JP2008193016A - 液体材料の充填方法、装置およびプログラム - Google Patents

液体材料の充填方法、装置およびプログラム Download PDF

Info

Publication number
JP2008193016A
JP2008193016A JP2007028753A JP2007028753A JP2008193016A JP 2008193016 A JP2008193016 A JP 2008193016A JP 2007028753 A JP2007028753 A JP 2007028753A JP 2007028753 A JP2007028753 A JP 2007028753A JP 2008193016 A JP2008193016 A JP 2008193016A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
application
liquid material
correction
pattern
application pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007028753A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5019900B2 (ja
Inventor
Kazumasa Ikushima
和正 生島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Musashi Engineering Co Ltd
Original Assignee
Musashi Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Musashi Engineering Co Ltd filed Critical Musashi Engineering Co Ltd
Priority to JP2007028753A priority Critical patent/JP5019900B2/ja
Priority to CN2008800044604A priority patent/CN101606238B/zh
Priority to TW097104577A priority patent/TWI433242B/zh
Priority to KR1020097016816A priority patent/KR101463488B1/ko
Priority to PCT/JP2008/051802 priority patent/WO2008096721A1/ja
Publication of JP2008193016A publication Critical patent/JP2008193016A/ja
Priority to HK10101915.8A priority patent/HK1136088A1/xx
Application granted granted Critical
Publication of JP5019900B2 publication Critical patent/JP5019900B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/28Processes for applying liquids or other fluent materials performed by transfer from the surfaces of elements carrying the liquid or other fluent material, e.g. brushes, pads, rollers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/743Apparatus for manufacturing layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】複雑なパラメータの計算が不要であり、吐出量の変化に柔軟に対応することができる液体材料の充填方法、装置およびプログラムの提供。
【解決手段】ワークの外周に沿った非補正塗布パターンと、非補正塗布パターンと重なる補正塗布パターンとから構成される全体塗布パターンを作成し、全体塗布パターンに基づき吐出部から液体材料を吐出し、基板とその上に載置されたワークとの間隙に毛細管現象を利用して液体材料を充填する液体材料の充填方法であって、補正塗布パターンを、塗布領域および非塗布領域から構成し、補正塗布パターンの塗布領域および非塗布領域を伸縮させることにより、液体材料の吐出量の補正を行うことを特徴とする液体材料の充填方法。
【選択図】図6

Description

本発明は、基板とその上に載置されたワークとの間隙に毛細管現象を利用して吐出部から吐出した液体材料を充填する方法、装置およびプログラムに関し、特に半導体パッケージングのアンダーフィル工程において液体材料の吐出量を複雑なパラメータの計算を行うことなく補正できる方法、装置およびプログラムに関するものである。
なお、本発明における「吐出」とは、液体材料が吐出部から離間する前にワークに接触するタイプの吐出方式、および、液体材料が吐出部から離間した後にワークに接触されるタイプの吐出方式を含むものである。
近年、電子機器の小型化、高性能化に伴う半導体部品の高密度実装、多ピン化への要求に対して、フリップチップ方式と呼ばれる実装技術が注目されている。フリップチップ方式の実装は、半導体チップの表面に存在する電極パッド上に突起状電極(バンプ)を形成し、相対する基板上の電極パッドに直接接合することにより行う。フリップチップ方式を用いると、実装に必要な面積が半導体チップの面積とほぼ等しくなり、高密度実装を達成することが可能となる。また、電極パッドを半導体チップ全面に配置することが可能で、多ピン化にも適している。他にも接続配線長がバンプ電極の高さのみで、電気的特性が良好であり、半導体チップの接続部の反対面が露出しているので、放熱が容易であるなどの利点がある。
フリップチップパッケージでは、半導体チップと基板との熱膨張係数の差により発生する応力が、接続部に集中して接続部が破壊することを防ぐために、半導体チップと基板との隙間に樹脂を充填して接続部を補強する。この工程をアンダーフィルと呼ぶ(図1参照)。
アンダーフィル工程は、半導体チップの外周(例えば一辺もしくは二辺)に沿って液状樹脂を塗布し、毛細管現象を利用して樹脂を半導体チップと基板との隙間に充填した後、オーブンなどで加熱して樹脂を硬化させることにより行う。
アンダーフィル工程においては、時間経過に伴う樹脂材料の粘度変化を考慮する必要がある。粘度が高くなると、材料吐出口からの吐出量が減少し、また、毛細管現象が不十分になって、適正量の材料が隙間に充填されなくなってしまうという問題があるからである。粘度変化の激しいものでは、例えば、6時間経過後、吐出量にして10%以上減ることもある。そこで、粘度の経時的変化に伴う吐出量の変化を補正する必要があった。
ところで、アンダーフィル工程に用いる樹脂材料の充填には、一般にディスペンサが用いられている。そのディスペンサの一種に、ノズルから液体材料の小滴を噴射して吐出するジェット式ディスペンサがある。
ジェット式ディスペンサを用いてアンダーフィル工程を実施する方法は、例えば、特開2004−344883号(特許文献1)に開示される。すなわち、特許文献1には、ジェット式ディスペンサを用いて基板上に粘性材料を吐出する方法であって、吐出すべき粘性材料の総体積および総体積の粘性材料が吐出される長さを準備すること、重量計上に複数の粘性材料液滴を塗布するよう動作させること、重量計上に塗布された複数の粘性材料液滴の重量を表すフィードバック信号を生成すること、総体積の粘性材料が長さにわたって吐出されるように、ディスペンサと基板との間の最大相対速度を求めること、を含む方法が開示されている。
また、特許文献1には、複数の粘性材料液滴のそれぞれの体積を求めること、総体積にほぼ等しくなるのに必要とされる液滴の全数を求めること、長さにわたって粘性材料液滴をほぼ均一に分配するのに必要とされる各液滴間距離を求めること、および粘性材料液滴の全数が長さにわたってほぼ均一に吐出されるように、ディスペンサと基板との間の最大相対速度を求めること、をさらに含む方法が開示されている。
特開2004−344883号公報
しかしながら、特許文献1に記載の方法においては、長さにわたって均一に吐出するために液滴の数や各液滴の間隔を求める手順が必要であり、この手順内では様々なパラメータを計算によって求めるため、その計算時に誤差が多く生じる。
また、より正確に均一化を図るためには、一つ一つの液滴の大きさを揃える必要があり、このために特別の手段が必要である。
また、ノズル(吐出部)と基板との間の最大相対速度の変更は、粘度が大きくなる場合、速度は遅くなる方向への変更となる。速度が遅くなると塗布時間が長くなり、生産性に影響を及ぼすという課題がある。
半導体チップの大きさがある程度以上になると、液体材料の量が多く吐出できる二辺や三辺の塗布を行っても、一回の塗布では全体の充填量が不足する場合がある。その場合、所望の充填量を達成するために、同じ経路に沿って複数回重ねて塗布を行うことで所望の充填量を達成している。ここで、同じ経路に複数回の塗布を行う際には、一回の塗布を行う場合と比べ、吐出量の変化も複数倍となる。
そこで、本発明は、上記課題を解決し、複雑なパラメータの計算が不要であり、吐出量の変化に柔軟に対応することができる液体材料の充填方法、装置およびプログラムを提供することを目的とする。
塗布速度を一定に保った状態での補正としては、加圧量、プランジャの移動量、弁の往復動作の速度などを制御することにより、単位時間当たりの吐出部からの吐出量を一定に保つことが考えられる。しかしながら、これらの手法では、様々なパラメータを計算によって求めるため、その計算時に誤差が多く生じるおそれがある。そこで、発明者は、補正手順を簡明とすべく、鋭意工夫した。
また、全体塗布パターンを複数の補正塗布パターン、または非補正塗布パターンと補正塗布パターンとの組み合わせにより構成することで、吐出量の変化に柔軟に対応することを可能とした。
すなわち、第1の発明は、ワークの外周に沿った非補正塗布パターンと、非補正塗布パターンと重なる補正塗布パターンとから構成される全体塗布パターンを作成し、全体塗布パターンに基づき吐出部から液体材料を吐出し、基板とその上に載置されたワークとの間隙に毛細管現象を利用して液体材料を充填する液体材料の充填方法であって、補正塗布パターンを、塗布領域および非塗布領域から構成し、補正塗布パターンの塗布領域および非塗布領域を伸縮させることにより、液体材料の吐出量の補正を行うことを特徴とする液体材料の充填方法である。
第2の発明は、第1の発明において、塗布領域および非塗布領域が交互に連続することを特徴とする。
第3の発明は、第1または2の発明において、補正塗布パターンの全長を変えることなく塗布領域および非塗布領域を伸縮させることを特徴とする。
第4の発明は、第1、2または3の発明において、前記全体塗布パターンにおいて、最後の塗布パターンが補正塗布パターンであることを特徴とする。
第5の発明は、第1ないし4のいずれかの発明において、前記全体塗布パターンは、複数の非補正塗布パターンと、1以上の補正塗布パターンとから構成されることを特徴とする。
第6の発明は、第1ないし5のいずれかの発明において、液体材料の吐出量の補正を、全体塗布パターンにおいて、新たな補正塗布パターンを付加し、または既存の補正塗布パターンを除去することにより行うことを特徴とする。
第7の発明は、ワークの外周に沿った第一の補正塗布パターンと、第一の補正塗布パターンと重なる第二の補正塗布パターンとから構成される全体塗布パターンを作成し、全体塗布パターンに基づき吐出部から液体材料を吐出し、基板とその上に載置されたワークとの間隙に毛細管現象を利用して液体材料を充填する液体材料の充填方法であって、第一および第二の補正塗布パターンを、塗布領域および非塗布領域から構成し、第一および第二の補正塗布パターンの塗布領域および非塗布領域を伸縮させることにより、液体材料の吐出量の補正を行うことを特徴とする液体材料の充填方法である。
第8の発明は、第7の発明において、塗布領域および非塗布領域が交互に連続することを特徴とする。
第9の発明は、第7または8の発明において、第一および第二の補正塗布パターンの全長を変えることなく塗布領域および非塗布領域を伸縮させることを特徴とする。
第10の発明は、第7、8または9の発明において、第一および第二の補正塗布パターンが同一の補正塗布パターンであることを特徴とする。
第11の発明は、第7ないし10のいずれかの発明において、第一の補正塗布パターンの塗布領域の長さが第二の補正塗布パターンの塗布領域の長さ以上であり、第一の補正塗布パターンの後に第二の補正塗布パターンに基づく塗布が行われることを特徴とする。
第12の発明は、第7ないし11のいずれかの発明において、前記全体塗布パターンは、1以上の第一の補正塗布パターンおよび複数の第二の補正塗布パターン、または、複数の第一の補正塗布パターンおよび1以上の第二の補正塗布パターンとから構成されることを特徴とする。
第13の発明は、第7ないし12のいずれかの発明において、液体材料の吐出量の補正を、全体塗布パターンにおいて、新たな第一および/または第二の補正塗布パターンを付加し、または既存の第一および/または第二の補正塗布パターンを除去することにより行うことを特徴とする。
第14の発明は、第1ないし13のいずれかの発明において、全体塗布パターンが、ワークの外周を構成する複数の辺に沿って構成されることを特徴とする。
第15の発明は、第1ないし14のいずれかの発明において、前記吐出量の補正の前後で吐出装置の移動速度が変更されないことを特徴とする。
第16の発明は、第1ないし15のいずれかの発明において、補正前の吐出時間(T1)の間吐出した液体材料の重量(W1)を計測し、吐出時間(T1)と重量(W1)との関係から適正重量(W2)を吐出するための時間(T2)を算出し、時間(T2)と吐出部の移動速度(V)から塗布領域の適正全長(L2)を算出し、塗布領域の適正全長(L2)と補正前の塗布領域の全長(L1)との差分を補正塗布パターンの塗布領域と非塗布領域の夫々の全長の伸縮量とすることを特徴とする。
第17の発明は、第1ないし16のいずれかの発明において、液体材料を吐出して適正重量(W2)となるまでの時間(T2)を計測し、時間(T2)と吐出部の移動速度(V)から塗布領域の適正全長(L2)を算出し、塗布領域の適正全長(L2)と補正前の塗布領域の全長(L1)との差分を補正塗布パターンの塗布領域と非塗布領域の夫々の全長の伸縮量とすることを特徴とする。
第18の発明は、第16または17の発明において、吐出時間または吐出重量と粘度の関係をメモリに記憶し、液体材料交換後の工程において、補正塗布パターンの塗布領域と非塗布領域の夫々の全長の伸縮量を当該メモリの記憶情報に基づき算出することを特徴とする。
第19の発明は、第16、17または18の発明において、補正を行うかを判断する許容範囲を設け、計測値が前記許容する範囲を越える場合に、塗布領域と非塗布領域の夫々の全長の伸縮量を補正することを特徴とする。
第20の発明は、第1ないし19のいずれかの発明において、液体材料の経時的粘度変化に伴う吐出量の補正を行うことを特徴とする。
第21の発明は、第1ないし20のいずれかの発明において、ユーザーが補正周期として入力した時間情報、ワーク枚数、または基板の枚数に基づき液体材料の吐出量の補正が行われることを特徴とする。
第22の発明は、吐出する液体材料を供給する液材供給部と、液材供給部から供給された液体材料を吐出する吐出口を有する吐出部と、吐出口より吐出された液体材料の量を計量する計量手段と、吐出部を移動自在とする駆動部と、これらの作動を制御する制御部とを備える塗布装置において、制御部が、第1ないし21のいずれかの発明に係る液体材料の充填方法を実施するプログラムを有することを特徴とする装置。
第23の発明は、吐出する液体材料を供給する液材供給部と、吐出口より吐出された液体材料の量を計量する計量手段と、液体材料を吐出する吐出口を有する吐出部と、吐出部を移動自在とする駆動部と、これらの作動を制御する制御部とを備える塗布装置において、制御部に第1ないし21のいずれかの発明に係る液体材料の充填方法を実施させるプログラムである。
なお、計量手段とは、後述の重量計のみを対象とするものではなく、公知の一般的な計量手段(例えば、光学的計測システムも含む。)を意味する。
本発明によれば、塗布パターン全長に対して均一に塗布することに制約を受けずに、塗布パターンを自由に作成することができる。すなわち、種々の塗布パターンを組み合わせることにより、吐出量の変化に柔軟に対応することができ、特に、全体の塗布量に対する補正量が大きい場合に好適である。
また、一つ一つの液滴に対して補正を行う場合に比べて手順が簡便であり、計算による誤差を生じにくい。
また、吐出部の移動速度を変更しないため、塗布時間に影響を及ぼさない。
以下に、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
(1)全体塗布パターンの作成
一ないし複数の全体塗布パターンを作成し、その内一つを選択する。全体塗布パターンは、複数の補正塗布パターン、または1以上の非補正塗布パターンと1以上の補正塗布パターンの組み合わせから構成されるが、少なくとも1以上の補正塗布パターンを有する必要がある。例えば、図6に示すように、方形状のワークであるチップ2の一辺に沿った線であって、交互に連続する塗布領域12と非塗布領域13とから構成される補正塗布パターン14と、補正塗布パターン14と全長が同じで、且つ同じチップ2の一辺に沿う塗布領域12のみからなる非補正塗布パターン15とから構成される全体塗布パターンを作成する。なお、ワークは方形上のものに限定されず、円形や多角形であってもよい。
全体塗布パターンを構成する各塗布パターンの全長、塗布領域12および非塗布領域13の数や塗布回数は、チップ2と基板1との隙間を充填するのに必要となる液体材料5の重量ないしは体積などから決定する。例えば、図6のようにチップ2の一辺に対して二回重ねて塗布を行う場合、一回目の塗布パターン16は非塗布領域13がなく構成され、二回目の塗布パターン17は一つの塗布領域12の両側が非塗布領域13となって一つの全体塗布パターンが構成される。
図中の二回目以降の塗布パターンは、説明のために並べて描いてあるが、実際には二回目以降の塗布パターンは、一回目の塗布パターンと同じ経路に沿って重なって動く。ノズル11を同一方向に移動させて吐出を行ってもよいが、塗布時間の観点からは、吐出をしながらノズル11を往復動作させるのが好ましい。
(2)初期パラメータの設定
塗布に用いる液体材料について、全体塗布パターンと適正重量および/または適正吐出時間との関係を予めの試験により算出し、制御部のメモリに記憶する。吐出量の変化は、温度の変化により生ずる液体材料の粘度変化や吐出部のつまりおよび水頭差による影響もあるが、これらのパラメータを設定することで、吐出量の変化全般に適用することが可能となる。
また、液体材料の使用時間の限界値として、メーカーの規定するポットライフに基づいて算出した値を記憶しておくことが好ましい。
なお、後述する(4)で補正量を算出する際に、吐出重量を一定とした際の「吐出時間と粘度との関係」、吐出時間を一定とした際の「吐出重量と粘度との関係」を制御部のメモリに記憶しておくのが好ましい。同じ種類の液体材料であれば、二度目以降の作業においては、制御部に記憶したデータに基づき補正量を算出することで、補正のための吐出および測定作業は不要となるからである。
(3)補正周期の設定
全体塗布パターンを補正する周期である補正周期を設定する。補正周期としては、例えば、ユーザーが入力した時間情報、チップ2ないしは基板1の枚数などを設定する。所定の時間を設定する場合は、液体材料の吐出量の変化が作業開始から許容範囲を越えると予想される時間を設定する。枚数を設定する場合は、一枚のチップ2を処理する時間ないしは一枚の基板1を処理する時間(搬入→塗布→搬出の時間)と、上記所定の時間から処理枚数を求め、設定する。
補正周期設定の際は、時間の経過や温度の変化により生ずる液体材料の粘度変化を考慮する必要があるが、以下では時間の経過に伴う粘度変化のみが生ずることを前提に説明を行うもとのする。
なお、吐出部の温度調整により液体材料の粘度を制御する公知の技術を本発明に併用できることは言うまでもない。
(4)補正量の算出
設定された補正周期で、液体材料の粘度変化による吐出量の変化に対応するための補正量を算出する。
まず、ノズル11を重量計8の上方へ移動させ、固定位置にて液体材料を吐出する。そして、重量計8の計量部へ吐出された液体材料の重量を読み取り、(2)で記憶したパラメータと対比して補正量を求める。
補正量の算出手段としては、(イ)一定時間吐出した際の重量を測定し、適正重量との差に基づいて補正量を算出する手法、(ロ)適正重量となるまでに要する吐出時間を測定し、直前の吐出時間との差に基づいて補正量を算出する手法がある。
(イ)および(ロ)の手法を、図6の塗布パターンの例で具体的に説明する。
まず、チップ2の大きさと、チップ2と基板1との間隙より、液体材料を充填するために必要な適正重量W2を算出する。次に、チップ2の大きさと塗布回数から、全体塗布パターンにおける塗布領域12の合計長さL1を算出する。続いて、適正重量W2の液体材料を吐出するのに要する時間T1を算出する。
時間T1の算出方法は複数通りあるが、ここではジェット式ディスペンサにおける代表的な算出方法を二つ開示する。一つは、ノズル11から液滴を吐出するタイミングは一定であるので、そのタイミングと一滴あたりの重量をもとに適正重量W2を吐出するのに要する時間を算出するやり方であり、もう一つは、重量計8の上に適正重量W2になるまで実際に吐出を行って時間を測定するやり方である。
続いて、液体材料の粘度が高くなった場合(P1→P2)における具体的な補正量の算出方法を図3に基づき説明する。なお、ノズル11の移動速度Vは一定であることを前提とする。
(イ)の場合、変化後の粘度P2で時間T1と同じ時間吐出すると、重量計8の測定値はW1になる。そこで、時間T1と重量W1との関係から、変化後の粘度P2で適正重量W2と同じ重量を吐出するためにかかる時間T2を算出する。速度Vで時間T2だけ移動した場合の長さを複数回の塗布を合計して考えたときの塗布領域12の適正長さL2とする。よって、全体塗布パターンにおける塗布領域12の伸縮量L3はL2−L1となる。この伸縮量L3を、補正塗布パターン14の数に応じて分配する。
(ロ)の場合、変化後の粘度P2で適正重量W2と同じ重量を吐出するのに要する時間を測定すると、吐出時間がT1からT2になる。速度Vで時間T2だけ移動した場合の長さが複数回の塗布を合計して考えたときの塗布領域12の適正長さL2である。よって、複数回の塗布を合計して考えたときの塗布領域12の伸縮量L3はL2−L1となる。この伸縮量L3を、補正塗布パターン14の数に応じて分配する。
ここで、伸縮量L3がゼロで無い場合には常に補正を行うのではなく、計測した吐出量(計測値)の変化ないしは算出した補正量が許容範囲(例えば±10%)を越える場合にのみ補正を行うようにするのが好ましい。許容範囲を設けた補正の好ましい態様は、例えば、出願人の特許出願に係る特開2001−137756号に詳しい。すなわち、補正を行うかを判断する許容範囲を設け、測定値ないしは補正量(時間、重量または伸縮量)が前記許容する範囲を越える場合にのみ補正塗布パターン14を補正する。
(5)補正塗布パターンの補正
(4)で、吐出量の補正が必要であると判断した場合には、補正塗布パターン14における塗布領域12の長さを伸ばし或いは縮め、その量と同じ量だけ補正塗布パターン14における非塗布領域13を縮め或いは伸ばすことにより行う。
伸縮量L3は、補正塗布パターン14における塗布領域12および非塗布領域13の夫々の数に応じて等分するのが好ましい。図6の全体塗布パターンの場合、補正塗布パターン14における塗布領域12の伸縮量はL3と同じであるが、補正塗布パターン14における非塗布領域13の伸縮量はL3/2となる。
以上に述べたとおり、(4)および(5)の工程は、(3)で設定した補正周期において、或いは基板1の種類(大きさや形状)が変わったときなどに実行することで、液体材料の経時的粘度変化にかかわらず、常に最良の塗布パターンを形成することが可能となる。
以下では、本発明の詳細を実施例により説明するが、本発明は何ら実施例により限定されるものではない。
本実施例に関わる方法を実施するための装置の概略図を図2に示す。
まず、塗布対象物であるフリップチップ実装基板10を搬送手段9によって液体材料を吐出するノズル11の下まで搬送する。
ノズル11を有するディスペンサ6は、XY駆動手段7に取り付けられており、基板10や重量計8の上へと移動可能である。また、基板10の上方でXY方向に移動しながら液体材料を塗布する動作もXY駆動手段7によって行うことができる。
基板10がノズル11の下まで運ばれてくると、基板10の位置決め後、塗布を開始する。ノズル11の塗布動作の軌跡である基本となる塗布パターンを、XY駆動手段7やディスペンサ6等の動作を制御する制御部(図示せず)内のメモリ等へ予め記憶させておく。
塗布が終了すると、基板10は搬送手段9によって装置外へ搬出される。そして、次の基板10が搬入され、塗布作業が繰り返される。すなわち、搬入、塗布および搬出が一つのサイクルとなり、対象となる枚数の基板10への塗布が終了するまで、液体材料の塗布が繰り返される。
設定した補正周期になると、液体材料の粘度変化による吐出量の補正が行われる。
補正量の算出は、XY駆動手段7によりノズル11を重量計8の上に移動させ、重量計8により吐出する際に要した時間または液体材料の重量を計測することにより行う。
(イ)重量の変化に基づく補正(図4)
ノズル11から、直前の基板10に全体塗布パターンを形成するために要した時間T1と同じ時間だけ液体材料を吐出する(STEP11)。吐出された液体材料の重量W1を重量計8で計測する(STEP12)。全体塗布パターンごとに予め算出して制御部に記憶しておいた適正重量W2と計測重量W1とを比較し(STEP13)、重量差が許容範囲を越えるか否かにより補正の必要の有無を判定する(STEP14)。STEP14で補正が必要とされた場合には、時間T1とW1との関係から、適正重量W2を吐出するために必要な時間T2を算出する(STEP15)。時間T2と速度Vとの関係から、複数回の塗布を合計して考えたときの、塗布領域12の長さの合計値である適正長さL2を算出する(STEP16)。複数回の塗布を合計して考えたときの塗布領域12の適正長さL2と、直前の複数回の塗布を合計して考えたときの塗布領域12の合計長さL1から、複数回の塗布を合計して考えたときの伸縮量L3(L1とL2との差分)を算出する(STEP17)。塗布領域12および非塗布領域13を伸縮させて補正塗布パターン14を補正する(STEP18)。T1の値をT2に、L1の値をL2に更新する(STEP19)。
なお、変形手順としては、STEP13を省略し、伸縮量の算出後、(STEP17の後)にSTEP14を行うようにしてもよい。
(ロ)時間の変化に基づく補正(図5)
ノズル11から、全体塗布パターンごとに予め算出して制御部に記憶しておいた適正重量W2になるまで液体材料を吐出し(STEP21)、吐出に要した時間T2を計測する(STEP22)。直前の基板10に全体塗布パターンを形成するために要した時間T1と計測時間T2とを比較し(STEP23)、計測時間T2が許容範囲を越えるか否かにより補正の必要の有無を判定する(STEP24)。STEP24で補正が必要とされた場合には、時間T2と速度Vとの関係から、複数回の塗布を合計して考えたときの塗布領域12の適正全長L2を算出する(STEP25)。複数回の塗布を合計して考えたときの直前の塗布領域12の合計長さL1と、複数回の塗布を合計して考えたときの塗布領域12の適正長さL2から、複数回の塗布を合計して考えたときの伸縮量L3(L1とL2との差分)を算出する(STEP26)。塗布領域12および非塗布領域13を伸縮させて補正塗布パターン14を補正する(STEP27)。T1の値をT2に、L1の値をL2に更新する(STEP28)。
以上の手順による補正塗布パターン14の補正においては、補正後の塗布領域12の全長と非塗布領域13の全長を足し合わせた補正塗布パターン14の全長は、補正の前後で同じ長さである。
ここで、塗布パターンの開始および/または終了位置が非塗布領域13である場合には、塗布領域12上のみノズル11を動かすようXY駆動手段7の作動を制御してもよい。かかる場合には、伸縮量L3の分だけノズル11の移動時間が変わることになる。塗布時間短縮の観点からは、全体塗布パターンの終端が非塗布領域13となるよう構成するのが好ましい。
全体塗布パターンの補正は、設定した補正周期で自動的に行われる。液体材料が使用時間の限界値に達した時、或いは液体材料が無くなるまで、設定した補正周期で補正を行い、塗布作業を続ける。液体材料を交換して最初の塗布を行う際も、液体材料の品質のばらつきを補正するために、塗布実行前に補正を行うのが好ましい。この際は、先に述べたように、制御部に記憶したデータに基づき補正量を算出すれば、補正のための吐出および測定作業は不要となる。
続いて、いくつかの塗布パターンの作成例を説明する。
粘度変化による吐出量の補正は、時間経過とともに粘度が高くなり、吐出量を増やさなければならない場合が殆どであるので、以下では吐出量を増やす場合について説明する。
基本となる全体塗布パターンの長さや移動速度などは、塗布対象である半導体のチップ2と基板1との隙間を充填するのに必要となる液体材料の重量やチップ2の大きさなどから決定する。
図6から図18は全体塗布パターン例を示す説明図で、チップ2が実装された基板1を実装面側から見た図である。図中の二回目以降の各塗布パターンは、説明のために並べて描いてあるが、実際には二回目以降の塗布パターンにおいても、一回目の塗布パターンと同じ経路上をノズル11が移動する。
図6はチップの一辺に対して二回重ねて塗布を行う場合で、一回目の塗布パターン16では補正を行わず、二回目の塗布パターン17で補正を行うようにしている。補正塗布パターン14である二回目の塗布パターン17は、一つの塗布領域12の両端に二つの非塗布領域13を繋ぎ合わせて一つの塗布パターンとしている。また、塗布領域12と非塗布領域13とを足し合わせた長さは、チップ2の一辺の長さに等しくなっている。一方、一回目の塗布パターン16は、塗布領域12の長さが、チップ2の一辺の長さに等しくなっていて、非塗布領域13はない。求めた補正量に応じた伸縮量の変更は、二回目の塗布パターン17において、塗布領域12の両端またはどちらか一端を非塗布領域13へ向かって伸ばし、非塗布領域13は、塗布領域12の伸びた量と同じ量縮める。このとき、補正塗布パターン14の全長が変わらないように伸縮を行う。
ここで、図6の補正塗布パターン14である二回目の塗布パターン17においては、非塗布領域13についてノズル11を動かす必然性は無い。従って、塗布領域12上のみノズル11を動かすようXY駆動手段7の作動を制御してもよい。
一方、補正塗布パターン14である二回目の塗布パターン17の全長をノズル11がなぞるようにXY駆動手段7の作動を制御してもよい。つまり、変更後の塗布領域12と非塗布領域13とを足し合わせた長さが、二回目の塗布パターン17におけるノズル11の移動距離となる。このような制御を行えば、ノズル11の移動速度を変更せず一定に保っていれば、補正前と補正後で塗布時間は変わらないことになる。後述する図11を除く図7ないし18のいずれにも適用可能である。
図7は、図6と同様にチップ2の一辺に対して二回重ねて塗布を行う場合で、一回目の塗布パターン16で補正を行うようにし、二回目の塗布パターン17では補正を行わないようにしている。補正を行う一回目の塗布パターン16は、図6の場合と同様に、一つの塗布領域12の両端に二つの非塗布領域13を繋ぎ合わせて一つの補正塗布パターン14としている。また、塗布領域12と非塗布領域13とを足し合わせた長さは、チップ2の一辺の長さに等しくなっている。一方、二回目の塗布パターン17は、塗布領域12の長さがチップ2の一辺の長さに等しくなっていて、非塗布領域13はない。伸縮量の変更は、一回目の塗布パターン16において、塗布領域12の両端またはどちらか一端を非塗布領域13へ向かって伸ばし、非塗布領域13は、塗布領域12の伸びた量と同じ量縮める。補正塗布パターン14の全長が変わらないように伸縮を行うのは先に述べたとおりである。
なお、液体材料の性質や作業環境に影響されるが、液体材料をスムーズに浸透させたり、気泡混入を防いだりしたいときには、先に非補正塗布パターン15に基づく塗布を行う方が好ましい場合がある。かかる場合には、図6のように非補正塗布パターン15が先行する全体塗布パターンを作成する。
図8はチップ2の一辺に対して二回重ねて塗布を行う場合において、二回の塗布ともに補正を行うようにした全体塗布パターンである。図6および図7の場合と同様に、一つの塗布領域12の両端に二つの非塗布領域13を繋ぎ合わせて一つの補正塗布パターン14を構成している。そして、塗布領域12と非塗布領域13とを足し合わせた長さは、チップ2の一辺の長さに等しくなっている。求めた補正量に応じた伸縮量の変更は、二回の補正塗布パターン14ともそれぞれに、塗布領域12の両端またはどちらか一端を非塗布領域13へ向かって伸ばし、非塗布領域13は、塗布領域12の伸びた量と同じ量縮める。塗布領域12の伸びる量および非塗布領域13の縮む量は、二回の塗布で均等にしてもよく、逆に一回目の塗布パターン16と二回目の塗布パターン17とで伸縮量を変えてもよい。均等に伸縮させる場合、伸縮を行う回数が二回になるので、一回のみで伸縮させた場合と比べて、一回あたりの伸縮量は短くなる(二回の場合1/2になる)。補正塗布パターン14の伸縮は、先に述べたとおり、塗布パターン16,17の全長が変わらないように行う。
図8では、一回目および二回目の塗布パターン16,17がともに同じ補正塗布パターン14となっていたが、一回目と二回目とで塗布領域12と非塗布領域13の夫々の長さを変えてもよい。それらの例を以下に示す。
図9は、一回目の塗布パターン16の非塗布領域13を短く、二回目の塗布パターン17の非塗布領域13を長くした全体塗布パターンの例である。図9の変形例として、二回目の塗布パターン17の非塗布領域13と塗布領域12の配置を入れ替えてもよい。この場合、ノズル11を往復動作させると、長い方の非塗布領域13が全体塗布パターンの終端となるので、最後の非塗布領域13上でノズル11を動かすのをやめることで、塗布時間を短縮させることができる。
図10は、一回目および二回目の塗布パターン16,17を、チップ2の一辺の中心線について線対称に構成している。図に示すように、一回目の塗布パターン16に比べ、二回目の塗布パターン17は非塗布領域13を長くしている。補正量に応じた伸縮量の変更は、、一回目および二回目の塗布パターン16,17とで均等に変更してもよく、一回目と二回目とで伸縮量に変化をつけてもよい。これらの全体塗布パターンでも先に述べたとおり、伸縮は全長が変わらないように行う。
補正塗布パターン14は、図11または図12の塗布パターンに示すように作成してもよい。
図11は塗布領域12を三つに分割し、その間を二つの非塗布領域13で繋ぎ合わせて一つの補正塗布パターン14としたものを二つ備える全体塗布パターンである。伸縮量の補正の際は、左右端の二つの塗布領域12については中央側の端部がそれぞれ中央へ向かって伸びるようにし、中央の塗布領域12は両端またはどちらか一端が伸びるようにする。非塗布領域13は、塗布領域12の伸びた量と同じ量だけ縮むようにする。
図12は、一つの塗布領域12と一つの非塗布領域13とを繋ぎ合わせて一つの補正塗布パターン14としたものを二つ備える全体塗布パターンである。伸縮量の変更は、塗布領域12の終点側を非塗布領域13へ向かって伸ばし、非塗布領域13は塗布領域12の伸びた量と同じ量縮める。いずれの場合も全体塗布パターンの全長が変わらないように伸縮を行うのは先に述べたとおりである。
チップ2の一辺に対して塗布を行う場合だけでなく、チップ2の隣り合う二辺に対してL字形に塗布を行う場合も同様な塗布パターンとすることができる。
図13は、チップ2の二辺に対して二回重ねて塗布を行う場合を示したもので、一回目の塗布パターン16では補正を行わず、二回目の塗布パターン17で補正を行うようにしている。補正を行う二回目の塗布パターン17は、一つのL字形の塗布領域12の両端に、二つの直線の非塗布領域13を繋ぎ合わせて一つの補正塗布パターン14を構成している。そして、塗布領域12と非塗布領域13とを足し合わせた長さは、チップ2の二辺分の長さに等しくなっている。求めた補正量に応じた伸縮量の変更は、二回目の塗布パターン17において、塗布領域12の両端またはどちらか一端を非塗布領域13へ向かって伸ばし、非塗布領域13は、塗布領域12の伸びた量と同じ量縮める。全体塗布パターンの全長が変わらないように伸縮を行うのは、チップ2の一辺に沿って塗布を行う場合と同様である。また、補正塗布パターン14のバリエーションは、チップ2の一辺に沿って塗布を行う場合と同様に考えることができる。例えば、図11のように、補正塗布パターン14を、塗布領域12を三つに分割するよう構成してもよいし、図8、9および10のように、二回の塗布とも補正塗布パターン14となるよう構成してもよい。
三回重ねて塗布を行う場合でも同様に考えることができる。例えば、チップ2の一辺に沿って三回重ねて塗布する場合の塗布パターンを説明する。
図14は、三回の塗布のうち一回を、補正塗布パターン14とし、残り二回を、補正を行わない非補正塗布パターン15とする全体塗布パターンを示したものである。補正塗布パターン14は、一回目ないし三回目いずれの回に実行してもよい。
図15は、三回の塗布のうち二回を、補正塗布パターン14とし、残り一回を、補正を行わない非補正塗布パターン15とする全体塗布パターンを示したものである。図15についても、図14の場合と同様に、補正パターン14と非補正パターン15とは、自由に組み合わせることができる。塗布領域12の伸びる量および非塗布領域13の縮む量は、二つの補正塗布パターン14で夫々均等に伸縮させてもよく、逆に一回目の塗布パターン16と三回目の塗布パターン18とで伸縮量を変えてもよい。均等に伸縮させる場合、伸縮を行う回数が増えるので、一回のみで伸縮させた場合と比べて、一回あたりの伸縮量は短くなる。
図16は、三回の塗布のうち三回全てを、補正塗布パターン14とする全体塗布パターンを示したものである。この場合も、塗布領域12の伸びる量および非塗布領域13の縮む量は、三回の塗布で均等に伸縮させてもよく、逆にそれぞれの塗布パターンごとに伸縮量を変えてもよい。
複数回塗布を行ううち三回までの例を、図を用いて説明してきたが、四回以上でも同様に考えることができる。回数が増えるほど全体塗布パターンのバリエーションが増えるのは言うまでもない。
補正量が多く、予め用意した補正塗布パターン14だけでは、塗布領域12を伸ばす或いは縮めることでは対応できなくなったとき、新たな補正塗布パターン14を付加、或いは予め用意した補正塗布パターン14を除去して対応するのが有用である。チップ2の一辺に沿って塗布を行う場合の例を図17および図18に示す。図17が補正塗布パターン14を付加する場合を示したものであり、図18が補正塗布パターン14ないしは非補正塗布パターン15を除去する場合を示す。補正塗布パターン14を付加する場合は、塗布領域12と非塗布領域13とを足し合わせた長さがチップ2の一辺と等しくなる補正塗布パターン14を付加するのが原則であるが、この場合に、非塗布領域13についてノズル11を移動させなくてもよいのは先に述べたとおりである。一方、補正塗布パターン14を除去する場合は、予め用意した補正塗布パターン14をそのまま除去してもよく、また、非塗布領域13としてそのまま残しておいてもよい。更に補正量が多くなった際には、非補正塗布パターン15をそのまま除去することで対応してもよい。
図6から図18では、チップ2の一辺若しくは二辺に対して液体材料を塗布する場合について説明してきたが、隣り合う三辺にU字形に塗布する場合やチップ2の外周の全部にわたり塗布する場合にも応用可能である。
本実施例に係るディスペンサはジェット式に限られず、圧縮空気により液体材料を吐出するエア式であってもよい。なお、エア式ディスペンサの場合、ノズル11とXY駆動手段7との間にZ駆動手段を取り付け、ノズル11を鉛直方向に上下に移動できるようにするのが好ましい。
本発明は、液体材料を吐出する種々の装置において実施可能である。
液体材料が吐出部から離間する前にワークに接触するタイプの吐出方式としては、先端にノズルを有するシリンジ内の液体材料に調圧されたエアを所望時間だけ印加するエア式、フラットチュービング機構またはロータリチュービング機構を有するチュービング式、先端にノズルを有する貯留容器の内面に密着摺動するプランジャーを所望量移動して吐出するプランジャー式、スクリューの回転により液体材料を吐出するスクリュー式、所望圧力が印加された液体材料をバルブの開閉により吐出制御するバルブ式などが例示される。
また、液体材料が吐出部から離間した後にワークに接触するタイプの吐出方式としては、弁座に弁体を衝突させて液体材料をノズル先端より飛翔吐出させるジェット式、プランジャータイプのプランジャーを移動させ、次いで急激に停止して、同じくノズルの先端より飛翔吐出させるプランジャージェットタイプ、連続噴射方式或いはデマンド方式のインクジェットタイプなどが例示される。
アンダーフィル工程を説明するための側面図である。 実施例1に係る装置の概略斜視図である。 補正塗布パターンの補正手法を説明するためのグラフである。 重量の変化に基づく補正を説明するためのフローチャートである。 時間の変化に基づく補正を説明するためのフローチャートである。 第1の全体塗布パターン例を示す説明図である。 第2の全体塗布パターン例を示す説明図である。 第3の全体塗布パターン例を示す説明図である。 第4の全体塗布パターン例を示す説明図である。 第5の全体塗布パターン例を示す説明図である。 第6の全体塗布パターン例を示す説明図である。 第7の全体塗布パターン例を示す説明図である。 第8の全体塗布パターン例を示す説明図である。 第9の全体塗布パターン例を示す説明図である。 第10の全体塗布パターン例を示す説明図である。 第11の全体塗布パターン例を示す説明図である。 第12の全体塗布パターン例を示す説明図である。 第13の全体塗布パターン例を示す説明図である。
符号の説明
1 基板
2 チップ
3 電極パッド
4 バンプ(突起状電極)
5 液体材料
6 ディスペンサ
7 XY駆動手段
8 重量計
9 搬送手段
10 フリップチップ実装基板
11 ノズル
12 塗布領域
13 非塗布領域
14 補正塗布パターン
15 非補正塗布パターン
16 一回目の塗布パターン
17 二回目の塗布パターン
18 三回目の塗布パターン

Claims (23)

  1. ワークの外周に沿った非補正塗布パターンと、非補正塗布パターンと重なる補正塗布パターンとから構成される全体塗布パターンを作成し、全体塗布パターンに基づき吐出部から液体材料を吐出し、基板とその上に載置されたワークとの間隙に毛細管現象を利用して液体材料を充填する液体材料の充填方法であって、
    補正塗布パターンを、塗布領域および非塗布領域から構成し、
    補正塗布パターンの塗布領域および非塗布領域を伸縮させることにより、液体材料の吐出量の補正を行うことを特徴とする液体材料の充填方法。
  2. 塗布領域および非塗布領域が交互に連続することを特徴とする請求項1の液体材料の充填方法。
  3. 補正塗布パターンの全長を変えることなく塗布領域および非塗布領域を伸縮させることを特徴とする請求項1または2の液体材料の充填方法。
  4. 前記全体塗布パターンにおいて、最後の塗布パターンが補正塗布パターンであることを特徴とする請求項1、2または3の液体材料の充填方法。
  5. 前記全体塗布パターンは、複数の非補正塗布パターンと、1以上の補正塗布パターンとから構成されることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかの液体材料の充填方法。
  6. 液体材料の吐出量の補正を、全体塗布パターンにおいて、新たな補正塗布パターンを付加し、または既存の補正塗布パターンを除去することにより行うことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかの液体材料の充填方法。
  7. ワークの外周に沿った第一の補正塗布パターンと、第一の補正塗布パターンと重なる第二の補正塗布パターンとから構成される全体塗布パターンを作成し、全体塗布パターンに基づき吐出部から液体材料を吐出し、基板とその上に載置されたワークとの間隙に毛細管現象を利用して液体材料を充填する液体材料の充填方法であって、
    第一および第二の補正塗布パターンを、塗布領域および非塗布領域から構成し、
    第一および第二の補正塗布パターンの塗布領域および非塗布領域を伸縮させることにより、液体材料の吐出量の補正を行うことを特徴とする液体材料の充填方法。
  8. 塗布領域および非塗布領域が交互に連続することを特徴とする請求項7の液体材料の充填方法。
  9. 第一および第二の補正塗布パターンの全長を変えることなく塗布領域および非塗布領域を伸縮させることを特徴とする請求項7または8の液体材料の充填方法。
  10. 第一および第二の補正塗布パターンが同一の補正塗布パターンであることを特徴とする請求項7、8または9の液体材料の充填方法。
  11. 第一の補正塗布パターンの塗布領域の長さが第二の補正塗布パターンの塗布領域の長さ以上であり、第一の補正塗布パターンの後に第二の補正塗布パターンに基づく塗布が行われることを特徴とする請求項7ないし10のいずれかの液体材料の充填方法。
  12. 前記全体塗布パターンは、1以上の第一の補正塗布パターンおよび複数の第二の補正塗布パターン、または、複数の第一の補正塗布パターンおよび1以上の第二の補正塗布パターンとから構成されることを特徴とする請求項7ないし11のいずれかの液体材料の充填方法。
  13. 液体材料の吐出量の補正を、全体塗布パターンにおいて、新たな第一および/または第二の補正塗布パターンを付加し、または既存の第一および/または第二の補正塗布パターンを除去することにより行うことを特徴とする請求項7ないし12のいずれかの液体材料の充填方法。
  14. 全体塗布パターンが、ワークの外周を構成する複数の辺に沿って構成されることを特徴とする請求項1ないし13のいずれかの液体材料の充填方法。
  15. 前記吐出量の補正の前後で吐出装置の移動速度が変更されないことを特徴とする請求項1ないし14いずれかの液体材料の充填方法。
  16. 補正前の吐出時間(T1)の間吐出した液体材料の重量(W1)を計測し、吐出時間(T1)と重量(W1)との関係から適正重量(W2)を吐出するための時間(T2)を算出し、時間(T2)と吐出部の移動速度(V)から塗布領域の適正全長(L2)を算出し、塗布領域の適正全長(L2)と補正前の塗布領域の全長(L1)との差分を補正塗布パターンの塗布領域と非塗布領域の夫々の全長の伸縮量とすることを特徴とする請求項1ないし15のいずれかの液体材料の充填方法。
  17. 液体材料を吐出して適正重量(W2)となるまでの時間(T2)を計測し、時間(T2)と吐出部の移動速度(V)から塗布領域の適正全長(L2)を算出し、塗布領域の適正全長(L2)と補正前の塗布領域の全長(L1)との差分を補正塗布パターンの塗布領域と非塗布領域の夫々の全長の伸縮量とすることを特徴とする請求項1ないし15のいずれかの液体材料の充填方法。
  18. 吐出時間または吐出重量と粘度の関係をメモリに記憶し、液体材料交換後の工程において、補正塗布パターンの塗布領域と非塗布領域の夫々の全長の伸縮量を当該メモリの記憶情報に基づき算出することを特徴とする請求項16または17の液体材料の充填方法。
  19. 補正を行うかを判断する許容範囲を設け、計測値が前記許容する範囲を越える場合に、塗布領域と非塗布領域の夫々の全長の伸縮量を補正することを特徴とする請求項16、17または18の液体材料の充填方法。
  20. 液体材料の経時的粘度変化に伴う吐出量の補正を行うことを特徴とする請求項1ないし19のいずれかの液体材料の充填方法。
  21. ユーザーが補正周期として入力した時間情報、ワーク枚数、または基板の枚数に基づき液体材料の吐出量の補正が行われることを特徴とする請求項1ないし20のいずれかの液体材料の充填方法。
  22. 吐出する液体材料を供給する液材供給部と、液材供給部から供給された液体材料を吐出する吐出口を有する吐出部と、吐出口より吐出された液体材料の量を計量する計量手段と、吐出部を移動自在とする駆動部と、これらの作動を制御する制御部とを備える塗布装置において、制御部が、請求項1ないし21のいずれかの液体材料の充填方法を実施するプログラムを有することを特徴とする装置。
  23. 吐出する液体材料を供給する液材供給部と、吐出口より吐出された液体材料の量を計量する計量手段と、液体材料を吐出する吐出口を有する吐出部と、吐出部を移動自在とする駆動部と、これらの作動を制御する制御部とを備える塗布装置において、制御部に請求項1ないし21のいずれかの液体材料の充填方法を実施させるプログラム。
JP2007028753A 2007-02-08 2007-02-08 液体材料の充填方法、装置およびプログラム Active JP5019900B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007028753A JP5019900B2 (ja) 2007-02-08 2007-02-08 液体材料の充填方法、装置およびプログラム
CN2008800044604A CN101606238B (zh) 2007-02-08 2008-02-05 液体材料的填充方法及装置
TW097104577A TWI433242B (zh) 2007-02-08 2008-02-05 液體材料之填充方法、裝置及程式之媒體
KR1020097016816A KR101463488B1 (ko) 2007-02-08 2008-02-05 액체 재료의 충전 방법, 장치 및 프로그램의 기억 매체
PCT/JP2008/051802 WO2008096721A1 (ja) 2007-02-08 2008-02-05 液体材料の充填方法、装置およびプログラム
HK10101915.8A HK1136088A1 (en) 2007-02-08 2010-02-24 Method and apparatus for applying liquid material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007028753A JP5019900B2 (ja) 2007-02-08 2007-02-08 液体材料の充填方法、装置およびプログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008193016A true JP2008193016A (ja) 2008-08-21
JP5019900B2 JP5019900B2 (ja) 2012-09-05

Family

ID=39681630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007028753A Active JP5019900B2 (ja) 2007-02-08 2007-02-08 液体材料の充填方法、装置およびプログラム

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP5019900B2 (ja)
KR (1) KR101463488B1 (ja)
CN (1) CN101606238B (ja)
HK (1) HK1136088A1 (ja)
TW (1) TWI433242B (ja)
WO (1) WO2008096721A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011040512A (ja) * 2009-08-10 2011-02-24 Murata Mfg Co Ltd 回路基板の製造方法
JP2011061093A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Toray Eng Co Ltd ディスペンス装置およびディスペンス方法
US11521956B2 (en) 2020-03-31 2022-12-06 Nichia Corporation Method of manufacturing light-emitting device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8809075B2 (en) 2009-06-15 2014-08-19 Musashi Engineering, Inc. Method for applying liquid material utilizing capillary phenomenon
JP5783670B2 (ja) * 2009-08-11 2015-09-24 武蔵エンジニアリング株式会社 液体材料の塗布方法、塗布装置およびプログラム
TWI491496B (zh) * 2014-05-08 2015-07-11 三緯國際立體列印科技股份有限公司 立體列印裝置及其列印校正板與立體列印校正方法
CN106094271A (zh) * 2016-06-22 2016-11-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板切割方法
CN108906508B (zh) * 2018-08-06 2020-11-27 Oppo(重庆)智能科技有限公司 胶量控制方法及胶量控制装置
CN114823370B (zh) * 2022-05-10 2022-10-14 山东汉旗科技有限公司 指纹识别芯片封装结构及其封装的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09232347A (ja) * 1996-02-22 1997-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Icチップの封止方法
JPH1050769A (ja) * 1996-07-30 1998-02-20 Toshiba Corp 半導体パッケージの製造装置および製造方法
JP2003007737A (ja) * 2001-06-26 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Icチップの封止方法および封止装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5093985B2 (ja) 2004-01-16 2012-12-12 株式会社半導体エネルギー研究所 膜パターンの形成方法
JP4701704B2 (ja) 2004-12-20 2011-06-15 ソニー株式会社 パターン形成方法、パターン形成装置および電子応用装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09232347A (ja) * 1996-02-22 1997-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Icチップの封止方法
JPH1050769A (ja) * 1996-07-30 1998-02-20 Toshiba Corp 半導体パッケージの製造装置および製造方法
JP2003007737A (ja) * 2001-06-26 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Icチップの封止方法および封止装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011040512A (ja) * 2009-08-10 2011-02-24 Murata Mfg Co Ltd 回路基板の製造方法
JP2011061093A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Toray Eng Co Ltd ディスペンス装置およびディスペンス方法
US11521956B2 (en) 2020-03-31 2022-12-06 Nichia Corporation Method of manufacturing light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
CN101606238B (zh) 2012-05-23
TWI433242B (zh) 2014-04-01
HK1136088A1 (en) 2010-06-18
TW200845240A (en) 2008-11-16
JP5019900B2 (ja) 2012-09-05
CN101606238A (zh) 2009-12-16
KR101463488B1 (ko) 2014-11-19
KR20090108083A (ko) 2009-10-14
WO2008096721A1 (ja) 2008-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5019900B2 (ja) 液体材料の充填方法、装置およびプログラム
JP5779353B2 (ja) 液体材料の塗布方法、塗布装置およびプログラム
TWI497613B (zh) A coating method for a liquid material, a coating apparatus, and a memory medium having a memory program
JP4871093B2 (ja) 液体材料の充填方法、装置およびプログラム
JP5632838B2 (ja) 液体材料の塗布方法、その装置およびそのプログラム
JP5280702B2 (ja) 液体材料の塗布方法、その装置およびそのプログラム
JP4868515B2 (ja) 液体材料の充填方法、装置およびプログラム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120530

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120612

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5019900

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250