JP2008198612A - 移相型の素子および移相型の素子を有する粒子ビーム装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】移相型の素子(1)は、不均一なおよび/または異方性の電位を発生させるための少なくとも1つの手段(2)を有する。
【選択図】 図1
Description
y'β・yδ-yβ・y'δ=1
ただし、ダッシュの付いた変数は、夫々、経路の導関数(勾配)を表わしている。変換法則は、既に、以前から知られているので、変換法則については、詳しく立ち入らない。
(ただし、ZSは回折中間像面40に対応する)という、焦点が合わされた回折像のための条件をもって、複数の経路およびこれらの経路の勾配が、以下の式を満たさねばならない。
yβ(ZS)・y'δ(ZS)=-1
回折中間像面40(ZS)におけるyβおよびxαの比率は、ここに示した実施の形態では1:10ないし1:100の範囲にあるアスペクトレシオである。アスペクトレシオは、スリット2を有しかつ矩形に形成されている移相型の素子1の寸法を定める。この場合、スリット2の寸法は、後焦点面33の回折像が少なくとも部分的にまたは全体的にスリット2を通って案内されるように、選択されている。換言すれば、ゼロ次数を有する散乱されないおよび/または回折されない粒子ビームが、高い回折次数を有する散乱されたおよび/または回折された粒子ビームと共に、スリット2を通って案内される。
2 スリット、電位発生手段、開口部
3 中央の電極
3a 第1の面
3b 第2の面
4 遮蔽層
5 遮蔽層
6 絶縁層(絶縁体
7 絶縁層
8 軸
9 電極
10 電極
11 絶縁層
12 電極
12aないし12h 電極
13 電極
14 電極
14aないし14h 電極
15 絶縁層
16 絶縁層
17 開口部、電位発生手段
18 スリット、電位発生手段、開口部
19 スリット、電位発生手段、開口部
20 ゼロ次数のビーム
21 四極子光学系、四極型レンズ
22 ドリフトユニット
23 電子銃
24 抽出電極
25 電極
26 電極
27 磁気レンズ(コンデンサ)
28 磁気レンズ(コンデンサ)
29 磁気レンズ(コンデンサ)
30 対物レンズ
31 物体面
32 光軸
33 回折面、焦点面
34 回折レンズ
35 中間像
36 四極素子、多極素子
37 四極素子、多極素子
38 二重偏向ユニット、二重偏向システム
39 二重偏向ユニット、二重偏向システム
40 中間面
41 第2の回折レンズ
42 アナモルフィックな回折像
43 四極素子、多極素子
44 二重偏向ユニット、二重偏向システム
45 二重偏向ユニット、二重偏向システム
46 四極素子、多極素子
47 四極素子、多極素子
48 対物レンズ
49 中間像
50 対物レンズ
51 回折面、焦点面
52 ビーム
53 ビーム
54 移相型の素子
55 軸方向ビーム
56 四極素子、多極素子
57 四極素子、多極素子
58 四極素子、多極素子
59 対称面、回折中間像面
60 八極子
61 四極素子、四極子、多極素子
62 四極素子、四極子、多極素子
63 四極素子、四極子、多極素子
64 軸外のビーム
65 対物レンズ
66 回折面、焦点面
67 回折面
68 四極素子
69 回折中間像面
70 四極素子
71 投影レンズ
72 光軸
73 移相型の素子
74 移相型の素子
101 ライン
102 ライン
103 制御ユニット
104 炭素フィルム
105 炭素フィルム
Z1 第1の中間像
ZS アナモルフィックな回折像を有する対称面
Q1ないしQ7 四極素子、多極素子
O1ないしO6 八極素子。
Claims (42)
- 不均一な電位(UB)を発生させるための少なくとも1つの手段(2,17,18,19)を有し、粒子ビームの少なくとも一部分の位相をシフトさせるための移相型の素子(1,54,73,74)。
- 異方性の電位(UB)を発生させるための少なくとも1つの手段(2,17,18,19)を有し、粒子ビームの少なくとも一部分の位相をシフトさせるための、請求項1に記載の移相型の素子(1,54,73,74)。
- 前記不均一なおよび/または異方性の電位を発生させるための前記移相型の素子(1,54,73,74)には、開口部が、前記移相型の素子(1,54,73,74)の面に対し垂直な方向に非回転対称的に形成されている、請求項1または2に記載の移相型の素子(1,54,73,74)。
- 不均一な電位を発生させための前記手段(2,17,18,19)が、電位(UB)を発生させるために設けられている、請求項1ないし3のいずれか1に記載の移相型の素子(1,54,73,74)。
- 不均一な電位を発生させための前記手段は、磁位を発生させるように形成されている、請求項1ないし4のいずれか1に記載の移相型の素子(1,54,73,74)。
- 前記移相型の素子(1,54,73,74)は、複数の開口部(2,17,18,19)を有する、請求項3ないし5のいずれか1に記載の移相型の素子(1,54,73,74)。
- 前記移相型の素子(1,54,73,74)は、1つの開口部(2,17,18,19)を有する、請求項3ないし5のいずれか1に記載の移相型の素子(1,54,73,74)。
- 前記移相型の素子(1)は、第1の軸(y)に沿った第1の素子長さ(E1)と第2の軸(x)に沿った第2の素子長さ(E2)とを有し、
前記第1の軸(y)は、前記第2の軸(x)に対し非平行に設けられており、
前記開口部(2)は、前記第1の軸(y)と前記第2の軸(x)とに沿っても延びている、請求項6または7に記載の移相型の素子(1,54,73,74)。 - 前記開口部(2)は、前記第1の軸(y)に沿った第1の開口部長さ(O1)と前記第2の軸(x)に沿った第2の開口部長さ(O2)とを有し、前記第1の開口部長さ(O1)は、前記第2の開口部長さ(O2)より長い、請求項8に記載の移相型の素子(1)。
- 前記第1の軸(y)は、前記第2の軸(x)に対し垂直に設けられている、請求項8または9に記載の移相型の素子(1)。
- 前記移相型の素子(1)は、第3の軸(z)を有し、この軸は、前記第1の軸(y)と前記第2の軸(x)とに対して非平行に延びており、前記第3の軸に沿って、第3の開口部長さ(E3)が延びている、請求項8ないし10のいずれか1に記載の移相型の素子(1)。
- 前記開口部(2,18,19)は、スリット状に形成されている、請求項3ないし11のいずれか1に記載の移相型の素子(1)。
- 前記開口部(2,18,19)は、矩形に形成されている、請求項3ないし12のいずれか1に記載の移相型の素子(1)。
- 前記開口部(18,19)は、十字形に形成されている、請求項3ないし13のいずれか1に記載の移相型の素子(1)。
- 前記移相型の素子(1)は、多層に形成されている、請求項1ないし14のいずれか1に記載の移相型の素子(1)。
- 前記移相型の素子(1)は、少なくとも1つの電極(3,9,10,12,13,14)を有する、請求項1ないし15のいずれか1に記載の移相型の素子(1)。
- 前記電極は、複数のセグメント(12aないし12h,14aないし14h)からからなっている、請求項16に記載の移相型の素子(1)。
- 個々に制御可能でありかつ異なる電位が別個に印加可能である第1の電極(12)と第2の電極(14)とが、1つの面に設けられている、請求項16または17に記載の移相型の素子(1)。
- 前記電極(3,9,10,12,13,14)、または前記第1の電極(12)および前記第2の電極(14)のうちの少なくとも1が、第1の面(3a)および第2の面(3b)を有し、前記第1の面(3a)には、第1の絶縁体(6)が設けられている、請求項16ないし19のいずれか1に記載の移相型の素子(1)。
- 前記第2の面(3b)には、第2の絶縁体(7)が設けられている、請求項19に記載の移相型の素子(1)。
- 前記第1の絶縁体(6)には、第1の遮蔽ユニット(4)が設けられている、請求項19または20に記載の移相型の素子(1)。
- 前記第2の絶縁体(7)には、第2の遮蔽ユニット(5)が設けられている、請求項20または21に記載の移相型の素子(1)。
- 前記移相型の素子(1)は、ドリフトユニット(22)を有する、請求項1ないし22のいずれか1に記載の移相型の素子(1)。
- 前記移相型の素子(1)は、内部電位を有する少なくとも1つの区域(104,105)を具備する、請求項1ないし23のいずれか1に記載の移相型の素子(1)。
- 少なくとも1つの第1の移相型の素子(1,73,74)と、少なくとも1つの第2の移相型の素子(1,73,74)とを有し、請求項1ないし24のいずれか1に記載の前記第1の移相型の素子(1,73,74)と前記第2の移相型の素子(1,73,74)とが設けられているシステム。
- 前記システムは、光軸(72)を有し、
前記第1の移相型の素子(1,73,74)と前記第2の移相型の素子(1,73,74)とは、前記光軸(72)に沿って設けられており、
前記第2の移相型の素子(1,74)は、前記第1の移相型の素子(1,73)の後方に設けられている、請求項25に記載のシステム。 - 後焦点面(33,51,66)を有する少なくとも1つの対物レンズ(30,50,65)と、
前記対物レンズ(30,50,65)の前記後焦点面(33,51,66)を回折中間像面(40,59,69,ZS)へ拡大して結像するための少なくとも1つの第1の回折レンズ(34,67)と、
前記回折中間像面(40,69)に設けられている少なくとも1つの第2の回折レンズ(41,69)と、
少なくとも1つの多極素子(36,37,43,46,47,56ないし58,61ないし63,Q1ないしQ7)と、
請求項1ないし24のいずれか1に記載の少なくとも1つの移相型の素子(1)と、を具備する粒子ビーム装置。 - 前記粒子ビーム装置は、光軸(32,z)を有し、前記対物レンズ(30,50,65)から前記第2の回折レンズ(41,69)の方向に、前記少なくとも1つの多極素子(36,37,43,46,47,56ないし58,61ないし63,Q1ないしQ7)が設けられている、請求項27に記載の粒子ビーム装置。
- 前記粒子ビーム装置は、第1の多極素子(36)と、第2の多極素子(37)とを有し、
前記対物レンズ(30)から前記第2の回折レンズ(41)の方向に、前記第1の回折レンズ(34)と、前記第1の多極素子(36)と、前記第2の多極素子(37)と、前記回折中間像面(40)とが設けられている、請求項28に記載の粒子ビーム装置。 - 前記粒子ビーム装置は、第3の多極素子(46)と、第4の多極素子(47)と、投影レンズ(48)とを有し、前記第2の回折レンズ(41)から前記投影レンズ(48)の方向に、前記第3の多極素子(46)と、前記第4の多極素子(47)と、前記投影レンズ(48)とが設けられている、請求項29に記載の粒子ビーム装置。
- 第5の多極素子(43)が、前記回折中間像面(40)の区域に設けられている、請求項30に記載の粒子ビーム装置。
- 前記第5の多極素子(43)は、第1の副多極素子(43a)および第2の副多極素子(43b)を有する、請求項31に記載の粒子ビーム装置。
- 前記多極素子は、少なくとも1つの磁気的なまたは電気的な極を有する、請求項27ないし32に記載のいずれか1に記載の粒子ビーム装置。
- 前記多極素子(36,37,43,46,47,56ないし58,61ないし63,Q1ないしQ7)またはこれらの多極素子(36,37,43,46,47,56ないし58,61ないし63,Q1ないしQ7)のうちの少なくとも1が、四重極場を発生させる、請求項27ないし33のいずれか1に記載の粒子ビーム装置。
- 前記多極素子は、四極素子(36,37,43,46,47,56ないし58,61ないし63,Q1ないしQ7)として形成されている、請求項34に記載の粒子ビーム装置。
- 前記多極素子(36,37,46,47)に関連して、双極場を有する二重偏向システム(38,39,44,45)が設けられている、請求項27ないし35のいずれか1に記載の粒子ビーム装置。
- 前記粒子ビーム装置は、少なくとも6つの四極素子(56,57,58,61,62,63)を有し、これらの四極素子は、回折中間像面(59)に対し逆対称的に励起可能であり、前記6つの四極素子(56,57,58,61,62,63)の各々および前記回折中間像面(59)に、夫々八極子(60)が重ね合わされている、請求項27ないし36のいずれか1に記載の粒子ビーム装置。
- 6つの四極素子(Q1ないしQ7)を含みかつ七つ組として形成された少なくとも1つの四極子と、七つ組としての四極子内で励起可能な少なくとも5つの八極子(O1ないしO7)とを具備し、前記四極素子(Q1ないしQ7)は、前記回折中間像面(ZS)に対し対称的に励起可能である、請求項27ないし36のいずれか1に記載の粒子ビーム装置。
- 前記八極子(60,O1ないしO7)のうちの少なくとも1が、電気的にまたは磁気的に形成されている、請求項37または38に記載の粒子ビーム装置。
- 前記粒子ビーム装置は、収差を補正するための補正器を有する、請求項27ないし39のいずれか1に記載の粒子ビーム装置。
- 前記粒子ビーム装置は、電子ビーム装置として、特に透過電子顕微鏡として形成されている、請求項27ないし40のいずれか1に記載の粒子ビーム装置。
- 後焦点面(33)を有する少なくとも1つの対物レンズ(30)と、
この対物レンズ(30)の前記後焦点面(33)を回折中間像面(40)へ拡大して結像するための少なくとも1つの第1の回折レンズ(34)と、
前記回折中間像面(40)に設けられている少なくとも1つの第2の回折レンズ(41)と、
少なくとも1つ移相型の素子(1)と、
四極素子として形成されている少なくとも1つの多極素子(36,37,43,46,47)とを具備する粒子ビーム装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010199072A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Ceos Corrected Electron Optical Systems Gmbh | 位相シフトによる画像コントラストの形成方法および形成装置 |
JP2011187214A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Hitachi Ltd | 位相差電子顕微鏡および位相板 |
JP2011187215A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Hitachi Ltd | 位相板およびこれを用いた位相差電子顕微鏡 |
WO2013005490A1 (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 位相板、および電子顕微鏡 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006011615A1 (de) | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Phasenkontrast-Elektronenmikroskop |
DE102007007923A1 (de) * | 2007-02-14 | 2008-08-21 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Phasenschiebendes Element und Teilchenstrahlgerät mit phasenschiebenden Element |
DE102008037698B4 (de) * | 2008-08-14 | 2012-08-16 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Elektronenmikroskop mit ringförmiger Beleuchtungsapertur |
US7977633B2 (en) | 2008-08-27 | 2011-07-12 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E. V. | Phase plate, in particular for an electron microscope |
NL2004888A (en) * | 2009-06-29 | 2010-12-30 | Asml Netherlands Bv | Deposition method and apparatus. |
EP2400522A1 (en) * | 2010-06-24 | 2011-12-28 | Fei Company | Blocking member for use in the diffraction plane of a TEM |
DE102010054541A1 (de) * | 2010-12-15 | 2012-06-21 | Ceos Corrected Electron Optical Systems Gmbh | Korrektor |
DE102011014399B4 (de) * | 2011-03-18 | 2017-08-03 | Stiftung Caesar Center Of Advanced European Studies And Research | Phasenplatte, Verfahren zum Herstellen einer Phasenplatte sowie Elektronenmikroskop |
US8933425B1 (en) | 2011-11-02 | 2015-01-13 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for aberration correction in electron beam based system |
GB2497761A (en) * | 2011-12-20 | 2013-06-26 | Univ Antwerpen | Generation of charged particle vortex waves |
EP2624278B1 (en) | 2012-01-31 | 2014-07-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Phase plate |
JP6286270B2 (ja) | 2013-04-25 | 2018-02-28 | エフ イー アイ カンパニFei Company | 透過型電子顕微鏡内で位相版を用いる方法 |
DE102013019297A1 (de) | 2013-11-19 | 2015-05-21 | Fei Company | Phasenplatte für ein Transmissionselektronenmikroskop |
EP3097577A4 (en) * | 2014-01-21 | 2017-09-20 | Ramot at Tel-Aviv University Ltd. | Method and device for manipulating particle beam |
JP2016170951A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | 日本電子株式会社 | 位相板およびその製造方法、ならびに電子顕微鏡 |
WO2017201334A1 (en) * | 2016-05-19 | 2017-11-23 | Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Complex spatially-resolved reflectometry/refractometry |
EP3474308A1 (en) * | 2017-10-17 | 2019-04-24 | Universiteit Antwerpen | Spatial phase manipulation of charged particle beam |
EP3761340A1 (en) * | 2019-07-02 | 2021-01-06 | ASML Netherlands B.V. | Apparatus for and method of local phase control of a charged particle beam |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003187731A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-07-04 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | 1階、1次の色収差を補正する補正装置 |
JP2005512282A (ja) * | 2001-12-04 | 2005-04-28 | ツェーエーオーエス コレクテッド エレクトロン オプチカル システムズ ゲーエムベーハー | 粒子光学補正器 |
JP2006012795A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Kyoto Univ | 透過型電子顕微鏡 |
JP2009529777A (ja) * | 2006-11-24 | 2009-08-20 | ツェーエーオーエス コレクテッド エレクトロン オプチカル システムズ ゲーエムベーハー | 位相板、結像方法および電子顕微鏡 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2651154B2 (ja) * | 1987-09-04 | 1997-09-10 | 株式会社日立製作所 | 電子線ホログラフィ装置 |
DE3841715A1 (de) * | 1988-12-10 | 1990-06-13 | Zeiss Carl Fa | Abbildender korrektor vom wien-typ fuer elektronenmikroskope |
NL9100294A (nl) * | 1991-02-20 | 1992-09-16 | Philips Nv | Geladen deeltjesbundelinrichting. |
DE69213157T2 (de) * | 1991-10-24 | 1997-03-06 | Philips Electronics Nv | Elektronenstrahlvorrichtung |
DE4204512A1 (de) | 1992-02-15 | 1993-08-19 | Haider Maximilian Dipl Phys Dr | Elektronenoptisches korrektiv |
US5814815A (en) | 1995-12-27 | 1998-09-29 | Hitachi, Ltd. | Phase-contrast electron microscope and phase plate therefor |
JP3942363B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2007-07-11 | 日本電子株式会社 | 透過電子顕微鏡の位相板用レンズシステム、および透過電子顕微鏡 |
DE10200645A1 (de) * | 2002-01-10 | 2003-07-24 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Elektronenmikroskop mit ringförmiger Beleuchtungsapertur |
CA2513203A1 (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-21 | Forskningscenter Riso | Optical displacement sensor |
DE10206703A1 (de) | 2002-02-18 | 2003-08-28 | Max Planck Gesellschaft | Phasenplatte für die Elektronenmikroskopie und elektronenmikroskopische Bildgebung |
GB0320460D0 (en) * | 2003-09-02 | 2003-10-01 | Givaudan Sa | Device |
WO2006017252A1 (en) * | 2004-07-12 | 2006-02-16 | The Regents Of The University Of California | Electron microscope phase enhancement |
JP4625317B2 (ja) * | 2004-12-03 | 2011-02-02 | ナガヤマ アイピー ホールディングス リミテッド ライアビリティ カンパニー | 位相差電子顕微鏡用位相板及びその製造方法並びに位相差電子顕微鏡 |
DE102005040267B4 (de) * | 2005-08-24 | 2007-12-27 | Universität Karlsruhe | Verfahren zum Herstellen einer mehrschichtigen elektrostatischen Linsenanordnung, insbesondere einer Phasenplatte und derartige Phasenplatte |
EP1958231B1 (de) * | 2005-12-06 | 2018-05-23 | Ceos Corrected Electron Optical Systems GmbH | Korrektiv zur beseitigung des öffnungsfehlers 3. ordnung und des axialen farbfehlers 1. ordnung 1. grades |
JP2007173132A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査透過電子顕微鏡、および走査透過電子顕微鏡の調整方法 |
DE102006011615A1 (de) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Phasenkontrast-Elektronenmikroskop |
DE102007007923A1 (de) * | 2007-02-14 | 2008-08-21 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Phasenschiebendes Element und Teilchenstrahlgerät mit phasenschiebenden Element |
EP2091062A1 (en) * | 2008-02-13 | 2009-08-19 | FEI Company | TEM with aberration corrector and phase plate |
DE102008037698B4 (de) * | 2008-08-14 | 2012-08-16 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Elektronenmikroskop mit ringförmiger Beleuchtungsapertur |
US7977633B2 (en) * | 2008-08-27 | 2011-07-12 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E. V. | Phase plate, in particular for an electron microscope |
-
2007
- 2007-02-14 DE DE102007007923A patent/DE102007007923A1/de not_active Withdrawn
-
2008
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- 2008-02-14 US US12/070,055 patent/US7902506B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-14 JP JP2008033633A patent/JP5388163B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-01-20 US US12/931,046 patent/US8173963B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-05-02 US US13/462,140 patent/US8436302B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003187731A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-07-04 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | 1階、1次の色収差を補正する補正装置 |
JP2005512282A (ja) * | 2001-12-04 | 2005-04-28 | ツェーエーオーエス コレクテッド エレクトロン オプチカル システムズ ゲーエムベーハー | 粒子光学補正器 |
JP2006012795A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Kyoto Univ | 透過型電子顕微鏡 |
JP2009529777A (ja) * | 2006-11-24 | 2009-08-20 | ツェーエーオーエス コレクテッド エレクトロン オプチカル システムズ ゲーエムベーハー | 位相板、結像方法および電子顕微鏡 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010199072A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Ceos Corrected Electron Optical Systems Gmbh | 位相シフトによる画像コントラストの形成方法および形成装置 |
JP2011187214A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Hitachi Ltd | 位相差電子顕微鏡および位相板 |
JP2011187215A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Hitachi Ltd | 位相板およびこれを用いた位相差電子顕微鏡 |
WO2013005490A1 (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 位相板、および電子顕微鏡 |
JP2013016305A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 位相板、および電子顕微鏡 |
US9208990B2 (en) | 2011-07-01 | 2015-12-08 | Hitachi High-Technologies Corporation | Phase plate and electron microscope |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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