JP5373094B2 - ネオペンタシランの製造方法 - Google Patents

ネオペンタシランの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5373094B2
JP5373094B2 JP2011531450A JP2011531450A JP5373094B2 JP 5373094 B2 JP5373094 B2 JP 5373094B2 JP 2011531450 A JP2011531450 A JP 2011531450A JP 2011531450 A JP2011531450 A JP 2011531450A JP 5373094 B2 JP5373094 B2 JP 5373094B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
neopentasilane
general formula
thf
producing
ether compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011531450A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012505815A (ja
Inventor
クニース ヴォルフガング
アイプルマイヤー ハンス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wacker Chemie AG
Original Assignee
Wacker Chemie AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Chemie AG filed Critical Wacker Chemie AG
Publication of JP2012505815A publication Critical patent/JP2012505815A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5373094B2 publication Critical patent/JP5373094B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/04Hydrides of silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

本発明は、エーテル化合物の存在下で、ポリシランからネオペンタシランを製造する方法に関する。
ネオペンタシラン(テトラキス(シリル)シラン)は、CVD法でSi−Cを分離するために使用される。
ネオペンタシランの製造は、WO 20080513281に記載されている。ここではヘキサハロジシランが、触媒としての第三級アミンにより反応し、テトラキス(トリハロシリル)シラン含有混合物になる。テトラキス(トリハロシリル)シランは、ジイソブチルアルミニウムヒドリドによってテトラキス(シリル)シランに還元される。この方法には、第三級アミンがしばしば腐蝕性であり、それゆえ注意して取り扱わなければならないという欠点がある。その上、窒素の痕跡量はケイ素の半導体特性に影響を与える。それゆえ、多くの適用で窒素含分が特定されている。
本発明の対象は、一般式(1)
Figure 0005373094
のネオペンタシランの製造法であって、
この際、一般式(2)
Figure 0005373094
[式中、
RはH、Cl、Br、及びIから選択されており、
Xは負ではない整数〜5である]
のケイ素化合物を、エーテル化合物(E)の存在下で反応させる、前記製造方法である。
エーテル化合物(E)は、容易に手に入り、かつ容易に分離可能な薬品である。
好ましい化合物(E)は、好適には少なくとも5個の環原子、好適には最大30個の環原子を有する環状有機エーテル化合物、例えば1,3−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、1,4−ジオキサン、[12]クラウン−4、[15]クラウン−5である。この環状エーテル化合物(E)は、炭化水素置換基、特に1〜6個の炭素原子を有するアルキル基、有利にメチル基及びエチル基を有していてもよい。置換された環状エーテル化合物(E)の例は、4−メチル−1,3−ジオキソラン、3−メチル−テトラヒドロフラン、2,2−ジメチル−1,4−ジオキサンである。
同様に好ましいのは、線状又は分枝状の有機エーテル化合物(E)、例えばモノエーテルとポリエーテルである。モノエーテルとしては、1barで少なくとも60℃の沸点を有するエーテルが好ましく、例えばジ−n−プロピルエーテルである。
ポリエーテルとしては、ポリアルキレングリコール、例えばポリエチレングリコール及びポリプロピレングリコールを使用することもできる。このポリアルキレングリコールの平均分子量Mnは、有利に少なくとも150、特に少なくとも500であり、かつ有利に最大10000、特に最大5000である。
一般式(1)のネオペンタシランは分子中で、Rと同じ又は異なる意味を有することができる。
好適には、すべてのRが同じ意味を有する。特に好ましくは、前記意味がH及びClである。xは好適には、0又は1の値を意味する。
反応は好適には少なくとも−5℃、特に好適には少なくとも50℃、及びとりわけ少なくとも100℃、及び好適には最高300℃、とりわけ最高250℃で行う。
反応は好適には少なくとも1時間、特に好ましくは少なくとも3時間、及びとりわけ少なくとも10時間、及び好適には最高10日行う。
一般式(2)のケイ素化合物100質量部に対して、好適には少なくとも0.1質量部、特に好適には少なくとも0.5質量部、及びとりわけ少なくとも2質量部のエーテル化合物(E)を、そして好適には最高50質量部、特に好ましくは最高20質量部、及びとりわけ最高10質量部のエーテル化合物(E)を使用する。
反応混合物は、反応後に好適には蒸留によって分別する。この蒸留は、常圧、過圧(Ueberdruck)又は減圧下で行われることができる。
この反応は保護ガス、例えば窒素、ヘリウム又はアルゴンの存在下又は非存在下で実施することができるが、湿分含有量が最高で10ppbwである限り、空気で実施することもできる。コストの理由から、蒸留は好ましくは窒素の存在下で実施する。
特段の記載がない限りは、以下の実施例は周囲雰囲気の圧力、即ち、約1000hPaでの圧力で、そして、室温、即ち約23℃で、相対空気湿度約50%で実施される。
以下の実施例においては、不純物の含有量をガスクロマトグラフィにより測定した。
実施例1
熱電対、還流冷却器、及び栓を有する、窒素ブランケットされた3つ口フラスコ中に、ヘキサクロロジシラン127g、及びテトラヒドロフラン10gを装入し、そして撹拌しながら沸騰するまで加熱した。ヘキサクロロジシランは154℃でようやく沸騰したのにも拘わらず、約100℃ですでに冷却器のところに凝縮物(Kondensat)の形成が観察された。
持続時間が長くなるにつれて、凝縮物形成に必要となる温度はさらに低下し、約70℃になった。7時間後に加熱を止めた。まず薄い液体の反応混合物を、30℃に冷却した。この温度で混合物は突然濁り、外部加熱することなく、温度は再度約35℃に上昇した。結晶性の固体が形成されたが、この混合物はさらに容易に撹拌可能であった。
翌日、生成した固体を残っている溶液から分離し、Si29−NMRで同定した。テトラクロロシランのシグナルと、ドデカクロロネオペンタシランのシグナルが観察された。
実施例2
続いて、THF(1g)とヘキサクロロジシラン(10g)との様々な混合物を、室温で数日間貯蔵した。未反応のヘキサクロロジシランの他に再び、テトラクロロシランとドデカクロロネオペンタシランが形成された(Si29によって検出)。
実施例3
この試験のためにヘキサクロロジシラン約5g及び触媒1gを、両側でネジ止めされた鋼管に入れ、そして油浴中で170℃に加熱した。
試験した触媒は
15−クラウン−5 98%、1,4,7,10,13−ペンタオキサシクロペンタデカン(クラウンエーテル)
シリコン油 AK20(本発明によらないもの)
THF
1,4−ジオキサン
である。
すべての物質は、テトラクロロシラン、オクタクロロトリシラン、デカクロロイソペンタシラン、及びドデカクロロオロネオペンタシランの複合混合物の形成を引き起こす。ただしシリコン油の場合、この分解は非常に僅かな範囲でしか起こっていなかった。対照としての純粋なヘキサクロロジシランは、210℃の温度/24時間でも分解されないままであった。
実施例4
熱電対、撹拌冷却器、及びマグネチックスターラを備え、アルゴンブランケットを有するフラスコ中に、ヘキサクロロジシラン106g、及びテトラヒドロフラン10gを装入した。この混合物を5時間、還流で加熱し、引き続き冷却した。今回は26℃で再度発熱性反応が起こった(約4℃の温度上昇)。翌日、もう一度5時間還流で煮沸し、26℃での冷却の際に4℃の温度上昇が起こった。このことから結論づけられるのは、付加生成物の結晶化においては、テトラクロロシランとドデカクロロネオペンタシランが熱を放出するということである。冷却後にはその都度、無色の結晶が生成し、この結晶をグローブボックス中で濾別し、そしてテトラクロロシランで後洗浄した。固体が約32g得られた。
Si29NMRにより、これが付加生成物(Addukt)であることが確認された。熱質量分析では2つの段階が観察され、1つは約80℃(テトラクロロシランの開裂)、もう1つは約280℃(ドデカクロロネオペンタシランの蒸発)である。DSCでは、54℃(余剰のテトラクロロシランの蒸発)、及び74℃(付加生成物からのテトラクロロシランの開裂)という2つのシグナルが見て取れる。約290℃で現れた蒸発は、発熱性反応に取って代わる。このことは熱質量分析と一致しており、熱質量分析では蒸発不能な残留物が約14%残っていた。
実施例5
テトラヒドロフラン量についての、ヘキサクロロジシラン分解の依存性試験
これらの試験は実施例3に記載されたように、鋼管内で210℃で3日間行った。混合物はまた、同じ時間、室温で貯蔵した。
THF 9.3%;実施例3に類似のオリゴクロロシランと、固体との混合物形成
THF 5.1%:同上
THF 1%:同上
THF 0.5%:同上
THF 0.25%:同上
THF 470ppm:分解の痕跡量
THF 240ppm:分解の痕跡量。
実施例6
これらの試験は実施例3に記載されたように、鋼管内で100℃若しくは150℃で1.3日間行った。
100℃では分解が始まるには、0.1%のTHFで足りる。
THFを僅かに添加しても、固体のドデカクロロネオペンタシランの形成が観察される。

Claims (3)

  1. 一般式(1)
    Figure 0005373094
    のネオペンタシランの製造方法であって、
    この際、一般式(2)
    Figure 0005373094
    [式中、
    RはH、Cl、Br、及びIから選択されており、
    Xはである]
    のケイ素化合物を、少なくとも5つの環原子、及び最大30個の環原子を有する環状有機エーテル化合物(E)の存在下で反応させる、前記製造方法。
  2. ネオペンタシランが分子中で、H及びClから選択されるRと同じ意味を有する、請求項1に記載の方法。
  3. 一般式(2)のケイ素化合物100質量部に対して、環状有機エーテル化合物(E)を少なくとも0.2質量部使用する、請求項1または2に記載の方法。
JP2011531450A 2008-10-17 2009-10-09 ネオペンタシランの製造方法 Expired - Fee Related JP5373094B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008042934A DE102008042934A1 (de) 2008-10-17 2008-10-17 Verfahren zur Herstellung von Neopentasilanen
DE102008042934.1 2008-10-17
PCT/EP2009/063136 WO2010043551A1 (de) 2008-10-17 2009-10-09 Verfahren zur herstellung von neopentasilanen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012505815A JP2012505815A (ja) 2012-03-08
JP5373094B2 true JP5373094B2 (ja) 2013-12-18

Family

ID=41395818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011531450A Expired - Fee Related JP5373094B2 (ja) 2008-10-17 2009-10-09 ネオペンタシランの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8883111B2 (ja)
EP (1) EP2334599A1 (ja)
JP (1) JP5373094B2 (ja)
KR (1) KR101336407B1 (ja)
CN (1) CN102186774A (ja)
DE (1) DE102008042934A1 (ja)
WO (1) WO2010043551A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009027194A1 (de) 2009-06-25 2010-12-30 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von Dodecahalogenneopentasilanen
DE102010062984A1 (de) 2010-12-14 2012-06-14 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Halogen- und Hydridosilane
DE102011005387A1 (de) * 2011-03-10 2012-09-13 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Reduzierung des Aluminiumgehaltes von Neopentasilan
DE102013010099B4 (de) * 2013-06-18 2015-07-09 Evonik Industries Ag Verfahren zur Herstellung strukturierter Beschichtungen, mit dem Verfahren hergestellte strukturierte Beschichtungen und ihre Verwendung
JP6346555B2 (ja) * 2013-12-20 2018-06-20 株式会社日本触媒 環状ハロシラン中性錯体
US11104582B2 (en) * 2014-07-22 2021-08-31 Momentive Performance Materials Gmbh Process for the cleavage of silicon-silicon bonds and/or silicon-chlorine bonds in mono-, poly- and/or oligosilanes

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4610859A (en) * 1983-12-29 1986-09-09 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Process for producing silicon hydrides
JPS60176915A (ja) * 1984-02-21 1985-09-11 Central Glass Co Ltd ジシランの製造法
JPS6191011A (ja) 1984-10-08 1986-05-09 Mitsui Toatsu Chem Inc 水素化ケイ素の製造方法
EP1765332A2 (en) * 2004-06-17 2007-03-28 Cengent Therapeutics, Inc. Trisubstituted nitrogen modulators of tyrosine phosphatases
WO2008051328A1 (en) 2006-10-24 2008-05-02 Dow Corning Corporation Composition comprising neopentasilane and method of preparing same
DE102008025260B4 (de) * 2008-05-27 2010-03-18 Rev Renewable Energy Ventures, Inc. Halogeniertes Polysilan und thermisches Verfahren zu dessen Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
US20110171098A1 (en) 2011-07-14
DE102008042934A1 (de) 2010-04-22
US8883111B2 (en) 2014-11-11
CN102186774A (zh) 2011-09-14
JP2012505815A (ja) 2012-03-08
WO2010043551A1 (de) 2010-04-22
KR20110063502A (ko) 2011-06-10
EP2334599A1 (de) 2011-06-22
KR101336407B1 (ko) 2013-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5373094B2 (ja) ネオペンタシランの製造方法
US8969610B2 (en) Method for oligomerizing hydridosilanes, the oligomers that can be produced by means of the method, and the use thereof
KR20180095561A (ko) 오가노아미노실란의 제조 방법 및 오가노아미노실란으로부터 실릴아민을 제조하는 방법
TWI720966B (zh) 二烷基胺基矽烷的製造方法
JP4722504B2 (ja) N−アルキルボラジンおよびその製造方法
CN102898307A (zh) 4-氯丁酸甲酯的合成方法
JP5512904B2 (ja) ネオペンタシランのアルミニウム含有量を低下させる方法
TWI791547B (zh) 製備五氯二矽烷之方法及包含五氯二矽烷之經純化的反應產物
EP3186261A1 (en) Preparation of fluorosilicon compounds
CN105693758A (zh) 一种三聚异氰脲酸酯硅烷的制备方法
WO2020116386A1 (ja) ビスアルキルアミノジシラザン化合物、前記ビスアルキルアミノジシラザン化合物を含むシリコン含有膜形成用の組成物
JP4904029B2 (ja) ボラジン化合物の保存方法
JP4904047B2 (ja) ボラジン化合物の製造方法およびボラジン化合物合成用反応容器
WO2007083839A1 (ja) 第3級アミンの製造方法
JP6144161B2 (ja) 窒化ケイ素膜原料、およびこの原料から得られた窒化ケイ素膜
CN114736233B (zh) 一种四甲基硅烷的合成方法
JP4904030B2 (ja) ボラジン化合物の製造方法
TWI700288B (zh) 烴氧基二矽烷
CN102333784A (zh) 环状氮杂-硅化合物
JP5373259B2 (ja) N−アルキルボラジンの製造方法
JP2017031062A (ja) 2−オキサゾリジノン誘導体の製造方法
JP5261169B2 (ja) 1,4−ビス(ジクロロメチル)テトラフルオロベンゼンの製造方法
JP2020096172A (ja) ビスアルキルアミノジシラザン化合物、前記ビスアルキルアミノジシラザン化合物を含むシリコン含有膜形成用の組成物
JP2008266196A (ja) ボラジン化合物の製造方法
CN103772119A (zh) 1,1,2,3,3-五甲基-茚满及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20121221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20121226

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20121226

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130326

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130405

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130703

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130823

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130918

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees