JP2008233091A - 半導体センサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板10には、上記シリコン酸化膜20が形成されている。そして、シリコン酸化膜20上には、上流側ヒータRha、下流側ヒータRhb、リード部L2、L5、上流側温度計Rkaがそれぞれ形成されている。そして、これら上流側ヒータRhaや、下流側ヒータRhb、リード部L2、L5、上流側温度計Rkaは、シリコン窒化膜40によって覆われている。ここで、上流側ヒータRhaや、下流側ヒータRhb、上流側温度計Rka、リード部L2、L5は全て半導体膜にて形成されている。そして、この半導体膜のうち、上流側ヒータRhaや、下流側ヒータRhb、上流側温度計Rkaを構成する領域が局所的に薄膜化されている。
【選択図】図4
Description
ところで、シリコンを用いて上記発熱体や抵抗体、リード部等を形成する場合、金属を用いて形成された場合と比較して抵抗率が高くなる。すなわち、通常の製造プロセス温度における固溶度程度の濃度(「1×1020cm―3」)の不純物をドーピングするようにしたときのシリコンの抵抗率は、「1×10−3Ω・cm」程度であるのに対し、白金(Pt)の抵抗率は、「1×10−5Ω・cm」程度である。
以下、本発明にかかる半導体センサを車載用内燃機関の吸入空気量を検出するフローメータに適用した第1の実施形態を図面を参照しつつ説明する。
図1に、上記フローメータFMの回路構成を示す。同図1に示されるように、このフローメータFMは、熱式のフローセンサFSと、該フローセンサFSの感知結果に基づき電気信号を生成する信号生成回路SGとを備えている。
ここで、フローセンサFSは、上流側ヒータRhaと下流側ヒータRhbと、当該フローメータFMの環境温度を感知する上流側温度計Rkaと下流側温度計Rkbとを備えている。
次に、図5(b)に示す工程において、上記単結晶シリコン膜30にボロンを所定の濃度(例えば「2×1016cm―2」)にて注入する。そして、不純物の注入された上記単結晶シリコン膜30を活性化すべく、所定温度(例えば「1150℃」)にて所定時間(例えば「5時間」)の熱処理を行う。
雰囲気温度 850℃
圧力 20Pa
次に、図6(c)に示す工程において、シリコン窒化膜40を反応性イオンエッチングにてエッチングすることでコンタクトホール41を形成する。更に、図6(c)に示すように、メタル(例えばアルミニウム)を所定の膜厚(例えば「1.0μm」)に成膜した後、パターニングすることで上記コンタクトホール41に先の図2に示したパッドP5を形成する。なお、この図6(c)に示す工程においては、図示しないパッドP1〜P4、P6も同様にして形成される。
なお、この図6(c)に示すエッチングは、以下のようにして行うことが望ましい。
以下、本発明にかかる半導体センサを車載用内燃機関の吸入空気量を検出するフローメータに適用した第2の実施形態について、先の第1の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態では、先の第1の実施形態と同一の機能を有する部材の一部には、便宜上、同一の符号を用いる。
上記フローメータも先の図1と同様の構成を有し、先の図3に示す態様にて吸気通路に配置される。また、本実施形態にかかるフローセンサの平面構成も、先の図2に示した構成と同様である。
更に、図9(b)に示す工程において、低圧CVD法にてシリコン窒化膜140を所定の膜厚(例えば「1.5μm」)にて堆積する。このときの成膜条件は、先の図6(b)に示したものと同様である。
Claims (3)
- 抵抗体と、該抵抗体と接続してこれに電流を供給する配線であるリード部とが共に半導体膜にて形成され、前記抵抗体の抵抗値の変化により所定の物理量を感知する半導体センサを製造する方法において、前記半導体膜を成膜した後、前記半導体膜に不純物をドーピングする工程と、少なくとも前記抵抗体を構成する領域の上面を局所的にエッチングして前記半導体膜を薄膜化する工程とを含むことを特徴とする半導体センサの製造方法。
- 抵抗体と、該抵抗体と接続してこれに電流を供給する配線であるリード部とが共に半導体膜にて形成され、前記抵抗体の抵抗値の変化により所定の物理量を感知する半導体センサを製造する方法において、前記半導体膜を成膜した後、少なくとも前記抵抗体を構成する領域の上面を局所的にエッチングして前記半導体膜を薄膜化する工程と、前記局所的にエッチングする工程の後の工程として、前記半導体膜をパターニングする工程とを含むことを特徴とする半導体センサの製造方法。
- 抵抗体と、該抵抗体と接続してこれに電流を供給する配線であるリード部とが共に半導体膜にて形成され、前記抵抗体の抵抗値の変化により所定の物理量を感知する半導体センサを製造する方法において、前記半導体膜を成膜した後、前記半導体膜に不純物をドーピングする工程と、少なくとも前記抵抗体を構成する領域の上面を局所的にエッチングして前記半導体膜を薄膜化する工程と、前記局所的にエッチングする工程の後の工程として、前記半導体膜をパターニングする工程とを含むことを特徴とする半導体センサの製造方法。
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