JP2008208049A - ボラジン化合物の製造方法、及びボラジン化合物 - Google Patents
ボラジン化合物の製造方法、及びボラジン化合物 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】水素化ホウ素金属塩(ただし、金属原子はリチウム原子、ナトリウム原子及びカリウム原子以外である)(I)と、(RNH3)nX(Rは水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であり、Xは硫酸基またはハロゲン原子であり、nは1または2である)で表されるアミン塩(II)とを、溶媒(III)中で反応させてボラジン化合物を合成する段階を含む、ボラジン化合物の製造方法である。
【選択図】なし
Description
(1)まず、水素化ホウ素金属塩(I)を溶媒(III)に仕込んだ後、アミン塩(II)を徐々に供給する方法、
(2)まず、アミン塩(II)を溶媒(III)に仕込んだ後、水素化ホウ素金属塩(I)を徐々に供給する方法、または
(3)水素化ホウ素金属塩(I)及びアミン塩(II)をそれぞれ、徐々に溶媒(III)に供給する方法、が挙げられる。
まず、ボラジン化合物の合成に用いる各原料の脱水処理を行った。モノメチルアミン塩酸塩(沸点:225〜230℃、水分含量:1.3質量%)をコニカルドライヤーに投入し、80℃、0.001MPa、6rpmの条件で回転させながら、12時間攪拌減圧乾燥を行い、水分含量を0.01質量%とした。また、水素化ホウ素カルシウム(水分含量:約1.1質量%)及び水素化ホウ素ナトリウム(水分含量:約1.1質量%)については、コニカルドライヤーに投入し、25℃、0.001MPa、6rpmの条件で回転させながら、12時間攪拌減圧乾燥を行った。その結果、水素化ホウ素カルシウムの水分含量を0.03質量%とし、水素化ホウ素ナトリウムの水分含量を0.02質量%とした。一方、トリグライム(沸点:216℃)は減圧蒸留により精製乾燥を行い、水分含量を0.02質量%とした。
滴下漏斗及び冷却管を備えた3つ口丸底フラスコ(5L容)に、窒素置換を行いながら、上記で準備したモノメチルアミン塩酸塩(300g、水分含量:0.01質量%)、及び上記で準備したトリグライム(1000g、水分含量:0.02質量%)を仕込み、反応系を150度まで昇温させた。
滴下漏斗及び冷却管を備えた3つ口丸底フラスコ(5L容)に、窒素置換を行いながら、上記で準備したモノメチルアミン塩酸塩(300g、水分含量:0.01質量%)、及び上記で準備したトリグライム(1000g、水分含量:0.02質量%)を仕込み、反応系を150℃まで昇温させた。
Claims (4)
- 水素化ホウ素金属塩(ただし、金属原子はリチウム原子、ナトリウム原子及びカリウム原子以外である)(I)と、(RNH3)nX(Rは水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であり、Xは硫酸基またはハロゲン原子であり、nは1または2である)で表されるアミン塩(II)とを、溶媒(III)中で反応させてボラジン化合物を合成する段階を含む、ボラジン化合物の製造方法。
- 前記水素化ホウ素金属塩(I)がM(BH4)2(Mは2価の金属原子である)で表される、請求項1に記載の製造方法。
- 前記水素化ホウ素金属塩(I)及び前記アミン塩(II)のうち、少なくとも一方の水分含量が1質量%以下である、請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記溶媒(III)の水分含量が1質量%以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造方法。
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2007
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