JP2006269918A - 積層セラミックコンデンサおよびその製法 - Google Patents
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Abstract
【課題】誘電体層を薄層化しても高容量、高絶縁性であり、高温負荷寿命等の信頼性に優れた小型高容量の積層セラミックコンデンサおよびその製法を提供する。
【解決手段】結晶粒子9および粒界相11により構成された誘電体層5と内部電極層7とが交互に積層されたコンデンサ本体1を具備してなる積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層5の厚み方向の断面における単位面積あたりの粒界相11の平均厚みt1が前記誘電体層5の厚み方向に対して垂直方向の単位面積あたりの粒界相11の平均厚みt2の1.1倍以上であることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】結晶粒子9および粒界相11により構成された誘電体層5と内部電極層7とが交互に積層されたコンデンサ本体1を具備してなる積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層5の厚み方向の断面における単位面積あたりの粒界相11の平均厚みt1が前記誘電体層5の厚み方向に対して垂直方向の単位面積あたりの粒界相11の平均厚みt2の1.1倍以上であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、積層セラミックコンデンサおよびその製法に関し、特に、パソコン、携帯電話など、高機能の電子機器に使用され、極めて薄い誘電体層と内部電極層とが交互に積層され、高容量、高絶縁性、かつ信頼性に優れた小型の積層セラミックコンデンサおよびその製法に関する。
近年、電子機器の小型化、高機能化に伴い、これに用いる積層セラミックコンデンサは小型高容量化が求められており、そのため誘電体層および内部電極層の積層数の増加と誘電体層自体の薄層化が進められており、積層セラミックコンデンサの特性についても高容量化と高絶縁性化および高温負荷寿命などの信頼性の向上が図られている。
このような積層セラミックコンデンサとして、例えば、下記の特許文献1に開示されるようなものが知られている。この特許文献1に開示された積層セラミックコンデンサは、誘電体磁器の作製において、主成分であるBaTiO3に対して、ガラス粉末を微粒化し、添加量を低減することにより、結晶粒子間に形成されるガラス成分からなる粒界相を少なくして誘電体層の絶縁性を高めて高温負荷試験などの信頼性を高めることができると記載されている。
特開2002−293620号公報
しかしながら、上記特許文献1に開示された積層セラミックコンデンサは、誘電体層の厚みが2.5μm程度では、上記のように積層セラミックコンデンサの高温負荷試験などの信頼性を高めることができるものの、誘電体層の厚みを2μm以下に薄層化すると高容量化を達成できるものの、一方、絶縁破壊電圧が低下し、また高温負荷試験などの信頼性を確保できないという問題があった。
従って、本発明は、誘電体層を薄層化しても高容量、高絶縁性であり、高温負荷寿命等の信頼性に優れた小型高容量の積層セラミックコンデンサおよびその製法を提供することを目的とする。
本発明の積層セラミックコンデンサは、(1)結晶粒子および粒界相により構成された誘電体層と内部電極層とが交互に積層されたコンデンサ本体を具備してなる積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層の厚み方向の断面における単位面積あたりの粒界相の平均厚みt1が前記誘電体層の厚み方向に対して垂直方向の単位面積あたりの粒界相の平均厚みt2の1.1倍以上であることを特徴とする。
上記積層セラミックコンデンサでは、(2)前記t1がt2の1.2倍以上であること、(3)前記結晶粒子の粒径(D90)が0.35〜0.5μmであること、(4)誘電体厚みが2μm以下であること、が望ましい。
また、本発明の積層セラミックコンデンサの製法は、(5)誘電体粉末とガラス粉末とを含む誘電体グリーンシートと内部電極パターンとを交互に積層したコンデンサ本体成形体を形成し、焼成する工程を具備する積層セラミックコンデンサの製法であって、前記ガラス粉末中に、アスペクト比が3以上の高アスペクトガラス粉末を個数比で25%以上含有することを特徴とするものであり、(6)前記ガラス粉末がガラス素粉末をビーズミルによりらいかい処理して形成されたものであること、(7)前記誘電体グリーンシートの厚みが3μm以下であること、が望ましい。
本発明の積層セラミックコンデンサによれば、誘電体層の厚み方向における粒界相の厚みが、前記厚み方向に対して垂直な方向の厚みよりも厚いことから、誘電体層の絶縁破壊電圧および静電容量を高めることができるとともに、高温負荷試験などの信頼性をも向上できる。
本発明の積層セラミックコンデンサについて、図1の概略断面図をもとに詳細に説明する。本発明の積層セラミックコンデンサは、コンデンサ本体1の両端部に外部電極3を形成して構成されている。この外部電極3は、例えば、CuもしくはCuとNiの合金ペーストを焼き付けて形成されている。
コンデンサ本体1は誘電体層5と内部電極層7とを交互に積層してなるものであり、この誘電体層3は、静電容量を高めるという理由から厚みが2μm以下であることが望ましい。
ここで本発明にかかる誘電体層5は、結晶粒子9と粒界相11とから構成されており、組織上、その誘電体層5の厚み方向の断面における単位面積あたりの粒界相11の平均厚みt1が、前記厚み方向に対して垂直方向の単位面積あたりの粒界相11の平均厚みt2の1.1倍であることが重要であり、特に、t1がt2の1.2倍以上であることが誘電体層5の絶縁破壊電圧性および静電容量をより高めるという理由から望ましい。つまり、誘電体層5の厚み方向の断面において、粒界相11の厚みt1を厚くすると誘電体層5の絶縁性を高めることができるとともに、誘電体層5の面内方向の粒界相11の厚みt2が薄いことから、誘電体層5の静電容量に寄与する部分が大きくなり、その結果、積層セラミックコンデンサの静電容量を高めることができる。この場合のt1/t2の好適な比率は、後述する高アスペクト比のガラス粉末の含有量により決まることから、そのt1/t2比は1.6以下となる。そして、このような誘電体層5を構成する結晶粒子9の粒子径は、誘電体層5の薄層化による静電容量の向上および絶縁抵抗を高く維持するという理由から、0.07〜0.2μmであることが望ましい。
図1の拡大図は、本発明にかかる誘電体層における粒界相の厚みを規定する方法を示した模式図である。図2に示すように、粒界相11の厚みは、誘電体層5の断面組織の電子顕微鏡写真について、誘電体層5に平行な線(図1のt1を規定する線)および垂直な線(図1のt2を規定する線)を、粒界相11を挟むように各々10箇所ほど規定し、各線に挟まれた粒界相11の幅の平均値をそれぞれ求める。結晶粒子9の粒子径は図示していないが誘電体層5の断面組織の電子顕微鏡写真について対角線を引き、線上に存在する結晶粒子9の最長径を測定し平均化して求める。
誘電体層5は、チタン酸バリウムを主成分とするものが高誘電率化という点で望ましく、絶縁性や容量温度の特性制御のためにMgO,Yや希土類元素、およびMnなどの金属酸化物を含むものが望ましい。また、粒界相11は高絶縁性という点で結晶質であることが好ましい。
内部電極層7は積層数を多くしても製造コストを抑制できるという点で、NiやCuなどの卑金属が望ましく、特に、本発明の誘電体層5との同時焼成を図るという点でNiがより望ましい。この内部電極層7の厚みは平均2μm以下が好ましい。
本発明の製法は、まず、誘電体粉末、誘電特性を制御する添加剤、およびガラス粉末と有機ビヒクルとを混合してスラリを調製し、そのスラリをシート状に成形して誘電体グリーンシートを形成する。誘電体グリーンシートの厚みは2.5μm以下が好ましい。
用いる誘電体粉末の平均粒子径は、上記のように誘電体層5の薄層化のために0.25μm以下、特に0.2μm以下が好ましく、高誘電率化のために0.1μm以上が好ましい。
本発明に係るガラス粉末は、その平均粒子径が誘電体粉末と同程度であることが好ましいが、ここで用いるガラス粉末は、スラリ化したガラス素粉末を高効率粉砕機中に高圧で送り込むことによりらいかい処理して形成されるものであり、このような特異な製法により平板状もしくは針状の高アスプクト比を有するガラス粉末を含有するものとなる。
つまり、本発明のガラス粉末は単に粉砕して微粒化したものではなく、高圧でらいかい処理することにより押しつぶされた形状をなし剥片状である高アスプクトガラス粉末を含有するものである。なお、高効率粉砕機とは、微粒のセラミックボールを内容積の60%以上充填した粉砕機であって、セラミックボール媒体の中にセラミックスラリを通過させて粉砕を行う装置のことをいう。
図2は、本発明に係るガラス粉末とその寸法を規定する模式図である。ガラス粉末の粒径(D90)とアスペクト比の評価は、ガラス粉末を撮影した電子顕微鏡写真の対角線上にあるガラス粉末について長径DLと短径DSを測定し平均化して求める。D90とは粒度分布における各粒径における頻度を個数で表したときの90%累積値である。そして、本発明にかかるガラス粉末は、その長径DLと短径DSとの比であるアスペクト比が3以上の高アスペクトガラス粉末を含有することが重要である。このような製法により調製されるガラス粉末は、らいかい処理の条件によってアスペクト比を調整できるものであるが、らいかい処理の強力な条件では剥片化したガラス粉末が粉砕されてしまうために、アスペクト比が10以上のガラス粉末量は少ないものとなる。そのため、本発明の製法により得られる高アスペクト比のガラス粉末はアスペクト比が3〜10と規定するものであり、また、高アスペクト比のガラス粉末の含有量は高絶縁性および高容量化という理由から個数比で30%以上70%以下がより好ましい。
図3は、本発明にかかる誘電体グリーンシートの内部の断面模式図である。本発明の製法により形成された誘電体グリーンシート20はガラス粉末21が誘電体粉末23の粒子間に横たわっている状態となる。ガラス粉末21が剥片状の高アスプクト比のガラス粉末を含有するものであればスラリをシート状に成形する場合に、その剥片状のガラス粉末21が誘電体粉末23の間に横たわった状態で沈積することから、誘電体グリーンシート20の厚み方向の誘電体粉末23間に多くのガラス粉末21が存在するのに対し、誘電体グリーンシート20の面内方向の誘電体粉末23の粒子間にはガラス粉末21が存在しにくくなる。
つまり本発明では、スラリ中に誘電体粉末とともに高アスプクト比のガラス粉末21を含ませることにより、シート成形時のスラリの乾燥工程において、ガラス粉末21が配向して沈積しやすくなるために、上記したような内部組織を有する誘電体層5を形成できるのである。
これに対して、ガラス粉末21のアスペクト比が3より小さいかもしくはアスペクト比が3以上のガラス粉末21が25%より少ない場合には誘電体粉末23の間に横たわった状態で沈積することが困難となり本発明の誘電体グリーンシートのような粉末組織が形成されにくく、粒界相11の厚み比t1/t2を1.1以上にすることができず、そのため積層セラミックコンデンサの高容量化および高絶縁化が困難となる。
なお、本発明の製法では、種々のガラス粉末を用いることができるが、かかるガラス素粉末をらいかい処理する際に破壊されにくく粘りやすく、また、軟化点が高くチタン酸バリウムとの焼結においてある温度から急激に軟化し、磁器が緻密化しやすくなるという理由から、その成分組成はSi=40〜60モル%、Ba=10〜30モル%、Ca=10〜30モル%、B=5〜15モル%であることが望ましい。
次に、誘電体グリーンシートの主面上に内部電極パターンを形成する。内部電極パターンは、例えば、NiやCuなどの卑金属粉末を有機樹脂や溶剤とともにペースト化したものをスクリーン印刷により形成する。内部電極パターンの厚みは、誘電体グリーンシート上における段差を小さくするという点で、誘電体グリーンシートの厚みよりも薄く1.8μm以下であることが望ましい。
次に、内部電極パターンが形成された誘電体グリーンシートを複数積層してコンデンサ本体成形体を形成し、この後、コンデンサ本体を大気中で40〜80℃/hの昇温速度で400〜500℃にて脱バインダ処理を行い、その後、還元雰囲気中で500℃からの昇温速度を100〜400℃/hとし、1100〜1300℃の温度で2〜3時間焼成し、続いて80〜400℃/hの降温速度で冷却し、酸素分圧が0.1〜10−4Paの雰囲気中900〜1000℃で再酸化処理を行う。
最後に、焼成したコンデンサ本体の両端面に、外部電極用ペーストを塗布して窒素中で焼き付けることによって、外部電極3を形成し、本発明の積層セラミックコンデンサを得ることができる。
本発明の積層セラミックコンデンサを以下のようにして作製した。まず、誘電体材料としてMn、MgおよびYを酸化物換算でBaTiO3(BT)100質量部に対して、0.2質量部、0.1質量部、1質量部被覆した平均粒子径0.2μmの誘電体粉末を準備した。ガラス粉末はビーズミルを用いてらいかい処理を行い、表1に示す粒径(D90)および高アスペクト比の含有量になるように調整した。そのガラス組成は、Si=50モル%、Ba=20モル%、Ca=20モル%、B=10モル%のものを用いた。なお、ガラス粉末の粒径(D90)とアスペクト比、および高アスペクト比(3〜10)の個数割合の評価は、ガラス粉末を撮影した電子顕微鏡写真の対角線上にあるガラス粉末について長径と短径を測定し平均化して求めた。
次に、上記誘電体粉末100質量部に対してアスペクト比を調整した前記ガラス粉末を1質量部添加し、この混合粉末に対してトルエン中にポリビニルブチラールバインダを混合した有機ビヒクルを添加してスラリを調製し、このスラリをダイコータを用いてシート成形し厚み2.5μmの誘電体グリーンシートを得た。
次に、この誘電体グリーンシート上にNi内部電極パターンを厚み1.5μmで形成した。次に、Ni内部電極パターンを形成した誘電体グリーンシートを、内部電極パターンの長手方向に半パターンずれるように交互に100枚積層し、さらにその上下に内部電極パターンを形成していない誘電体グリーンシートを各々20枚積層し、加熱加圧して母体積層体を形成した。
次に、この母体積層体を格子状に切断しコンデンサ本体成形体を形成した。このコンデンサ本体成形体の対向する端面には内部電極パターンが積層方向に交互に露出していた。
次に、得られたコンデンサ本体成形体を還元雰囲気中、最高温度1200℃、2時間の焼成を行い、次いで、窒素雰囲気中、1000℃、4時間の再酸化処理を行った。
次に、焼成後のコンデンサ本体をバレル研磨した後、内部電極層が露出した端面にCuを主成分とする外部電極ペーストを塗布し850℃の焼付けを行い、積層セラミックコンデンサを作製した。
コンデンサ本体の寸法は2×1.25×0.35mm3であり、また、誘電体層の厚みは1.8μm、内部電極層の厚みは0.7μmであった。なお、粒界相11の厚みは、誘電体層5の断面組織の電子顕微鏡写真について、誘電体層5に平行な線および垂直な線を、粒界相11を挟むように各々10本ほど引き、各線に挟まれた粒界相11の幅の平均値をそれぞれ求めた。
次に得られた積層セラミックコンデンサ各100個について、周波数1.0kHz、入力信号レベル0.5Vにて静電容量測定した。また、得られたサンプル50個について絶縁破壊電圧を測定し、さらに各50個について高温負荷試験を行った。試験条件は125℃、9.45Vとし、絶縁抵抗が1000時間で試験前から10%以内であったものを良品とした。
また、比較例として、らいかい処理ではなく、ボールミル粉砕した(D90が0.28μm)ガラス粉末、および高アスペクト比のガラス粉末の含有量の少ないガラス粉末を用いて、上記と同様の製法条件で積層セラミックコンデンサを作製し、評価した。
表1から、本発明の製法を用いて作製した試料No.3〜No.8では、粒界相の厚み比t1/t2が1.1以上、静電容量が2.4μF以上、絶縁破壊電圧が95以上を満足し、誘電体層厚みが1.8μmであっても、125℃、9.45Vでの高温負荷試験においても1000時間を満足するものであった。
一方、比較例であるNo.1、2の試料では、粒界相の厚み比t1/t2が1.08以下であり、静電容量および絶縁破壊電圧が本発明にかかる試料よりも低く、125℃、9.45Vでの高温負荷試験において1000時間を満足しなかった。
1・・・コンデンサ本体
5・・・誘電体層
7・・・内部電極層
9・・・結晶粒子
11・・粒界相
20・・誘電体グリーンシート
21・・ガラス粉末
23・・誘電体粉末
5・・・誘電体層
7・・・内部電極層
9・・・結晶粒子
11・・粒界相
20・・誘電体グリーンシート
21・・ガラス粉末
23・・誘電体粉末
Claims (7)
- 結晶粒子および粒界相により構成された誘電体層と内部電極層とが交互に積層されたコンデンサ本体を具備してなる積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層の厚み方向の断面における単位面積あたりの粒界相の平均厚みt1が前記誘電体層の厚み方向に対して垂直方向の単位面積あたりの粒界相の平均厚みt2の1.1倍以上であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
- 前記t1がt2の1.2倍以上である請求項1に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記結晶粒子の粒径(D90)が0.35〜0.5μmである請求項1または2に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記誘電体層の厚みが2μm以下である請求項1乃至3のうちいずれか記載の積層セラミックコンデンサ。
- 誘電体粉末とガラス粉末とを含む誘電体グリーンシートと内部電極パターンとを交互に積層したコンデンサ本体成形体を形成し、焼成する工程を具備する積層セラミックコンデンサの製法であって、前記ガラス粉末中に、アスペクト比が3以上の高アスペクトガラス粉末を個数比で25%以上含有することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製法。
- 前記ガラス粉末がガラス素粉末をビーズミルによりらいかい処理して形成されたものである請求項5に記載の積層セラミックコンデンサの製法。
- 前記誘電体グリーンシートの厚みが3μm以下である請求項5または6に記載の積層セラミックコンデンサの製法。
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---|---|---|---|
JP2005088393A JP2006269918A (ja) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | 積層セラミックコンデンサおよびその製法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011249525A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
JP2012009765A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
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2005
- 2005-03-25 JP JP2005088393A patent/JP2006269918A/ja active Pending
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