CN109671729B - 探测单元及其制作方法、平板探测器 - Google Patents

探测单元及其制作方法、平板探测器 Download PDF

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Abstract

一种探测单元及其制作方法、平板探测器。该探测单元包括：衬底基板；位于衬底基板上的第一电极；位于第一电极远离衬底基板一侧的光电二极管；位于光电二极管远离第一电极一侧的透明电极和与透明电极电连接的第二电极，并且，光电二极管在衬底基板上的正投影完全落入第一电极在衬底基板的正投影内，在平行于衬底基板的平面上，透明电极位于光电二极管的中部，且光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影与第二电极在衬底基板上的正投影至少部分重叠。该探测单元可有效减小光电二极管的暗态漏电流以提升该探测单元的光电特性。

Description

探测单元及其制作方法、平板探测器
技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种探测单元及其制作方法、平板探测器。
背景技术
X射线检测广泛应用于现代医疗影像检测中，目前最先进的直接数字化X射线摄影(Digital Radiography，DR)是在具有图像处理功能的计算机控制下，采用一维或者二维的X射线探测器直接把X射线信息转化为数字图像信息的技术。当前DR设备主要采用的二维平板X射线探测器(Flat X-ray Panel Detector，FPXD)包括直接式平板探测器和间接式平板探测器。
发明内容
本公开的至少一实施例提供一种探测单元及其制作方法、平板探测器。该探测单元可有效减小光电二极管的暗态漏电流，从而提升探测单元以及包括该探测单元的平板探测器的光电特性。
本公开的至少一实施例提供一种探测单元，包括：衬底基板；位于衬底基板上的第一电极；位于第一电极远离衬底基板一侧的光电二极管；位于光电二极管远离第一电极一侧的透明电极和与透明电极电连接的第二电极，并且，光电二极管在衬底基板上的正投影完全落入第一电极在衬底基板的正投影内，在平行于衬底基板的平面上，透明电极位于光电二极管的中部，且光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影与第二电极在衬底基板上的正投影至少部分重叠。
例如，光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影完全落入第二电极在衬底基板上的正投影内。
例如，探测单元还包括：位于透明电极远离光电二极管一侧的偏置信号线，偏置信号线与透明电极电连接，并且，第二电极与偏置信号线电连接。
例如，探测单元还包括：位于偏置信号线与透明电极之间的绝缘层，绝缘层包括过孔，偏置信号线通过过孔与透明电极电连接。
例如，第二电极位于绝缘层远离透明电极的一侧。
例如，第二电极与偏置信号线位于同一层且两者的材料相同。
例如，第二电极的材料包括遮光材料。
例如，透明电极在衬底基板上的正投影与第二电极在衬底基板上的正投影没有交叠。
例如，探测单元还包括：薄膜晶体管，包括源极和漏极，并且，源极和漏极之一为第一电极。
例如，光电二极管为PIN型光电二极管。
本公开的至少一实施例提供一种探测单元的制作方法，包括：在衬底基板上形成第一电极；在第一电极远离衬底基板的一侧形成光电二极管；在光电二极管远离第一电极的一侧形成透明电极和与透明电极电连接的第二电极，并且，光电二极管在衬底基板上的正投影完全落入第一电极在衬底基板的正投影内，在平行于衬底基板的平面上，透明电极位于光电二极管的中部，且光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影与第二电极在衬底基板上的正投影至少部分重叠。
例如，探测单元的制作方法还包括：在透明电极远离光电二极管的一侧形成绝缘层；对绝缘层图案化以形成过孔；在绝缘层远离透明电极的一侧形成导电层，导电层通过过孔与透明电极电连接；对导电层图案化以形成偏置信号线和第二电极。
例如，形成第二电极包括：在光电二极管未被透明电极覆盖的部分远离衬底基板的一侧形成第二电极，以使光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影完全落入第二电极在衬底基板上的正投影内。
例如，第二电极的材料包括遮光材料。
本公开的至少一实施例提供一种平板探测器，包括多个上述任一项实施例提供的探测单元，多个探测单元阵列排布。
例如，平板探测器为间接式平板探测器。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A为一种平板探测器包括的探测单元的俯视图；
图1B为图1A所示的探测单元沿AB线所截的侧视图；
图2A为本公开一实施例提供的探测单元的平面示意图；
图2B为图2A所示的探测单元沿CD线所截的侧面示意图；
图3为本公开另一实施例提供的平板探测器的局部平面示意图；
图4为本公开另一实施例提供的探测单元的制作方法的示意性流程图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1A为一种平板探测器包括的探测单元的俯视图，图1B为图1A所示的探测单元沿AB线所截的侧视图，为了清楚的表示光电二极管、顶电极以及底电极的平面视图，图1A中省略了一些绝缘层。如图1A和图1B所示，平板探测器的探测单元包括衬底基板10；设置在衬底基板10上的沿X方向延伸的栅线32以及沿Y方向延伸的数据线31；设置在衬底基板10上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极22、覆盖栅极22的栅极绝缘层16、位于栅极绝缘层16上的有源层21以及源漏极11a和11b。栅线32与栅极22相连以控制薄膜晶体管的打开或者关闭，源漏极11a和11b之一与数据线31相连，图中以源极11a与数据线31相连为例。平板探测器的探测单元还包括设置在漏极11b上的光电二极管12，该光电二极管12以漏极11b为其底电极11；设置在光电二极管12远离底电极11的一侧的透明顶电极13；设置在透明顶电极13上的缓冲层17、钝化层18等膜层；以及位于缓冲层17、钝化层18等膜层远离透明顶电极13的一侧的偏置信号线14，偏置信号线14通过设置在缓冲层17、钝化层18等膜层中的过孔15与透明顶电极13电连接。平板探测器的探测单元还包括设置在偏置信号线14远离光电二极管12的一侧的保护层19。光电二极管12在偏置信号线14输入的偏置电压的作用下形成电场，光电二极管12受到光照后产生的光电子，在外加电场作用下迁移累积于底电极11，栅线32控制薄膜晶体管打开后，底电极11累积的电子通过数据线31被读出，并通过读取芯片将其转成数字讯号，在后端进行数字讯号图像处理。
图1A和图1B中所示的光电二极管12为PIN型光电二极管，包括P层、I层以及N层，这里的I层为本征半导体层或掺杂浓度较低的近乎本征(Intrinsic)半导体的掺杂层。
在研究中，本申请的发明人发现：一方面，在采用PIN光电二极管结构的平板探测器中，影响平板探测器的光电特性的最主要的问题是光电二极管结构产生的暗态漏电流偏大。光电二极管产生暗态漏电流的主要原因包括：P层、I层、N层沉积参数的有待优化；由于光电二极管刻蚀工艺的限制以及后序制作钝化层和树脂层工艺的需求，光电二极管经刻蚀后的侧壁不是垂直于底电极的，而是产生约75～85度的角度，即，光电二极管的侧壁与底电极之间的夹角约为75～85度。也就是，如图1B所示，由于光电二极管12、顶电极13刻蚀工艺的限制，以及由于树脂缓冲层等膜层的沉积需求，最终形成的光电二极管12的截面为梯形，光电二极管12的侧壁与底电极11之间的夹角不能达到90度，并且顶电极13位于光电二极管12的上表面的中部。因此，在对位于光电二极管12两侧的顶电极13与底电极11加载偏压后，侧壁处的无效偏压将产生较大的漏电流。平板探测器工作时，顶电极13加负偏压，底电极11加正电压，光电二极管12的结构类似于电容，但由于在平行与衬底基板10的平面上，顶电极13的尺寸小于底电极11的尺寸，光电二极管12的侧壁处电场弱于中间位置的电场，将产生较大的漏电流，影响最终的信号，从而影响探测单元结构整体的漏电流，最终使平板探测器的光电特性降低。
另一方面，间接式平板探测器使用闪烁层将X-ray光转换为可见光，转换后的可见光较为发散，因此，散射光对成像单元(光电二极管)侧壁的照射对成像质量产生了不利影响。
本公开的实施例提供一种探测单元及其制作方法、平板探测器。该探测单元包括：衬底基板；位于衬底基板上的第一电极；位于第一电极远离衬底基板一侧的光电二极管；位于光电二极管远离第一电极一侧的透明电极和与透明电极电连接的第二电极，并且，光电二极管在衬底基板上的正投影完全落入第一电极在衬底基板的正投影内，在平行于衬底基板的平面上，透明电极位于光电二极管的中部，且光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影与第二电极在衬底基板上的正投影至少部分重叠。该探测单元可有效减小光电二极管产生的暗态漏电流，从而提升探测单元以及包括该探测单元的平板探测器的光电特性。
下面结合附图对本公开实施例提供的探测单元及其制作方法、平板探测器进行描述。
图2A为本公开一实施例提供的探测单元的平面示意图，图2B为图2A所示的探测单元沿CD线所截的侧面示意图，为了清楚的表示第一电极、透明电极以及第二电极的平面视图，图2A中省略了一些绝缘层。如图2A和图2B所示，本公开一实施例提供的探测单元包括：衬底基板100，位于衬底基板100上的第一电极110，位于第一电极110远离衬底基板100一侧的光电二极管120，位于光电二极管120远离第一电极110一侧的透明电极130和与透明电极130电连接的第二电极141，并且，光电二极管120在衬底基板100上的正投影完全落入第一电极110在衬底基板100的正投影内，在平行于衬底基板100的平面上，即，在平行于XY的平面，透明电极130位于光电二极管120的中部，且光电二极管120未被透明电极130覆盖的部分在衬底基板100上的正投影与第二电极141在衬底基板100上的正投影至少部分重叠，也就是，第二电极141覆盖光电二极管120的至少一部分倾斜的侧壁。本实施例中的透明电极与第二电极共同作为光电二极管的顶电极，第一电极作为光电二极管的底电极，通过在光电二极管的侧壁上增加顶电极结构(第二电极)，可补偿光电二极管倾斜侧壁产生的电压差，从而可减少侧壁产生的暗态漏电流，进而提升包括该探测单元的平板探测器的光电特性。
例如，本实施例中的光电二极管为PIN型光电二极管。PIN二极管包括P层、I层以及N层，这里的I层为本征半导体层或掺杂浓度较低的近乎本征(Intrinsic)半导体的掺杂层，I层较厚，几乎占据了整个耗尽层，因此透过透明电极130并入射到光电二极管120的入射光中的绝大部分光在I层被吸收并产生大量的电子-空穴对。
例如，如图2A和图2B所示，光电二极管120未被透明电极130覆盖的部分在衬底基板100上的正投影完全落入第二电极141在衬底基板100上的正投影内，即，第二电极141完全覆盖光电二极管120的倾斜的侧壁，此时，光电二极管120完全位于顶电极(透明电极130与第二电极141共同作为光电二极管120的顶电极)与底电极(第一电极110)之间，可以最大程度解决光电二极管侧壁电场弱于中间电场的问题，从而有效降低漏电流的产生。
例如，光电二极管120未被透明电极130覆盖的部分在衬底基板100上的正投影完全落入第二电极141在衬底基板100上的正投影内包括：在平行于衬底基板100的平面上，第二电极141为围绕透明电极130的一圈电极层；或者第二电极141既覆盖光电二极管120已经被透明电极130覆盖的部分，又覆盖光电二极管120的倾斜侧壁。当第二电极141覆盖光电二极管120已经被透明电极130覆盖的部分时，为保证光电二极管120的受光照的面积(即光电二极管120作为成像单元的开口率)，第二电极141选取透明导电电极。
例如，如图2A和图2B所示，第二电极141可以刚好覆盖光电二极管120的倾斜的侧壁。
例如，如图2A和图2B所示，本公开实施例的一示例中的第二电极141的材料包括遮光材料，即，第二电极141可以起到遮光的效果。一般的间接式平板探测器使用闪烁层将X-ray光转换为可见光，转换后的可见光较为发散，本实施例中的第二电极对光电二极管的侧壁起到了一定的遮光作用，因此可以有效减少散射光对光电二极管(成像单元)的侧壁的照射，从而可以减少对其成像质量的影响。本实施例提供的探测单元主要应用于间接式X-ray平板探测器。
例如，如图2A和图2B所示，光电二极管120未被透明电极130覆盖的部分在衬底基板100上的正投影完全落入第二电极141在衬底基板100上的正投影内，此时，第二电极141可以对光电二极管120的倾斜的侧壁起到完全遮光的效果，因此可以进一步减少散射光对光电二极管(成像单元)的侧壁的照射。
例如，如图2A和图2B所示，透明电极130在衬底基板100上的正投影与第二电极141在衬底基板100上的正投影没有交叠，即，透明电极130在光电二极管120上覆盖的部分与第二电极141在光电二极管120上覆盖的部分之间没有交叠，从而可以在保证对成像单元(光电二极管)的侧壁进行遮光的同时不影响成像单元的开口率。
例如，探测单元包括成像区200以及围绕成像区200的周边区210。成像区200为图2A中虚线圈出的区域，即，透明电极130所在区域。成像区200即为光电二极管120受光照的区域。光电二极管120的侧壁以及侧壁以外的区域均为非成像区域，即周边区210。第二电极141位于周边区210，既不影响成像单元的开口率，也可以防止散射光对光电二极管(成像单元)的侧壁的照射，还可以屏蔽第二电极远离光电二极管的一侧的外界环境对光电二极管的影响。
例如，如图2A和图2B所示，本公开实施例提供的探测单元还包括：位于透明电极130远离光电二极管120一侧的偏置信号线140，偏置信号线140与透明电极130电连接，偏置信号线140用于对光电二极管120中的电子和空穴提供外加电场。并且，本公开实施例中的第二电极141与偏置信号线140电连接，即，偏置信号线140对第二电极141提供与透明电极130相同的电压。
例如，如图2A和图2B所示，本公开实施例提供的探测单元还包括：位于偏置信号线140与透明电极130之间的绝缘层180，绝缘层180包括过孔150，偏置信号线140通过过孔150与透明电极130电连接。
例如，如图2B所示，绝缘层180可以包括缓冲层105、树脂层106以及钝化层107，绝缘层180用于保护光电二极管120。
例如，如图2A和图2B所示，第二电极141位于绝缘层180远离透明电极130的一侧。
例如，第二电极141可以位于偏置信号线140远离光电二极管120的一侧，也可以位于偏置信号线140与光电二极管120之间。
例如，第二电极141可以通过与偏置信号线140的电连接以实现与透明电极130的电连接，本实施例包括但不限于此。
例如，如图2A和图2B所示，本实施例的一示例以第二电极141与偏置信号线140位于同一层且两者的材料相同为例，即，第二电极141与偏置信号线140为针对同一个导电层采用同一步图案化形成的，节省了工艺步骤。
例如，第二电极141与偏置信号线140的材料可以包括Ag(银)、Al(铝)，Mg：Ag(镁银合金)、Mg：Al(镁铝合金)、Au(金)等不透明金属材料。
例如，如图2A和图2B所示，本公开实施例提供的探测单元还包括：薄膜晶体管，包括栅极102、有源层103、源极104a和漏极104b，本实施例以漏极104b作为第一电极110为例进行描述。
例如，薄膜晶体管还包括位于栅极102上的栅极绝缘层101。
例如，如图2A和图2B所示，本公开实施例提供的探测单元还包括：沿X方向延伸的栅线170以及沿Y方向延伸的数据线160。薄膜晶体管的栅极102与栅线170电连接，栅线170用于控制薄膜晶体管的打开或者关闭，薄膜晶体管的源极104a与数据线160电连接，漏极104b作为第一电极110与光电二极管120电连接，光电二极管120在偏置信号线140提供的偏置电压的作用下形成电场，光电二极管120受到光照后产生的光电子在外加电场作用下迁移累积于第一电极110。当栅线170控制薄膜晶体管打开后，第一电极110累积的电子通过数据线160被读出，并通过读取芯片将其转成数字讯号，在后端进行数字讯号图像处理。
例如，如图2B所示，本公开实施例提供的探测单元还包括位于偏置信号线140远离光电二极管120一侧的钝化保护层1080以及树脂保护层108，这两层膜层用于保护偏置信号线140。
图3为本公开另一实施例提供的平板探测器的局部平面示意图，如图3所示，本实施例提供的平板探测器包括上述任一实施例提供的探测单元。
如图3所示，平板探测器包括多个呈阵列排布的探测单元，即，多个探测单元沿X方向和Y方向排布。
例如，如图3所示，平板探测器包括多个成像区200(虚线圈出的区域)以及为绕成像区200的周边区210。
例如，每个探测单元包括的第二电极141位于周边区210中，用以覆盖至少一部分光电二极管的倾斜的侧壁。
例如，本实施例提供的平板探测器为间接式平板探测器。
本实施例中通过在每个光电二极管的侧壁上增加顶电极结构(第二电极)，可补偿光电二极管的倾斜的侧壁产生的电压差，从而可有效克服光电二极管侧壁坡度较小造成偏压不足的问题，进而提升平板探测器的光电特性。另外，本实施例的一示例中的第二电极包括遮光材料，还可以有效减少散射光对光电二极管(成像单元)的侧壁的照射，从而可以减少对其成像质量的影响。
图4为本公开另一实施例提供的探测单元的制作方法的示意性流程图，如图4所示，探测单元的制作方法步骤包括：
S301：在衬底基板上形成第一电极。
例如，在衬底基板上形成第一电极之前还包括，在衬底基板上形成薄膜晶体管。
例如，形成薄膜晶体管包括：依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极。形成的源漏极之一作为探测单元的第一电极。
S302：在第一电极远离衬底基板的一侧形成光电二极管。
例如，形成的光电二极管为PIN型光电二极管。
S303：在光电二极管远离第一电极的一侧形成透明电极和与透明电极电连接的第二电极，并且，光电二极管在衬底基板上的正投影完全落入第一电极在衬底基板的正投影内，在平行于衬底基板的平面上，透明电极位于光电二极管的中部，且光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影与第二电极在衬底基板上的正投影至少部分重叠。
例如，光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影与第二电极在衬底基板上的正投影至少部分重叠，也就是，第二电极覆盖光电二极管的至少一部分倾斜的侧壁。本实施例中的透明电极与第二电极共同作为光电二极管的顶电极，第一电极作为光电二极管的底电极，通过在光电二极管侧壁上增加顶电极结构(第二电极)，可补偿光电二极管的倾斜侧壁产生的电压差，从而可减少侧壁产生的暗态漏电流，进而提升包括该探测单元的平板探测器的光电特性。
例如，光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影完全落入第二电极在衬底基板上的正投影内，即，第二电极完全覆盖光电二极管的倾斜的侧壁，此时，光电二极管完全位于顶电极(透明电极与第二电极共同作为光电二极管的顶电极)与底电极(第一电极)之间，可以最大程度解决光电二极管侧壁电场弱于中间电场的问题，从而有效降低漏电流的产生。
例如，光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影完全落入第二电极在衬底基板上的正投影内包括：在平行于衬底基板的平面上，第二电极为围绕透明电极的一圈电极层；或者第二电极既覆盖光电二极管已经被透明电极覆盖的部分，又覆盖光电二极管的倾斜的侧壁。当第二电极覆盖光电二极管已经被透明电极覆盖的部分时，为保证光电二极管的受光照的面积(即光电二极管作为成像单元的开口率)，第二电极选取透明导电电极。
例如，第二电极可以刚好覆盖光电二极管的倾斜的侧壁。
例如，第二电极的材料包括遮光材料，即，第二电极可以起到遮光的效果。因此，第二电极对光电二极管的侧壁起到了一定的遮光作用，因此可以有效减少散射光对光电二极管(成像单元)的侧壁的照射，从而可以减少对其成像质量的影响。
例如，在光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影完全落入第二电极在衬底基板上的正投影内时，第二电极可以对光电二极管的倾斜的侧壁起到完全遮光的效果，因此可以进一步减少散射光对光电二极管(成像单元)的侧壁的照射。
例如，透明电极在衬底基板上的正投影与第二电极在衬底基板上的正投影没有交叠，即，透明电极在光电二极管上覆盖的部分与第二电极在光电二极管上覆盖的部分之间没有交叠，从而可以在保证对成像单元(光电二极管)的侧壁进行遮光的同时不影响成像单元的开口率。
例如，本实施例提供的探测单元的制作方法还包括：在透明电极远离光电二极管的一侧形成绝缘层；对绝缘层图案化以形成过孔；在绝缘层远离透明电极的一侧形成导电层，导电层通过过孔与透明电极电连接；对导电层图案化以形成偏置信号线和第二电极。本实施例中的第二电极与偏置信号线是针对同一个导电层采用同一步图案化形成的，从而节省了工艺步骤。该工艺是在现有工艺基础上实现的，不需要额外的设备，并且仅针对现有膜层(偏置信号线所在的膜层)的形状进行改动，较易实现。
例如，第二电极与偏置信号线的材料可以包括Ag(银)、Al(铝)，Mg：Ag(镁银合金)、Mg：Al(镁铝合金)、Au(金)等不透明金属材料。
例如，绝缘层可以包括缓冲层、树脂层以及钝化层，绝缘层用于保护光电二极管。
例如，在偏置信号线远离光电二极管的一侧形成钝化保护层以及表面保护树脂结构以对偏置信号线进行保护。
有以下几点需要说明：
(1)除非另作定义，本公开实施例以及附图中，同一标号代表同一含义。
(2)本公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(3)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种探测单元，包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的第一电极；
位于所述第一电极远离所述衬底基板一侧的光电二极管；
位于所述光电二极管远离所述第一电极一侧的透明电极和与所述透明电极电连接的第二电极，
其中，所述光电二极管在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第一电极在所述衬底基板的正投影内，在平行于所述衬底基板的平面上，所述透明电极位于所述光电二极管的中部，且所述光电二极管未被所述透明电极覆盖的部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二电极在所述衬底基板上的正投影内，
所述探测单元还包括位于所述透明电极远离所述光电二极管一侧的偏置信号线，所述偏置信号线与所述透明电极电连接，所述第二电极与所述偏置信号线电连接。
2.根据权利要求1所述的探测单元，还包括：
位于所述偏置信号线与所述透明电极之间的绝缘层，所述绝缘层包括过孔，所述偏置信号线通过所述过孔与所述透明电极电连接。
3.根据权利要求2所述的探测单元，其中，所述第二电极位于所述绝缘层远离所述透明电极的一侧。
4.根据权利要求3所述的探测单元，其中，所述第二电极与所述偏置信号线位于同一层且两者的材料相同。
5.根据权利要求1-4任一项所述的探测单元，其中，所述第二电极的材料包括遮光材料。
6.根据权利要求5所述的探测单元，其中，所述透明电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二电极在所述衬底基板上的正投影没有交叠。
7.根据权利要求1所述的探测单元，还包括：
薄膜晶体管，包括源极和漏极，
其中，所述源极和所述漏极之一为所述第一电极。
8.根据权利要求1所述的探测单元，其中，所述光电二极管为PIN型光电二极管。
9.一种平板探测器，包括多个如权利要求1-8任一项所述的探测单元，多个所述探测单元阵列排布。
10.根据权利要求9所述的平板探测器，其中，所述平板探测器为间接式平板探测器。
11.一种探测单元的制作方法，包括：
在衬底基板上形成第一电极；
在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧形成光电二极管；
在所述光电二极管远离所述第一电极的一侧形成透明电极和与所述透明电极电连接的第二电极和偏置信号线，所述偏置信号线位于所述透明电极远离所述光电二极管一侧，所述偏置信号线与所述透明电极电连接，所述第二电极与所述偏置信号线电连接，
其中，所述光电二极管在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第一电极在所述衬底基板的正投影内，在平行于所述衬底基板的平面上，所述透明电极位于所述光电二极管的中部，且所述光电二极管未被所述透明电极覆盖的部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二电极在所述衬底基板上的正投影内。
12.根据权利要求11所述的探测单元的制作方法，还包括：
在所述透明电极远离所述光电二极管的一侧形成绝缘层；
对所述绝缘层图案化以形成过孔；
在所述绝缘层远离所述透明电极的一侧形成导电层，所述导电层通过所述过孔与所述透明电极电连接；
对所述导电层图案化以形成偏置信号线和所述第二电极。
13.根据权利要求11所述的探测单元的制作方法，其中，形成所述第二电极包括：
在所述光电二极管未被所述透明电极覆盖的部分远离所述衬底基板的一侧形成第二电极，以使所述光电二极管未被所述透明电极覆盖的部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二电极在所述衬底基板上的正投影内。
14.根据权利要求11-13任一项所述的探测单元的制作方法，其中，所述第二电极的材料包括遮光材料。
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