JP2008257131A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランク用の基板であって、
   前記基板は、主表面と該主表面の周縁に形成された端面とを有し、該端面は、前記基板の側面と、該側面と前記主表面との間に介在する面取り面とを含み、
   前記面取り面のうち少なくとも前記薄膜を成膜する主表面と連続する面取り面の平坦度が、５０μｍ以下であることを特徴とするマスクブランク用基板。
2. 前記面取り面のうち少なくとも前記薄膜を成膜する主表面と連続する面取り面の表面粗さが、算術平均表面粗さ（Ｒａ）で２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板。
3. 前記面取り面の平坦度は、前記基板の丸みをつけた角部の面取り部分およびその角部の面取り部分と前記面取り面との境界近傍を除いた面取り面の領域で測定される平坦度であることを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランク用基板。
4. 前記面取り面の平坦度は、面取り面の長手方向の両端から５ｍｍの幅を面取り面の全面から除いた領域で測定される平坦度であることを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランク用基板。
5. 前記面取り面は、その面取り面の高さが中心領域から周縁部に向かって漸次低くなる凸形状を有することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載のマスクブランク用基板。
6. 請求項１乃至５の何れか一に記載のマスクブランク用基板の主表面上に、転写パターンを形成するための薄膜が形成されていることを特徴とするフォトマスクブランク。
7. 前記基板の面取り面上に導電性を有する薄膜が形成されていることを特徴とする請求項６に記載のフォトマスクブランク。
8. 前記薄膜上にレジスト膜を有することを特徴とする請求項６又は７に記載のフォトマスクブランク。
9. 請求項１乃至５の何れか一に記載のマスクブランク用基板の主表面上に、交互積層膜からなる多層反射膜と、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
10. 請求項６乃至８の何れか一に記載のフォトマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成してなることを特徴とするフォトマスク。
11. 請求項９に記載の反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンを形成してなることを特徴とする反射型マスク。
12. 基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランク用の基板の製造方法であって、
    前記基板は、主表面と該主表面の周縁に形成された端面とを有し、該端面は、前記基板の側面と、該側面と前記主表面との間に介在する面取り面とを含み、
    前記面取り面のうち少なくとも前記薄膜を成膜する主表面と連続する面取り面の平坦度が５０μｍ以下となるように前記基板の端面を研磨することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
13. 研磨砥粒を含有した研磨液を供給しながら、研磨用のブラシ毛が突設された研磨ブラシと前記基板とを相対的に移動させて、前記基板の端面を研磨することを特徴とする請求項１２に記載のマスクブランク用基板の製造方法。