JP2008273957A - アルカジエニル基を有する化合物およびこれを用いた液晶組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶性化合物に必要な一般的物性、すなわち熱、光などに対する安定性、小さな粘度、適切大きさの屈折率異方性値、適切な大きさの誘電率異方性値および急峻な電気光学特性、ネマチック相の広い温度範囲、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物、特にネマチック相の広い温度範囲を有する液晶性化合物を提供する。
【解決手段】 一般式（１）で表される化合物。

例えば、Ｒ^１は水素であり；環Ａ^１、環Ａ^２および環Ａ^３は、１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であり；Ｌ^１およびＬ^２はフッ素であり；Ｘ^１は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数１〜１０のアルコキシであり；ｍ、ｎは０または１であり、ｐは０、１または２である。
【選択図】 なし

Description

本発明は液晶表示素子用の材料として有用な新規液晶性化合物およびこの化合物を含有する液晶組成物に関する。詳しくは低い粘性、他の液晶性化合物との良好な相溶性を持ち、加えて適切な大きさの屈折率異方性値および誘電率異方性値を有し、液晶表示素子に使用した場合には急峻な電気光学特性を得ることができる新規液晶性化合物およびこの化合物を含有する液晶組成物ならびにこの液晶組成物を含有する液晶表示素子に関する。

液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＢＴＮ（Bistable twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭ（passive matrix）はスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。

これら動作モードの中でもＥＣＢモード、ＩＰＳモード、ＶＡモードなどは、液晶分子の垂直配向性を利用した動作モードであり、特にＩＰＳモードおよびＶＡモードは、ＴＮモード、ＳＴＮモード等の従来の表示モードの欠点である視野角の狭さを改善可能であることが知られている。

そして、従来からこれら動作モードの液晶表示素子に使用可能な、負の誘電率異方性を有する液晶組成物の成分として、ベンゼン環上の水素がフッ素で置き換えられた液晶性化合物が数多く検討されてきている（例えば、特許文献１〜５参照。）。

例えば、特許文献１にはベンゼン環上の水素がフッ素で置き換えられた式（ｓ−１）で示される化合物が、また、特許文献２にはベンゼン環上の水素がフッ素で置き換えられ、アルケニルを有する化合物（ｓ−２）が検討されている。

しかし、式（ｓ−１）で示されるベンゼン環上の水素がフッ素で置き換えられた化合物は光学異方性が小さく、式（ｓ−２）で示される化合物でも光学異方性は十分に大きくない。

また、アルカジエニル基を側鎖に有する化合物として特許文献３に式（ｓ−３）で示される化合物が、特許文献４に式（ｓ−４）で示される化合物が開示されている。
その他にも、特許文献５には式（ｓ−５）および式（ｓ−６）で示される側方基がハロゲン等の極性基である化合物が開示されているが、アルカジエニル基とを同時に持つ化合物は開示されていない。

そのうえ、式（ｓ−３）および式（ｓ−４）で示される化合物はいずれも誘電率異方性値が小さく、これらを含有する液晶組成物ではその駆動電圧を下げることができない。さらに、式（ｓ−３）で示される化合物は粘性が高い上に屈折率異方性値も小さく、式（ｓ−４）で示される化合物においては安定性が極端に悪い。また、式（ｓ−５）および式（ｓ−６）で示される化合物は、弾性定数比（Ｋ_３３／Ｋ_１１）が小さい、相溶性が充分でない、ネマチック相の上限温度が低い等のさらに改良の求められる点がある。

特開平０２−４７２５号公報 特開２０００−５３６０２公報 国際公開第９６／０２２２６１号パンフレット 特表２００１−５００８９４号公報 特表２０００−３１１１０４８号公報

したがって、ＩＰＳモードおよびＶＡモード等の動作モードで使用される液晶表示素子であっても、ＣＲＴと比較すれば表示素子としてはいまだ問題があり、例えば、応答速度の向上、コントラストの向上、駆動電圧の低下が望まれている

上述したＩＰＳモード、あるいはＶＡモードで動作する表示素子は、主として、負の誘電率異方性を有する液晶組成物から構成されているが、上記特性等をさらに向上させるためには、上記液晶組成物に含まれる液晶性化合物が、以下（１）〜（８）で示す特性を有することが必要である。すなわち、
（１）化学的な安定性と物理的な安定性を有すること。
（２）高い透明点を有すること。透明点は、液晶相−等方相の転移温度である。
（３）液晶相の低い下限温度を有すること。液晶相は、ネマチック相、スメクチック相などを意味する。
（４）小さな粘度を有すること。
（５）適切な光学異方性を有すること。
（６）適切な負の誘電率異方性を有すること。大きな誘電率異方性を有する化合物は、大きな粘度を有することが多い。
（７）適切な弾性定数Ｋ_３３およびＫ_１１（Ｋ_３３：ベンド弾性定数、Ｋ_１１：スプレイ弾性定数）を有すること、および
（８）他の液晶性化合物との相溶性に優れること。

（１）のように化学的、物理的に安定な液晶性化合物を含む組成物を表示素子に用いると、電圧保持率を大きくすることができる。
また、（２）、（３）のように、高い透明点、あるいは液晶相の低い下限温度を有する液晶性化合物を含む組成物ではネマチック相の温度範囲を広げることが可能となり、幅広い温度領域で表示素子として使用することが可能となる。

さらに、（４）のように粘度の小さい化合物、（７）のように大きな弾性定数Ｋ_３３を有する化合物を含む組成物を表示素子として用いると応答速度を向上することができ、（５）のように適切な光学異方性を有する化合物を含む組成物を用いた表示素子の場合は、表示素子のコントラストの向上を図ることができる。また、表示素子の設計次第では、光学異方性は小さいものから大きなものまで必要であるが、最近では応答速度を改善するために、セル厚が薄くなる傾向にあり、それに伴い、大きな光学異方性を有する組成物が必要となっている。

加えて、液晶性化合物が負の大きな誘電率異方性を有する場合には、この化合物を含む液晶組成物のしきい値電圧を低くすることができるので、（６）のように適切な負の誘電率異方性を有する化合物を含む組成物を用いた表示素子の場合には、表示素子の駆動電圧を低くし、消費電力も小さくすることができる。さらに（７）のように適切な弾性定数Ｋ_３３を有する化合物を含む組成物を表示素子として用いることで表示素子の駆動電圧を調整することができ、消費電力も調整することができる。

液晶性化合物は、単一の化合物では発揮することが困難な特性を発現させるために、他の多くの液晶性化合物と混合して調製した組成物として用いることが一般的である。したがって、表示素子に用いる液晶性化合物は、（８）のように、他の液晶性化合物等との相溶性が良好であることが好ましい。また、表示素子は、氷点下を含め幅広い温度領域で使用することもあるので、低い温度領域から良好な相溶性を示す化合物であることが好ましい場合もある。

本発明の第一の目的は、液晶性化合物に必要な一般的物性、すなわち熱、光などに対する安定性、小さな粘度、適切な大きさの屈折率異方性値、適切な大きさの負の誘電率異方性値、適切な大きさの弾性定数Ｋ_３３、Ｋ_１１および急峻な電気光学特性、ネマチック相の広い温度範囲、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物を提供することであり、特にネマチック相の広い温度範囲を有する液晶性化合物を提供することである。

第二の目的は、この液晶性化合物を含有し、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、および低いしきい値電圧を有する液晶組成物を提供することであり、特にネマチック相の高い上限温度およびネマチック相の低い下限温度を有する液晶組成物を提供することである。

第三の目的は、この組成物を含有し、使用できる広い温度範囲、短い応答時間、小さな消費電力、大きなコントラスト、および低い駆動電圧を有する液晶表示素子を提供することであり、特に、使用できる広い温度範囲を有する液晶表示素子を提供することである。

本発明者らは前記課題を解決するために鋭意検討した結果、分子の一方の末端にアルカジエニル基を、側方基にハロゲン等の極性基を有する化合物が極めて大きな弾性定数比（Ｋ_３３／Ｋ_１１）、非常に低い粘性、高い化学的安定性、広いネマチック相温度範囲、大きな屈折率異方性値および負の誘電率異方性値を持つことを見出した。さらに上記化合物を含有する液晶組成物を用いると、急峻な電気光学特性、短い応答時間、広い動作温度範囲および駆動電力が小さい液晶表示素子を作製できることを見出した。従って、上記化合物は液晶表示素子、特に現在広く利用されているＥＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどの液晶表示素子に好適であることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。

本発明の要旨は下記の項などのとおりである。
１． 式（１）で表される化合物。

［式中、Ｒ^１は水素、炭素数１〜５のアルキル、または炭素数２〜５のアルケニルであり；
環Ａ^１、環Ａ^２および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり、これらの環において任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−により置き換えられていてもよく；
Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であり；
Ｚ^３が単結合である場合は、環Ａ^１、環Ａ^２および環Ａ^３のうち少なくとも１つは、１，４−フェニレンであり；
Ｌ^１およびＬ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
Ｘ^１は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数１〜１０のアルコキシ、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数２〜１０のアルケニルオキシであり；
ｍ、ｎは独立に０または１であり、ｐは０、１または２である。］

２． 環Ａ^１、環Ａ^２および環Ａ^３が独立して、１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり、これらの環において任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−により置き換えられていてもよく、環Ａ^１、環Ａ^２および環Ａ^３がうち少なくとも１つは１，４−フェニレンであり；
Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３がいずれも単結合である、項１に記載の化合物。

３． Ｌ^１およびＬ^２がいずれもフッ素である、項１または２に記載の化合物。
４． Ｌ^１およびＬ^２の一方が塩素であり、他方がフッ素である、項１または２に記載の化合物。
５． 式（１−ａ）、（１−ｂ）および（１−ｃ）のいずれか１つで表される項１に記載の化合物。

［式中、Ｒ^１は水素または炭素数１〜３のアルキルであり；
環Ａ^１および環Ａ^２は独立して、１，４−フェニレンまたは１，４−シクロヘキシレンであり；
Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であり；
Ｌ^１およびＬ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
Ｘ^１は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数１〜１０のアルコキシ、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数２〜１０のアルケニルオキシであり；
ｐは０または１である。］

６． Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３がいずれも単結合である、項５に記載の化合物。
７． Ｌ^１およびＬ^２がいずれもフッ素である、項５または６に記載の化合物。
８． Ｌ^１およびＬ^２の一方が塩素であり、他方がフッ素である、項５または６に記載の化合物。
９． 式（１−１）〜（１−６）のいずれか１つの式で表される項１に記載の化合物。

［式中、Ｒ^１は水素、メチルまたはエチルであり；
Ｌ^１およびＬ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
１０． 式（１−７）〜（１−２４）のいずれか１つの式で表される項５に記載の化合物。

［式中、Ｒ^１は水素、メチルまたはエチルであり；
Ｌ^１およびＬ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
１１． 式（１−２５）〜（１−２８）のいずれか１つの式で表される項１に記載の化合物。

［式中、Ｒ^１は水素またはメチルであり；
Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
１２． 式（１−２９）〜（１−３４）のいずれか１つの式で表される項５に記載の化合物。

［式中、Ｒ^１は水素またはメチルであり；
Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
１３． 式（１−３５）〜（１−４０）のいずれか１つの式で表される項１に記載の化合物。

［式中、Ｒ^１は水素、メチルまたはエチルであり；
Ｌ^１およびＬ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
１４． 式（１−４１）〜（１−４９）のいずれか１つの式で表される項５に記載の化合物。

［式中、Ｒ^１は水素、メチルまたはエチルであり；
Ｌ^１およびＬ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
１５． 式（１−５０）〜（１−５３）のいずれか１つの式で表される項１に記載の化合物。

［式中、Ｒ^１は水素またはメチルであり；
Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
１６． 式（１−５４）〜（１−５６）のいずれか１つの式で表される項５に記載の化合物。

［式中、Ｒ^１は水素またはメチルであり；
Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
１７． 項１〜１６のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする、２成分以上からなる液晶組成物。
１８． 項１〜１６のいずれか１項に記載される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物からなる第一成分、および式（２）、（３）および（４）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物からなる第二成分とを含有する誘電率異方性が負である液晶組成物。

［式中、Ｒ^２およびＲ^３は独立して、炭素数１〜１０のアルキルであり、アルキルにおいて、相隣接しない−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、相隣接しない−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、水素はフッ素で置き換えられていてもよく；
環Ｂ、環Ｄ、環Ｅおよび環Ｆは独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン、または環上の１つの水素がハロゲンで置き換えられていてもよい１，４−フェニレンであるが、これら６員環中の−（ＣＨ_２）−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、また−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き換えられていてもよく；
Ｚ^４、Ｚ^５およびＺ^６は独立して、単結合、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、または−ＣＨ_２Ｏ−である。］

１９． 式（５）、（６）、（７）および（８）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物からなる第三成分を含有する項１７または１８に記載の誘電率異方性値が負である液晶組成物。

［式中、Ｒ^４およびＲ^５は独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル、または炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルにおいて、相隣接しない−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、水素はフッ素で置き換えられていてもよく；
環Ｊ、環Ｋおよび環Ｍは独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン、または環上の１つまたは２つの水素がハロゲンで置き換えられていてもよい１，４−フェニレンであり、これら６員環中の−（ＣＨ_２）−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、また−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き換えられていてもよく；
Ｚ^７、Ｚ^８およびＺ^９は独立して、単結合、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＨ_２Ｏ−であり、；
Ｌ^３、Ｌ^４、Ｌ^５およびＬ^６は独立して、フッ素または塩素であり；
ｑ、ｒおよびｓは、独立して０、１、または２であるが、ｑ＋ｒ＋ｓは１、２または３であり、ｔは０、１または２である。］

２０． 第三成分が、式（９）、（１０）、（１１）、（１２）および（１３）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物からなることを特徴とする項１７または１８に記載の液晶組成物。

[式中、Ｒ^６は、炭素数１〜８の直鎖アルキル、または炭素数２〜８の直鎖アルケニルであり；
Ｒ^７は、炭素数１〜８の直鎖アルキル、炭素数２〜８の直鎖アルケニル、または炭素数１〜７のアルコキシであり；
Ｚ^１０は、単結合または−ＣＨ₂ＣＨ₂−であり；
Ｌ^７およびＬ^８は、いずれもフッ素であるか、または一方がフッ素で他方が塩素である。]

２１． 液晶組成物の全重量に基づいて、第一成分の含有割合が５〜８０重量％であり、第二成分の含有割合が１０〜８０重量％であり、第三成分の含有割合が１０〜８０重量％であり、誘電率異方性値が負である項１９または２０に記載の液晶組成物。
２２． 少なくとも１つの光学活性化合物をさらに含有し、誘電率異方性値が負である項１７〜２１のいずれか１項に記載の液晶組成物。

２３． 少なくとも１つの酸化防止剤および／または紫外線吸収剤を含み、誘電率異方性値が負である項１７〜２２のいずれか１項に記載の液晶組成物。
２４． 項１７〜２３のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

本発明の化合物は、液晶性化合物に必要な一般的物性、熱、光などに対する安定性、小さな粘度、適切な大きさの光学異方性、適切な大きさの負の誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する。本発明の液晶組成物は、これらの化合物の少なくとも一つを含有し、そしてネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な大きさの光学異方性、適切な弾性定数Ｋ₃₃（Ｋ₃₃：ベンド弾性定数）および低いしきい値電圧を有する。本発明の液晶表示素子は、この組成物を含有し、そして使用できる広い温度範囲、短い応答時間、小さな消費電力、大きなコントラスト比、および低い駆動電圧を有する。

この明細書における用語の使い方は次のとおりである。液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。液晶性化合物、液晶組成物、液晶表示素子をそれぞれ化合物、組成物、素子と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。ネマチック相の上限温度はネマチック相−等方相の相転移温度であり、そして単に上限温度と略すことがある。ネマチック相の下限温度を単に下限温度と略すことがある。式（１）で表わされる化合物を化合物（１）と略すことがある。この略記は式（２）などで表される化合物にも適用することがある。式（１）〜（８）において、六角形で囲んだＡ^１、Ｂ、Ｄ、Ｅなどの記号はそれぞれ環Ａ^１、環Ｂ、環Ｄ、環Ｅなどに対応する。百分率で表した化合物の量は組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。以下に本発明をさらに説明する。
［液晶化合物］

第一に、本発明の化合物（１）をさらに説明する。

化合物（１）について後述の実施例における［表１６］に記載したように、左末端基、結合基、環構造、および右末端基の構造に分けて、各構造について説明する。化合物（１）はアルカジエニル基を有する二環、三環または四環の化合物である。この化合物は、素子が通常使用される条件下において物理的および化学的に極めて安定であり、そして他の液晶性化合物との相溶性がよい。この化合物を含有する組成物は素子が通常使用される条件下で安定である。この組成物を低い温度で保管しても、この化合物が結晶（またはスメクチック相）として析出することがない。この化合物は、化合物に必要な一般的物性、適切な光学異方性、そして適切な負の誘電率異方性を有する。

化合物（１）の末端基、環構造および結合基を適切に選択することによって、光学異方性、誘電率異方性などの物性を任意に調整することが可能である。化合物（１）における好ましい末端基、環Ａ^１、環Ａ^２環Ａ^３、結合基Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３とそれらの種類が、化合物（１）の物性に与える効果を以下に説明する。

化合物（１）における左末端基において、Ｒ^１が直鎖であるときは液晶相の温度範囲が広くそして粘度が小さい。Ｒ^１が分岐鎖であるときは他の液晶性化合物との相溶性がよい。Ｒ^１が光学活性基である化合物は、キラルドーパントとして有用である。この化合物を組成物に添加することによって、素子に発生するリバース・ツイスト・ドメイン（Reverse twisted domain）を防止することができる。Ｒ^１が光学活性基でない化合物は組成物の成分として有用である。

左末端基において、Ｒ^１は、水素または炭素数１〜５のアルキルである。Ｒ^１が、アルキルである場合、分岐よりも直鎖の方が好ましい。Ｒ^１が分岐の基であっても光学活性であるときは好ましい。

左末端基において、ｐは０〜２のいずれかの整数であり、好ましいｐは０または１である。アルカジエニルが直接１，４−フェニレンに結合する場合、例えばｍ＝ｎ＝０、Ａ^３が１，４−フェニレンである場合、ｐは１が好ましい。

化合物（１）における右末端基において、Ｘ^１は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数１〜１０のアルコキシ、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数２〜１０のアルケニルオキシである。右末端基に関しては、化合物の用途に応じて下記の具体例を参照し選択することができる。ここでアルケニルまたはアルケニルオキシは、アルキルにおいて任意の−（ＣＨ_２）_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−などで置き換えられた基であり、一例で示す。ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３−において任意の−（ＣＨ_２）_２−を−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えた基の例は、Ｈ_２Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−などである。このように「任意の」語は、「区別なく選択された少なくとも一つの」を意味する。化合物の安定性を考慮して、二重結合が隣接したＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−よりも、二重結合が隣接しないＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ−の方が好ましい。

アルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７および−ＣＨ＝ＣＨＣ_４Ｈ_９のような奇数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはトランス配置が好ましい。上述のような好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、液晶相の温度範囲が広く、大きな弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁（Ｋ₃₃：ベンド弾性定数、Ｋ₁₁：スプレイ弾性定数）を有し、化合物の粘度を小さくすることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加すると、ネマチック相の上限温度（Ｔ_NI）を高くすることができる。また、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、および−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７のような偶数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはシス配置が好ましい。

好ましいＸ^１の具体的な例は、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１１、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−Ｏ（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−Ｏ（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−Ｏ（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨ_２、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、および−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３である。

さらに好ましいＸ^１の具体的な例は、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１１、−ＯＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−Ｏ（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−Ｏ（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−Ｏ（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨ_２である。

最も好ましいＸ^１の具体的な例は、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１１、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−Ｏ（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨ_２である。

右末端基の結合する環構造において、Ｌ^１およびＬ^２は独立して、フッ素または塩素である。

化合物（１）は、誘電率異方性が負に大きい。大きな誘電率異方性を有する化合物は、組成物のしきい値電圧を下げるための成分として有用である。

化合物（１）における環構造としては、環Ａ^１、環Ａ^２および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり、これらの環において任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−に置き換えられてもよい。

「これらの環において任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−に置き換えられてもよい」の具体的な例は、下記の環（１４−１）〜（１４−４）である。

１，４−シクロヘキシレンにおいてその立体配置はシスよりもトランスが好ましい。このような立体配置であることにより、この液晶性化合物の液晶相のネマチック相の上限温度（Ｔ_NI）を高くすることができる。

少なくとも二つの環が１，４−シクロヘキシレンであるときは、上限温度が高く、光学異方性が小さく、そして粘度が小さい。少なくとも一つの環が１，４−フェニレンのときは、光学異方性が比較的大きく、そして配向秩序パラメーター（orientational order parameter）が大きい。少なくとも二つの環が１，４−フェニレンであるときは、光学異方性が大きく、液晶相の温度範囲が広く、そして上限温度が高い。

化合物（１）における結合基である、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−である。−ＣＨ＝ＣＨ−のような結合基の二重結合に関する立体配置はシスよりもトランスが好ましい。このような立体配置であることにより、この液晶性化合物の液晶相の温度範囲を広げることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加すると、ネマチック相の上限温度（Ｔ_NI）を高くすることができる。

好ましいＺ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、および−ＣＨ＝ＣＨ−である。

最も好ましいＺ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−および−ＣＨ_２Ｏ−である。

結合基Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３のいずれかまたは全てが、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは粘度が小さい。結合基のいずれかまたは全てが単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは粘度がより小さい。結合基のいずれかまたは全てが−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは液晶相の温度範囲が広く、そして弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁（Ｋ₃₃：ベンド弾性定数、Ｋ₁₁：スプレイ弾性定数）が大きい。結合基のいずれかまたは全てが−Ｃ≡Ｃ−のときは屈折率異方性が大きい。また、結合基Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３のいずれかまたは全てが−ＣＨ₂ＣＨ₂−であるときは、他の液晶化合物との相溶性が良く、結合基Ｚ^３が−ＣＨ_２Ｏ−であるときは光学異方性が負に大きい。

液晶性化合物がこれら液晶性化合物（１）で示される構造を有する場合には、適切な負の誘電率異方性を有し、他の液晶性化合物との相溶性が極めてよい。さらに、熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、粘度が小さく、大きな光学異方性、および適切な弾性定数Ｋ₃₃を有している。化合物（１）が二環または三環を有するときは粘度が小さい。化合物（１）が三環または四環を有するときは上限温度が高い。以上のように、末端基、環構造および結合基の種類、環の数を適当に選択することにより目的の物性を有する化合物を得ることができる。また、この液晶性化合物（１）を含有する液晶組成物は、液晶表示素子が通常使用される条件下で安定であり、低い温度で保管してもこの化合物が結晶（またはスメクチック相）として析出することがない。

したがって、液晶性化合物（１）は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどの表示モードの液晶表示素子に用いる液晶組成物に好適に適用することができ、ＩＰＳ、ＶＡなどの表示モードの液晶表示素子に用いる液晶組成物に、特に好適に適用することができる。

この明細書において構造が明らかにされた化合物（１）は有機合成化学における手法を適切に組み合わせることにより合成することができる。出発物に目的の末端基、環構造および結合基を導入する方法は、オーガニックシンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc)、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載されている。

結合基Ｚ^１、Ｚ^２またはＺ^３を生成する方法の一例に関して、最初にスキームを示し、次に項（Ｉ）〜項（VII）でスキームを説明する。このスキームにおいて、ＭＳＧ^１またはＭＳＧ^２は少なくとも一つの環を有する１価の有機基である。スキームで用いた複数のＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（１Ａ）〜（１Ｋ）は化合物（１）に相当する。

（Ｉ）単結合の生成
アリールホウ酸（２１）と公知の方法で合成される化合物（２２）とを、炭酸塩水溶液とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下で反応させて化合物（１Ａ）を合成する。この化合物（１Ａ）は、公知の方法で合成される化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下で化合物（２２）を反応させることによっても合成される。

（II）−ＣＯＯ−と−ＯＣＯ−の生成
化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、続いて二酸化炭素を反応させてカルボン酸（２４）を得る。化合物（２４）と、公知の方法で合成されるフェノール（２５）とをＤＤＣ（１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド）とＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン）の存在下で脱水させて−ＣＯＯ−を有する化合物（１Ｂ）を合成する。この方法によって−ＯＣＯ−を有する化合物も合成する。

（III）−ＣＦ_２Ｏ−と−ＯＣＦ_２−の生成
化合物（１Ｂ）をローソン試薬のような硫黄化剤で処理して化合物（２６）を得る。化合物（２６）をフッ化水素ピリジン錯体とＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）でフッ素化し、−ＣＦ_２Ｏ−を有する化合物（１Ｃ）を合成する。さらにM. Kuroboshi et al., Chem. Lett., 1992，827.を参照。化合物（１Ｃ）は化合物（２６）を（ジエチルアミノ）サルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）でフッ素化しても合成される。さらにW. H. Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.を参照。この方法によって−ＯＣＦ_２−を有する化合物も合成する。Peer. Kirsch et al., Anbew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1480.に記載の方法によってこれらの結合基を生成させることも可能である。

（IV）−ＣＨ＝ＣＨ−の生成
化合物（２３）をｎ−ブチルリチウムで処理した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などのホルムアミドと反応させてアルデヒド（２８）を得る。公知の方法で合成されるホスホニウム塩（２７）をカリウムｔｅｒｔ−ブトキシドのような塩基で処理して発生させたリンイリドを、アルデヒド（２８）に反応させて化合物（１Ｄ）を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

（V）−ＣＨ_２ＣＨ_２−の生成
化合物（１Ｄ）をパラジウム炭素のような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｅ）を合成する。

（VI）−Ｃ≡Ｃ−の生成
ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下で、化合物（２３）に２−メチル−３−ブチン−２−オールを反応させたのち、塩基性条件下で脱保護して化合物（３０）を得る。ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下、化合物（２９）を化合物（２２）と反応させて、化合物（１Ｆ）を合成する。

（VII）−ＣＨ_２Ｏ−または−ＯＣＨ_２−の生成
化合物（２８）を水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元して化合物（３０）を得る。これを臭化水素酸などでハロゲン化して化合物（３１）を得る。炭酸カリウムなどの存在下で、化合物（３１）を化合物（２５）と反応させて化合物（１Ｇ）を合成する。

次に式（Ｔ−１）で表される化合物にアルカジエニル基を導入する方法の具体例を下記のスキームに示す。なお、下記反応経路においてＲ^１、Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｘ¹、ｎ、ｍ、およびｐは前記と同一の意味である。

特公平７−２６５３号、特公平７−２６５４号、特開平５−２８６８７３号、および特願平７−３１００３９号等の方法に準じて製造したアルデヒド体（Ｔ−１）を製造する。ついで、製造したアルデヒド体（Ｔ−１）にアルケニルハライドのホスホニウム塩（Ｔ−５）とカリウム−ｔ−ブトキシドから調整したイリドを作用させてシスオレフィン（Ｔ−２）を製造する。

シスオレフィン（Ｔ−２）にメタクロロ過安息香酸（Ｔ−６）を作用させてエポキシド（Ｔ−３）に変換した後、このエポキシド（Ｔ−３）にジブロモトリフェニルホスホラン（Ｔ−７）を作用させてａｎｔｉ−ジブロミド（Ｔ−４）とし、次いで還元的に脱臭素反応を行い本発明の化合物（１）を製造することができる。

［液晶組成物］
第二に、本発明の組成物をさらに説明する。この液晶組成物の成分は、少なくとも一種の液晶性化合物（１）を含むことを特徴とするが、液晶性化合物（１）を２種以上含んでいてもよく、液晶性化合物（１）のみから構成されていてもよい。また本発明の液晶組成物を調製するときには、例えば、液晶性化合物（１）の誘電率異方性を考慮して成分を選択することもできる。上記液晶組成物は、粘度が低く、適切な負の誘電率異方性を有し、適切な弾性定数Ｋ₃₃を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度（ネマチック相−等方相の相転移温度）が高く、ネマチック相の下限温度が低い。

〔液晶組成物（１）〕
本発明の液晶組成物は液晶性化合物（１）に加え、第二成分として式（２）〜（４）で表される液晶性化合物（以下、化合物（２）〜（４）ともいう。）の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する組成物が好ましい（以下、液晶組成物（１）ともいう。）。

式（２）〜（４）中、Ｒ^２およびＲ^３は独立して、炭素数１〜１０のアルキルであるが、上記アルキル中において、相隣接しない−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、相隣接しない−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、水素はフッ素で置き換えられていてもよい。

式（２）〜（４）中、環Ｂ、環Ｄ、環Ｅおよび環Ｆは独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン、または環上の１つの水素がハロゲンで置き換えられていてもよい１，４−フェニレンであるが、これら６員環中の−（ＣＨ_２）−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、また−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き換えられていてもよい。

式（２）〜（４）中、Ｚ^４、Ｚ^５およびＺ^６は独立して、単結合、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、または−ＣＨ_２Ｏ−である。

液晶性化合物（１）に、第二成分を含有させることにより、その液晶組成物の粘度を小さくすることができ、ネマチック相の領域を広げることができる。
例えば、化合物（２）は、それを含有する液晶組成物の粘度を小さく、比抵抗値を高くすることに有効な化合物である。

化合物（３）は、それを含有する液晶組成物のネマチック相の上限温度を高くし、比抵抗値を高くすることに有効な化合物である。
さらに、化合物（４）は、それを含有する液晶組成物のネマチック相の上限温度をより高くし、比抵抗値を高くすることに有効な化合物である。

環Ｂ、環Ｄ、環Ｅおよび環Ｆにおいて、２つ以上の環がトランス−１，４−シクロヘキシレンの場合は、それを含有する液晶組成物のネマチック相の上限温度を高くすることができ、２つ以上の環が１，４−フェニレンの場合は、それを含有する組成物の光学異方性を大きくすることができる。

第二成分の中でもより好ましい化合物は、式（２−１）〜（４−６）で示される化合物である（以下、化合物（２−１）〜（４−６）ともいう。）。これらの化合物においてＲ^２およびＲ^３は、化合物（２）〜（４）の場合と同一の意味である。

第二成分が化合物（２−１）〜（４−６）である場合には、耐熱性、および耐光性に優れ、より高い比抵抗値を有し、ネマチック相の広い液晶組成物を調製することができる。

本発明の液晶組成物（１）における第二成分の含有量は特に制限はないが、粘度を低くする観点からは含有量を多くすることが好ましい。、第二成分の含有量を多くすると液晶組成物のしきい値電圧が高くなる傾向にあるので、例えば、本発明の液晶組成物をＶＡモードの液晶素子に使用する場合には、第二成分の含有量は、液晶組成物（１）中に含まれる液晶性化合物の全重量に対して、１５〜７０重量％の範囲が好ましく、第一成分の含有量は、液晶組成物（１）中に含まれる液晶性化合物の全重量に対して、３０〜８５重量％の範囲が好ましい。

特に、第一成分が、上記式（１）において、Ｒ^１が水素、炭素数１〜５のアルキルであり、Ｘ^１が炭素数１〜１０のアルキル、または炭素数１〜９のアルコキシルである化合物群から選択される少なくとも１つの化合物であり、第二成分が化合物（２）〜（４）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物である液晶組成物（１）は、耐熱性、および耐光性に優れ、幅広いネマチック相を有し、比抵抗値が大きく、粘度が小さく、そして、適切な弾性定数Ｋ₃₃を示す。

〔液晶組成物（２）〕
本発明の液晶組成物としては、第一成分および第二成分に加えてさらに、第三成分として式（５）〜（８）で表される液晶性化合物（以下、化合物（５）〜（８）ともいう。）の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有させた液晶組成物も好ましい（以下、液晶組成物（２）ともいう。）。

式（５）〜（８）中、Ｒ^４およびＲ^５は独立して、水素、または炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルにおいて、相隣接しない−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、水素はフッ素で置き換えられていてもよい。

式（５）〜（８）中、環Ｊ、環Ｋおよび環Ｍは独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン、または環上の１つまたは２つの水素がハロゲンで置き換えられていてもよい１，４−フェニレンであるが、これら６員環中の−（ＣＨ_２）−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、また−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き換えられていてもよい。

式（５）〜（８）中、Ｚ^７、Ｚ^８およびＺ^９は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＨ_２Ｏ−であり、Ｌ^３、Ｌ^４、Ｌ^５およびＬ^６は独立して、フッ素または塩素である。

式（５）〜（８）中、ｑ、ｒ、およびｓは、独立して０、１、または２であるが、ｑ＋ｒ＋ｓは１、２、または３であり、ｔは０、１、または２である。
第三成分をさらに含有する液晶組成物（２）は誘電率異方性が負に大きい。

また、液晶組成物のネマチック相の温度範囲が広く、粘度が小さく、誘電率異方性が負に大きく、比抵抗値が大きな液晶組成物が得られ、さらにこれら物性が適切にバランスした液晶組成物が得られる。

また、記第三成分の中でも、低粘性、耐熱性、および耐光性という観点からは、下記式（９）〜（１３）で表される化合物（以下、化合物（９）〜（１３）ともいう。）の群から選択される少なくとも１つの化合物が好ましい。

式（９）〜（１３）中、Ｒ^６は、炭素数１〜８の直鎖アルキル、または炭素数２〜８の直鎖アルケニルであり、Ｒ^７は、炭素数１〜８の直鎖アルキル、炭素数２〜８の直鎖アルケニル、または炭素数１〜７のアルコキシであり、Ｚ^１０は、単結合または−ＣＨ₂ＣＨ₂−である。

式（９）〜（１３）中、Ｌ^７およびＬ^８は、いずれもフッ素であるか、または一方がフッ素で他方が塩素である。
例えば、化合物（６）〜（８）のような縮合環を有する化合物は、しきい値電圧値を低くすることができる。

例えば、化合物（９）および（１０）は、それを含有する液晶組成物の粘度を小さくし、しきい値電圧値をより低くすることができる。
化合物（１０）および（１１）は、それを含有する液晶組成物のネマチック相の上限温度を高くし、しきい値電圧値をより低くすることができる。

化合物（１２）および（１３）は、それを含有する液晶組成物のネマチック相の上限温度を高くし、光学異方性を大きくし、しきい値電圧値をより低くすることができる。

特に、液晶組成物（２）の中でも、式（１）において、Ｒ^１が水素、炭素数１〜１０のアルキル、または炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｘ^１が炭素数１〜１０のアルキル、または炭素数１〜９のアルコキシルである化合物群から選択される少なくとも１つの化合物からなる第一成分と、上記式（２）、（３）、および（４）からなる化合物群から選択される少なくとも１つの化合物からなる第二成分と、式（９）、（１０）、（１１）、（１２）、および（１３）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物からなる第三成分を含有する液晶組成物は、熱耐性、および光耐性に優れ、ネマチック相の温度範囲が広く、粘度が小さく、誘電率異方性が負に大きく、比抵抗値が大きく、適切な弾性定数Ｋ₃₃を示す。さらにこれら物性が適切にバランスした液晶組成物という点で好ましい。

第三成分の中でもより好ましい化合物は、化合物（５−１）〜（８−４）である。これらの化合物においてＲ^４、およびＲ^５は、化合物（９）〜（１３）の場合と同一の意味である。

本発明の液晶組成物における第三成分の含有量に特に制限はないが、負の誘電率異方性の絶対値を小さくしないといった観点からは、含有量を多くすることが好ましい。
本発明に係る上記液晶組成物（２）の第一成分、第二成分、および第三成分の含有割合は特に制限はされないが、上記液晶組成物（２）の全重量に基づいて、液晶性化合物（１）の含有割合が５〜８０重量％の範囲、第二成分の含有割合が１０〜８０重量％の範囲、第三成分の含有割合が１０〜８０重量％の範囲であることが好ましく、さらに、第一成分の含有割合が５〜７０重量％の範囲、第二成分の含有割合が１０〜５０重量％の範囲、第三成分の含有割合が２０〜６０重量％の範囲であることがより好ましい。

上記液晶組成物（２）の第一成分、第二成分、および第三成分の含有割合が上記範囲にある場合には、耐熱性、耐光性に優れ、ネマチック相の温度範囲が広く、粘度が小さく、誘電率異方性が負に大きく、比抵抗値が大きく、適切な弾性定数Ｋ₃₃を示す。さらにこれら物性がより適切にバランスした液晶組成物が得られる。

〔液晶組成物の態様等〕
本発明に係る液晶組成物では、第一成分、第二成分、および必要に応じて添加する第三成分を構成する液晶性化合物に加えて、例えば液晶組成物の特性をさらに調整する目的で、さらに他の液晶性化合物を添加して使用する場合がある。また、例えばコストの観点から、本発明の液晶組成物では、第一成分、第二成分、および必要に応じて添加する第三成分を構成する液晶性化合物以外の液晶性化合物は添加せずに使用する場合もある。

また本発明に係る液晶組成物には、さらに、光学活性化合物、色素、消泡剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤等の添加物を添加してもよい。
光学活性化合物を本発明に係る液晶組成物に添加した場合には、液晶にらせん構造を誘起して、ねじれ角を与えることなどができる。
光学活性化合物の例は、例えば、下記の化合物（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−１３）である。

色素を本発明に係る液晶組成物に添加した場合には、液晶組成物をＧＨ（Guest host）モードを有する液晶表示素子に適用することなどが可能となる。
消泡剤を本発明に係る液晶組成物に添加した場合には、液晶組成物の運搬中、あるいは該液晶組成物から液晶表示素子を製造工程中で、発泡を抑制することなどが可能となる。

紫外線吸収剤、あるいは酸化防止剤を本発明に係る液晶組成物に添加した場合には、液晶組成物や該液晶組成物を含む液晶表示素子の劣化を防止することなどが可能となる。例えば酸化防止剤は、液晶組成物を加熱したときに比抵抗値の低下を抑制することが可能である。

上記紫外線吸収剤としては、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤、トリアゾール系紫外線吸収剤などを挙げることができる。

ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の具体例は、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノンである。
ベンゾエート系紫外線吸収剤の具体例は、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエートである。
トリアゾール系紫外線吸収剤の具体例は、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２−ヒドロキシ−３−（３，４，５，６−テトラヒドロキシフタルイミド−メチル）−５−メチルフェニル］ベンゾトリアゾール、および２−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾールである。

上記酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、有機硫黄系酸化防止剤などを挙げることができる。
特に、液晶組成物の物性値を変化させずに酸化防止効果が高いという観点からは、下記式で表される酸化防止剤が好ましい。

式（１４）中、ｗは１から１５の整数である。
フェノール系酸化防止剤の具体例は、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−プロピルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ブチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ペンチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ヘキシルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ヘプチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−オクチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ノニルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−デシルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ウンデシルフェノール、２，
６−ジ−ｔ−ブチル−４−ドデシルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−トリデシルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−テトラデシルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ペンタデシルフェノール、２，２’−メチレンビス（６−ｔ−ブチルー４−メチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェノール）、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−（２−オクタデシルオキシカルボニル）エチルフェノール、およびペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］である。

有機硫黄系酸化防止剤の具体例は、ジラウリル−３，３’−チオプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）、および２−メルカプトベンズイミダゾールである。

紫外線吸収剤、酸化防止剤などに代表される上記添加物の添加量は、本発明の目的を損なわず、かつ添加物を添加する目的を達成できる量の範囲で添加して用いることができる。

例えば、上記紫外線吸収剤、あるいは酸化防止剤を添加する場合には、その添加割合は、本発明に係る液晶組成物の全重量に基づいて、通常１０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの範囲、好ましくは３０〜３００ｐｐｍの範囲、より好ましくは４０〜２００ｐｐｍの範囲である。

なお、本発明に係る液晶組成物は、液晶組成物を構成する各化合物の合成工程、液晶組成物の調製工程等において混入する合成原料、副生成物、反応溶媒、合成触媒等の不純物を含んでいる場合もある。

〔液晶組成物の製造方法〕
本発明に係る液晶組成物は、例えば、各成分を構成する化合物が液体の場合には、それぞれの化合物を混合し振とうさせることにより、また固体を含む場合には、それぞれの化合物を混合し、加熱溶解によってお互い液体にしてから振とうさせることにより調製することができる。また、本発明に係る液晶組成物はその他の公知の方法により調製することも可能である。

〔液晶組成物の特性〕
本発明に係る液晶組成物では、ネマチック相の上限温度を７０℃以上とすること、ネマチック相の下限温度は−２０℃以下とすることができ、ネマチック相の温度範囲が広い。したがって、この液晶組成物を含む液晶表示素子は広い温度領域で使用することが可能である。

本発明に係る液晶組成物では、組成等を適宜調整することで、光学異方性を０．１０〜０．１３の範囲、０．０５〜０．１８の範囲とすることもできる。
また、本発明に係る液晶組成物では、通常、−５．０〜−２．０の範囲の誘電率異方性、好ましくは、−４．５〜−２．５の範囲の誘電率異方性を有する液晶組成物を得ることができる。上記数値範囲にある液晶組成物は、ＩＰＳモード、およびＶＡモードで動作する液晶表示素子として好適に使用することができる。

〔液晶表示素子〕
本発明に係る液晶組成物は、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード等の動作モードを有し、ＡＭ方式で駆動する液晶表示素子だけでなく、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＶＡモード、ＩＰＳモード等の動作モードを有しパッシブマトリクス（ＰＭ）方式で駆動する液晶表示素子にも使用することができる。

これらＡＭ方式、およびＰＭ方式の液晶表示素子は、反射型、透過型、半透過型、いずれの液晶ディスプレイ等にも適用ができる。
また、本発明に係る液晶組成物は、導電剤を添加させた液晶組成物を用いたＤＳ（dynamic scattering）モード素子や、液晶組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、液晶組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子にも使用できる。

中でも本発明に係る液晶組成物では、上述のような特性を有するので、ＶＡモード、ＩＰＳモードなどの負の誘電率異方性を有する液晶組成物を利用した動作モードで駆動するＡＭ方式の液晶表示素子に好適に用いることができ、特に、ＶＡモードで駆動するＡＭ方式の液晶表示素子に好適に用いることができる。

なお、ＴＮモード、ＶＡモード等で駆動する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して垂直である。一方、ＩＰＳモード等で駆動する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して平行である。なお、ＶＡモードで駆動する液晶表示素子の構造は、K. Ohmuro, S. Kataoka, T. Sasaki and Y. Koike, SID '97 Digest of Technical Papers, 28, 845 (1997) に報告されており、ＩＰＳモードで駆動する液晶表示素子の構造は、国際公開９１／１０９３６号パンフレット（ファミリー：ＵＳ５５７６８６７）に報告されている。

〔液晶性化合物（１）の実施例〕
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例によって制限されない。なお特に断りのない限り、「％」は「重量％」を意味する。カラムクロマトグラフィーおよび再結晶に用いた混合溶媒の比「：」は容量比を意味する。得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ分析で得られる核磁気共鳴スペクトル、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析で得られるガスクロマトグラムなどにより同定した。これらによる測定方法は後述する方法に従った。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析：測定は、ＤＲＸ−５００（ブルカーバイオスピン（株）製）を用いた。ＣＤＣｌ_３など重水素化されたサンプルが可溶な溶媒に溶解させた溶液を、室温にて核磁気共鳴装置を用いて測定した。なお、δ値のゼロ点の基準物質にはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用い、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｍはマルチプレットである。

ガスクロマトグラフ分析：測定には島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム（２ｍｌ／分）である。試料気化室を２８０℃に、検出器（ＦＩＤ）を３００℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。このカラムは、１８０℃で２分間保持したあと、５℃／分の割合で２８０℃まで昇温した。試料はアセトン溶液（０．１質量％）に調製したあと、その１μｌを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のＣ−Ｒ５Ａ型Chromatopac、またはその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積を示した。

試料はトルエンに溶解して、１重量％の溶液となるように調製し、得られた溶液１μｌを試料気化室に注入した。
記録計としては島津製作所製のＣ−Ｒ６Ａ型Chromatopac、またはその同等品を用いた。得られたガスクロマトグラムには、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積値が示されている。

なお、試料の希釈溶媒としては、例えば、クロロホルム、ヘキサンを用いてもよい。また、カラムとしては、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty.Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）などを用いてもよい。

ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。一般には、分析サンプルの成分化合物の重量％は、分析サンプルの各ピークの面積％と完全に同一ではないが、本発明において上述したカラムを用いる場合には、実質的に補正係数は１であるので、分析サンプル中の成分化合物の重量％は、分析サンプル中の各ピークの面積％とほぼ対応している。成分の液晶性化合物における補正係数に大きな差異がないからである。ガスクロクロマトグラムにより液晶組成物中の液晶化合物の組成比をより正確に求めるには、ガスクロマトグラムによる内部標準法を用いる。一定量正確に秤量された各液晶化合物成分（被検成分）と基準となる液晶化合物（基準物質）を同時にガスクロ測定して、得られた被検成分のピークと基準物質のピークとの面積比の相対強度をあらかじめ算出する。基準物質に対する各成分のピーク面積の相対強度を用いて補正すると、液晶組成物中の液晶化合物の組成比をガスクロ分析からより正確に求めることができる。

［実施例１］
４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４′−オクタ−３，７−ジエニル−ビフェニル（１−ａ−３−２）を下記に示す合成スキームに従って合成した。

４′−エトキシ−２′，３′−ジフルオロ−ビフェニル−４−カルバルデヒド
（Ｔ−８）の合成
４−ブロモベンズアルデヒド （５５．５ｇ）、４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（７２．７ｇ）、炭酸カリウム（８２．８ｇ）およびＰｄ（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２ （１．０５ｇ）をソルミックス （６００ｍｌ）に溶解させ、窒素雰囲気下４時間加熱還流した。反応終了後セライトろ過し、ろ液をトルエンにて抽出した。有機層を２Ｎ水酸化ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水および飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して黒色油状物を得た。このものをヘプタン−トルエンにて再結晶することにより、４′−エトキシ−２′，３′−ジフルオロ−ビフェニル−４−カルバルデヒド（Ｔ−８）を白色粉末として（６１．３ｇ）得た。

（Ｔ−１０）の合成
１時間真空乾燥したホスホニウム塩 （Ｔ−９）（１０３．０ｇ）に乾燥テトラヒドロフラン（以下、ｄｒｙＴＨＦという）（５００ｍｌ）を加え、−７０℃まで冷却した。窒素雰囲気下カリウム−ｔ−ブトキシド（２６．９ｇ）を少量ずつ分割して加え１時間撹拌した。その後４′−エトキシ−２′，３′−ジフルオロ−ビフェニル−４−カルバルデヒド（５２．５ｇ）のｄｒｙＴＨＦ溶液を−７０℃でゆっくりと滴下し、室温まで昇温して４時間撹拌した。反応終了後トルエンにて抽出し、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡黄色固体を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘプタン：酢酸エチル＝４：１)、及び再結晶（ヘプタン：トルエン＝４：１）することにより、（Ｔ−１０）を白色粉末として（４８．６ｇ）得た。

（Ｔ−１１）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−１０）（４８．６ｇ）をトルエン（１５０ｍｌ）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）（１５０ｍｌ）に溶解させ、窒素雰囲気下Ｐｄ−Ｃ（ＮＸタイプ）（１．４６ｇ）を加えた後、反応系内を水素置換して室温で１４時間撹拌した。反応終了後Ｐｄ−Ｃをろ別し減圧濃縮して淡黒色固体を得た。このものをヘプタンにて再結晶することにより、（Ｔ−１１）を白色粉末として（４２．５ｇ）得た。

（Ｔ−１２）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−１１）（４２．５ｇ）をギ酸 （４０．０ｍｌ）、トルエン２５０ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気下６時間加熱還流した。反応の進行が遅いため、途中でギ酸（２０．０ｍｌ）を２回追加した。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を撹拌しながら少しずつ加え、トルエンにて抽出した。有機層を水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡黄色固体を得た。このものを再結晶（ヘプタン：トルエン＝４：１）することにより、（Ｔ−１２）を淡黄色固体として（３６．８ｇ）得た。

（Ｔ−１４）の合成
１時間真空乾燥したホスホニウム塩（Ｔ−１３）（４６．５ｇ）にｄｒｙＴＨＦ３００ｍｌを加え、−７０℃まで冷却した。窒素雰囲気下カリウム−ｔ−ブトキシド（１２．７ｇ）を分割して少量ずつ加え１時間撹拌した。その後、上記操作で得られた化合物（Ｔ−１２）（２７．４ｇ）のｄｒｙＴＨＦ溶液をゆっくりと滴下し、室温まで昇温して４時間撹拌した。反応終了後氷冷し撹拌しながら水を加え、トルエンにて抽出した。有機層を水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡黄色液体を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン：酢酸エチル＝９：１）、およびヘプタンにて再結晶することにより、（Ｔ−１４）を無色油状物として（１５．７ｇ）得た。

（Ｔ−１５）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−１４）（１５．７ｇ）に、炭酸カリウム （１５．７ｇ）、ジクロロメタン（２００ｍｌ）を加え氷冷した後、メタクロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）（１５．７ｇ）を加え、窒素雰囲気下室温にて１４時間撹拌した。反応の進行が遅いため、途中でｍＣＰＢＡ（１５．７ｇ）を追加した。反応終了後、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えジクロロメタンにて抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して（Ｔ−１５）を淡黄色油状物として（２１．５ｇ）得た。

（Ｔ−１６）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−１５）（２１．５ｇ）に、トリフェニルホスフィンジブロミド（３８．０ｇ）、トルエン（２００ｍｌ）を加え、窒素雰囲気下８時間加熱還流した。反応終了後、トルエンにて抽出し、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して黒黄色油状物を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）にて精製することにより、（Ｔ−１６）を淡黄色固体として（１８．４ｇ）得た。

４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４′−オクタ−３，７−ジエニル−ビフェニルの合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−１６）（１８．４ｇ）を酢酸（１００ｍｌ）に溶解させ、亜鉛粉末（９．６０ｇ）を分割して少量ずつ加えた後、窒素雰囲気下室温で３時間撹拌した。反応終了後、不溶物をろ別し、ヘプタンにて抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して黒茶色油状物を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１）、及び再結晶（ヘプタン：エタノール＝１：１）することにより、表題化合物（１−ａ−３−２）を白色粉末として（０．９ｇ）得た。

物性値は下記組成例の項に記載した様に、１５質量％の化合物および８５質量％の母液晶Ａを混合することによって試料を調製し、測定によって得られた値から外挿法によって算出した。外挿値＝（試料の測定値−０．８５×母液晶Ａの測定値）／０．１５。この化合物の物性値は、ＮＩ=２５．３℃，Δε=−５．３９, Δｎ=０．１５７, η=３６．５ｍＰａ・s, Ｋ_３３／Ｋ_１１=１．３５０, Ｃ ２６．７ （Ｎ ２５．３） Ｉｓｏ であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）；７．４２（ｄ，２Ｈ）、７．２５（ｄ，２Ｈ）、７．０８（ｔ，１Ｈ）、６．７８（ｔ，１Ｈ）、５．７５−５．８５（ｍ，１Ｈ）、５．４３−５．５４（ｍ，２Ｈ）、５．００（ｄ，１Ｈ）、４．９５（ｄ，１Ｈ）、４．１５（ｑ，２Ｈ）、２．７０（ｔ，２Ｈ）、２．３４（ｑ，２Ｈ）、２．１０（ｓ，４Ｈ）、１．４８（ｔ，３Ｈ）．

［実施例２］
４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４′−（４−ヘキサ−１，５−ジエニル−シクロヘキシル）−ビフェニル（１−ｂ−３−２）を下記に示す合成スキームに従って合成した。

４′−ブロモ−４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−ビフェニル（Ｔ−１６）の合成
４−ブロモヨードベンゼン（８４．９ｇ）、４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（６３．６ｇ）、炭酸カリウム（８２．８ｇ）およびＰｄ−Ｃ（ＮＸタイプ）（０．２１ｇ）をソルミックス （４００ｍｌ）に溶解させ、窒素雰囲気下４時間加熱還流した。反応終了後セライトろ過し、ろ液をトルエンにて抽出した。有機層を２Ｎ水酸化ナトリウム水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水および飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して黒色油状物を得た。このものをヘプタン−トルエンにて再結晶することにより、４′−ブロモ−４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−ビフェニル（Ｔ−１６）を淡黄色粉末として（５４．６ｇ）得た。

（Ｔ−１８）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−１６）（３１．４ｇ）をｄｒｙＴＨＦ（３００ｍｌ）に溶解させ、−５０℃まで冷却した後、ｎ−ＢｕＬｉ（７０ｍｌ）をゆっくりと滴下し、そのまま１時間撹拌した。その後シクロヘキサンジオンモノエチレンケタール（Ｔ−１７）（１７．２ｇ）のｄｒｙＴＨＦ（１００ｍｌ）溶液をゆっくりと滴下し、室温まで昇温して５時間撹拌した。反応終了後、氷冷した塩化アンモニウム水溶液に加えトルエンにて抽出した。有機層を水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮することにより（Ｔ−１８）を淡茶色固体として（３８．３ｇ）得た。

（Ｔ−１９）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−１８）（３８．３ｇ）、ｐ−トルエンスルホン酸 （０．１７８ｇ）、エチレングリコール（６．４５ｇ）ををトルエン４００ｍｌに溶解させ、留出する水を抜きながら５時間加熱還流させた。反応終了後、室温まで放冷し、トルエンにて抽出した。有機層を水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡茶色固体を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）、及び再結晶（ヘプタン：トルエン＝４：１）することにより、（Ｔ−１９）を白色粉末として（３５．８ｇ）得た。

（Ｔ−２０）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−１９）（３５．８ｇ）をトルエン（１５０ｍｌ）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）（１５０ｍｌ）に溶解させ、窒素雰囲気下Ｐｄ−Ｃ（ＮＸタイプ）（１．０７ｇ）を加えた後、反応系内を水素置換して室温で１４時間撹拌した。反応終了後Ｐｄ−Ｃをろ別し減圧濃縮して淡黒色固体を得た。このものを再結晶（ヘプタン：トルエン＝４：１）することにより、（Ｔ−２０）を白色粉末として（３２．０ｇ）得た。

（Ｔ−２１）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−２０）（３２．０ｇ）をギ酸 （２７．０ｍｌ）、トルエン２５０ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気下６時間加熱還流した。反応の進行が遅いため、途中でギ酸（９．０ｍｌ）を１回追加した。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を撹拌しながら少しずつ加え、トルエンにて抽出した。有機層を水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡黄色固体を得た。このものを再結晶（ヘプタン：トルエン＝４：１）することにより、（Ｔ−２１）を淡黄色固体として（２７．６ｇ）得た。

（Ｔ−２３）の合成
１時間真空乾燥したホスホニウム塩（Ｔ−２２）（１７．３ｇ）にｄｒｙＴＨＦ３００ｍｌを加え、−３０℃まで冷却した。窒素雰囲気下カリウム−ｔ−ブトキシド（５．２０ｇ）を分割して少量ずつ加え１時間撹拌した。その後、上記操作で得られた化合物（Ｔ−２１）（１３．８ｇ）のｄｒｙＴＨＦ溶液をゆっくりと滴下し、室温まで昇温して４時間撹拌した。反応終了後氷冷し撹拌しながら水を加え、トルエンにて抽出した。有機層を水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡黄色固体を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン：酢酸エチル＝９：１）、および再結晶（ヘプタン：トルエン＝４：１）することにより、（Ｔ−２３）を白色粉末として（１１．０ｇ）得た。

（Ｔ−２４）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−２３）（１１．０ｇ）をギ酸 （１０．０ｍｌ）、トルエン２５０ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気下６時間加熱還流した。反応の進行が遅いため、途中でギ酸（１０．０ｍｌ）を１回追加した。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を撹拌しながら少しずつ加え、トルエンにて抽出した。有機層を水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡黄色固体を得た。この化合物のソルミックス１００ｍｌに溶液を、水酸化ナトリウム（４０ｍｇ）ソルミックス５０ｍｌ溶液に１０℃以下で滴下し、異性化した。このものを再結晶（ヘプタン：トルエン＝４：１）することにより、（Ｔ−２４）を淡黄色固体として（１０．１ｇ）得た。

（Ｔ−２５）の合成
１時間真空乾燥したホスホニウム塩（Ｔ−１３）（１４．７ｇ）にｄｒｙＴＨＦ３００ｍｌを加え、−３０℃まで冷却した。窒素雰囲気下カリウム−ｔ−ブトキシド（３．９５ｇ）を分割して少量ずつ加え１時間撹拌した。その後、上記操作で得られた化合物（Ｔ−２４）（１０．１ｇ）のｄｒｙＴＨＦ溶液をゆっくりと滴下し、室温まで昇温して４時間撹拌した。反応終了後氷冷し撹拌しながら水を加え、トルエンにて抽出した。有機層を水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡黄色固体を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン：酢酸エチル＝９：１）、およびヘプタンにて再結晶することにより、（Ｔ−２５）を白色粉末として（９．７２ｇ）得た。

（Ｔ−２６）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−２５）（９．７２ｇ）に、炭酸カリウム （８．４５ｇ）、ジクロロメタン（２００ｍｌ）を加え氷冷した後、メタクロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）（８．４６ｇ）を加え、窒素雰囲気下室温にて１４時間撹拌した。反応の進行が遅いため、途中でｍＣＰＢＡ（８．４６ｇ）を追加した。反応終了後、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えジクロロメタンにて抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して（Ｔ−２６）を淡黄色油状物として（１４．６ｇ）得た。

（Ｔ−２７）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−２６）（１４．６ｇ）に、トリフェニルホスフィンジブロミド（２９．４ｇ）、トルエン（２００ｍｌ）を加え、窒素雰囲気下８時間加熱還流した。反応終了後、トルエンにて抽出し、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して黒黄色油状物を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン：酢酸エチル＝４：１）および再結晶（ヘプタン：トルエン＝４：１）することにより、（Ｔ−２７）を淡赤色粉末として（２．６０ｇ）得た。

４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４′−（４−ヘキサ−１，５−ジエニル−シクロヘキシル）−ビフェニルの合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−２７）（２．６０ｇ）を酢酸（１００ｍｌ）に溶解させ、亜鉛粉末（１．２２ｇ）を分割して少量ずつ加えた後、窒素雰囲気下室温で３時間撹拌した。反応終了後、不溶物をろ別し、ヘプタンにて抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して黒茶色油状物を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１）、及び再結晶（ヘプタン：エタノール＝１：１）することにより、表題化合物（１−ｂ−３−２）を白色結晶として（０．８ｇ）得た。

この化合物の物性値は、ＮＩ=１６１．３℃，Δε=−５．４５, Δｎ=０．１９４, η=４７．８ｍＰａ・s, Ｋ_３３／Ｋ_１１=１．５１５, Ｃ ６９．１（Ｓ_Ｃ ４０．３）Ｓ_Ａ １０５．２ Ｎ １９３．８ Ｉｓｏ であった。物性値は［実施例１］と同様にして測定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）；７．４４（ｄ，２Ｈ）、７．２９（ｄ，２Ｈ）、７．０９（ｔ，１Ｈ）、６．８０（ｔ，１Ｈ）、５．７４−５．８４（ｍ，１Ｈ）、５．３４−５．４７（ｍ，２Ｈ）、５．０２（ｄ，１Ｈ）、４．９６（ｄ，１Ｈ）、４．１５（ｑ，２Ｈ）、２．５０（ｔ，１Ｈ）、２．０６−２．１５（ｍ，４Ｈ）、２．００（ｓ，２Ｈ）、１．９１（ｄ，３Ｈ）、１．４５（ｔ，３Ｈ）、１．４２−１．５４（ｍ，２Ｈ）、１．２５−１．３５（ｍ，２Ｈ）．

［実施例３］
４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４′−（４−オクタ−３，７−ジエニル−シクロヘキシル）−ビフェニル（１−ｂ−４−２）を実施例２に示した方法と同様にして、４−エトキシ−２−フルオロ−３−クロロフェニルボロン酸（６８．７）、４−ブロモヨードベンゼン（８４．９ｇ）およびシクロヘキサンジオンモノエチレンケタール（Ｔ−１７）（４３．０ｇ）より、白色粉末として（１．５ｇ）得た。

この化合物の物性値は、ＮＩ=１４０．６℃，Δε=−４．９３, Δｎ=０．１７５, η=５６．７ｍＰａ・s, Ｋ_３３／Ｋ_１１=０．９８６, Ｃ ４９．０ （Ｓ_Ｃ ３３．２）Ｓ_Ａ ９６．１ Ｎ １５５．１ Ｉｓｏ であった。物性値は［実施例１］と同様にして測定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）；７．４３（ｄ，２Ｈ）、７．２８（ｄ，２Ｈ）、７．０８（ｔ，１Ｈ）、６．７８（ｔ，１Ｈ）、５．７８−５．８８（ｍ，１Ｈ）、５．３６−５．４９（ｍ，２Ｈ）、５．０３（ｄ，１Ｈ）、４．９７（ｄ，１Ｈ）、４．１５（ｑ，２Ｈ）、２．５１（ｔ，１Ｈ）、２．０８−２．１７（ｍ，４Ｈ）、２．０４（ｓ，２Ｈ）、１．９１（ｔ，４Ｈ）、１．４８（ｔ，３Ｈ）、１．４２−１．５４（ｍ，２Ｈ）、１．２７−１．３８（ｍ，３Ｈ）、１．０２−１．１３（ｍ，２Ｈ）．

［実施例４］
４″−エトキシ−２″，３″−ジフルオロ−４−オクタ−３，７−ジエニル−［１，１′；４′，１″］ターフェニル（１−ｂ−５−２）を下記に示す合成スキームに従って得られた４′−エトキシ−２′，３′−ジフルオロ−ビフェニル−４−ボロン酸（２１．０ｇ）（Ｔ−２８）と、４−ブロモベンズアルデヒド （１４．０ｇ）より、実施例１に示した方法と同様にして、白色粉末として（０．７ｇ）得た。

（Ｔ−２８）の合成
実施例２で得られた化合物（Ｔ−１６）（３１．０ｇ）をｄｒｙＴＨＦ（３００ｍｌ）に溶解させ、−５０℃まで冷却した後、ｎ−ＢｕＬｉ（７０ｍｌ）をゆっくりと滴下し、そのまま１時間撹拌した。その後、ホウ酸トリメチル（１５．５ｇ）のｄｒｙＴＨＦ（１００ｍｌ）溶液をゆっくりと滴下し、室温まで昇温して５時間撹拌した。反応終了後、氷冷した塩酸水溶液に加え酢酸エチルにて抽出した。有機層を水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡茶色固体を得た。このものを再結晶（ヘプタン：トルエン＝４：１）することにより（Ｔ−２８）を白色粉末として（２１．０ｇ）得た。

この化合物の物性値は、ＮＩ=１６８．６℃，Δε=−５．８５, Δｎ=０．２６７, η=５７．８ｍＰａ・s, Ｋ_３３／Ｋ_１１=１．８８３, Ｃ ８５．６ Ｃ １０９．７ Ｓ_Ｃ １１２．９ Ｓ_Ａ １７０．８ Ｎ １９０．３ Ｉｓｏ であった。物性値は［実施例１］と同様にして測定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）；７．６６（ｄ，２Ｈ）、７．５６（ｔ，４Ｈ）、７．２７（ｄ，２Ｈ）、７．１４（ｔ，１Ｈ）、６．８１（ｔ，１Ｈ）、５．７６−５．８５（ｍ，１Ｈ）、５．３８−５．５５（ｍ，２Ｈ）、５．０１（ｄ，１Ｈ）、４．９５（ｄ，１Ｈ）、４．１７（ｑ，２Ｈ）、２．７２（ｔ，２Ｈ）、２．３６（ｔ，２Ｈ）、２．１０（ｓ，４Ｈ）、１．４９（ｔ，３Ｈ）．

［実施例５］
３−クロロ−４−エトキシ−２−フルオロ−４′−（４−ヘキサ−１，５−ジエニル−シクロヘキシル）−ビフェニル（１−ｂ−３−３）を実施例２に示した方法と同様にして、４−エトキシ−２−フルオロ−３−クロロフェニルボロン酸（６８．７）、４−ブロモヨードベンゼン（８４．９ｇ）およびシクロヘキサンジオンモノエチレンケタール（Ｔ−１７）（４３．０ｇ）より、白色粉末として（１．１ｇ）得た。

［実施例６］
４−アリルオキシ−２，３−ジフルオロ−４′−（４−ヘキサ−１，５−ジエニル−シクロヘキシル）−ビフェニル（１−ｂ−３−７）を実施例２に示した方法と同様にして、４−アリルオキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（６７．１ｇ）、４−ブロモヨードベンゼン（８４．９ｇ）およびシクロヘキサンジオンモノエチレンケタール（Ｔ−１７）（４５．７ｇ）より、白色粉末として（１．７ｇ）得た。

［実施例７］
４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４′−（４−ヘプタ−１，５−ジエニル−シクロヘキシル）−ビフェニル（１−ｂ−３−２４）を実施例２に示した方法と同様にして、４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（６３．６ｇ）、４−ブロモヨードベンゼン（８４．９ｇ）およびシクロヘキサンジオンモノエチレンケタール（Ｔ−１７）（４３．０ｇ）より、白色粉末として（１．３ｇ）得た。

［実施例８］
４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４′−（４−ヘキサ−１，５−ジエニル−ビシクロヘキシル−４−イル）−ビフェニル（１−ｃ−３−２）を実施例２に示した方法と同様にして、４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（６３．６ｇ）、４−ブロモヨードベンゼン（８４．９ｇ）およびビシクロヘキシル−４，４′−ジオンモノエチレンケタール（７８．４ｇ）より、白色粉末として（０．１２ｇ）得た。。

この化合物の物性値は、ＮＩ=２３８．６℃，Δε=−５．４４, Δｎ=０．２０７, η=７１．４ｍＰａ・s, Ｋ_３３／Ｋ_１１=１．１５５, Ｃ ５０．７ Ｓ_Ｃ ２００．５ Ｓ_Ａ ２５６．６ Ｎ ３１７．２ Ｉｓｏ であった。物性値は［実施例１］と同様にして測定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）；７．４３（ｄ，２Ｈ）、７．２７（ｄ，２Ｈ）、７．０８（ｔ，１Ｈ）、６．７８（ｔ，１Ｈ）、５．７８−５．８７（ｍ，１Ｈ）、５．３５−５．４５（ｍ，２Ｈ）、５．０３（ｄ，１Ｈ）、４．９５（ｄ，１Ｈ）、４．１５（ｑ，２Ｈ）、２．４９（ｔ，１Ｈ）、２．０５−２．１４（ｍ，４Ｈ）、１．９６（ｄ，２Ｈ）、１．８６（ｓ，２Ｈ）、１．７７（ｓ，４Ｈ）、１．４８（ｔ，３Ｈ）、１．４２−１．５３（ｍ，３Ｈ）、１．１７（ｓ，４Ｈ）、１．０６（ｓ，４Ｈ）．

［実施例９］
４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４′−（４−オクタ−３，７−ジエニル−ビシクロヘキシル−４−イル）−ビフェニル（１−ｃ−４−２）を実施例２に示した方法と同様にして、４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（６３．６ｇ）、４−ブロモヨードベンゼン（８４．９ｇ）およびビシクロヘキシル−４，４′−ジオンモノエチレンケタール（７８．４ｇ）より、白色粉末として（０．２１ｇ）得た。

［実施例１０］
４″−エトキシ−２″，３″−ジフルオロ−４−（４−ヘキサ−１，５−ジエニル−シクロヘキシル）−［１，１′；４′，１″］ターフェニル（１−ｃ−５−２）を実施例２に示した方法と同様にして得られた１−クロロ−４−（ヘキサ−１，５−ジエニル−シクロヘキシル）−ベンゼン（２４．７ｇ）と４′−エトキシ−２′，３′−ジフルオロ−ビフェニル−４−ボロン酸（１９．３ｇ）を実施例１に示した方法と同様にして、白色粉末として（０．２４ｇ）得た。

この化合物の物性値は、ＮＩ=２３４．６℃，Δε=−５．６４, Δｎ=０．２５３, Ｋ_３３／Ｋ_１１=１．２１２, Ｃ ５９．４ Ｓ_Ｃ １６２．５ Ｓ_Ａ ２５３．８ Ｎ ２９７．４ Ｉｓｏ であった。物性値は［実施例１］と同様にして測定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）；７．６５（ｄ，２Ｈ）、７．５６（ｄ，４Ｈ）、７．３０（ｄ，２Ｈ）、７．１４（ｔ，１Ｈ）、６．８１（ｔ，１Ｈ）、５．７９−５．８８（ｍ，１Ｈ）、５．４０−５．４８（ｍ，２Ｈ）、５．０３（ｄ，１Ｈ）、４．９７（ｄ，１Ｈ）、４．１７（ｑ，２Ｈ）、２．５２（ｔ，１Ｈ）、２．０７−２．１７（ｍ，４Ｈ）、１．９３−２．０４（ｍ，３Ｈ）、１．８８（ｄ，２Ｈ）、１．５０（ｔ，３Ｈ）、１．４７−１．５９（ｍ，２Ｈ）、１．１１−１．３２（ｍ，２Ｈ）．

［実施例１１］
４″−エトキシ−２″，３″−ジフルオロ−４−（４−オクタ−３，７−ジエニル−ヘキサ−１，５−ジエニル−シクロヘキシル）−［１，１′；４′，１″］ターフェニル（１−ｃ−６−２）を実施例２に示した方法と同様にして得られた１−クロロ−４−（ヘキサ−１，５−ジエニル−シクロヘキシル）−ベンゼン（２４．７ｇ）と４′−エトキシ−２′，３′−ジフルオロ−ビフェニル−４−ボロン酸（１９．３ｇ）を実施例１に示した方法と同様にして、白色粉末として（０．３９ｇ）得た。

この化合物の物性値は、ＮＩ=１４０．６℃，Δε=−６．４４, Δｎ=０．２６０, η=５３．７ｍＰａ・s, Ｋ_３３／Ｋ_１１=１．３１０, Ｃ ９４．７ Ｓ_Ｃ １７３．０ Ｓ_Ａ ２８１．１ Ｎ ３４０．６ Ｉｓｏ であった。物性値は［実施例１］と同様にして測定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）；７．６５（ｄ，２Ｈ）、７．５７（ｄ，４Ｈ）、７．２８（ｄ，２Ｈ）、７．１５（ｔ，１Ｈ）、６．８２（ｔ，１Ｈ）、５．７８−５．９２（ｍ，１Ｈ）、５．３５−５．５５（ｍ，２Ｈ）、５．０３（ｄ，１Ｈ）、４．９８（ｄ，１Ｈ）、４．１７（ｑ，２Ｈ）、２．５２（ｔ，１Ｈ）、１．８５−２．２２（ｍ，１１Ｈ）、１．５０（ｔ，３Ｈ）、１．４４−１．６１（ｍ，２Ｈ）、１．２８−１．４２（ｍ，２Ｈ）、１．０２−１．１８（ｍ，２Ｈ）．

［実施例１２］
１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−（ヘキサ−１，５−ジエニル−シクロヘキシルメトキシ）−ベンゼン（１−ａ−１−７）を下記に示す合成スキームに従って合成した。

（Ｔ−３０）の合成
１時間真空乾燥したメチルトリフェニルホスホニウムブロミド（１６１．３ｇ）に乾燥テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（８００ｍｌ）を加え、−７０℃まで冷却した。窒素雰囲気下カリウム−ｔ−ブトキシド（８０．８ｇ）を少量ずつ分割して加え１時間撹拌した。その後シクロヘキサンジオンモノエチレンケタール（４６．８ｇ）のｄｒｙＴＨＦ溶液を−７０℃でゆっくりと滴下し、室温まで昇温して４時間撹拌した。反応終了後トルエンにて抽出し、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡黄色液体を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１)にて精製することにより、（Ｔ−３０）を無色液体として（３８．８ｇ）得た。

（Ｔ−３１）の合成
窒素置換したフラスコに水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ_４）（１１．５ｇ）を加え、上記操作で得られた化合物（Ｔ−３０）（３８．８ｇ）の乾燥テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（３００ｍｌ）溶液を滴下した。次いで三フッ化ホウ素エチルエーテラート（ＢＦ_３・ＯＥｔ_２）（１．２５ｇ）乾燥テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（５０ｍｌ）溶液を滴下した。温度は２５℃以下を保った。窒素雰囲気下２５℃以下を保ちながら１時間撹拌した。その後反応液中に、水、２Ｎ-水酸化ナトリウム水溶液を加え、次いで３０％過酸化水素水溶液をゆっくりと滴下した。この溶液をトルエンにて抽出し、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡黄色液体を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１) にて精製することにより、（Ｔ−３１）を無色液体として（３８．３ｇ）得た。

（Ｔ−３２）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−３１）（３８．３ｇ）をジクロロメタン（３００ｍｌ）に溶解させ、窒素雰囲気下トリフェニルホスフィン（６９．６ｇ）およびテトラブロモメタン（３４．５ｇ）のジクロロメタン（１００ｍｌ）溶液を滴下し１時間撹拌した。反応終了後トルエンにて抽出し、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡黄色液体を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１) にて精製することにより、（Ｔ−３２）を無色液体として（５８．７ｇ）得た。

（Ｔ−３３）の合成
４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェノール（３８．２ｇ）およびリン酸三カリウム（１４．５ｇ）を乾燥テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（３００ｍｌ）に溶解させ、上記操作で得られた化合物（Ｔ−３２）（５８．７ｇ）を氷冷下ゆっくりと滴下し、窒素雰囲気下５時間撹拌した。反応終了後トルエンにて抽出し、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡黄色固体を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１)、及び再結晶（ヘプタン）することにより、（Ｔ−３３）を白色粉末として（５８．０ｇ）得た。

（Ｔ−３４）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−３３）（５８．０ｇ）をギ酸 （５６．０ｍｌ）、トルエン２００ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気下６時間加熱還流した。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を撹拌しながら少しずつ加え、トルエンにて抽出した。有機層を水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して無色液体（Ｔ−３４）を（５６．６ｇ）得た。このものは精製せずに次の反応に用いた。

（Ｔ−３５）の合成
１時間真空乾燥したホスホニウム塩 （Ｔ−２９）（８１．９ｇ）に乾燥テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（３００ｍｌ）を加え、−７０℃まで冷却した。窒素雰囲気下カリウム−ｔ−ブトキシド（２６．８ｇ）を少量ずつ分割して加え１時間撹拌した。その後上記操作で得られた化合物（Ｔ−３４）（５６．６ｇ）のｄｒｙＴＨＦ溶液を−７０℃でゆっくりと滴下し、室温まで昇温して４時間撹拌した。反応終了後トルエンにて抽出し、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡黄色固体を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１)にて精製することにより、（Ｔ−３５）を無色液体として（４９．２ｇ）得た。

（Ｔ−３６）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−３５）（４９．２ｇ）をギ酸 （５０．０ｍｌ）、トルエン２００ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気下６時間加熱還流した。反応終了後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を撹拌しながら少しずつ加え、トルエンにて抽出した。有機層を水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡黄色液体を得た。このものをこのものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１)にて精製することにより、（Ｔ−３６）を無色液体として（４７．０ｇ）得た。

（Ｔ−３７）の合成
１時間真空乾燥したホスホニウム塩 （Ｔ−１３）（２６．３ｇ）に乾燥テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（２００ｍｌ）を加え、−７０℃まで冷却した。窒素雰囲気下カリウム−ｔ−ブトキシド（７．１７ｇ）を少量ずつ分割して加え１時間撹拌した。その後、上記操作で得られた化合物（Ｔ−３６）（１５．９ｇ）のｄｒｙＴＨＦ溶液を−７０℃でゆっくりと滴下し、室温まで昇温して４時間撹拌した。反応終了後トルエンにて抽出し、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して淡黄色固体を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１) にて精製することにより、（Ｔ−３７）を無色液体として（１５．０ｇ）得た。

（Ｔ−３８）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−３７）（１５．０ｇ）に、炭酸カリウム （１４．８ｇ）、ジクロロメタン（２００ｍｌ）を加え氷冷した後、メタクロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）（１４．８ｇ）を加え、窒素雰囲気下室温にて１４時間撹拌した。反応の進行が遅いため、途中でｍＣＰＢＡ（７．４ｇ）を２回追加した。反応終了後、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えジクロロメタンにて抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して（Ｔ−３８）を黄色油状物として（１７．６ｇ）得た。

（Ｔ−３９）の合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−３８）（１７．６ｇ）に、トリフェニルホスフィンジブロミド（３０．４ｇ）、トルエン（２００ｍｌ）を加え、窒素雰囲気下８時間加熱還流した。反応終了後、トルエンにて抽出し、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して黒黄色油状物を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン：トルエン＝２０：１）にて精製することにより、（Ｔ−３９）を黄色固体として（１３．０ｇ）得た。

１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−（ヘキサ−１，５−ジエニル−シクロヘキシルメトキシ）−ベンゼンの合成
上記操作で得られた化合物（Ｔ−３９）（１３．０ｇ）を酢酸（５０ｍｌ）に溶解させ、亜鉛粉末（６．６７ｇ）を分割して少量ずつ加えた後、窒素雰囲気下室温で３時間撹拌した。反応終了後、不溶物をろ別し、ヘプタンにて抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和塩化ナトリウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮して黒茶色油状物を得た。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘプタン：酢酸エチル＝２０：１）、及び再結晶（ヘプタン：エタノール＝１：１）することにより、表題化合物（１−ａ−１−７）を白色粉末として（２．１ｇ）得た。

この化合物の物性値は、ＮＩ=１９．３℃，Δε=−７．５３, Δｎ=０．０８８, η=３７．９ｍＰａ・s, Ｋ_３３／Ｋ_１１=１．２０５, Ｃ ３０．０ （Ｎ １１．８）Ｉｓｏ であった。物性値は［実施例１］と同様にして測定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）；６．５６−６．６８（ｍ，２Ｈ）、５．７７−５．８６（ｍ，１Ｈ）、５．３４−５．４４（ｍ，２Ｈ）、５．０１（ｄ，１Ｈ）、４．９５（ｄ，１Ｈ）、４．０５（ｑ，２Ｈ）、３．７７（ｄ，２Ｈ）、２．０４−２．１４（ｍ，４Ｈ）、１．８６−１．９４（ｍ，３Ｈ）、１．７０−１．８２（ｍ，３Ｈ）、１．４２（ｔ，３Ｈ）、１．０３−１．１８（ｍ，４Ｈ）．

［実施例１３］
４′−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−フェノキシメチル）−４−オクタ−３，７−ジエニル−ビシクロヘキシル（１−ａ−２−７）を実施例１２に示した方法と同様にして、４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（４５．６ｇ）およびシクロヘキサンジオンモノエチレンケタール（４６．８ｇ）より、白色粉末として（１．０ｇ）得た。

この化合物の物性値は、ＮＩ=７．３℃，Δε=−６．９８, Δｎ=０．０８７, η=４４．５ｍＰａ・s, Ｋ_３３／Ｋ_１１=１．０８０, Ｃ ２２．６ Ｉｓｏ であった。物性値は［実施例１］と同様にして測定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）；６．５５−６．６８（ｍ，２Ｈ）、５．７７−５．８７（ｍ，１Ｈ）、５．３２−５．５２（ｍ，２Ｈ）、５．０１（ｄ，１Ｈ）、４．９５（ｄ，１Ｈ）、４．０５（ｑ，２Ｈ）、３．７６（ｄ，２Ｈ）、２．０４−２．１４（ｍ，４Ｈ）、１．９７−２．０４（ｍ，２Ｈ）、１．８６−１．９３（ｍ，２Ｈ）、１．７０−１．８４（ｍ，３Ｈ）、１．４２（ｔ，３Ｈ）、１．１８−１．２９（ｍ，３Ｈ）、０．８７−１．０９（ｍ，４Ｈ）．

［実施例１４］
４′−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−フェノキシメチル）−４−ヘキサ−１，５−ジエニル−ビシクロヘキシル（１−ｂ−１−７）を実施例１２に示した方法と同様にして、４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（４７．６ｇ）およびビシクロヘキシル−４，４′−ジオンモノエチレンケタール（１０７．１ｇ）より、白色粉末として（２．０ｇ）得た。

この化合物の物性値は、ＮＩ=１４３．３℃，Δε=−７．１６, Δｎ=０．１１８, η=４３．５ｍＰａ・s, Ｋ_３３／Ｋ_１１=１．２３５, Ｃ ２８．３ Ｓ_Ｃ ３２．６ Ｓ_Ａ ６２．３ Ｎ １５９．３ Ｉｓｏ であった。物性値は［実施例１］と同様にして測定した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）；６．５７−６．６４（ｍ，２Ｈ）、５．７６−５．８６（ｍ，１Ｈ）、５．３２−５．４１（ｍ，２Ｈ）、５．０１（ｄ，１Ｈ）、４．９５（ｄ，１Ｈ）、４．０５（ｑ，２Ｈ）、３．７５（ｄ，２Ｈ）、２．０３−２．１４（ｍ，４Ｈ）、１．８８−１．９７（ｍ，２Ｈ）、１．６８−１．８７（ｍ，８Ｈ）、１．４２（ｔ，３Ｈ）、０．９６−１．１２（ｍ，１０Ｈ）．

［実施例１５］
４′−（４−アリルオキシ−２，３−ジフルオロ−フェノキシメチル）−４−ヘキサ−１，５−ジエニル−ビシクロヘキシル（１−ｂ−１−１２）を実施例１２に示した方法と同様にして、４−アリルオキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（４９．６ｇ）およびビシクロヘキシル−４，４′−ジオンモノエチレンケタール（６３．０ｇ）より、白色粉末として（１．３ｇ）得た。

［実施例１６］
４′−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−フェノキシメチル）−４−ヘプタ−１，５−ジエニル−ビシクロヘキシル（１−ｂ−１−１６）を実施例１２に示した方法と同様にして、４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（４５．６ｇ）およびビシクロヘキシル−４，４′−ジオンモノエチレンケタール（６３．０ｇ）より、白色粉末として（１．１ｇ）得た。

［実施例１７］
４′−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−フェノキシメチル）−４−ヘキサ−１，５−ジエニル−［１，１′；４′，１″］ターシクロヘキサン（１−ｃ−１−７）を実施例１２に示した方法と同様にして、４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニルボロン酸（８３．６ｇ）およびターシクロヘキシル−４，４″−ジオンモノエチレンケタール（６３．０ｇ）より、白色粉末として（２．１ｇ）得た。

［実施例１］〜［実施例１７］に記載した合成法をもとに、下記の［表１］〜［表１５］に示した化合物を合成する。式（１）で表される化合物のうち、ｐ＝０、ｍ＝０、ｎ＝０である化合物（１−ａ−１）の例を［表１］に示した。式（１）で表される化合物のうち、ｐ＝１、ｍ＝０、ｎ＝０である化合物（１−ａ−２および１−ａ−３）の例を［表２］および［表３］に示した。式（１）で表される化合物のうち、ｐ＝０、ｍ＝０、ｎ＝１である化合物（１−ｂ−１および１−ｂ−３）の例を［表４］および［表６］に示した。式（１）で表される化合物のうち、ｐ＝１、ｍ＝０、ｎ＝１である化合物（１−ｂ−２、１−ｂ−４および１−ｂ−５）の例を［表５］、［表７］および［表８］に示した。式（１）で表される化合物のうち、ｐ＝０、ｍ＝１、ｎ＝１である化合物（１−ｃ−１、１−ｃ−３および１−ｃ−５）の例を［表９］、［表１１］および［表１３］に示した。式（１）で表される化合物のうち、ｐ＝１、ｍ＝１、ｎ＝１である化合物（１−ｃ−２、１−ｃ−４、１−ｃ−６および１−ｃ−７）の例を［表１０］、［表１２］、［表１４］および［表１５］に示した。［実施例１］〜［実施例１７］で得られる化合物（１−ａ−１−７、１−ａ−２−７、１−ａ−３−２、１−ｂ−１−７、１−ｂ−１−１２、１−ｂ−１−１６、１−ｂ−３−２、１−ｂ−３−３、１−ｂ−３−７、１−ｂ−３−２４、１−ｂ−５−２、１−ｃ−１−７、１−ｃ−３−２、１−ｃ−５−２および１−ｃ−６−２）も再掲した。

［表１］

［表２］

［表３］

［表４］

［表５］

［表６］

［表７］

［表８］

［表９］

［表１０］

［表１１］

［表１２］

［表１３］

［表１４］

［表１５］

本発明の代表的組成の一例を以下に示す。物性値の測定方法は後述する方法に従った。

液晶性化合物の物性値を測定する試料としては、化合物そのものを試料とする場合、化合物を母液晶と混合して試料とする場合の２種類がある。

化合物を母液晶と混合した試料を用いる後者の場合には、以下の方法で測定を行う。まず、得られた液晶性化合物１５重量％と母液晶８５重量％とを混合して試料を作製する。そして、得られた試料の測定値から、下記式に示す式に示す外挿法にしたがって、外挿値を計算する。この外挿値をこの化合物の物性値とする。

〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量％〉×〈母液晶の測定値〉）／〈液晶性化合物の重量％〉
液晶性化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出する場合には、液晶性化合物と母液晶との割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更をしていき、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出しなくなった組成で試料の物性値を測定し上記式にしたがって外挿値を求めて、これを液晶性化合物の物性値とする。

上記測定に用いる母液晶としては様々な種類が存在するが、例えば、母液晶Ａの組成は以下のとおりである。
母液晶Ａ：

組成物Ａの物性値は次のとおりであった。上限温度（ＮＩ）＝７４．６℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０８７；誘電率異方性（Δε）＝−１．３。

この組成物Ａに実施例１に記載の４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４′−オクタ−３，７−ジエニル−ビフェニルを１５質量％添加して物性値を測定した。その結果、上限温度（ＮＩ）＝２５．３℃；光学異方性（Δｎ）＝０．１５７；誘電率異方性（Δε）＝−５．３９であった。

［比較例１］
４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−フェニル）−４′−プロピル−ビシクロヘキシル（ｓ−１）を合成し、この化合物の１５％と母液晶Ａの８５％とからなる組成物を調製し、［実施例１］と同様にして物性値を測定した。その結果、この化合物のΔｎは０．１１４となり、本願実施例２（１−ｂ−３−２）、実施例３（１−ｂ−４−２）および実施例４（１−ｂ−５−２）の化合物の方が大きなΔｎを有することが分かった。

［比較例２］
４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−フェニル）−４′−ビニル−ビシクロヘキシル（ｓ−２）を合成し、この化合物の１５％と母液晶Ａの８５％とからなる組成物を調製し、［実施例１］と同様にして物性値を測定した。その結果、この化合物のΔｎは０．１２０となり、本願実施例２（１−ｂ−３−２）、実施例３（１−ｂ−４−２）および実施例４（１−ｂ−５−２）の化合物の方が大きなΔｎを有することが分かった。

［比較例３］
４−［２−（４′−オクタ−３，７−ジエニル−ビシクロヘキシル−４−イル）−エチル−フェニル−ビフェニル（ｓ−３）および（ｓ−４）を合成し、この化合物の１５％と組成物Ａの８５％とからなる組成物を調製し、物性値の測定を試みた。しかし、負の誘電率異方性値を示さないためか、物性値を測定することができなかった。よって、これらの化合物を用いても、負の誘電率異方性を有する液晶組成物は調製できないことが分かった。

［比較例４］
４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４′−ペンチル−ビフェニル（ｓ−５）を合成し、この化合物の１５％と母液晶Ａの８５％とからなる組成物を調製し、［実施例１］と同様にして物性値を測定した。その結果、この化合物の弾性定数比（Ｋ_３３／Ｋ_１１）は１．１５０、ネマチック相の上限温度（ＮＩ）は８．６℃であり、本願実施例１（１−ａ−３−２）の化合物の方がいずれも大きな値（Ｋ_３３／Ｋ_１１=１．３５０、ＮＩ=２５．３℃）を有することが分かった。

［比較例５］
４−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４″−ペンチル−［１，１‘；４’１“］ターフェニル（ｓ−６）を合成し、この化合物の１５％と母液晶Ａの８５％とからなる組成物を調製し、［実施例１］と同様にして物性値を測定した。その結果、この化合物の弾性定数比（Ｋ_３３／Ｋ_１１）は１．４０５となり、本願実施例２（１−ｂ−３−２）の化合物の値（１．８８３）および実施例４（１−ｂ−５−２）の化合物の方が大きな値（１．５１５）有することが分かった。

さらに本発明の代表的な組成物を［組成物例１］〜［組成物例９］にまとめた。最初に、組成物の成分である化合物とその量（質量％）を示した。化合物は［表１６］の取り決めに従い、左末端基、結合基、環構造、および右末端基の記号によって表示した。１，４−シクロヘキシレンの立体配置はトランスである。末端基の記号がない場合は、末端基が水素であることを意味する。次に組成物の物性値を示した。

［表１６］ 記号を用いた化合物の表記方法

特性値の測定は下記の方法にしたがって行うことができる。それらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

転移温度（℃）：次のいずれかの方法で測定した。１）偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料が相変化したときの温度を測定した。２）パーキンエルマー社製走査熱量計ＤＳＣ−７システムを用い３℃／分速度で測定した。

結晶はＣと表した。結晶の区別がつく場合は、それぞれＣ_１またはＣ_２と表した。スメクチック相はＳと表した。結晶はＮと表した。液体（アイソトロピック）はＩｓｏと表した。ネマチック相はＮと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＢ相、スメクチックＣ相またはスメクチックＡ相の区別がつく場合は、それぞれＳ_Ｂ、Ｓ_ＣまたはＳ_Ａと表した。転移温度の表記として、「Ｃ ５０．０ Ｎ １００．０ Ｉｓｏ」とは、結晶からネマチック相への転移温度（ＣＮ）が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への転移温度（ＮＩ）が１００．０℃であることを示す。他の表記も同様である。

ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。

ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）：ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶（またはスメクチック相）に変化したとき、Ｔ_Ｃを＜−２０℃と記載する。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

化合物の相溶性：類似の構造を有する幾つかの化合物を混合してネマチック相を有する母液晶を調製した。測定する化合物とこの母液晶とを混合した組成物を得た。混合する割合の一例は、１５％の化合物と８５％の母液晶である。この組成物を−２０℃、−３０℃のような低い温度で３０日間保管した。この組成物の一部が結晶（またはスメクチック相）に変化したか否かを観察した。必要に応じて混合する割合と保管温度とを変更した。このようにして測定した結果から、結晶（またはスメクチック相）が析出する条件および結晶（またはスメクチック相）が析出しない条件を求めた。これらの条件が相溶性の尺度である。

粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定にはＥ型回転粘度計を用いた。

回転粘度（γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：
測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍのＶＡ素子に試料を入れた。この素子に３０ボルトから５０ボルトの範囲で１ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算に必要な誘電率異方性は、下記の誘電率異方性で測定した値を用いた。

光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビング（rubbing）したあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。試料が組成物のときはこの方法によって光学異方性を測定した。試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあと光学異方性を測定した。化合物の光学異方性は外挿値である。

誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあと誘電率異方性を測定した。化合物の誘電率異方性は外挿値である。
よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板から、間隔（セルギャップ）が２０μｍであるＶＡ素子を組み立てた。
同様の方法で、ガラス基板にポリイミドの配向膜を調製した。得られたガラス基板の配向膜にラビング処理をした後、２枚のガラス基板の間隔が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子を組み立てた。
得られたＶＡ素子に試料（液晶性組成物、または液晶化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。
また、得られたＴＮ素子に試料（液晶性組成物、または液晶化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。
誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥の式から計算した。
この値が負である組成物が、負の誘電率異方性を有する組成物である。

しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）：試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあとしきい値電圧を測定した。化合物のしきい値電圧は外挿値である。
２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が約９μｍであり、ホメオトロピック配向に処理したノーマリーブラックモード（normally black mode）の液晶表示素子に試料を入れた。この素子に周波数が３２Ｈｚである矩形波を印加した。矩形波の電圧を上昇させ、素子を通過する光の透過率１０％になったときの電圧の値を測定した。

電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃で測定；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は６μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。

［組成例１］
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ａ−３−２） １５％

３−ＨＨ−４ １２％
３−ＨＨ−Ｖ １２％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １１％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １１％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １２％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １２％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １５％
ＮＩ＝７５．４℃；Δｎ＝０．１１６；η＝２７．１ｍＰａ・ｓ；Δε＝−４．１．

［組成例２］
Ｖ２Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ１Ｖ （１−ｂ−３−７） ５％
１Ｖ２Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ｂ−３−２４） ５％
Ｖ２Ｖ２−ＢＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ｂ−５−２） ５％

３−ＨＨ−Ｖ １５％
３−ＨＨ−Ｖ１ ７％
Ｖ−ＨＨＢ−１ ５％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １９％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １９％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２ １０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２ １０％

［組成例３］
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ａ−３−２） １０％
Ｖ２Ｖ−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ａ−１−７） １０％
Ｖ２Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ｂ−３−２） ５％
Ｖ２Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２ （１−ｂ−３−３） ５％

３−ＨＨ−４ １０％
３−ＨＢ−Ｏ２ ２０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ ５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １５％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％

［組成例４］
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ａ−３−２） １５％
Ｖ２Ｖ−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ１Ｖ （１−ｂ−１−１２） １０％
１Ｖ２Ｖ−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ｂ−１−１６） １０％
Ｖ２Ｖ−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ｂ−１−７） ５％
Ｖ２Ｖ−ＨＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ｃ−４−２） ５％

３−ＨＨ−Ｖ １５％
２−Ｈ２Ｈ−３ ５％
Ｖ２−ＢＢ−１ ５％
３−ＨＨＢ−１ ５％
Ｖ２−ＨＨＢ−１ ５％
３−ＨＢＢ−２ ５％
２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３ ５％
１−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−２Ｖ ５％
５−ＨＢＢ（３Ｆ）Ｂ−２ ５％

［組成例５］
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ａ−３−２） １５％
Ｖ２Ｖ−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ａ−１−７） １５％
Ｖ２Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ１Ｖ （１−ｂ−３−７） １０％
Ｖ２Ｖ−ＨＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ｃ−４−２） ５％
Ｖ２Ｖ−ＨＢＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ｃ−５−２） ５％
Ｖ２Ｖ−ＨＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ｃ−１−７） ５％

３−ＨＨ−５ ９％
３−ＨＨ−Ｖ １０％
３−ＨＨ−Ｏ１ ５％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ ５％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−３ ５％
３−ＨＨＥＨ−３ ３％
３−ＨＨＥＨ−５ ３％
３−ＨＨＥＢＨ−３ ５％

［組成例６］
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ａ−３−２） １５％

３−ＨＨ−Ｖ １５％
３−ＨＨＢ−１ ５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ １０％
Ｖ２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−１ ５％
５−ＨＢＢ（３Ｆ）Ｂ−２ ５％
３−ＨＨＥＢＨ−３ ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３ ５％
上記組成物１００部に光学活性化合物（Ｏｐ−０５）を０．２５部添加したときのピッチは６１．０μｍであった。

［組成例７］
Ｖ２Ｖ−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ａ−１−７） １０％
１Ｖ２Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ｂ−３−２４） １０％
Ｖ２Ｖ２−ＢＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ｂ−５−２） ５％
Ｖ２Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ｂ−３−２） １０％

２−ＨＨ−５ ５％
３−ＨＨ−Ｖ １０％
３−ＨＨ−Ｖ１ ５％
３−ＨＨＢ−１ １０％
２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３ ５％
５−ＨＢＢ（３Ｆ）Ｂ−２ ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２ １０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２ ５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２ ５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２ ５％

［組成例８］
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ａ−３−２） １２％
Ｖ２Ｖ−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ａ−１−７） １０％
Ｖ２Ｖ−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ１Ｖ （１−ｂ−１−１２） ５％
１Ｖ２Ｖ−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ｂ−１−１６） ５％
Ｖ２Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ｂ−３−２） ５％

３−ＨＢＢ−２ １０％
２−ＢＢＢ（２Ｆ）−３ ５％
２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３ ５％
５−ＨＢＢ（３Ｆ）Ｂ−２ ５％
３−ＨＨＥＢＨ−３ ７％
３−ＨＨＥＢＨ−５ ５％
３−ＨＢ（２Ｃｌ，３Ｆ）−Ｏ２ ７％
５−ＨＢ（２Ｃｌ，３Ｆ）−Ｏ２ ７％
３−ＨＨＢ（２Ｃｌ，３Ｆ）−Ｏ２ ５％
３−ＨＢＢ（２Ｃｌ，３Ｆ）−Ｏ２ ７％

［組成例９］
Ｖ２Ｖ２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ａ−３−２） １０％
Ｖ２Ｖ−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−ａ−１−７） １０％
Ｖ２Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ１Ｖ （１−ｂ−３−７） ５％
Ｖ２Ｖ−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ１Ｖ （１−ｂ−１−１２） ５％

５−ＨＨ−Ｖ １５％
５−ＨＢＢ（３Ｆ）Ｂ−２ ５％
３−ＨＨＥＢＨ−３ ５％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２ １０％
３−ＨＢ（２Ｃｌ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２ ５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５％

Claims (24)

1. 式（１）で表される化合物。
   

   

   
   ［式中、Ｒ^１は水素、炭素数１〜５のアルキル、または炭素数２〜５のアルケニルであり；
   環Ａ^１、環Ａ^２および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり、これらの環において任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−により置き換えられていてもよく；
   Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であり；
   Ｚ^３が単結合である場合は、環Ａ^１、環Ａ^２および環Ａ^３のうち少なくとも１つは、１，４−フェニレンであり；
   Ｌ^１およびＬ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
   Ｘ^１は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数１〜１０のアルコキシ、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数２〜１０のアルケニルオキシであり；
   ｍ、ｎは独立に０または１であり、ｐは０、１または２である。］
2. 環Ａ^１、環Ａ^２および環Ａ^３が独立して、１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり、これらの環において任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−により置き換えられていてもよく、環Ａ^１、環Ａ^２および環Ａ^３のうち少なくとも１つは１，４−フェニレンであり；
   Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３がいずれも単結合である、請求項１に記載の化合物。
3. Ｌ^１およびＬ^２がいずれもフッ素である、請求項１または２に記載の化合物。
4. Ｌ^１およびＬ^２の一方が塩素であり、他方がフッ素である、請求項１または２に記載の化合物。
5. 式（１−ａ）、（１−ｂ）および（１−ｃ）のいずれか１つで表される請求項１に記載の化合物。
   

   

   
   ［式中、Ｒ^１は水素または炭素数１〜３のアルキルであり；
   環Ａ^１および環Ａ^２は独立して、１，４−フェニレンまたは１，４−シクロヘキシレンであり；
   Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−であり；
   Ｌ^１およびＬ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
   Ｘ^１は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数１〜１０のアルコキシ、炭素数２〜１０のアルケニル、または炭素数２〜１０のアルケニルオキシであり；
   ｐは０または１である。］
6. Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３がいずれも単結合である、請求項５に記載の化合物。
7. Ｌ^１およびＬ^２がいずれもフッ素である、請求項５または６に記載の化合物。
8. Ｌ^１およびＬ^２の一方が塩素であり、他方がフッ素である、請求項５または６に記載の化合物。
9. 式（１−１）〜（１−６）のいずれか１つの式で表される請求項１に記載の化合物。
   

   

   
   

   

   
   

   

   
   ［式中、Ｒ^１は水素、メチルまたはエチルであり；
   Ｌ^１およびＬ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
   Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
10. 式（１−７）〜（１−２４）のいずれか１つの式で表される請求項５に記載の化合物。
    

    

    
    

    

    
    

    

    
    

    

    
    

    

    
    ［式中、Ｒ^１は水素、メチルまたはエチルであり；
    Ｌ^１およびＬ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
    Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
11. 式（１−２５）〜（１−２８）のいずれか１つの式で表される請求項１に記載の化合物。
    

    

    
    

    

    
    ［式中、Ｒ^１は水素またはメチルであり；
    Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
12. 式（１−２９）〜（１−３４）のいずれか１つの式で表される請求項５に記載の化合物。
    

    

    
    ［式中、Ｒ^１は水素またはメチルであり；
    Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
13. 式（１−３５）〜（１−４０）のいずれか１つの式で表される請求項１に記載の化合物。
    

    

    
    

    

    
    ［式中、Ｒ^１は水素、メチルまたはエチルであり；
    Ｌ^１およびＬ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
    Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
14. 式（１−４１）〜（１−４９）のいずれか１つの式で表される請求項５に記載の化合物。
    

    

    
    

    

    
    

    

    
    ［式中、Ｒ^１は水素、メチルまたはエチルであり；
    Ｌ^１およびＬ^２は独立して、フッ素または塩素であり；
    Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
15. 式（１−５０）〜（１−５３）のいずれか１つの式で表される請求項１に記載の化合物。
    

    

    
    ［式中、Ｒ^１は水素またはメチルであり；
    Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
16. 式（１−５４）〜（１−５６）のいずれか１つの式で表される請求項５に記載の化合物。
    

    

    
    ［式中、Ｒ^１は水素またはメチルであり；
    Ｘ^１は炭素数１〜５のアルコキシまたは炭素数２〜５のアルケニルオキシである。］
17. 請求項１〜１６のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする、２成分以上からなる液晶組成物。
18. 請求項１〜１６のいずれか１項に記載される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物からなる第一成分、および式（２）、（３）および（４）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物からなる第二成分とを含有する誘電率異方性が負である液晶組成物。
    

    

    
    ［式中、Ｒ^２およびＲ^３は独立して、炭素数１〜１０のアルキルであり、アルキルにおいて、相隣接しない−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、相隣接しない−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、水素はフッ素で置き換えられていてもよく；
    環Ｂ、環Ｄ、環Ｅおよび環Ｆは独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン、または環上の１つの水素がハロゲンで置き換えられていてもよい１，４−フェニレンであるが、これら６員環中の−（ＣＨ_２）−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、また−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き換えられていてもよく；
    Ｚ^４、Ｚ^５およびＺ^６は独立して、単結合、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、または−ＣＨ_２Ｏ−である。］
19. 式（５）、（６）、（７）および（８）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物からなる第三成分を含有する請求項１７または１８に記載の誘電率異方性値が負である液晶組成物。
    

    

    
    ［式中、Ｒ^４およびＲ^５は独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル、または炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルにおいて、相隣接しない−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、水素はフッ素で置き換えられていてもよく；
    環Ｊ、環Ｋおよび環Ｍは独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン、または環上の１つまたは２つの水素がハロゲンで置き換えられていてもよい１，４−フェニレンであり、これら６員環中の−（ＣＨ_２）−は−Ｏ−で置き換えられていてもよく、また−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き換えられていてもよく；
    Ｚ^７、Ｚ^８およびＺ^９は独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＨ_２Ｏ−であり；
    Ｌ^３、Ｌ^４、Ｌ^５およびＬ^６は独立して、フッ素または塩素であり；
    ｑ、ｒおよびｓは、独立して０、１、または２であるが、ｑ＋ｒ＋ｓは１、２または３であり、ｔは０、１または２である。］
20. 第三成分が、式（９）、（１０）、（１１）、（１２）および（１３）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物からなることを特徴とする請求項１７または１８に記載の液晶組成物。
    

    

    
    [式中、Ｒ^６は、炭素数１〜８の直鎖アルキル、または炭素数２〜８の直鎖アルケニルであり；
    Ｒ^７は、炭素数１〜８の直鎖アルキル、炭素数２〜８の直鎖アルケニル、または炭素数１〜７のアルコキシであり；
    Ｚ^１０は、単結合または−ＣＨ₂ＣＨ₂−であり；
    Ｌ^７およびＬ^８は、いずれもフッ素であるか、または一方がフッ素で他方が塩素である。]
21. 液晶組成物の全重量に基づいて、第一成分の含有割合が５〜８０重量％であり、第二成分の含有割合が１０〜８０重量％であり、第三成分の含有割合が１０〜８０重量％であり、誘電率異方性値が負である請求項１９または２０に記載の液晶組成物。
22. 少なくとも１つの光学活性化合物をさらに含有し、誘電率異方性値が負である請求項１７〜２１のいずれか１項に記載の液晶組成物。
23. 少なくとも１つの酸化防止剤および／または紫外線吸収剤を含み、誘電率異方性値が負である請求項１７〜２２のいずれか１項に記載の液晶組成物。
24. 請求項１７〜２３のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。