JP2008251678A - 被検査体の搬送装置及び検査装置 - Google Patents

被検査体の搬送装置及び検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008251678A
JP2008251678A JP2007088710A JP2007088710A JP2008251678A JP 2008251678 A JP2008251678 A JP 2008251678A JP 2007088710 A JP2007088710 A JP 2007088710A JP 2007088710 A JP2007088710 A JP 2007088710A JP 2008251678 A JP2008251678 A JP 2008251678A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
arm
semiconductor wafer
storage chamber
inspection
transfer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007088710A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4767896B2 (ja
JP2008251678A5 (ja
Inventor
Tadashi Obikane
正 帯金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2007088710A priority Critical patent/JP4767896B2/ja
Priority to CN2008100088337A priority patent/CN101276771B/zh
Priority to US12/049,717 priority patent/US8905700B2/en
Priority to KR1020080027397A priority patent/KR100978408B1/ko
Priority to TW097111423A priority patent/TWI430386B/zh
Publication of JP2008251678A publication Critical patent/JP2008251678A/ja
Publication of JP2008251678A5 publication Critical patent/JP2008251678A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4767896B2 publication Critical patent/JP4767896B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

【課題】低温検査済みの半導体ウエハを短時間で結露しない温度まで復帰させることができ、低温検査時間が短縮されても次の半導体ウエハを供給して低温検査を円滑に実行することができる半導体ウエハの搬送装置を提供する。
【解決手段】本発明のウエハ搬送装置１７は、搬送アーム１７Ａが出入する出入口１７Ｆを有するアーム収納室１７Ｅを備え、アーム収納室１７Ｅに乾燥空気を異なる位置から供給するガス噴出口２３Ａ及び第３の配管２３Ｇを有するガス供給手段２３を設け、ガス噴出口２３Ａから搬送アーム１７Ａによってアーム収納室１７Ｅ内に搬入される半導体ウエハＷに向けて乾燥空気を供給するように構成されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、被検査体の搬送装置及び検査装置に関し、更に詳しくは、半導体ウエハ等の被検査体の低温検査に用いられる被検査体の搬送装置及び検査装置に関するものである。
従来のこの種の検査装置は、通常、被検査体（例えば、半導体ウエハ）の低温検査を行うプローバ室と、プローバ室に隣接するローダ室と、を備えている。プローバ室は、半導体ウエハを載置し且つ半導体ウエハの温度を調節できるウエハチャックと、ウエハチャックの上方に配置されたプローブカードと、プローブカードの複数のプローブと半導体ウエハの複数の電極パッドとのアライメントを行うアライメント機構と、を備え、半導体ウエハのアライメント後に、ウエハチャック上で−数１０℃の低温に設定された半導体ウエハとプローブカードのプローブとを電気的に接触させて所定の低温検査を行う。ローダ室は、複数の半導体ウエハをカセット単位で収納する収納部と、カセットとプローバ室との間で半導体ウエハを搬送する搬送アームを有する搬送装置と、を備え、搬送アームでカセット内の半導体ウエハを一枚ずつ取り出し、プリアライメントした後、プローバ室へ搬送し、検査済みの半導体ウエハをプローバ室からカセット内の元の場所へ搬送する。
プローバ室では低温で検査を行うため、例えば特許文献１に記載されている半導体ウエハで結露、氷結しないように低温検査に見合った低露点の乾燥空気をプローバ室内に供給し、プローバ室内の検査環境を低露点に維持している。プローバ室内で低温検査を終了すると、搬送アームを介してプローバ室内のウエハチャックからローダ室へ検査済みの半導体ウエハを搬出し、カセット内へ戻している。この際、特許文献１の検査装置の場合にはプローバ室の低露点環境からそのような対策が採られていないローダ室のカセットへ検査済みの半導体ウエハを搬送するため、半導体ウエハがカセットへ搬入されるまでの間に結露、氷結する。このローダ室内及びカセット内は通常クリーンルームに準じた環境、例えば温度２５℃、湿度５０％（露点：１３℃）の環境に維持されている。
カセット内での半導体ウエハにおける結露、氷結を防止するために、プローバ室内でスリーピンを用いて半導体ウエハをウエハチャックから浮かせ、ローダ室内で半導体ウエハに結露しない温度（露点）に戻るまで半導体ウエハを所定時間待機させ、ウエハ温度が露点に達した時点で、搬送アームによってウエハチャック上の半導体ウエハをローダ室のカセット内へ戻している。これでは、ウエハ温度が露点に達するまで相当の待機時間が必要である。
そこで、ウエハ搬送装置に低露点環境を持った空間を設け、ウエハチャックでの待機時間をなくし、ウエハ搬送装置の低露点環境に検査済みの半導体ウエハをそのまま搬入してウエハ温度をカセット内で結露しない温度まで復帰させるようにしている。
特許３３８８２７１
しかしながら、ウエハ搬送装置に低露点環境を設けたとしても、カセット内の環境はクリーンルーム内の環境に近いため、低温検査済みの半導体ウエハをカセット内に戻すためには、ウエハ温度がカセット内の露点に復帰するまで低露点環境で所定時間だけ待機させなくてはならない。最近では低温検査時間が短縮する傾向にあるため、低露点環境でウエハ温度がカセット内の露点まで復帰する時間を待機させていては次の半導体ウエハの供給が間に合わなくなることがある。また、低露点環境で待機させる時間をその都度設定する必要がある。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、低温検査済みの被検査体を、通常の搬送時間内の短時間で結露しない温度まで復帰させることができ、低温検査時間が短縮されても検査済みの被検査体を待機させることなくそのままもとの場所へ戻し、次の被検査体を供給して低温検査を円滑に実行することができる被検査体の搬送装置及び検査装置を提供することを目的としている。
本発明の請求項１に記載の被検査体の搬送装置は、低温検査を行う検査室へ被検査体を搬送する搬送アームを備えた搬送装置であって、上記搬送装置は、上記搬送アームが出入する出入口を有するアーム収納室を備え、上記アーム収納室に低露点ガスを異なる位置から供給する第１、第２の供給部を有するガス供給手段を設け、第１の供給部から上記搬送アームによって上記アーム収納室内に搬入される上記被検査体に向けて低露点ガスを供給することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項２に記載の被検査体の搬送装置は、請求項１に記載の発明において、上記第１の供給部は、上記アーム収納室の出入口の近傍に設けられていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項３に記載の被検査体の搬送装置は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記第２の供給部は、上記アーム収納室の出入口の奥側に設けられていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項４に記載の被検査体の搬送装置は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記低露点ガスは、乾燥空気であることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項５に記載の検査装置は、被検査体の低温検査を行う検査室と、この検査室へ上記被検査体を搬送する搬送アームを有する搬送装置が設けられた搬送室と、を備えた検査装置において、上記搬送装置は、上記搬送アームが出入する出入口を有するアーム収納室を備え、上記アーム収納室に低露点ガスを異なる位置から供給する第１、第２の供給部を有するガス供給手段を設け、第１の供給部から上記搬送アームによって上記アーム収納室内に搬入される上記被検査体に向けて低露点ガスを供給することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項６に記載の検査装置は、請求項５に記載の発明において、上記第１の供給部は、上記アーム収納室の出入口の近傍に設けられていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項７に記載の検査装置は、請求項５または請求項６に記載の発明において、上記第２の供給部は、上記アーム収納室の出入口の奥側に設けられていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項８に記載の検査装置は、請求項５〜請求項７のいずれか１項に記載の発明において、上記搬送室は、少なくとも上記搬送装置が設置されている空間を囲む壁面が気密構造になっていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項９に記載の検査装置は、請求項５〜請求項８のいずれか１項に記載の発明において、上記低露点ガスは、乾燥空気であることを特徴とするものである。
本発明によれば、低温検査済みの被検査体を、通常の搬送時間内の短時間で結露しない温度まで復帰させることができ、低温検査時間が短縮されても検査済みの被検査体を待機させることなくそのままもとの場所へ戻し、次の被検査体を供給して低温検査を円滑に実行することができる被検査体の搬送装置及び検査装置を提供することができる。
以下、図１〜図３に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。尚、各図中、図１は本発明の検査装置の一実施形態の構成を示す平面図、図２は図１に示す検査装置の搬送室内部の側面を示す構成図、図３の（ａ）、（ｂ）はそれぞれ検査直後の半導体ウエハ各部位の温度を測定する状態を示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図である。
本実施形態の検査装置１０は、例えば図１に示すように、−数１０℃（例えば、−３０℃）の低温で被処理体（例えば、半導体ウエハ）の電気的特性検査を行う検査室（プローバ室）１１と、プローバ室１１に隣接し半導体ウエハを搬送する搬送室（ローダ室）１２と、を備えている。尚、図１では左が検査装置１０の正面である。
プローバ室１１は、図１に示すように、半導体ウエハＷを載置し且つ半導体ウエハＷの温度を調節する温度調節機構を内蔵する移動可能なウエハチャック１３と、このウエハチャック１３の上方に配置されたプローブカード１４と、このプローブカード１４の複数のプローブ（図示せず）とウエハチャック１３上の半導体ウエハＷとのアライメントを行うアライメント機構１５と、を備え、内部が低露点の乾燥空気の雰囲気として形成され、低温検査を行っている時に半導体ウエハＷで結露、氷結しないように構成されている。尚、アライメント機構１５は、ウエハチャック１３上の半導体ウエハＷを撮像するカメラ１５Ａと、カメラ１５Ａが取り付けられたアライメントブリッジ１５Ｂと、アライメントブリッジ１５Ｂを初期位置とプローブセンタ（プローブカードの中心の真下）との間で移動案内する一対のガイドレール１５Ｃと、を有している。
従って、プローバ室１１では、制御装置の制御下で、ウエハチャック１３を例えば−３０℃の低温まで冷却し、低温のウエハチャック１３によって半導体ウエハＷを冷却した後、アライメント機構１５を介してウエハチャック１３上の半導体ウエハＷとプローブカード１４の複数のプローブとのアライメントを行う。その後、ウエハチャック１３がＸ、Ｙ及びＺ方向へ移動して、半導体ウエハＷの電極パッドとこれらに対応する複数のプローブとが電気的に接触して半導体ウエハＷの電気的特性検査を行う。
而して、ローダ室１２は、図１に示すように、複数の半導体ウエハが収納されたカセットＣを載置する前後２つの第１、第２のロードポート１６Ａ、１６Ｂと、第１、第２のロードポート１６Ａ、１６Ｂの間に配置された搬送アーム１７Ａを有するウエハ搬送装置１７（図２参照）と、を備え、ウエハ搬送装置１７等の各種の機器が制御装置（図示せず）の制御下で駆動するように構成されている。本実施形態ではカセットＣとして例えばＦＯＵＰ(Front Opening Unified Pot)を使用する。
また、図２に示すように、第１、第２のロードポート１６Ａ、１６Ｂは、基板１２Ａ及び隔壁１２Ｂによってウエハ搬送装置１７から区画して形成されている。これらのロードポート１６Ａ、１６Ｂの隔壁１２Ｂ、１２Ｂには、それぞれＦＯＵＰの蓋を自動的に開閉するオープナー１８Ａが設けられている。また、第１のロードポート１６Ａの下方の空間にはバッファテーブル１９とウエハテーブル２０が上下に配置されている。第２のロードポート１６Ｂの下方の空間には半導体ウエハＷのプリアライメントを行うサブチャック２１とウエハの識別情報を読み取る情報読取装置２２が設けられ、搬送アーム１７Ａで半導体ウエハＷをプローバ室１１へ搬送する前に、サブチャック２１を介して半導体ウエハＷをプリアライメントすると共に情報読取装置２２を介してウエハ情報を読み取るようにしている。
上記の各種の機器１９〜２２が設置された空間は、ウエハ搬送装置１７が設置された空間と一体で、第１、第２のロードポート１６Ａ、１６Ｂやその他の空間から図２において太線で示すように基板１２Ａ、隔壁１２Ｂ等の隔壁によって気密状態を保って区画されている。従って、ウエハ搬送装置１７の設置空間は、第１、第２のロードポート１６Ａ、１６Ｂ等から完全に遮蔽されている。
前後の第１、第２のロードポート１６Ａ、１６Ｂは、図２に示すように互いに同一構成を有し、ウエハ搬送装置１７を挟んで互いに向かい合って配置されている。従って、以下では前方（各図では左方）の第１のロードポート１６Ａについて説明する。第１のロードポート１６Ａは、例えば図２に示すように、カセットＣを載置するターンテーブル及びその回転駆動機構（共に図示せず）を有し、基板１２Ａ上に配置されている。第１のロードポート１６Ａでは、カセットＣがターンテーブルを介して回転し、その搬出入口をウエハ搬送装置１７に向けるようになっている。
本実施形態のウエハ搬送装置１７は、図２に示すように、半導体ウエハＷを搬送するために基板１２Ｂ上で前後方向に移動する搬送アーム１７Ａと、基板１７Ｂの下側に設けられ且つ基板１７Ｂを介して搬送アーム１７Ａを回転させる回転駆動機構（図示せず）を収納する収納部１７Ｃと、収納部１７Ｃと一緒に搬送アーム１７Ａを昇降させる昇降駆動機構１７Ｄと、を有している。また、基板１７Ｂ上面には搬送アーム１７Ａを収納するアーム収納室１７Ｅが設けられている。このアーム収納室１７Ｅの前面には搬送アーム１７Ａが出入する出入口１７Ｆが形成され、搬送アーム１７Ａは半導体ウエハＷを授受する時にこの出入口１７Ｆから出入するようになっている。この搬送アーム１７Ａは、図２に示すように上下二段のアームによって構成されている。一方のアームは半導体ウエハＷをプローバ室１１へ引き渡す時に使用され、他方のアームは検査済みの半導体ウエハＷをプローバ室１１から引き取る時に使用される。
また、ウエハ搬送装置１７にはアーム収納室１７Ｅ内に低露点のガス（例えば、乾燥空気）を供給するガス供給手段２３が設けられている。このガス供給手段２３は、アーム収納室１７Ｅの上面で、その出入口１７Ｆの近傍に設けられた第１の供給部（複数のガス噴出口）２３Ａと、こられのガス噴出口２３Ａに乾燥空気を分配する分配器２３Ｂと、この分配器２３Ｂに第１の配管２３Ｃを介して接続されたソレノイドバルブ２３Ｄと、ソレノイドバルブ２３Ｄに第２の配管２３Ｅを介して接続された乾燥空気源２３Ｆと、ソレノイドバルブ２３Ｄとアーム搬送室１７Ｅを接続し且つアーム収納室１７Ｅの奥側に第２の供給部として配置された第３の配管２３Ｇと、を有している。
低温検査時には、ソレノイドバルブ２３Ｄによって第３の配管２３Ｇを開放し、第３の配管２３Ｇからアーム収納室１７Ｅ内へ乾燥空気を供給し、アーム収納室１７Ｅ内が乾燥空気によって常に低露点環境になっている。低温検査済みの半導体ウエハＷを搬送アーム１７Ａでアーム収納室１７Ｅ内に搬入する時には、制御装置でソレノイドバルブ２３Ｄを制御することによってガス噴出口２３Ａ及び／または第３の配管２３Ｇからアーム収納室１７Ｅ内に乾燥空気を供給し、アーム収納室１７Ｅの出入口１７Ｆから外部へ乾燥空気を円滑に排出するようにしてある。ウエハ搬送装置１７の設置空間は、第３の配管２３Ｇから乾燥空気を供給するまでは、例えば温度２５℃、湿度５０％（露点：１３℃）のクリーンルームに準じた環境になっているが、第３の配管２３Ｇ等から乾燥空気を供給することによって露点が１３℃より低く、後述のように例えば９℃程度まで低下する。
半導体ウエハＷの低温検査の時間は、その種類によって検査時間が異なるため、本実施形態では以下で説明するように低温検査の時間に応じてアーム収納室１７Ｅ内のガス供給手段２３からの乾燥空気の供給形態を変える。しかし、いずれの場合であっても検査済みの半導体ウエハＷを待機させることなく、通常の搬送時間内にカセットＣ内で結露しない温度までウエハ温度が上昇する。従って、アーム収納室１７Ｅ内で半導体ウエハＷを余分に待機させる必要がない。
低温検査時間がアーム収納室１７Ｅ内でウエハ温度が検査直後の温度から露点に達するまでの時間より長い場合には、第３の配管２３Ｇのみから乾燥空気をアーム収納室１７Ｅ内へ供給するだけで、アーム収納室１７Ｅ内で検査済みの半導体ウエハＷがカセットＣ内の露点までウエハ温度を上げることができる。従って、アーム収納室１７Ｅ内でウエハ温度がカセットＣ内の露点まで復帰した時点で半導体ウエハＷをカセットＣへ戻すことができる。
しかし、低温検査時間がアーム収納室１７Ｅ内でウエハ温度が検査直後の温度から露点に達するまでの時間より短い場合には、第３の配管２３Ｇだけから乾燥空気を供給してもウエハ温度は検査時間内に露点まで上がらない。この場合には、ガス供給手段２３のガス噴出口２３Ａからも搬送アーム１７Ａで保持された検査済み半導体ウエハＷに向けて乾燥空気を噴きつけて、半導体ウエハＷの温度上昇を加速させる。この場合にもプローバ室１１からカセットＣ内に半導体ウエハＷを搬送する時間内にウエハ温度をカセットＣ内の露点まで上げることができれば、待機時間を設けるまでもなく、半導体ウエハＷをカセットＣへ戻すことができる。
ガス噴出口２３Ａから乾燥空気を供給してもウエハ温度の上昇が追いつかず、プローバ室１１からカセットＣ内への半導体ウエハＷの搬送時間内にウエハ温度がカセットＣ内の露点まで上がらなければ、搬送時間内に達したウエハ温度のままアーム収納室１７ＥからカセットＣ内へ半導体ウエハＷを戻す。この場合には、ウエハ搬送装置１７の設置空間がカセットＣ内の露点１３℃よりも低い９℃前後の低露点環境になっているため、アーム収納室１７ＥからカセットＣ内へ半導体ウエハＷを戻す間に半導体ウエハＷにおいて結露することがない。また、カセットＣとしてＦＯＵＰを使用しているため、ＦＯＵＰ内もウエハ搬送装置１７の設置空間と同一環境になっているため、アーム収納室１７ＥからＦＯＵＰ内へ戻しても半導体ウエハＷにおいて結露することがない。つまり、この場合でも通常の半導体ウエハＷの搬送時間内で半導体ウエハＷを結露しない温度まで上げることができる。
従って、上述したいずれの場合でもプローバ室１１からカセットＣ内へ半導体ウエハＷを搬送する時間内でウエハ温度を半導体ウエハＷにおいて結露しない温度まで上げることができ、特別にアーム収納室１７Ｅ内で待機させる時間を設定する必要がない。
検査直後から露点に達するまでの温度変化は、例えば図３の（ａ）、（ｂ）に示すようにして測定することによって追跡することができる。図３の（ａ）に示すように半導体ウエハＷの中心及びその左右上下に温度センサＳを取り付け、温度センサＳからの測定信号をオンラインで制御装置へ送信する。制御装置では、測定信号に基づいて半導体ウエハＷの各部位の測定温度を時間の経過と共に記録し、この記録を保存する。
５箇所の温度センサＳで半導体ウエハＷの温度を測定するには、図３の（ｂ）に示すようにウエハチャック１３のスリーピン１３Ａによって半導体ウエハＷを載置面から浮上させ、搬送アーム１７Ａで半導体ウエハＷを受け取った時の測定温度を検査直後の温度として記録する。そして、搬送アーム１７Ａでアーム収納室１７Ｅ内へ半導体ウエハＷを収納する間も５箇所の温度を逐次測定し、それぞれの測定温度をオンラインで制御装置へ送信し、記憶させる。アーム収納室１７Ｅ内には第３の配管２３Ｇのみから乾燥空気を供給する場合と、第３の配管２３Ｇとガス噴出口２３Ａの双方から乾燥空気を供給する場合に分けて、半導体ウエハＷの温度変化を記録する。これらの測定データと検査時間に基づいて乾燥空気を供給するシーケンスを決めることができる。
次いで、動作について説明する。図１、図２に示すようにウエハ搬送装置１７が駆動し、搬送アーム１７Ａが第１のロードポート１６ＡのカセットＣから半導体ウエハＷを取り出した後、搬送アーム１７Ａが１８０°回転して半導体ウエハＷをサブチャック２０の設置空間へ搬送する。ここでサブチャック２１によって半導体ウエハＷのプリアライメントを行うと共に情報読取装置２２によって半導体ウエハＷを特定する。その後、搬送アーム１７Ａが９０°反時計方向へ回転して半導体ウエハＷをプローバ室１１内のウエハチャック１３へ引き渡す。この際、ウエハチャック１３は−３０℃に設定されているため、半導体ウエハＷはウエハチャック１３において冷却される。
この間に、ガス供給手段２３がウエハ搬送装置１７と一緒に駆動し、ソレノイドバルブ２３Ｄを介して第３の配管２３Ｇからアーム収納室１７Ｅ内へ乾燥空気を供給し、アーム収納室１７Ｅ内に低露点環境を作る。
プローバ室１１内でウエハチャック１３とアライメント機構１５が協働して半導体ウエハＷとプローブカード１４のプローブとのアライメントを行う。この間に半導体ウエハＷはウエハチャック１３によって−３０℃近傍の所定温度まで冷却される。アライメント後、所定の手順で半導体ウエハＷの低温検査を行う。低温検査後、搬送アーム１４Ａの一方のアームで次のプリアライメント後の半導体ウエハＷを搬送し、他方のアームでプローバ室１１内のウエハチャック１３から検査済みの半導体ウエハＷを受け取ってアーム収納室１７Ｅ内に収めた後、次の半導体ウエハＷをウエハチャック１３へ引き渡しそのアームをアーム収納室１７Ｅ内に納める。
この時、制御装置がガス供給手段２３を制御してソレノイドバルブ２３Ｄを切り換えてガス噴射口２３Ａからアーム収納室１７Ｅ内に差し掛かった半導体ウエハＷへ乾燥空気を噴きつける。これにより半導体ウエハＷが乾燥空気との温度差によってウエハ温度が徐々に上昇しながらアーム収納室１７Ｅ内に収納される。そして、通常の半導体ウエハＷの搬送時間内にウエハ温度が露点１３℃に達すれば、そのまま半導体ウエハＷをカセットＣ内に戻す。仮にウエハ温度が通常の搬送時間内に露点１３℃に達しない場合でも途中で半導体ウエハＷをアーム収納室１７ＥからカセットＣ内へ戻す。この時、ウエハ搬送装置１４の設置空間は、これまでアーム収納室１７Ｅから流出した乾燥空気によって低露点環境になっており、しかもカセットＣ内もウエハ搬送装置１７の設置環境と同一の低露点環境になっているため、アーム収納室１７ＥからカセットＣへ半導体ウエハＷを搬送しても半導体ウエハＷにおいて結露することがない。
このように半導体ウエハＷの低温検査の時間の長短によってガス供給手段２３からの乾燥空気の供給形態を変えることによって、半導体ウエハＷでの結露を確実に防止することができると共に、乾燥空気の使用量を節約することができる。
以上説明したように本実施形態によれば、ウエハ搬送装置１７は、搬送アーム１７Ａが出入する出入口１７Ｆを有するアーム収納室１７Ｅを備え、アーム収納室１７Ｅに乾燥空気を異なる位置から供給するガス噴出口２３Ａ及び第３の配管２３Ｇを有するガス供給手段２３を設け、ガス噴出口２３Ａから搬送アーム１７Ａによってアーム収納室１７Ｅ内に搬入される半導体ウエハＷに向けて乾燥空気を噴きつけるようにしたため、ガス噴出口２３Ａからの乾燥空気によってウエハ温度の上昇が加速されて半導体ウエハＷをその搬送時間内に結露しない温度まで復帰させることができ、検査済み半導体ウエハＷをローダ室１２内のカセットＣ内へ戻し、次の半導体ウエハＷをプローバ室１１へ供給して円滑に低温検査を実行することができる。また、ウエハ温度を検査済みの温度からカセットＣ内の露点温度まで通常の搬送時間内で上げることができるため、アーム収納室１７Ｅ内で半導体ウエハＷを待機させる必要がなく、待機時間をその都度設定する必要もない。
また、本実施形態によれば、ガス噴出口２３Ａをアーム収納室１７Ｅの出入口１７Ｆ近傍に設けたため、検査済み半導体ウエハＷを効率よく結露しない温度まで復帰させることができる。また、第３の配管２３Ｇのガス供給部がアーム収納室１７Ｅの奥側に配置されているため、アーム収納室１７Ｅ内に低露点環境を確実に形成することができる。
尚、本発明は上記実施形態に何等制限されるものではなく、必要に応じて各構成要素を適宜変更することができる。例えば、上記実施形態では低露点ガスとして乾燥空気を用いているが、被検査体の種類に応じて窒素等の化学的に不活性なガスを用いることもできる。
本発明は、半導体ウエハ等の被検査体の低温検査を行う検査装置に好適に利用することができる。
本発明の検査装置の一実施形態の構成を示す平面図である。 図１に示す検査装置に用いられた搬送室を示す構成図である。 （ａ）、（ｂ）はそれぞれ検査直後の半導体ウエハ各部位の温度を測定する状態を示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図である。
符号の説明
１０ 検査装置
１１ プローバ室（検査室）
１２ ローダ室（搬送室）
１７ ウエハ搬送装置
１７Ａ 搬送アーム
１７Ｅ アーム収納室
１７Ｆ 出入口
２３ ガス供給手段
２３Ａ ガス噴出口（第１の供給部）
２３Ｇ 第３の配管（第２の供給部）
Ｗ 半導体ウエハ（被検査体）

Claims (9)

  1. 低温検査を行う検査室へ被検査体を搬送する搬送アームを備えた搬送装置であって、上記搬送装置は、上記搬送アームが出入する出入口を有するアーム収納室を備え、上記アーム収納室に低露点ガスを異なる位置から供給する第１、第２の供給部を有するガス供給手段を設け、第１の供給部から上記搬送アームによって上記アーム収納室内に搬入される上記被検査体に向けて低露点ガスを供給することを特徴とする被検査体の搬送装置。
  2. 上記第１の供給部は、上記アーム収納室の出入口の近傍に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の被検査体の搬送装置。
  3. 上記第２の供給部は、上記アーム収納室の出入口の奥側に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の被検査体の搬送装置。
  4. 上記低露点ガスは、乾燥空気であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の被検査体の搬送装置。
  5. 被検査体の低温検査を行う検査室と、この検査室へ上記被検査体を搬送する搬送アームを有する搬送装置が設けられた搬送室と、を備えた検査装置において、上記搬送装置は、上記搬送アームが出入する出入口を有するアーム収納室を備え、上記アーム収納室に低露点ガスを異なる位置から供給する第１、第２の供給部を有するガス供給手段を設け、第１の供給部から上記搬送アームによって上記アーム収納室内に搬入される上記被検査体に向けて低露点ガスを供給することを特徴とする検査装置。
  6. 上記第１の供給部は、上記アーム収納室の出入口の近傍に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の検査装置。
  7. 上記第２の供給部は、上記アーム収納室の出入口の奥側に設けられていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の検査装置。
  8. 上記搬送室は、少なくとも上記搬送装置が設置されている空間を囲む壁面が気密構造になっていることを特徴とする請求項５〜請求項７のいずれか１項に記載の検査装置。
  9. 上記低露点ガスは、乾燥空気であることを特徴とする請求項５〜請求項８のいずれか１項に記載の検査装置。
JP2007088710A 2007-03-29 2007-03-29 被検査体の搬送装置及び検査装置 Active JP4767896B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007088710A JP4767896B2 (ja) 2007-03-29 2007-03-29 被検査体の搬送装置及び検査装置
CN2008100088337A CN101276771B (zh) 2007-03-29 2008-01-24 被检查体的搬送装置和检查装置
US12/049,717 US8905700B2 (en) 2007-03-29 2008-03-17 Transfer and inspection devices of object to be inspected
KR1020080027397A KR100978408B1 (ko) 2007-03-29 2008-03-25 피검사체의 반송 장치 및 검사 장치
TW097111423A TWI430386B (zh) 2007-03-29 2008-03-28 The inspection apparatus and the inspection apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007088710A JP4767896B2 (ja) 2007-03-29 2007-03-29 被検査体の搬送装置及び検査装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008251678A true JP2008251678A (ja) 2008-10-16
JP2008251678A5 JP2008251678A5 (ja) 2010-03-18
JP4767896B2 JP4767896B2 (ja) 2011-09-07

Family

ID=39794675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007088710A Active JP4767896B2 (ja) 2007-03-29 2007-03-29 被検査体の搬送装置及び検査装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8905700B2 (ja)
JP (1) JP4767896B2 (ja)
KR (1) KR100978408B1 (ja)
CN (1) CN101276771B (ja)
TW (1) TWI430386B (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011108832A (ja) * 2009-11-17 2011-06-02 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
CN103241547A (zh) * 2012-02-14 2013-08-14 精工爱普生株式会社 部件检查装置以及处理器
JP2016072356A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 東京エレクトロン株式会社 搬送方法及び検査システム
JP2016170147A (ja) * 2015-03-16 2016-09-23 セイコーエプソン株式会社 電子部品搬送装置、電子部品検査装置および結露あるいは着霜の検査方法
JP2017073543A (ja) * 2015-02-27 2017-04-13 株式会社東京精密 搬送ユニット
JP2017228789A (ja) * 2017-08-22 2017-12-28 東京エレクトロン株式会社 検査システム
TWI617819B (zh) * 2015-09-30 2018-03-11 Seiko Epson Corp Electronic component conveying device and electronic component inspection device
JP2018067719A (ja) * 2015-02-27 2018-04-26 株式会社東京精密 プローバ
US20180231582A1 (en) 2016-02-26 2018-08-16 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Transfer unit and prober
JP2019071442A (ja) * 2018-12-18 2019-05-09 東京エレクトロン株式会社 検査システム
JP2020115549A (ja) * 2016-02-26 2020-07-30 株式会社東京精密 プローバ
JP2022028823A (ja) * 2016-02-26 2022-02-16 株式会社東京精密 プローバ

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5384270B2 (ja) * 2009-09-21 2014-01-08 東京エレクトロン株式会社 ローダ
JP2013033809A (ja) * 2011-08-01 2013-02-14 Tokyo Electron Ltd ウエハ搬送装置
JP6031238B2 (ja) 2012-03-09 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査用インターフェース及びウエハ検査装置
CN103926480A (zh) * 2013-01-10 2014-07-16 致茂电子(苏州)有限公司 具有干燥环境的测试机台
CN103529652B (zh) * 2013-10-23 2015-04-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种精密测长机中冷却缓冲机构的进出片控制方法及装置
CN103792485B (zh) * 2014-02-17 2016-12-07 大唐微电子技术有限公司 自动化测试设备和测试方法
JP2016023961A (ja) * 2014-07-16 2016-02-08 セイコーエプソン株式会社 電子部品搬送装置および電子部品検査装置
JP2016023939A (ja) * 2014-07-16 2016-02-08 セイコーエプソン株式会社 電子部品搬送装置および電子部品検査装置
JP6607744B2 (ja) * 2015-09-04 2019-11-20 リンテック株式会社 供給装置および供給方法
JP6655516B2 (ja) * 2016-09-23 2020-02-26 東京エレクトロン株式会社 基板検査装置
US10978322B2 (en) * 2017-08-30 2021-04-13 Tokyo Electron Limited Transfer device, substrate processing apparatus, and transfer method
JP7018368B2 (ja) * 2018-07-12 2022-02-10 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び検査装置の清浄化方法
US10698025B2 (en) * 2018-07-20 2020-06-30 Formfactor Beaverton, Inc. Probe systems and methods that utilize a flow-regulating structure for improved collection of an optical image of a device under test
CN110767587B (zh) * 2019-10-21 2022-04-01 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种晶圆处理装置和上下料方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10289934A (ja) * 1997-02-12 1998-10-27 Tokyo Electron Ltd プローブ装置及びプローブ方法
JP2003179109A (ja) * 2001-12-13 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd プローブ装置及びローダ装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4918928A (en) * 1987-12-17 1990-04-24 Kabushiki Kaisha Kobe Seikosho Apparatus for testing IC devices at low temperature and cooling bag for use in testing IC devices at low temperature
JPH02134579A (ja) 1988-11-16 1990-05-23 Tokyo Electron Ltd 移送方法
JP3388271B2 (ja) * 1997-05-19 2003-03-17 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP4037962B2 (ja) * 1998-06-24 2008-01-23 株式会社アドバンテスト 部品試験装置
KR100448913B1 (ko) * 2002-01-07 2004-09-16 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 테스트 시스템
US6984839B2 (en) * 2002-11-22 2006-01-10 Tdk Corporation Wafer processing apparatus capable of mapping wafers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10289934A (ja) * 1997-02-12 1998-10-27 Tokyo Electron Ltd プローブ装置及びプローブ方法
JP2003179109A (ja) * 2001-12-13 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd プローブ装置及びローダ装置

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011108832A (ja) * 2009-11-17 2011-06-02 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
CN103241547A (zh) * 2012-02-14 2013-08-14 精工爱普生株式会社 部件检查装置以及处理器
KR20130093561A (ko) * 2012-02-14 2013-08-22 세이코 엡슨 가부시키가이샤 부품 검사 장치 및 핸들러
JP2013167486A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Seiko Epson Corp 部品検査装置、及び、ハンドラー
US9434555B2 (en) 2012-02-14 2016-09-06 Seiko Epson Corporation Part inspection apparatus and handler
KR102045083B1 (ko) * 2012-02-14 2019-11-14 세이코 엡슨 가부시키가이샤 부품 검사 장치 및 핸들러
JP2016072356A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 東京エレクトロン株式会社 搬送方法及び検査システム
JP2018067719A (ja) * 2015-02-27 2018-04-26 株式会社東京精密 プローバ
JP2017073543A (ja) * 2015-02-27 2017-04-13 株式会社東京精密 搬送ユニット
JP2021060412A (ja) * 2015-02-27 2021-04-15 株式会社東京精密 搬送ユニット
JP7133765B2 (ja) 2015-02-27 2022-09-09 株式会社東京精密 搬送ユニット
JP2016170147A (ja) * 2015-03-16 2016-09-23 セイコーエプソン株式会社 電子部品搬送装置、電子部品検査装置および結露あるいは着霜の検査方法
TWI617819B (zh) * 2015-09-30 2018-03-11 Seiko Epson Corp Electronic component conveying device and electronic component inspection device
US20180231582A1 (en) 2016-02-26 2018-08-16 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Transfer unit and prober
US10605829B2 (en) 2016-02-26 2020-03-31 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Transfer unit and prober
JP2020115549A (ja) * 2016-02-26 2020-07-30 株式会社東京精密 プローバ
JP2022028823A (ja) * 2016-02-26 2022-02-16 株式会社東京精密 プローバ
JP7253699B2 (ja) 2016-02-26 2023-04-07 株式会社東京精密 プローバ
JP2017228789A (ja) * 2017-08-22 2017-12-28 東京エレクトロン株式会社 検査システム
JP2019071442A (ja) * 2018-12-18 2019-05-09 東京エレクトロン株式会社 検査システム

Also Published As

Publication number Publication date
TW200913113A (en) 2009-03-16
CN101276771A (zh) 2008-10-01
KR20080088423A (ko) 2008-10-02
JP4767896B2 (ja) 2011-09-07
US20080240891A1 (en) 2008-10-02
KR100978408B1 (ko) 2010-08-26
CN101276771B (zh) 2010-06-09
TWI430386B (zh) 2014-03-11
US8905700B2 (en) 2014-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4767896B2 (ja) 被検査体の搬送装置及び検査装置
US8121723B2 (en) Substrate transfer system, substrate transfer apparatus and storage medium
KR20190015135A (ko) 검사 시스템
TWI506287B (zh) A probe card conveying mechanism, a probe card conveying method and a probe device
KR100834176B1 (ko) 제전 장치 및 제전 방법과 프로그램 기록 매체
JP6447553B2 (ja) プローバ
KR101813326B1 (ko) 반송 방법 및 검사 시스템
JP7413647B2 (ja) 搬送ユニット
JP2023143951A (ja) プローバ
KR101147787B1 (ko) 프로브 장치 및 기판 반송 방법
US11908717B2 (en) Transfer method and transfer system for transferring substrate between transfer device and substrate stage
JP2016181601A (ja) プローバ及びウエハチャック温度測定方法
JP2016180680A (ja) プローブカード型温度センサ
JP4910033B2 (ja) プローブ装置
JP2017228789A (ja) 検査システム
KR101380830B1 (ko) 반도체 소자 테스트방법
JP4949454B2 (ja) プローブ装置
TWI765316B (zh) 儲存器設備及儲存器設備的控制方法
JP6575663B2 (ja) プローブカード型温度センサ及びウエハチャック温度測定方法
JP4913201B2 (ja) 基板搬送方法
JP6647379B2 (ja) 検査システム
JP2008146909A (ja) イオン注入装置
JPH0392778A (ja) 半導体検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100114

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100114

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110317

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110329

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110524

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110614

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110615

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4767896

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250