素单元Pix_S产生探测电信号，信号探测线2开始进行放电，信号探测线2上所加载的电信号的电压逐渐减小。然而，由于偏置电压信号的电压较大，且每行像素单元Pix的驱动探测时间较短，因此在信号探测线2上所加载的电信号的电压达到探测电信号所对应电压之前，则下一行像素单元Pix内的薄膜晶体管3截止，探测电信号未能准确加载至信号探测线2上，从而导致外部处理芯片实际读取到的电信号的电压偏大。在后期成像过程中，位于标记用像素单元Pix_M下一行或下几行且处于相同列的探测用像素单元Pix_S所对应的灰度值偏大。
图3为相关技术中标记用像素单元Pix_M及其周围的探测用像素单元Pix_S所对应成像的示意图，如图3所示，基于上述分析以及图3所示的成像示意图可见，不仅标记用像素单元Pix_M所对应位置呈现全饱和状态(全白)，且位于标记用像素单元Pix_M周围的探测用像素单元Pix_S所对应位置也呈现全饱和状态或高灰度值状态；即，探测用像素单元Pix_S会对周围其他像素单元Pix所对应位置的成像灰度值产生干扰，在探测用像素单元Pix_S所对应位置的周围呈现密集坏点。
为克服相关技术中存在的上述技术问题，本公开实施例提供了相应的解决方案。
图4为本公开实施例提供探测面板的一种俯视示意图，图5为本公开实施例中一个标记用像素单元Pix的俯视示意图，图6为本公开实施例中一个探测用像素单元Pix的俯视示意图，图7a为图5中A-A'向的一种截面示意图，图7b为图5中A-A'向的另一种截面示意图，图7c为图5中B-B'向的一种截面示意图，图7d为图5中C-C'向的一种截面示意图，如图4至图7d所示，该探测面板包括：衬底基板8，衬底基板8上设置有多条栅线1和多条信号探测线2，多条栅线1和多条信号探测线2限定出像素单元Pix阵列，像素单元Pix阵列包括多个像素单元Pix，像素单元Pix内设置有薄膜晶体管3和光学传感器4，光学传感器4包括：第三电极401、第四电极402和位于第三电极401与第四电极402之间的感光图形403，薄膜晶体管3的栅极301与对应的栅线1电连接，薄膜晶体管3的第一电极303与对应的信号探测线2电连接，薄膜晶体管3的第二电极304与位于同一像素单元Pix内光学传感器4的第三电极401电连接。
其中，多个像素单元Pix包括至少一个探测用像素单元Pix_S和至少一个标记用像素单元Pix_M，光学传感器4背向衬底基板8的一侧设置有第一偏置电压线5和第二偏置电压线6，第一偏置电压线5与第二偏置电压线6相交设置且彼此绝缘，探测用像素单元Pix_S内光学传感器4的第四电极402与对应的第一偏置电压线5电连接，标记用像素单元Pix_M内薄膜晶体管3的第二电极304与对应的第二偏置电压线6电连接。
在本公开实施例中，第一偏置电压线5用于提供的第一偏置电压信号，以保证探测用像素单元Pix_S内的光学传感器4能够正常工作；第二偏置电压线6用于提供的第二偏置电压信号，以向标记用像素单元Pix_M内的薄膜晶体管3的第二电极304提供后期成像过程中呈现最高灰度值(全饱和状态)所需的电压；其中，由于第一偏置电压信号与第二偏置电压信号由不同的偏置电压线来提供，因此第一偏置电压信号与第二偏置电压信号可以不同。
在一些实施例中，第二偏置电压信号的电压大小小于第一偏置电压信号的电压大小。示例性地，第一偏置电压信号的电压在-10V～-3V之间，第二偏置电压信号的电压在-3V～+1V之间。相较于现有技术中，由于提供给标记用像素单元Pix_M内的薄膜晶体管3的第二电极304的电压减小，可使得连接有标记用像素单元Pix_M的信号探测线2对周围其他信号探测线2的串扰减小，且位于标记用像素单元Pix_M下一行或下几行且处于相同列的探测用像素单元Pix_S正常输出的探测电信号的概率(与第二偏置电压信号的电压相关)大大提升，可减小甚至消除标记用像素单元Pix_S对周围其他像素单元Pix所对应位置的成像灰度值产生干扰。
在本公开实施例中，光学传感器4可以为PIN光电二极管或PN光敏二极管。感光图形403包括叠层设置的P型半导体层以及N型半导体层(例如N型Si层)，或者包括叠层设置的P型半导体层(例如P型Si层)、本征半导体层(例如本征Si层)以及N型半导体层(例如N型Si层)。例如，I层为a-Si材料，P层为a-Si掺杂B离子的材料，N层为a-Si掺杂P离子的材料。在一些实施例中，第四电极402为透明电极，可以采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化镓锌(GZO)等透明金属氧化物等材料；第三电极401为金属电极，采用铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)等金属材料或者合金材料。薄膜晶体管3的第一电极303和第二电极304分别是指薄膜晶体管3的漏极和源极。在像素单元Pix内由下至上依次层叠结构为：栅极301、栅绝缘层9、有源层图形302、第一电极303/第二电极304、钝化层10、第三电极401、感光图形403、第四电极402、平坦化层11、第一偏置电压线5。
在本公开实施例中，使用不同的第一偏置电压线5和第二偏置电压线6分别向探测用像素单元Pix_S内光学传感器4的第四电极402和标记用像素单元Pix_M内的薄膜晶体管3的第二电极304提供不同的偏置电压信号，可减小甚至消除标记用像素单元Pix_M对周围其他像素单元Pix所对应位置的成像灰度值产生干扰，有利于提升探测精准度。
需要说明的是，在一些实施例中，第一偏置电压线5也可以与标记用像素单元Pix_M内光学传感器4的第四电极402相连，虽然此时标记用像素单元Pix_M内光学传感器4也会在驱动探测过程中因光电效应输出与光照强度对应的探测电信号，但是由于第二偏置信号的电压远强于光学传感器4输出的探测电信号所输出探测电信号的电压，因此标记用像素单元Pix_M内薄膜晶体管3的第二电极304处电压维持为第二偏置信号的电压大小。另外，当第一偏置电压线5与标记用像素单元Pix_M内光学传感器4的第四电极402相连时，若第一偏置电压线5提供偏置电压信号而第二偏置电压线5不提供偏置电压信号，此时标记用像素单元Pix_M可作为探测用像素单元来使用。
参见图7a所示，图7a所示情况中薄膜晶体管3的第二电极304与光学传感器4的第三电极401异层设置，两者通过过孔连接。参见图7b所示，图7b所示情况中薄膜晶体管3的第二电极304与光学传感器4的第三电极401同层设置，两者直接连接。
在一些实施例中，第一偏置电压线5的延伸方向与信号探测线2的延伸方向平行；第二偏置电压线6的延伸方向与栅线1的延伸方向平行。以附图中所示情况为例，栅线1的延伸方向为水平方向，信号探测线2的延伸方向为竖直方向。
继续参见图6所示，在一些实施例中，第二偏置电压线6包括：沿第一方向间隔设置的多个第一导电部601、连接相邻第一导电部601的导电桥线603以及至少一个第二导电部602；第一导电部601和第二导电部602与第一偏置电压线5同层设置，导电桥线603位于第一偏置电压线5背向衬底基板8的一侧且与第一偏置电压线5彼此绝缘，第二导电部602的一端与第一导电部601直接相连，第二导电部602的另一端延伸至对应的标记用像素单元Pix_M内并与该标记用像素单元Pix_M内薄膜晶体管3的第二电极304电连接。
在一些实施例中，在第一偏置电压线5背向衬底基板8的一侧形成有绝缘保护层12，绝缘保护层12上设置有透明屏蔽电极图形13；导电桥线603与透明屏蔽电极图形13同层设置且彼此绝缘。其中，透明屏蔽电极图形13一般接地，用于屏蔽外部电场对探测面板产生影响。
在本公开实施例中，可在制备第一偏置电压线5工序过程中基于同一构图工艺同时制备出第一偏置电压线5、第一导电部601和第二导电部602，可在制备透明屏蔽电极图形13工序过程中基于同一构图工艺同时制备出透明屏蔽电极图形13和导电桥线603；由此可见，在本公开实施例中的第二偏置电压线6可基于第一偏置电压线5工序和透明屏蔽电极图形13的工序来制备，无需配置额外的制备工序，有利于降低生产成本、缩短制备周期。
在一些实施例中，第二导电部602的另一端延伸至对应的标记用像素单元Pix_M内并与该标记用像素单元Pix_M内光学传感器4的第三电极401通过过孔相连，以实现第二偏置电压线6与对应的标记用像素单元Pix_M内薄膜晶体管3的第二电极304相连，
在一些实施例中，第一导电部601在衬底基板8上的正投影位于栅线1在衬底基板8的上正投影所处区域内，即第一导电部601不会对射向光学传感器4的光线进行遮挡，以保证像素单元Pix的开口率。
需要说明的是，上述第二偏置电压线6包括：第一导电部601、第一导电部601和第二导电部602的情况仅起到示例性作用，其不会对本公开的技术方案产生限制。
在一些实施例中，探测面板还包括：位于薄膜晶体管3背向衬底基板8一侧的遮光图形7，遮光图形7在衬底基板8上的正投影完全覆盖薄膜晶体管3内有源层图形302的在衬底基板8上的正投影，遮光图形7与第一偏置电压线5同层设置。在本公开实施例中，通过设置遮光图形7，可避免光线照射至薄膜晶体管3的沟道区而导致薄膜晶体管3的电学特性出现偏移的问题。
图8为本公开实施例中标记用像素单元和探测用像素单元的不同排布示意图，如图8所示，探测面板上划分有至少一个标记区域，标记区域内设置有至少两个标记用像素单元Pix_M；在同一标记区域内，任一标记用像素单元Pix_M均存在至少一个与其在行方向和列方向上均相邻的其他标记用像素单元Pix_M，任一标记用像素单元Pix_M均不存在与其位于同一行且在列方向上相邻的其他标记用像素单元Pix_M，且任一标记用像素单元Pix_M均不存在与其位于同一列且在行方向上相邻的其他标记用像素单元Pix_M。
图8中(a)～(e)部分分别示意出了5种不同的标记区域，每一标记区域包括5×5共计25个像素单元Pix；其中，(a)部分所示标记区域内含包含2个标记用像素单元Pix_M和23个探测用像素单元Pix_S，配置有1条第二偏置电压线6；(b)部分和(c)部分所示标记区域内含包含3个标记用像素单元Pix_M和22个探测用像素单元Pix_S，配置有1条第二偏置电压线6；(d)部分所示标记区域内含包含4个标记用像素单元Pix_M和21个探测用像素单元Pix_S，配置有2条第二偏置电压线6；(e)部分所示标记区域内含包含5个标记用像素单元Pix_M和20个探测用像素单元Pix_S，配置有2条第二偏置电压线6。
具体地，在(a)部分所示情况中，同一标记区域内多个标记用像素单元Pix_M呈斜线排布，斜线的延伸方向与行方向和列方向均相交；在(b)部分所示情况中，同一标记区域内多个标记用像素单元Pix_M呈V字型排布；在(c)部分所示情况中，同一标记区域内多个标记用像素单元Pix_M呈倒V字型排布；在(d)部分所示情况中，同一标记区域内多个标记用像素单元Pix_M呈菱形排布；在(e)部分所示情况中，同一标记区域内多个标记用像素单元Pix_M呈X字型排布。
需要说明的是，图8中所示标记区域内不同标记用像素单元Pix_M的情况仅起到示例性作用，其不会对本公开的技术方案产生限制。在实际应用中，标记区域一般设于探测面板的周边区域(靠近探测面板的边缘的区域)，探测面板的整个中间区域可用于进行探测。
图4可作为图8中(a)部分的俯视示意图。图9为图8中(b)部分的俯视示意图，图10为图8中(c)部分的俯视示意图，图11为图8中(d)部分的俯视示意图，图12为图8中(e)部分的俯视示意图，如图4以及图9～12所示，在一些实施例中，在像素单元Pix阵列中，存在标记用像素单元Pix_M的像素单元Pix行为特定像素单元Pix行，位于同一特定像素单元Pix行内的全部标记用像素单元Pix_M对应同一条第二偏置电压线6。
在一些实施例中，在像素单元阵列中，存在相邻的两个特定像素单元Pix行，该相邻的两个特定像素单元行内全部标记用像素单元Pix_M对应同一条第二偏置电压线6。通过相邻特定像素单元行共用同一第二偏置电压线6的方式，可减少探测面板内第二偏置电压线6的布置数量。
本公开实施例提供了一种探测面板，通过该使用不同的第一偏置电压线和第二偏置电压线分别向探测用像素单元Pix_S内光学传感器4的第四电极402和标记用像素单元Pix_M内的薄膜晶体管3的第二电极304提供不同的偏置电压信号，可减小甚至消除标记用像素单元Pix_M对周围其他像素单元Pix所对应位置的成像灰度值产生干扰。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种平板探测器，该平板探测器包括探测面板，其中探测面板可采用上述实施例提供的探测面板，对于该探测面板的描述可参见前面实施例中的内容，此处不再赘述。
在一些实施例中，平板探测器具体可以是X射线平板探测器。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种探测面板的制备方法，用于制备前面实施例提供的探测面板，下面将结合附图进行详细描述。
图13为本公开实施例提供的探测面板的一种制备方法流程图，如图13所示，该制备方法包括：
步骤S1、提供一衬底基板。
其中，衬底基板可以为玻璃基板或柔性基板。
步骤S2、在衬底基板上形成多条栅线、多条信号探测线以及多个像素单元。
其中，像素单元内设置有薄膜晶体管和光学传感器，光学传感器包括：第三电极、第四电极和位于第三电极与第四电极之间的感光图形，薄膜晶体管的栅极与对应的栅线电连接，薄膜晶体管的第一电极与对应的信号探测线电连接，薄膜晶体管的第二电极与位于同一像素单元内光学传感器的第三电极电连接，多个像素单元包括至少一个探测用像素单元和至少一个标记用像素单元。
形成栅线、信号探测线和像素单元的过程具体包括：形成栅金属层(包括栅线、薄膜晶体管的栅极)、形成栅绝缘层、形成薄膜晶体管的有源层图形、形成源漏金属层(包括信号探测线、薄膜晶体管的第一电极、薄膜晶体管的第二电极)、形成钝化层、形成光学传感器的第三电极(光学传感器的第三电极通过钝化层上的过孔与薄膜晶体管的第二电极相连)、形成感光图形、形成第四电极。
步骤S3、在光学传感器背向衬底基板的一侧形成第一偏置电压线和第二偏置电压线。
其中，第一偏置电压线与第二偏置电压线相交设置且彼此，探测用像素单元内光学传感器的第四电极与对应的第一偏置电压线电连接，标记用像素单元内薄膜晶体管的第二电极与对应的第二偏置电压线电连接。
图14为本公开实施例中步骤S3的一种可选实施流程图，如图14所示，步骤S3包括：
步骤S301、在光学传感器背向衬底基板的一侧形成平坦化层。
其中，平坦化层上形成有连通至探测用像素单元内光学传感器的第四电极的第一过孔，以及连通至标记用像素单元内光学传感器的第三电极的第二过孔。
步骤S302、通过一次图案化工艺在平坦化层背向衬底基板的一侧形成偏置电压线层。
其中，偏置电压线层包括：第一偏置电压线、第一导电部和第二导电部，第一偏置电压线通过第一过孔与对应的光学传感器的第四电极相连，第二导电部通过第二过孔与对应的光学传感器的第三电极相连。
步骤S303、在偏置电压线层背向衬底基板的一侧形成绝缘保护层，绝缘保护层上形成有连通至第一导电部的第三过孔。
步骤S304、在绝缘保护层背向衬底基板的一侧形成透明电极层。
其中，透明电极层包括：导电桥线和透明屏蔽电极图形，导电桥线通过第三过孔与对应的两个相邻第一导电部相连，以实现相邻第一导电部之间电连接；导电桥线和透明屏蔽电极图形之间绝缘层。
需要说明的是，上述采用步骤S301～步骤S304制备第一偏置电压线和第二偏置电压线的情况，仅起到示例性作用，其不会对本公开的技术方案产生限制。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (15)
1.一种探测面板，其特征在于，包括：衬底基板，所述衬底基板上设置有多条栅线和多条信号探测线，多条所述栅线和多条所述信号探测线限定出像素单元阵列，所述像素单元阵列包括多个像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管和光学传感器，所述光学传感器包括：第三电极、第四电极和位于所述第三电极与所述第四电极之间的感光图形，所述薄膜晶体管的栅极与对应的所述栅线电连接，所述薄膜晶体管的第一电极与对应的所述信号探测线电连接，所述薄膜晶体管的第二电极与位于同一所述像素单元内所述光学传感器的所述第三电极电连接；
所述多个像素单元包括至少一个探测用像素单元和至少一个标记用像素单元，所述光学传感器背向所述衬底基板的一侧设置有第一偏置电压线和第二偏置电压线，所述第一偏置电压线与所述第二偏置电压线相交设置且彼此绝缘，所述探测用像素单元内所述光学传感器的第四电极与对应的第一偏置电压线电连接，所述标记用像素单元内所述薄膜晶体管的第二电极与对应的所述第二偏置电压线电连接。
2.根据权利要求1所述的探测面板，其特征在于，所述第一偏置电压线的延伸方向与所述信号探测线的延伸方向平行；
所述第二偏置电压线的延伸方向与所述栅线的延伸方向平行。
3.根据权利要求2所述的探测面板，其特征在于，所述第二偏置电压线包括：沿第一方向间隔设置的多个第一导电部、连接相邻所述第一导电部的导电桥线以及至少一个第二导电部；
所述第一导电部和所述第二导电部与所述第一偏置电压线同层设置，所述导电桥线位于所述第一偏置电压线背向所述衬底基板的一侧且与所述第一偏置电压线彼此绝缘，所述第二导电部的一端与所述第一导电部直接相连，所述第二导电部的另一端延伸至对应的所述标记用像素单元内并与该标记用像素单元内薄膜晶体管的第二电极电连接。
4.根据权利要求3所述的探测面板，其特征在于，在所述第一偏置电压线背向所述衬底基板的一侧形成有绝缘保护层，所述绝缘保护层上设置有透明屏蔽电极图形；
所述导电桥线与所述透明屏蔽电极图形同层设置且彼此绝缘。
5.根据权利要求3所述的探测面板，其特征在于，所述第二导电部的另一端延伸至对应的所述标记用像素单元内并与该标记用像素单元内所述光学传感器的所述第三电极通过过孔相连。
6.根据权利要求3所述的探测面板，其特征在于，所述第一导电部在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板的上正投影所处区域内。
7.根据权利要求2所述的探测面板，其特征在于，在所述像素单元阵列中，存在所述标记用像素单元的像素单元行为特定像素单元行，位于同一所述特定像素单元行内的全部所述标记用像素单元对应同一条所述第二偏置电压线。
8.根据权利要求7所述的探测面板，其特征在于，在所述像素单元阵列中，存在相邻的两个特定像素单元行，该相邻的两个特定像素单元行内全部所述标记用像素单元对应同一条所述第二偏置电压线。
9.根据权利要求1所述的探测面板，其特征在于，所述探测面板上划分有至少一个标记区域，所述标记区域内设置有至少两个所述标记用像素单元；
在同一所述标记区域内，任一所述标记用像素单元均存在至少一个与其在行方向和列方向上均相邻的其他标记用像素单元，任一所述标记用像素单元均不存在与其位于同一行且在列方向上相邻的其他标记用像素单元，且任一所述标记用像素单元均不存在与其位于同一列且在行方向上相邻的其他标记用像素单元。
10.根据权利要求9所述的探测面板，其特征在于，在同一所述标记区域内，多个所述标记用像素单元呈斜线排布，所述斜线的延伸方向与行方向和列方向均相交；
或者，在同一所述标记区域内，多个所述标记用像素单元呈V字型排布；
或者，在同一所述标记区域内，多个所述标记用像素单元呈倒V字型排布；
或者，在同一所述标记区域内，多个所述标记用像素单元呈菱形排布；
或者，在同一所述标记区域内，多个所述标记用像素单元呈X字型排布。
11.根据权利要求1-10中任一所述的探测面板，其特征在于，还包括：位于所述薄膜晶体管背向所述衬底基板一侧的遮光图形，所述遮光图形在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述薄膜晶体管内有源层图形的在所述衬底基板上的正投影，所述遮光图形与所述第一偏置电压线同层设置。
12.一种平板探测器，其特征在于，包括如权利要求1-11中任一项所述的探测面板。
13.一种如权利要求1-11中任一所述的探测面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成多条栅线、多条信号探测线以及多个像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管和光学传感器，所述光学传感器包括：第三电极、第四电极和位于所述第三电极与所述第四电极之间的感光图形，所述薄膜晶体管的栅极与对应的所述栅线电连接，所述薄膜晶体管的第一电极与对应的所述信号探测线电连接，所述薄膜晶体管的第二电极与位于同一所述像素单元内所述光学传感器的所述第三电极电连接，所述多个像素单元包括至少一个探测用像素单元和至少一个标记用像素单元；
在所述光学传感器背向所述衬底基板的一侧形成第一偏置电压线和第二偏置电压线，所述第一偏置电压线与所述第二偏置电压线相交设置且彼此绝缘，所述探测用像素单元内所述光学传感器的第四电极与对应的第一偏置电压线电连接，所述标记用像素单元内所述薄膜晶体管的第二电极与对应的所述第二偏置电压线电连接。
14.根据权利要求13所述的探测面板的制备方法，其特征在于，所述探测面板为权利要求3中所述探测面板，在所述光学传感器背向所述衬底基板的一侧形成用于加载偏置电压的第一偏置电压线和第二偏置电压线的步骤包括：
在所述光学传感器背向所述衬底基板的一侧形成平坦化层，所述平坦化层上形成有连通至所述探测用像素单元内所述光学传感器的第四电极的第一过孔，以及连通至所述标记用像素单元内所述光学传感器的第三电极的第二过孔；
通过一次图案化工艺在所述平坦化层背向所述衬底基板的一侧形成偏置电压线层，所述偏置电压线层包括：所述第一偏置电压线、所述第一导电部和所述第二导电部，所述第一偏置电压线通过所述第一过孔与对应的所述光学传感器的第四电极相连，所述第二导电部通过所述第二过孔与对应的所述光学传感器的第三电极相连；
在所述偏置电压线层背向所述衬底基板的一侧形成绝缘保护层，所述绝缘保护层上形成有连通至所述第一导电部的第三过孔；
在所述绝缘保护层背向所述衬底基板的一侧形成透明电极层，所述透明电极层包括：导电桥线，所述导电桥线通过所述第三过孔与对应的两个相邻所述第一导电部相连，以实现相邻所述第一导电部之间电连接。
15.根据权利要求14所述的探测面板的制备方法，其特征在于，所述透明电极层还包括：透明屏蔽电极图形。
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