JP2008227509A - 非揮発性メモリセルおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、非揮発性メモリセル、および、その製造方法に提供することを目的とする。具体的に、本発明は、単位セルが動作する際に隣接したセルへの影響を最小にすることができる非揮発性メモリおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一実施例に係る非揮発性メモリセルは、基板と、前記基板の活性領域上に形成された第1の酸化膜と、前記活性領域内に形成されたソースおよびドレインと、前記第1の酸化膜上に形成された電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部を囲む、前記第1の酸化膜上に形成された第2の酸化膜と、前記第2の酸化膜を囲んで形成されたゲートと、を有している。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の一実施例に係る非揮発性メモリセルは、基板と、前記基板の活性領域上に形成された第1の酸化膜と、前記活性領域内に形成されたソースおよびドレインと、前記第1の酸化膜上に形成された電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部を囲む、前記第1の酸化膜上に形成された第2の酸化膜と、前記第2の酸化膜を囲んで形成されたゲートと、を有している。
【選択図】図1
Description
本発明は、非揮発性メモリセル、および、その製造方法に関する。詳細には、非揮発性メモリセル、それを含むセルアレイ、および、そのセルアレイの製造方法に関する。
半導体メモリ素子には揮発性メモリ素子と非揮発性メモリ素子がある。揮発性メモリ素子はパワーの供給がない場合、データを維持することができないが、非揮発性メモリ素子はパワーの供給がない場合でもデータを維持することができる。したがって、携帯電話システム、音楽および/または映像データを記憶するためのメモリカード、および、そのほかの応用装置においてパワーを続けて使用することができない場合や、パワーの供給が一時的に中断された場合や、低い電圧を使用することが必要な場合などにおいて非揮発性メモリ素子が幅広く使用されてきている。
近年半導体に対して要望されている高集積化、超小型化を図るためには、素子自体の大きさを小さくするに伴って、各単位セル間の間隔を狭めることが必要とされる。このように単位セル間の間隔を狭めることで、単位セルに蓄積された電荷が隣接した別の単位セルの動作に影響を与え、一部の単位セルのゲートに印加される10V以上の高電圧により生じた電気場が隣接したセルの状態を任意に変更させるなどの問題があった。
前記問題を解決するために、本発明は、単位セルが動作する際に隣接したセルへの影響を最小にすることができる非揮発性メモリセルおよびその製造方法を提供する。
また、本発明は高集積化された非揮発性メモリセルおよびその製造方法を提供する。
前記課題を解決するために、本発明の一実施例に係る非揮発性メモリセルは、基板と、前記基板の活性領域上に形成された第1の酸化膜と、前記活性領域内に形成されたソースおよびドレインと、前記第1の酸化膜上に形成された電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部を囲む、前記第1の酸化膜上に形成された第2の酸化膜と、前記第2の酸化膜を囲んで形成されたゲートと、を有している。
ここで、前記電荷蓄積部が、炭素ナノチューブ、フラーレン、窒化物、または、ナノ結晶物質からなっていても良い。
ここで、前記ゲートが、ポリシリコン、または、金属であっても良い。
ここで、前記金属が、4.2〜5.1eVの仕事関数を有していても良い。
本発明の別の実施例に係る非揮発性メモリセルアレイは、基板と、前記基板において複数の活性領域を画定する素子分離部と、前記複数の活性領域内に形成されたソースおよびドレインと、前記複数の活性領域上に形成された第1の酸化膜と、前記第1の酸化膜上に形成された電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部を囲む、前記第1の酸化膜上に形成された第2の酸化膜と、同一の信号処理ライン上に配置された複数の前記第2の酸化膜を囲み、前記複数の第2の酸化膜同士を電気的に連結させるゲートラインと、を有している。
ここで、前記電荷蓄積部が、炭素ナノチューブ、フラーレン、窒化物、または、ナノ結晶物質からなっていても良い。
ここで、前記ゲートラインが、ポリシリコン、または、金属であっても良い。
ここで、前記金属が、4.2〜5.1eVの仕事関数を有していても良い。
本発明の更なる別の実施例に係る非揮発性メモリセルアレイの製造方法は、(a)基板上に第1の酸化膜、電荷蓄積部、および、前記電荷蓄積部を囲む第2の酸化膜をこの順に形成するステップと、(b)前記第2の酸化膜上に第1のゲート材を形成するステップと、(c)前記第1のゲート材上にエッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクにパターンを形成するステップと、(d)前記エッチングマスクを用いてエッチング加工を行い、前記基板にトレンチを形成するステップと、(e)前記トレンチ上に活性領域を画定する素子分離部を形成するステップと、(f)前記エッチングマスクを除去するステップと、(g)同一の信号処理ライン上に形成された第1のゲート材同士を電気的に連結する第2のゲート材を形成するステップと、(h)前記基板の活性領域内にソースおよびドレインを形成するステップと、を含む。
ここで、前記ステップ(e)が、前記トレンチと前記エッチングマスク上にトレンチ埋め込み絶縁材を形成し、そして、前記トレンチ埋め込み絶縁材を平坦化またはエッチング加工して前記素子分離部を形成することを含み得る。
ここで、前記電荷蓄積部が、炭素ナノチューブ、フラーレン、窒化物、または、ナノ結晶物質からなっていても良い。
ここで、前記ゲートラインが、ポリシリコン、または、金属であっても良い。
ここで、前記金属が、4.2〜5.1eVの仕事関数を有していても良い。
本発明に係る非揮発性メモリセルは、電荷蓄積部がゲートラインにより完全に囲まれているので、隣接したセルの動作により生じ得る干渉現状を最小にすることができる。また、高集積化された非揮発性メモリセルが得られる。
以下では、図面を参照しながら、本発明をより詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施例に係る非揮発性メモリセルを含むセルアレイの立体図であり、図2(a)は図1の非揮発性メモリセルアレイのA−A´線に沿う断面図であり、そして、図2(b)は図1の非揮発性メモリセルアレイのB−B´線に沿う断面図である。
まず、図2(b)に示したように、本発明の一実施例に係る非揮発性メモリセルは、基板100と、基板100の活性領域101上に形成された第1の酸化膜104と、活性領域101内に形成されたソース103aおよびドレイン103b、第1の酸化膜104上に形成された電荷蓄積部105と、電荷蓄積部105を囲んで第1の酸化膜104上に形成された第2の酸化膜106と、第2の酸化膜106を囲んで形成されたゲート107と、を含む。
図2(a)に示したように、基板100の活性領域101は、素子分離部102により画定される。このような活性領域101には、ソース103aおよびドレイン103bが形成され、ソース103aとドレイン103bとの間にチャネルが形成され得る。
第1の酸化膜104は基板100の活性領域101上に形成される。ここで、第1の酸化膜104は約80Å以下の厚さを有するのが好ましい。
電荷蓄積部105は第1の酸化膜104上に形成される。このような電荷蓄積部105は非揮発性メモリのための電荷蓄積媒体である。この実施例においては、第1の酸化膜104上に電荷蓄積部105として、炭素ナノチューブ105が垂直方向に形成されている。電荷蓄積媒体としての炭素ナノチューブ105(carbon nanotube;CNT)は地球上に大量に存在する炭素からなる炭素の同素体であって、1つの炭素原子と別の炭素原子とが6角形の形態で結合し、チューブの形状を成している物質であり、このチューブはナノメータ(nm)単位の直系を有するきわめて小さい物質である。このようなナノメータ単位の炭素ナノチューブを電荷蓄積媒体として使用することで、この実施例に係る非揮発性メモリセルの物理的な大きさをさらに減らすことができる。しかしながら、電荷蓄積部105は前記炭素ナノチューブに限られず、非揮発性メモリのために電荷を蓄積することができる物質であれば、特に制限されることなく、電荷蓄積部105として使用可能である。たとえば、60個の炭素原子からなるボール型の分子で、堅固な構造と優れた電荷伝達特性を有するフラーレン(Fullerene、C60)、ナノ結晶、または、窒化物のうち1つであっても良い。
第2の酸化膜106は炭素ナノチューブ105の表面を完全に囲んで、第1の酸化膜104上に形成される。ここで、第2の酸化膜106は約200Å以下の厚さを有するのが好ましい。
ゲート107は第1の酸化膜104上に形成された炭素ナノチューブ105を完全に取り囲んでいる第2の酸化膜106の表面上に形成される。このようなゲート107はドーピングされたポリシリコンまたは金属からなり得る。ここで、金属は4.2〜5.1eVの仕事関数を有する金属からなるのが好ましい。なぜならば、4.2eV未満の金属でゲート107を構成する場合、ゲートパターンを形成した後に行われる後続工程により金属自体の特性が変わるという問題があり、5.1eVを超える値を有する金属からゲート107を構成する場合、ゲート107のパターニングが困難であるという問題があるからである。
次に、図1および図2(a)に示したように、前述の本発明の一実施例に係る非揮発性メモリセルを含む非揮発性メモリセルアレイは、基板100と、基板100において複数の活性領域101を画定する素子分離部102と、複数の活性領域101内に形成されたソース103aおよびドレイン103b、複数の活性領域101上に形成された第1の酸化膜104と、第1の酸化膜104上に形成された電荷蓄積部105と、電荷蓄積部105を囲んで第1の酸化膜104上に形成された第2の酸化膜106と、同一の信号処理ラインに位置した複数の第2の酸化膜106を囲んでそれらの第2の酸化膜106同士を電気的に連結させるゲートライン107と、を含む。
素子分離部102は基板100における複数の活性領域101を画定・定義する。このような素子分離部102はゲートライン107により囲まれた複数の電荷蓄積部105間の干渉現状を減らすことができる。
ゲートライン107は同一の信号処理ラインに位置した複数の電荷蓄積部105を囲む複数の第2の酸化膜106を囲み、複数の第2の酸化膜106同士を電気的に連結させる。このようなゲートライン107はポリシリコンまたは金属からなり得る。ここで、金属は4.2〜5.1eVの仕事関数を有する金属からなるのが好ましい。
前記本発明の一実施例にかかる非揮発性メモリセル、および、これを含む非揮発性メモリセルアレイは、電荷蓄積媒体である炭素ナノチューブ105が活性領域101とゲートライン107とが交差する活性領域101上にのみ形成され、ゲートライン107は直接素子分離部102と接触する。したがって、炭素ナノチューブ105は第2の酸化膜106およびゲートライン107によって完全に取り囲まれ、それにより、セル単位に完全に分離され、そして、第2の酸化膜106およびゲートライン107に囲まれた複数の炭素ナノチューブ105はゲートライン107に印加される電圧の電気場にのみ影響を受ける。また、セルアレイの大きさを最小に抑えることができ、活性領域101および素子分離部102のピッチ(pitch)が減少されるか、または、複数のゲートライン107間の距離が短くなるので、隣接したセルにより生じ得る干渉現状(disturbance)を最小にすることができる。
図3乃至図8は、本発明の一実施例にかかる非揮発性メモリセルを含む非揮発性メモリセルアレイの製造方法を示した図である。本発明の一実施例に係る非揮発性メモリセルアレイの製造方法は、(a)基板300上に第1の酸化膜304、電荷蓄積部305、および、前記電荷蓄積部305を囲む第2の酸化膜306をこの順に形成するステップ、(b)第2の酸化膜306上に第1のゲート材307aを形成するステップ、(c)第1のゲート材307a上にエッチングマスク308を形成し、エッチングマスク308にパターンを形成するステップ、(d)エッチングマスク308を用いてエッチング加工を行って基板300にトレンチ(trench)309を形成するステップ、(e)トレンチ309上に活性領域301を画定する素子分離部302を形成するステップ、(f)エッチングマスク308を除去するステップ、(g)同一の信号処理ラインに形成された複数の第1のゲート材307aが電気的に連結されるように第2のゲート材306bを形成するステップ、および、(h)基板300の活性領域301内にソースとドレインを形成するステップを含む。
図3に示したように、基板300上に第1の酸化膜304、電荷蓄積部305、および、前記電荷蓄積部305を囲む第2の酸化膜306をこの順に形成する。ここで、第1の酸化膜304は約80Å以下の厚さを有するように形成され、電荷蓄積媒体である電荷蓄積部305は炭素ナノチューブ305で形成される。ここで、電荷蓄積部305は炭素ナノチューブに限られず、フラーレン(Fullerene、C60)、ナノ結晶、または、窒化物のうち1つであっても良い。
炭素ナノチューブは熱化学気相蒸着またはプラズマ気相蒸着を用いて第1の酸化膜304の所定の領域上に垂直方向に形成される。第2の酸化膜306は約200Å以下の厚さを有すると共に炭素ナノチューブを取り囲むように形成される。
次に、第2の酸化膜306を囲むように第1のゲート材307aを形成し、第1のゲート材307a上にエッチングマスク308を形成する。このようなエッチングマスク308は後術の平坦化工程で平坦化停止層として使用される。エッチングマスク308はシリコン窒化膜で形成されるのが好ましい。
第1のゲート材307aは、ドーピングされたポリシリコン、または、4.2〜5.1eVの仕事関数を有する金属であるのが好ましい。第1のゲート材307aは後続工程においてパターン形成され、ゲートライン307の一部として使用される。
次に、エッチングマスク308にパターンを形成し、パターン形成されたエッチングマスク308を用いて、素子分離部302が形成されるべき基板300の表面が露出するようにする。ここで、第1のゲート材307aが第2の酸化膜306を囲むようにエッチング加工を行うことが好ましい。
図4に示したように、パターン形成されたエッチングマスク308を利用して表面が露出した基板300を所定の深さでエッチング加工する。エッチング加工を通じて基板300に平行した複数のトレンチ309を形成する。その結果、トレンチ309領域を除く基板300の突出した上部領域、即ち、第1の酸化膜(304)で囲まれた(即ち、覆われた)領域は活性領域(301)と定義することができる。その結果、炭素ナノチューブ(305)、および、第1のゲート材(307a)は自己整合的に活性領域(301)上に形成される。
次に、トレンチ309上に活性領域(301)を画定する素子分離部(302)を形成する。ここで、トレンチ309上に活性領域(301)を限定する素子分離部(302)を形成するステップは、トレンチ309とエッチングマスク308上にトレンチ埋め込み絶縁材(310、トレンチ絶縁材または埋め込み材と呼んでも良い)を形成するステップ、および、トレンチ埋め込み絶縁材(310)を平坦化するか、または、エッチング加工して、素子分離部(302)を形成する段階を含むことができる。以下では、図5〜6を参照して説明する。
図5に示すように、トレンチ309を完全に埋め込むようにパターン形成されたエッチングマスク308上にトレンチ埋め込み絶縁材310を形成する。このようなトレンチ埋め込み絶縁材310は化学気相蒸着により蒸着された酸化膜で形成され得る。
図6に示したように、エッチングマスク308が露出するまでにトレンチ埋め込み絶縁材310に対して平坦化・エッチング加工を行う。
図7に示したように、第1のゲート材307aの側部全体が露出するまでにトレンチ埋め込み絶縁材310をエッチング加工して素子分離部302を形成する。その後、露出したエッチングマスク308を除去する。
図8に示したように、素子分離部302、および、第1のゲート材307a上に第2のゲート材307bを形成し、炭素ナノチューブ305を完全に取り囲んでいる第2の酸化膜306を囲むように第1のゲート材307aまたは第2のゲート材307bにパターンを形成する。ここで、第2のゲート材307bおよび第1のゲート材307aが同一の材料からなるのが好ましい。その結果、活性領域301と素子分離領域の上部を横切って、炭素ナノチューブ305と第2の酸化膜306とを囲む複数のゲートライン307a,307bが形成される。ここで、第2のゲート材307bは第1のゲート材307aと同様にドーピングされたポリシリコン、または、4.2〜5.1eVの仕事関数を有する金属で構成されるのが好ましい。
最後に、ゲートライン307の両側に設けられた活性領域301内にイオン注入または拡散工程を用いて不純物領域であるソースとドレインとを形成する。
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。本明細書に記載された内容に基づいて、当業者が上記好ましい実施例を変更して実施するか、または、それを応用することができることは明らかである。そのような変更または応用はもっぱら特許請求の範囲により定められる本発明の権利範囲に含まれるものと解釈すべきである。
100 基板
101 活性領域
102 素子分離部
103a ソース
103b ドレイン
104 第1の酸化膜
105 電荷蓄積部
106 第2の酸化膜
101 活性領域
102 素子分離部
103a ソース
103b ドレイン
104 第1の酸化膜
105 電荷蓄積部
106 第2の酸化膜
Claims (13)
- 基板と、
前記基板の活性領域上に形成された第1の酸化膜と、
前記活性領域内に形成されたソースおよびドレインと、
前記第1の酸化膜上に形成された電荷蓄積部と、
前記電荷蓄積部を囲む、前記第1の酸化膜上に形成された第2の酸化膜と、
前記第2の酸化膜を囲んで形成されたゲートと、
を有していることを特徴とする非揮発性メモリセル。 - 前記電荷蓄積部が、炭素ナノチューブ、フラーレン、窒化物、または、ナノ結晶物質からなる請求項1に記載の非揮発性メモリセル。
- 前記ゲートが、ポリシリコン、または、金属である請求項1に記載の非揮発性メモリセル。
- 前記金属が、4.2〜5.1eVの仕事関数を有する請求項3に記載の非揮発性メモリセル。
- 基板と、
前記基板において複数の活性領域を画定する素子分離部と、
前記複数の活性領域内に形成されたソースおよびドレインと、
前記複数の活性領域上に形成された第1の酸化膜と、
前記第1の酸化膜上に形成された電荷蓄積部と、
前記電荷蓄積部を囲む、前記第1の酸化膜上に形成された第2の酸化膜と、
同一の信号処理ライン上に配置された複数の前記第2の酸化膜を囲み、前記複数の第2の酸化膜同士を電気的に連結させるゲートラインと、
を有していることを特徴とする非揮発性メモリセルアレイ。 - 前記電荷蓄積部が、炭素ナノチューブ、フラーレン、窒化物、または、ナノ結晶物質からなる請求項5に記載の非揮発性メモリセルアレイ。
- 前記ゲートラインが、ポリシリコン、または、金属である請求項5に記載の非揮発性メモリセルアレイ。
- 前記金属が、4.2〜5.1eVの仕事関数を有する請求項7に記載の非揮発性メモリセルアレイ。
- (a)基板上に第1の酸化膜、電荷蓄積部、および、前記電荷蓄積部を囲む第2の酸化膜をこの順に形成するステップと、
(b)前記第2の酸化膜上に第1のゲート材を形成するステップと、
(c)前記第1のゲート材上にエッチングマスクを形成し、前記エッチングマスクにパターンを形成するステップと、
(d)前記エッチングマスクを用いてエッチング加工を行い、前記基板にトレンチを形成するステップと、
(e)前記トレンチ上に活性領域を画定する素子分離部を形成するステップと、
(f)前記エッチングマスクを除去するステップと、
(g)同一の信号処理ライン上に形成された第1のゲート材同士を電気的に連結する第2のゲート材を形成するステップと、
(h)前記基板の活性領域内にソースおよびドレインを形成するステップと、
を含むことを特徴とする非揮発性メモリセルアレイの製造方法。 - 前記ステップ(e)が、前記トレンチと前記エッチングマスク上にトレンチ埋め込み絶縁材を形成し、そして、前記トレンチ埋め込み絶縁材を平坦化またはエッチング加工して前記素子分離部を形成することを含む請求項9に記載の非揮発性メモリセルアレイの製造方法。
- 前記電荷蓄積部が、炭素ナノチューブ、フラーレン、窒化物、または、ナノ結晶物質からなる請求項9に記載の非揮発性メモリセルアレイの製造方法。
- 前記ゲートラインが、ポリシリコン、または、金属である請求項9に記載の非揮発性メモリセルアレイの製造方法。
- 前記金属が、4.2〜5.1eVの仕事関数を有する請求項12に記載の非揮発性メモリセルアレイの製造方法。
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