JP2010040643A5 - - Google Patents

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  1. 両面研磨装置を用いて、素材ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨工程と、
    該両面研磨工程により研磨された素材ウェーハの両面のうちの一方の面に、保護膜を形成する保護膜形成工程と、
    前記両面研磨装置を用いて、素材ウェーハの他方の面を仕上げ研磨する片面仕上げ研磨工程と、
    素材ウェーハの前記一方の面に形成された保護膜を除去する保護膜除去工程と
    を具えることを特徴とする両面鏡面半導体ウェーハの製造方法。
  2. 前記保護膜除去工程後に素材ウェーハの前記一方の面を、軽く研磨する片面粗さ調整研磨工程をさらに具えることを特徴とする請求項１に記載の両面鏡面半導体ウェーハの製造方法。
  3. 前記両面鏡面半導体ウェーハは、直径が４５０ｍｍ以上の大口径シリコンウェーハである請求項１または２に記載の両面鏡面半導体ウェーハの製造方法。
  4. 鏡面研磨された第１面と第２面を有し、これら第１面および第２面の表面粗さを表す１０μｍ以下の波長域のＲＭＳ値をそれぞれ、ＲＭＳ(第１面)およびＲＭＳ(第２面)としたとき、
    ＲＭＳ(第１面)およびＲＭＳ(第２面)のいずれもが５Å以下であり、かつ、
    ＲＭＳ(第１面)およびＲＭＳ(第２面)の少なくともいずれか一方が、他方よりも小さいことを特徴とする両面鏡面半導体ウェーハ。
  5. 前記両面鏡面半導体ウェーハの平坦度（ＧＢＩＲ）が、０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の両面鏡面半導体ウェーハ。
  6. 前記半導体ウェーハは、直径が４５０ｍｍ以上の大口径シリコンウェーハである請求項４または５に記載の両面鏡面半導体ウェーハ。
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