JP2008239420A - セラミックグリーンシートの製造方法、セラミックグリーンシートとそれを用いたセラミックコンデンサ - Google Patents

セラミックグリーンシートの製造方法、セラミックグリーンシートとそれを用いたセラミックコンデンサ Download PDF

Info

Publication number
JP2008239420A
JP2008239420A JP2007083722A JP2007083722A JP2008239420A JP 2008239420 A JP2008239420 A JP 2008239420A JP 2007083722 A JP2007083722 A JP 2007083722A JP 2007083722 A JP2007083722 A JP 2007083722A JP 2008239420 A JP2008239420 A JP 2008239420A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
green sheet
ceramic green
ceramic particles
dispersion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007083722A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomohiro Okuzawa
智宏 奥澤
Yukihiro Shimazaki
幸博 島▲崎▼
Tsutomu Nishimura
勉 西村
Kazuhiro Okuda
和弘 奥田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2007083722A priority Critical patent/JP2008239420A/ja
Publication of JP2008239420A publication Critical patent/JP2008239420A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

【課題】誘電体層を薄層化しながらも信頼性を向上することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明は、セラミック粒子とバインダを含むスラリーを分散処理する分散工程を有し、前記分散処理の前後における前記セラミック粒子のBET値を略同一としたものであり、これによりセラミック粒子は粒子経のより揃ったものになり、誘電体層を薄層化しても絶縁破壊電圧のばらつきを抑制することができ、その結果、セラミックコンデンサとしての信頼性を向上させることができる。
【選択図】図2

Description

従来のセラミックコンデンサの構成を説明する。
図3は、従来のセラミックコンデンサの断面図である。図3において、内部電極11と誘電体層12を交互に積層して構成された積層体13の両端面に一対の外部電極14が形成されており、前記内部電極11は、前記一対の外部電極14と電気的に交互に接続されてセラミックコンデンサ15を構成している。
近年の電子機器の薄型化により、セラミックコンデンサにおいても薄型化が要望されている。上述したセラミックコンデンサ15を薄型化する場合、例えば、誘電体層12を薄層化する方法が考えられる。この誘電体層12は、セラミック粒子、バインダ、分散剤、溶媒等からなるセラミックスラリーを用いて作製される。このセラミックスラリーはセラミック粒子の分散性を良好なものにするため、例えば、メディアを用いた分散方法によって行われるが、セラミック粒子はもろいためメディアの衝突により微粉が発生してしまう。この微粉は、後の焼成工程にてセラミック粒子と結合して粒成長を促し、その結果、粒子径が不揃いなセラミック粒子ができてしまう。
なお、本出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、特許文献1が知られている。
特開平8―118329号公報
この不揃いなセラミック粒子を用いて誘電体層を作製するとその誘電体層は厚みが不均一になりやすく、そのため、絶縁破壊電圧がばらつきやすくなる。誘電体層を薄層化することによりそのばらつきが顕著なものとなり、その結果、セラミックコンデンサとしての信頼性が低下してしまうという問題があった。
そこで本発明は、誘電体層を薄層化しながらも信頼性を向上することを目的とする。
この目的を達成するために、本発明は、セラミック粒子とバインダを含むスラリーを分散処理する分散工程を有し、前記分散処理の前後における前記セラミック粒子のBET値は、略同一とする構成とした。
セラミック粒子のBET値を分散処理の前後で略同一とすることで分散処理時に微粉が発生せず、これにより焼成時に粒成長が起きにくくなりセラミック粒子の粒子経がより揃ったものになる。その結果、誘電体層を薄層化しても絶縁破壊電圧のばらつきを抑制することができ、その結果、セラミックコンデンサとしての信頼性を向上させることができる。
また、セラミック粒子の粒子径がより揃ったものになることによりDCバイアス特性も改善することができる。
加えて、セラミック粒子の粒径がより揃うことで誘電体層の厚みがより均一になり、その結果、静電容量のばらつきも低減することができる。
また、本発明の製造方法では微粉が発生しないためセラミックスラリー中で凝集が起きにくく、セラミックグリーンシートを作製する際ピンホールが発生しにくくなる。
以下、本発明のセラミックグリーンシートの製造方法とそれを用いたセラミックグリーンシート、およびそれを用いたセラミックコンデンサについて一実施の形態および図面を用いて説明する。
図1は、本発明のセラミックコンデンサの断面図である。図1において、内部電極1と誘電体層2を交互に積層して構成された積層体3の両端面に一対の外部電極4が形成されており、前記内部電極1は、前記一対の外部電極4と電気的に交互に接続されてセラミックコンデンサ5を構成している。
本発明のセラミックグリーンシートを用いてセラミックコンデンサを作製した場合、前記内部電極1の間の誘電体層2の厚みがより均一であり、誘電体層2の内部をSEMで観察したがセラミック粒子の粉砕による凝集は見られず、より均一な粒子径のセラミック粒子によりシートが形成されていることが観察された。
図2は本発明のセラミックコンデンサを作製する製造工程を示すステップ図である。まず、誘電体材料としてチタン酸バリウムを主成分とするセラミック粒子、バインダとしてブチルセロソルブ、溶媒として酢酸ブチルをそれぞれ準備する(図2A)。
次に、これらの各種材料を以下に述べるように、分散処理の前後におけるセラミック粒子のBET値を略同一にするように分散方法を選択して分散処理を行い(図2B)、セラミックスラリーを作製する。
ここでBET値とは、セラミック粒子の比表面積を表すものであり、例えば、(株)島津製作所製micrometritics Geminiにより簡便に測定することができる。分散処理前後でスラリーを採取し、それぞれ400℃・2時間の脱脂を行ってから1gの脱脂粉体を採取しこれを用いてBET測定を行うという簡便な方法で測定することができる。
まず、第1分散工程としてプラネタリーミキサーを用いて上記各種材料を混合する(図2B1)。このプラネタリーミキサーはタンクに内蔵された2本のブレードとタンク壁面とのせん断力により、セラミック粒子、バインダおよび溶媒からなる凝集体をほぐしながら分散を行うもので、メディアを用いないのでセラミック粒子から微粉が発生することなく分散を行うことができる。また、特に、高固形分率でせん断力をかけることができ、高分散が可能である。すなわち、溶媒を少なくして固形分率を高くした場合、前記凝集体が塊になることでせん断力がかかりやすくなり、その結果、分散が良好になる。しかし、固形分率が高すぎると前記凝集体ができずせん断力がかからない。一方、溶媒を多くして固形分率を低くすると前記凝集体は生成されないのでせん断力がかからず、結果、分散もできない。したがって、固形分率87%〜93%の範囲で最も効果的に分散させることができる。
次に、第2分散工程として、高分散されたスラリー中のネッキングしたセラミック粒子同士を解きほぐす(以下、解砕という)ことを目的にビーズミル(例えば、ディスパーマット)にて混合を行う(図2B2)。チタン酸バリウムは、作製される過程で仮焼工程、粉砕工程後の乾燥工程を経るが、仮焼工程において粒子同士が融着して粗大粉(ネッキング粉)になったり、乾燥工程において凝集粉となっているため、これらを解砕することで本来の大きさのセラミック粒子に戻す作業が必要となる。方法としては、例えば、ジルコニアビーズのメディアを用いて行う。ここでの作業はあくまで解砕であり、セラミック粒子の粉砕を行うものではない。すなわち、第1分散工程を行ったスラリーはより分散状態が向上しているため、スラリー中のバインダがセラミック粒子によりまんべんなく吸着している。そのためメディアがこのセラミック粒子に衝突してもバインダが緩衝材となり粉砕されにくくなる。また、ビーズミルのエネルギー自体を低く設定して粉砕がされないようにすることも可能である。いずれにせよ、BET値は解砕作業の前後で略一定のままである。
続いて、第3分散工程として、さらに分散性を向上させるためジェットミルを用いた高圧分散を行う(図2B3)。このジェットミルは、上述したプラネタリーミキサーと同様、メディアを用いずに高分散が可能な方法である。高圧でスラリー同士をぶつけることで分散を行うものであり、溶剤で希釈をすることなくスラリーの粘度を下げることができるので高固形分率でありながら低粘度にすることができる。そのため、溶剤を少なくすることができ、誘電体の薄層化を行う際有利である。
以上、第1〜第3分散工程によって分散処理の前後におけるセラミック粒子のBET値を略同一にするようにしてスラリーを分散することができる。このようにBET値を略同一にすることで粒成長を抑制し、絶縁破壊電圧のばらつきを低減することができる。
ここで、第1分散工程で用いたプラネタリーミキサーの代わりに、同じくメディアを用いない加圧ニーダーを、第3分散工程で用いたジェットミルの代わりに高圧ホモジナイザーを用いてもよい。また、第2分散工程で用いたディスパーマット以外のビーズミルを使用してもよい。
また、第3分散工程を省略することも可能であるが、特に、薄層化を目的として粒子径のより小さいセラミック粒子を用いる場合はセラミックスラリーのさらなる分散性の向上を目的として第3分散工程まで行うことが望ましい。
上述した工程にて作製したセラミックスラリーを用いて、例えば、ドクターブレードなどの方法を用いて、ポリエチレンテレフタレート(以下PETと称する)のフィルム上に塗布、乾燥してセラミックグリーンシートを作製した(図2C)。
以上のように作製したグリーンシートは、セラミック粒子の粒径が揃っているので表面の凹凸が少ない、すなわち、滑らかという特徴がある。セラミックグリーンシートが滑らかであればあるほどセラミック粒子が均一でシートの厚みが均一であり、絶縁破壊電圧のばらつきが小さいことを表している。
この滑らかな度合いを光沢度として測定すると、上述した、第1分散工程から第3分散工程に行くにつれて光沢度が上昇していることが分かった。そして、光沢度が90以上の場合、セラミックコンデンサとしての信頼性がより優れていることが分かった。一方、従来プロセスにて作製したセラミックグリーンシートを光沢度で表した場合、79.7であった。従来プロセスとは、ビーズミルプロセスのことである。ここでは、上述したようにスラリーの分散状態をあらかじめ向上させるようなプロセス(第1分散工程)がないのでセラミック粒子は解砕されずに粉砕されてしまう。
なお、この光沢度は、(株)堀場製作所製GLOSS CHECKER IG-330を用い、角度60°にて測定した。
また、表面粗さRaを測定した場合、上述した、本発明のプロセスのセラミックグリーンシートでは500Å以下であるのに対し、前記現行プロセスでは589Åであった。なお、この表面粗さRaは、(株)アルバック製 触針式表面形状測定器 Dektak8を用いて測定した。
また、密度を測定した場合、前者は3.6g/cm3、後者は3.63g/cm3であった。
以上のように、本発明のセラミックグリーンシートの製造方法にて作製したセラミックグリーンシートは、光沢度、表面粗さ、密度といういずれの観点からも現行のセラミックグリーンシートと比較して優れていることが分かる。
そして、本発明のセラミックグリーンシートの製造方法は、誘電体の薄層化に特に有用であり、その厚みとしては1.6μm以下のセラミックグリーンシートで特に有用である。従来プロセスでは1.6μm以下のセラミックグリーンシートを用いるとショート率の上昇が顕著になるが、本発明のセラミックグリーンシートの製造方法にて作製したセラミックグリーンシートを用いると大幅にショート率の上昇が抑制された。
続いて、例えば、金属ニッケル粉末を主成分として、バインダ、可塑剤、溶剤からなる内部電極用ペーストを作製し、スクリーン印刷法によりPETフィルム上に内部電極パターンを塗布、乾燥して内部電極を作製した(図2D)。内部電極パターンは、後の個片化工程で切断、分離した時、個片の積層セラミックコンデンサが得られるようにその寸法、形状および位置を設定した。そして、前記セラミックグリーンシートと前記内部電極を交互に積層して積層体を作製した(図2E)。
続いて、前記積層体を焼成して焼結体を作製し(図2F)、個片化した後(図2G)、個片化した焼結体の両端面に露出した内部電極と電気的に接続するように外部電極を形成して(図2H)、積層セラミックコンデンサを得た。
従来プロセス(ビーズミル)でスラリーを作製した積層体を比較例とし、プラネタリーミキサー・ビーズミル・ジェットミルでスラリーを作製した積層体を実施例として、それぞれのプロセスで作製したシートのBET・密度・表面粗さRa・光沢度及び100個の積層体についてのショート率・BDV(平均値)を評価した結果を以下に示す。密度・表面粗さRaはアプリケーターで成形した15μmのシートを用いて測定した。また、積層体の構成としては1.0μmのセラミックグリーンシート(チタン酸バリウムを主原料とする)を50枚積層して評価を行った。材料の初期段階でのBETは5.7m2/gである。
実施例 シートBET値:5.8m2/g,密度:3.82g/cm3
表面粗さRa:399Å,光沢度:117
ショート率:10%,BDV:53.5V

比較例 シートBET値:6.7m2/g,密度:3.63g/cm3
表面粗さRa:589Å,光沢度:79.7
ショート率:86%,BDV:40.1V
比較例に比べ実施例のシートBET値は低く、初期の材料BET値からほとんど粉砕が行われていないことがわかる。また、実施例は粉砕が進み粉体の凝集が進んだ比較例に比べ、密度・表面粗さRa・光沢度が良好で均一なシートが作製できていることがわかる。その結果、ショート率・BDVについても良好な結果が得られた。
本一実施の形態においては、分散工程として、プラネタリーミキサー・ビーズミル・ジェットミルという順番で行う説明をしたが、分散処理の前後でBET値が略一定となる方法であれば、その方法、順番、回数について特に限定されるものではない。本発明において重要な点は、通常、メディアを用いた場合セラミック粒子の粉砕が発生してしまうところ、あらかじめ分散状態を向上させておくことによって粉砕ではなく解砕を起こさせることで分散処理の前後のBET値を一定のままにさせるという点である。したがって、使用する材料、粘度等の条件が変わったとしても上記思想に基づき様々な分散機、方法を設定することができる。例えば、プラネタリーミキサーを用いた後ジェットミルを用いてBET値を一定にする方法が挙げられる。
本発明は、薄型化や高い信頼性が要求される電子機器に有用である。
本発明の一実施の形態におけるセラミックコンデンサの一部切り欠き斜視図 本発明の一実施の形態におけるセラミックグリーンシートの製造方法を示すステップ図 従来のセラミックコンデンサの一部切り欠き斜視図
符号の説明
1 内部電極
2 誘電体層
3 積層体
4 外部電極
5 セラミックコンデンサ

Claims (6)

  1. セラミック粒子とバインダを含むスラリーを分散処理する分散工程を有し、前記分散処理の前後における前記セラミック粒子のBET値は、略同一としたセラミックグリーンシートの製造方法。
  2. 請求項1記載のセラミックグリーンシートの製造方法により作製したセラミックグリーンシート。
  3. 光沢度は、90以上である請求項2記載のセラミックグリーンシート。
  4. 密度は、3.6g/cm3以上である請求項2記載のセラミックグリーンシート。
  5. 表面粗さRaが500Å以下である請求項2記載のセラミックグリーンシート。
  6. 請求項2〜5のいずれか一項に記載のセラミックグリーンシートを用いたセラミックコンデンサ。
JP2007083722A 2007-03-28 2007-03-28 セラミックグリーンシートの製造方法、セラミックグリーンシートとそれを用いたセラミックコンデンサ Pending JP2008239420A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007083722A JP2008239420A (ja) 2007-03-28 2007-03-28 セラミックグリーンシートの製造方法、セラミックグリーンシートとそれを用いたセラミックコンデンサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007083722A JP2008239420A (ja) 2007-03-28 2007-03-28 セラミックグリーンシートの製造方法、セラミックグリーンシートとそれを用いたセラミックコンデンサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008239420A true JP2008239420A (ja) 2008-10-09

Family

ID=39911200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007083722A Pending JP2008239420A (ja) 2007-03-28 2007-03-28 セラミックグリーンシートの製造方法、セラミックグリーンシートとそれを用いたセラミックコンデンサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008239420A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015060274A1 (ja) * 2013-10-23 2015-04-30 株式会社東芝 窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板
WO2021080085A1 (ko) * 2019-10-24 2021-04-29 일진머티리얼즈 주식회사 박막형 커패시터 제조용 니켈박 및 그의 제조방법

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015060274A1 (ja) * 2013-10-23 2015-04-30 株式会社東芝 窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板
CN105683129A (zh) * 2013-10-23 2016-06-15 株式会社东芝 氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板
JPWO2015060274A1 (ja) * 2013-10-23 2017-03-09 株式会社東芝 窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板
US9630846B2 (en) 2013-10-23 2017-04-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board using the same
JP2017152707A (ja) * 2013-10-23 2017-08-31 株式会社東芝 圧接構造用窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板
JP2017165647A (ja) * 2013-10-23 2017-09-21 株式会社東芝 窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板
JP2017178776A (ja) * 2013-10-23 2017-10-05 株式会社東芝 窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板
US9884762B2 (en) 2013-10-23 2018-02-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board using the same
US10322934B2 (en) 2013-10-23 2019-06-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board using the same
WO2021080085A1 (ko) * 2019-10-24 2021-04-29 일진머티리얼즈 주식회사 박막형 커패시터 제조용 니켈박 및 그의 제조방법
KR20210048757A (ko) * 2019-10-24 2021-05-04 일진머티리얼즈 주식회사 박막형 커패시터 제조용 전해니켈박 및 그의 제조방법
KR102281132B1 (ko) * 2019-10-24 2021-07-26 일진머티리얼즈 주식회사 박막형 커패시터 제조용 전해니켈박 및 그의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150084681A (ko) 적층형 세라믹 전자 부품
JP6329236B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ用誘電体材料および積層セラミックコンデンサ
JP2008239420A (ja) セラミックグリーンシートの製造方法、セラミックグリーンシートとそれを用いたセラミックコンデンサ
JP2004149349A (ja) 誘電体セラミック用原料粉末の製造方法、誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
JP6781540B2 (ja) チタン酸バリウム系粉末、積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
JP5429491B2 (ja) 無機材料スラリを用いた導電性ペーストおよび該ペーストの製造方法
JP2011132071A (ja) 誘電体セラミックス材料の製造方法
JP4506138B2 (ja) スラリーの製造方法、グリーンシートの製造方法及び積層型電子部品の製造方法
JP2001039773A (ja) セラミックスラリー、セラミックグリーンシート及び積層セラミック電子部品の製造方法
JP2010195639A (ja) セラミックスラリーの調製方法、セラミック粉末の製造方法、セラミック粉末およびセラミックグリーンシートの形成方法
JP4601438B2 (ja) グリーンシートの製造方法
KR20160007219A (ko) 유전체 조성물 및 이의 제조방법
JP4930149B2 (ja) 積層型電子部品の製造方法
JP5184333B2 (ja) 誘電体セラミックス材料の製造方法
KR100951319B1 (ko) 유전체 세라믹재료의 제조방법, 이를 이용하여 제조된그린시트, 소결체 및 세라믹 콘덴서
JP5459951B2 (ja) セラミックスラリーの製造方法
JP4837721B2 (ja) 誘電体セラミックス材料の製造方法
JP5231387B2 (ja) 誘電体セラミックス材料の製造方法
KR20020094329A (ko) 적층 세라믹 콘덴서 용 세라믹 슬러리 제조 방법
JP2009143734A (ja) 誘電体材料の製造方法
JP2006351348A (ja) 導電性ペーストの製造方法および積層セラミック電子部品の製造方法
JP2006269918A (ja) 積層セラミックコンデンサおよびその製法
JP2002265277A (ja) セラミック粉末、セラミック粉末の製造方法及び積層セラミックコンデンサの製造方法
JP2012072033A (ja) 誘電体スラリーの製造方法および積層セラミック電子部品の製造方法
JP4490754B2 (ja) セラミック粉末が混合されたニッケル粉末の製造方法、及びセラミック粉末が混合されたニッケルペーストの製造方法