JP5779353B2 - 液体材料の塗布方法、塗布装置およびプログラム - Google Patents
液体材料の塗布方法、塗布装置およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5779353B2 JP5779353B2 JP2011008648A JP2011008648A JP5779353B2 JP 5779353 B2 JP5779353 B2 JP 5779353B2 JP 2011008648 A JP2011008648 A JP 2011008648A JP 2011008648 A JP2011008648 A JP 2011008648A JP 5779353 B2 JP5779353 B2 JP 5779353B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- liquid material
- pulse
- application
- correction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 83
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 title claims description 78
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 75
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 11
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011345 viscous material Substances 0.000 description 9
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 7
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/26—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by applying the liquid or other fluent material from an outlet device in contact with, or almost in contact with, the surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
- B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
- B05C5/0208—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work for applying liquid or other fluent material to separate articles
- B05C5/0212—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work for applying liquid or other fluent material to separate articles only at particular parts of the articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C70/00—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts
- B29C70/68—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts by incorporating or moulding on preformed parts, e.g. inserts or layers, e.g. foam blocks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
- B05C11/1034—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves specially designed for conducting intermittent application of small quantities, e.g. drops, of coating material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/756—Means for supplying the connector to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/75611—Feeding means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/758—Means for moving parts
- H01L2224/75801—Lower part of the bonding apparatus, e.g. XY table
- H01L2224/75804—Translational mechanism
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
- H01L2224/75901—Means for monitoring the connection process using a computer, e.g. fully- or semi-automatic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83102—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus using surface energy, e.g. capillary forces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9212—Sequential connecting processes
- H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
- H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
なお、本明細書で「吐出量」とは一の吐出でノズルから排出される液体材料の量を意味し、「塗布量」とは複数の吐出が行われる一定の範囲(例えば塗布パターンや塗布領域)で必要とされる液体材料の量を意味する。
フリップチップパッケージでは、半導体チップ30と基板29との熱膨張係数の差により発生する応力が、接続部33に集中して接続部33が破壊することを防ぐために、半導体チップ30と基板29との隙間に樹脂を充填して接続部33を補強する。この工程をアンダーフィルと呼ぶ(図7参照)。
アンダーフィル工程は、半導体チップ30の外周に沿って液状樹脂34を塗布し、毛細管現象を利用して樹脂34を半導体チップ30と基板29との隙間に充填した後、オーブンなどで加熱して樹脂34を硬化させることにより行う。
ところで、アンダーフィル工程に用いる樹脂材料の充填には、一般にディスペンサが用いられている。そのディスペンサの一種に、ノズルから液体材料の小滴を噴射して吐出するジェット式ディスペンサがある。
また、特許文献1には、複数の液体材料液滴のそれぞれの体積を求めること、総体積にほぼ等しくなるのに必要とされる液滴の全数を求めること、長さにわたって粘性材料液滴をほぼ均一に分配するのに必要とされる各液滴間距離を求めること、および最大相対速度で長さにわたって総体積の粘性材料を吐出するために粘性材料液滴がディスペンサから吐出されるレート値を求めること、をさらに含む方法であるとしている。
フィレット35が均一に形成されない原因として、バンプ31の配置の疎密による浸透度合いの違いが挙げられる。一般に、バンプ31の配置が密な箇所は液状樹脂34の浸透が速く、バンプ31の配置が疎な箇所は液状樹脂34の浸透が遅い。そのため、一定量の塗布を行うと、上述のような浸透度合いの違いにより、不均一な幅36や高さ37のフィレット35が形成され、フィレット35の形状の乱れが発生することになる。
フィレット35が均一に形成されないもう一つの原因として、塗布動作中の速度変化が挙げられる。L字やU字など移動方向が変わる軌跡で塗布を行う場合、角部(方向転換部)では方向転換のために減速しなくてはならない。また、動き始めや動き終わりにも同様に減速する必要がある。これは、機械として避けられないことである。そのため、一定量の塗布をしていると、角部や始終点部での塗布量が増え、フィレット35の形状の乱れが発生することとなる。
特許文献2には、所望の塗布パターンを作成し、ノズルとワークとを相対移動しながら液体材料をノズルから吐出し、ワークに対し規定した塗布量の液体材料を塗布する方法において、吐出パルスまたは休止パルスを送信する回数を総パルス数として規定し、そのうち塗布量を達成するために必要な吐出パルス数を規定し、残りを休止パルス数として規定する工程、予め設定した補正周期で、補正周期の時点におけるノズルからの吐出量を計測し、吐出量の補正量を算出する工程、および、算出した補正量に基づき吐出パルス数と休止パルス数を調整する工程、とを含む塗布方法、が開示されている。
また、特許文献1ではノズルとワークの相対速度を可変とすることを前提に長さにわたって均一に吐出するための最大相対速度を求めている。しかし、相対速度が変わると、処理時間が変わり、時間当たりの処理数が一定しないという課題が生ずる。さらには、最大相対速度を求めて、一つの塗布パターンの中で液滴を均一に分配する手法では、バンプの配置やチップの角部へ対応させた塗布を行うことが困難であり、フィレット形状が乱れるおそれがあった。
第2の発明は、第1の発明において、前記サイクル割当工程において、各サイクルに同じ長さの吐出パルスおよび同じ長さの休止パルスを割り当てることを特徴とする。
第3の発明は、第1または2の発明において、前記吐出量調整工程において、吐出パルスおよび休止パルスの長さを変えないことを特徴とする。
第4の発明は、第1ないし3のいずれかの発明において、前記吐出量調整工程において、塗布パターンの全長および各塗布領域の長さを変えないことを特徴とする。
第5の発明は、第1ないし4のいずれかの発明において、前記吐出量調整工程において、吐出装置とワークとの相対移動速度を変えることなく吐出量の補正を行うことを特徴とする。
第6の発明は、第1ないし5のいずれかの発明において、前記補正量算出工程以前の工程において、補正を行うかを判断する許容範囲を設定し、許容範囲を越える場合に補正を実行することを特徴とする。
第7の発明は、第1ないし6のいずれかの発明において、前記補正周期は、ユーザーが補正周期として入力した時間情報、ワークの枚数、または基板の枚数に基づき設定されることを特徴とする。
第8の発明は、第1ないし7のいずれかの発明において、前記吐出量調整工程において、複数サイクルについて、一の吐出パルスに対する休止パルスの比率を調整することを特徴とする。
また、一つの塗布パターンの中で複数のサイクルを設定でき、補正に際して相対速度やパターン長さを変えるのではなく、サイクルに含まれるパルス数を調整するので、不均一な塗布パターンでも吐出量を一定に保つことができる。言い換えると、塗布パターンの作成に関し自由度が高く、バンプの配置やチップの角部へ対応した塗布が可能である。
そして、休止パルスから優先的に調整を行うので、吐出パルスに与える影響が少なく、安定した吐出が行える。
本実施の形態で用いる吐出装置は、パルス信号を受けて弁体を駆動し、弁座に弁体を衝突させることによりノズルから液体材料を飛翔吐出するジェット式吐出装置である(具体的な構成は実施例で後述する)。この吐出装置における一の吐出は、一のパルス信号を受けることにより行う。
なお、本発明は、飛翔吐出ないし液滴状吐出させるタイプの吐出装置であれば適用することができ、ジェット式への適用に限定されない。
吐出装置から吐出される液体材料の単位時間当たりの吐出量を求める。これは予め実験で求めてもよいし、その場で計測してもよい。いずれにせよ、実際に使用する液体材料で吐出を行って計測することが好ましい。なぜなら、それぞれの液体材料の特性(粘度、密度等)により、単位時間当たりの吐出量が異なってくるからである。また、複数の吐出装置を用意して代わる代わる使用する場合、吐出装置によっていわゆる個体差が存在するので、単位時間当たりの吐出量は、それぞれの吐出装置について求めておくことが好ましい。液体材料の種類やノズル径などを変えた際も同様である。
さらに、同一吐出装置における吐出量のばらつき(偏差)を求める。このばらつきは、後述するSTEP204を設定する際に考慮することがある。
基板とワーク(半導体チップ)との間隙を充填し、かつフィレットを形成するために必要な液体材料の量を求める。必要塗布量は、設計図面などから理論値を求めてもよいし、実際に塗布を行って求めてもよい。ただし、理論値はあくまで理想的な値であるので、正確を期すためには実際に塗布を行って求めることが好ましい。また、必要塗布量は、体積として求めてもよいし、質量として求めてもよい。その際、用いる液体材料の密度の値が必要である。
ワークと基板とを接続するバンプの配置、ワーク周辺の他の部品の状況などを考慮して塗布を行う辺を設定する。例えば、矩形状のワークにおいて、一辺に沿って直線状に塗布を行う、或いは隣り合う二辺に沿ってL字状に塗布を行う、といったことを設定する。塗布パターンが定まると、塗布総長さが求まる。ここで、「塗布長さ」とは、一のワークに塗布をする際のノズルとワークとの相対移動量の総長を意味する。
そして、バンプの配置やチップ角部の経由の有無などを考慮して、一つの塗布パターンの中で、単位時間あたりの吐出量が異なる複数の塗布領域を設定し、各塗布領域の長さをそれぞれ設定する。例えば図1では、ワーク30の一辺に沿って、符号38の方向へ直線状に塗布する場合において、X1〜X3の塗布領域を設定し、ワーク辺中央付近(X2の領域)の塗布量を多く、その両側(X1、X3の領域)の塗布量を少なくしている。なお図1では、説明の便宜上、塗布量の多い領域を幅の太い線で、塗布量の少ない領域を幅の細い線で描いている。このような塗布量の多寡は、後述するSTEP204の吐出率を変えることにより設定する。
上記[3]で設定した塗布領域毎に異なる塗布量を実現するため、吐出パルスと休止パルスとを組み合わせる割合(比率)を各塗布領域(X1〜X3)について設定する。具体的には、一の塗布領域における全パルスのうち、吐出パルスの占める割合(以下「吐出率」と呼ぶ場合がある)が塗布領域毎に異なるように、全ての塗布領域について吐出率の設定を行う。本実施の形態では、吐出率は、塗布領域全体が吐出パルスのみで構成されるときを100%とし、塗布領域全体が休止パルスのみで構成されるときを0%としている。一つの塗布領域内における吐出率は一定である。
吐出率は、100%から0%まで設定可能であるが、一の塗布パターンの中で最も吐出量の多い領域(例えば図1に示すX2の領域)でも100%にはせず、STEP201で求めたばらつきや後の調整の幅を考慮して、例えば80%のように上下に余裕を持たせて設定するとよい。そうすることで、吐出量を増やす方向にも減らす方向にも対応ができるようになる。
本実施の形態で用いる吐出装置はジェット式であるので、一の吐出パルス信号を受けることにより、弁体が一の往復動作をし、一の吐出をする。パルス信号には、弁体が弁座から離れている時間であるON時間と、弁体が弁座に接している時間であるOFF時間とからなる吐出パルスと、ON時間が設定されておらずOFF時間のみからなり吐出動作を行わない休止パルスとがある。吐出パルス、休止パルスはそれぞれ一定の周波数で発信される(吐出パルスと休止パルスの周波数は異なる)。
これら吐出パルスと休止パルスのON時間とOFF時間を塗布領域毎にそれぞれ設定する。ただし、吐出パルスのON時間とOFF時間には適正範囲があり、この範囲を外れると不具合(液体材料がノズル先端に過剰に付着したり、塗布した結果である液滴が複数個に分かれて飛散したり、或いは液体材料が噴射しないなど)が発生する。適正範囲は液体材料の特性や吐出量などにより異なるが、例えばON時間は2〜10[msec]、OFF時間は2〜10[msec]の範囲で設定するとよい。なお、一番よく用いられるのは、ON時間が3[msec]、OFF時間が3[msec]である。ON時間とOFF時間は原則同じ値とする。一方、休止パルスには上記のような時間の範囲がないことは言うまでもない。
本発明では、休止パルス長さは吐出パルス長さよりも短く設定しており、好ましくは20分の1以下とし、より好ましくは100分の1以下とし、さらに好ましくは1000分の1以下とする。これは、後述するように、優先的に増減を行う休止パルス長さを短くすることでより細かな調整をできるようにするためである。休止パルス長さを吐出パルス長さの100分の1とすると吐出率を1%のオーダーまで制御でき、1000分の1とすると吐出率を0.1%のオーダーまで制御できる。
吐出装置とワークとの相対移動速度Vの設定には二通りの決め方がある。一つは、目標とする生産量などから、目標とする移動速度Vを決めて設定する方法である。塗布作業や製品の量産などを開始すればその間は基本的に速度を変更しないので、自由に移動速度Vを決めてよい。もちろん、自由と言っても機械の出せる限界の移動速度というものが存在するので、その範囲内で決めることになる。
もう一つは、上記各設定値から移動速度Vを算出する方法である。図1を例にとると、単位時間当たりの吐出量をA[g/sec]、必要塗布量をG0[g]、塗布領域の長さをX[mm]とすると、移動速度V[mm/sec]は次のようになる。
前述のSTEP204で設定した各塗布領域での吐出率に基づき、各塗布領域での吐出パルスと休止パルスの数を設定する。本実施の形態では、一の吐出パルスに対する休止パルスの数を算出して基本となるサイクルとする。
まず、一の吐出パルスの長さ(ON時間とOFF時間を足し合わせた時間)をD、一の休止パルスの長さ(ON時間とOFF時間を足し合わせた時間)をSとし、各塗布領域の吐出パルスの数をni、各塗布領域の休止パルスの数をmiとする。前述の通り、吐出率とは、一の塗布領域における全パルス数のうち、吐出パルスの占める割合であるので、吐出率Ciは、次の式のようになる。
吐出量を補正する周期である補正周期を設定する。補正周期としては、例えば、ユーザーが入力した時間情報、チップないしは基板の枚数などを設定する。所定の時間を設定する場合は、液体材料の吐出量の変化が作業開始から許容範囲を越えると予想される時間を設定する。枚数を設定する場合には、一枚のチップを処理する時間ないしは一枚の基板を処理する時間(搬入→塗布→搬出の時間)と、上記所定の時間から処理枚数を求め、設定する。
また、液体材料の使用時間の限界値として、メーカーの規定するポットライフに基づいて算出した値を予め記憶しておき、補正周期に組み込んでもよい。
なお、吐出部の温度調整により液体材料の粘度を制御する公知の技術を本発明に適用できることは言うまでもない。
設定された補正周期で、液体材料の粘度変化による吐出量の変化に対応するための補正量を算出する。
補正量の算出手法としては、(A)一定時間吐出した際の重量を測定し、必要重量との差に基づいて補正量を算出する手法、(B)必要重量となるまでに要する吐出時間を測定し、直前の吐出時間との差に基づいて補正量を算出する手法がある。本発明では、いずれの手法を適用してもよいが、以下では(A)の手法に基づき、具体的な補正量の算出手順を説明する。
ノズル(すなわち吐出装置)を秤量器の上方へ移動させ、固定位置にて液体材料を吐出する。秤量器への吐出は、一定時間の間、連続して行う。この一定時間は、例えば上述の設定した塗布パターンを吐出するのに要する時間や、上述のSTEP201で行う実験や計測に要する時間などとするとよい。
続いて、秤量器へ吐出された液体材料の重量G1を読み取る。この計測重量G1と必要重量G0とから変化率Rを算出する。変化率Rは次の式のようになる。
[式5]
なお、重量の計測は、複数回計測して平均値を求めるようにしてもよい。そうすることでより精度よく計測値を求めることができる。
補正量を算出するには、上記STEP209の変化率から新たな吐出率を計算し、STEP207の計算式に基づいて新たなパルス数を算出する。
まず、新たな吐出率から求める。上述のように変化率Rがマイナスの場合、吐出量が増えるよう補正量の算出を行わなければならない。すなわち、各領域の新たな吐出率をCi’とすると、次のようになる。
このようにして、各塗布領域において、一の吐出パルスに対する休止パルスの数を増減することでより細かな調整ができるようになる。
前述のSTEP209で吐出量の補正が必要であると判定された場合には、上記STEP210で新たな吐出率Ci’から新たなパルス数を算出し、塗布パターンの全塗布領域に対して再設定することで補正を行う。
ここで、吐出量補正の要否の判定は、重量差や変化率がゼロで無い場合には常に補正を行うようにするのではなく、計測した吐出量(計測値)の差分や変化率Rが許容範囲(例えば±5%)を越える場合にのみ補正を行うようにするのが好ましい。許容範囲を設けた補正の好ましい態様は、例えば、本出願人に係る特許第3877038号に詳しい。すなわち、補正を行うかを判断する許容範囲を設け、差分値ないしは変化率が前記許容する範囲を越える場合にのみ補正する。
上記STEP209からSTEP211の工程は、上記STEP208で設定した補正周期において、或いは基板の種類(大きさや形状)が変わったときなどに実行することで、液体材料の経時的粘度変化に関わらず、常に最良の塗布量を実現することが可能となる。
また、一つの塗布パターンの中で複数のサイクルを設定でき、補正に際して相対速度やパターン長さを変えるのではなく、サイクルに含まれるパルス数を調整するので、塗布量が不均一な塗布パターンでも吐出量を一定に保つことができる。言い換えると、塗布パターンの作成に関し自由度が高く、バンプの配置やチップの角部へ対応した塗布が可能である。
さらに、相対速度を変えず、かつサイクルを切り替える位置(すなわち各塗布領域の長さ)を変えないので、塗布形状が変わらず、塗布禁止領域や塗布対象ではない部品が近くにあっても塗布を行うことができる。
そして、本発明では、補正により休止パルスの数は大きく変動するものの、吐出パルスの数の変動は小さいので、安定した吐出が行える。
本実施例の吐出装置1は、図3に示すように、上下動自在に内設された弁体であるピストン2と、制御部11を通して調圧された圧縮空気により加圧されている貯留容器3と、貯留容器3と連通するノズル4とを備えるジェット式吐出装置である。また、ピストン2を上方へ移動させるための作動気体を制御部11を通じて給排気する切換弁6と、ピストン2を下方へ付勢するスプリング7を備える。そして、スプリング7の上部には、ピストン2の移動量を調整するためのストローク調整部材8を備える。ノズル4近傍にはノズル4とその内部にある液体材料34を暖めるためのヒータ9を備える。さらに、ノズル4近傍にはヒータ9と対向して温度センサ10が設けられており、ノズル4とその内部にある液体材料34を所定の温度に保つための制御を行う際に用いられる。
より詳細には、吐出装置1は次のように動作する。吐出装置1に与えられるパルス信号は、例えば図4に示すようになっている。符号14のように、パルス信号がONとなったとき、切換弁6の作動により気体を給気し、ピストン2を上昇させてノズル入口5を開放する。続いてパルス信号がOFFとなったとき、切換弁6の作動により気体を排気し、ピストン2をスプリング7の反発力により下降させてノズル入口5を閉鎖する。つまり、一の吐出パルス14は、ピストン2を上昇(ノズル入口5の開放)させるONとピストン2を下降(ノズル入口5の閉鎖)させるOFFを一単位とし、この一単位の動作で一滴の液体材料34を吐出する。図4中、Dが吐出パルス14の長さである。他方、符号15のように、パルス信号のOFF状態が続くときには、ピストン2を作動させず、一の休止パルス15につきノズル入口5が一単位(すなわちSの時間単位)の間閉鎖される。図4中、Sが休止パルス15の長さである。
本実施例の塗布装置16は、図5に示すように、吐出装置1と、XYZ駆動機構17と、搬送機構18と、塗布ステージ19と、調整用基板20およびこれを載置する調整用ステージ21と、秤量器22と、検出装置(タッチセンサ23、レーザー変位計24およびカメラ25)と、制御部11と、を備える。
XYZ駆動機構17には、吐出装置1と後述する検出装置の一部であるレーザー変位計24およびカメラ25が設置され、吐出装置1並びにレーザー変位計24およびカメラ25を符号26で示すXYZ方向へ移動させることができる。すなわち、制御部11に設定した塗布パターンに基づき、基板の上方で吐出装置1を移動させたり、秤量器22や別位置に固定されている後述する検出装置の一部であるタッチセンサ23といった機器や、後述する調整用基板20を載置した調整用ステージ21まで吐出装置1並びにレーザー変位計24およびカメラ25を移動させることができる。
塗布ステージ19は、搬送機構18ほぼ中央の搬送機構18の間に設置される。塗布作業を行う際は、上昇して基板29を固定する役割を果たす。基板29の搬送時には、下降して搬送の妨げにならないようにする。
秤量器22は、吐出装置1より吐出される液体材料34の重量を測るためのものであり、搬送機構18の近傍に設置される。秤量器22による計測結果は制御部11へと伝えられる。
制御部11は、塗布装置16全体の動作を制御する全体制御部と、吐出装置1の動作を制御する吐出制御部とからなる。
上述の塗布装置16を用いた一連の塗布作業の流れについて次に説明する。図6にそのフローチャートを示す。
前述のパルスに関するパラメータ(ON/OFF時間や組み合わせる割合)に加え、吐出装置1の吐出量変更因子(ノズル径、ストローク量、印加圧力等)を調整して、安定して吐出が行える条件を探し、設定する(STEP601)。この作業は、液体材料34を実際に塗布した結果である重量や径などを測りながら行うとよい。またこのとき、液体材料34がノズル4先端に過剰に付着していないか、塗布した結果である液滴が複数個に分かれて飛散していないかなども併せて確認するのが好ましい。
塗布を終えた基板29を装置16外へ搬出した時点で、予め設定した補正周期(ワークの数や基板の枚数)に達したかどうかを判断する(STEP609)。補正周期に達している場合には、次ステップである補正工程へ進み、補正周期に達していない場合は、STEP611に進む。
補正工程を終えた後、或いは基板29を搬出してすぐに、続けて塗布すべき未塗布の基板29が有るかどうかを判断する(STEP611)。未塗布の基板29がある場合には、STEP605へ戻り、再び基板29を搬入して塗布作業を行う。未塗布の基板29がない場合には、本塗布作業は終了となる。
以上が、準備段階から本塗布作業までの基本的な一連の流れである。なお、ここで示したのは一例であって当該手順に限定されるものでなく、本発明の技術思想の範囲内で種々変更することができる。
前述の実施の形態では、一の吐出パルスに対する休止パルスの数を算出した上で、これらの組み合わせを基本サイクルとして塗布領域毎に設定した。しかし、本実施例では、塗布領域の長さにわたって所望の吐出率を実現するよう、吐出パルス数および休止パルス数を算出し、塗布する。具体的には以下のようにする。
時間を基準とすると、吐出装置がある塗布領域を通過するのに要する時間のうち、吐出パルスが占める割合が吐出率であるので、次のような式が成り立つ。
塗布領域X1およびX3の吐出パルスの数は、式9より7個となり、塗布領域X1およびX3の休止パルスの数は、式11より6000個となる。一方、塗布領域X2の吐出パルスの数は、式9より27個となり、塗布領域X2の休止パルスの数は、式11より4000個となる。
このようにして求めた各パルス数を各塗布領域の長さにわたって振り分け、塗布パターンに設定する。
なお、本発明を半導体パッケージングのアンダーフィル工程に利用できることは言うまでもない。
Claims (10)
- 吐出装置とワークとを相対移動しながら、基板とその上に載置されたワークとの間隙に毛細管現象を利用して吐出装置から吐出した液体材料を充填する液体材料の塗布方法であって、
前記吐出装置が、パルス信号で駆動される吐出装置であり、
連続した複数の塗布領域からなる塗布パターン作成工程と、
一の吐出パルスに複数の休止パルスを所定の比率で組み合わせたサイクルを複数作成し、各塗布領域に割り当てるサイクル割当工程と、
各塗布領域について割り当てられたサイクルで塗布を実施する塗布工程と、
予め設定した補正周期で、補正周期の時点における吐出装置からの吐出量を計測し、吐出量の補正量を算出する補正量算出工程と、
前記補正量算出工程で算出した補正量に基づき、1以上のサイクルについて、一の吐出パルスに対する休止パルスの比率を調整する吐出量調整工程と、
を含み、休止パルスの長さを吐出パルスの長さの20分の1以下に設定したことを特徴とする液体材料の塗布方法。 - 前記サイクル割当工程において、各サイクルに同じ長さの吐出パルスおよび同じ長さの休止パルスを割り当てることを特徴とする請求項1記載の液体材料の塗布方法。
- 前記吐出量調整工程において、吐出パルスおよび休止パルスの長さを変えないことを特徴とする請求項1または2記載の液体材料の塗布方法。
- 前記吐出量調整工程において、塗布パターンの全長および各塗布領域の長さを変えないことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の液体材料の塗布方法。
- 前記吐出量調整工程において、吐出装置とワークとの相対移動速度を変えることなく吐出量の補正を行うことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の液体材料の塗布方法。
- 前記補正量算出工程以前の工程において、補正を行うかを判断する許容範囲を設定し、許容範囲を越える場合に補正を実行することを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の液体材料の塗布方法。
- 前記補正周期は、ユーザーが補正周期として入力した時間情報、ワークの枚数、または基板の枚数に基づき設定されることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の液体材料の塗布方法。
- 前記吐出量調整工程において、複数サイクルについて、一の吐出パルスに対する休止パルスの比率を調整することを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の液体材料の塗布方法。
- 液体材料を供給する液材供給部と、液体材料を吐出する吐出口を有し、パルス信号で駆動される吐出装置と、吐出口より吐出された液体材料の量を計量する計量部と、吐出口とワークとを相対移動させる駆動機構と、これらの作動を制御する制御部とを備える塗布装置において、制御部に請求項1ないし8のいずれかに記載の塗布方法を実施させることを特徴とする塗布装置。
- 液体材料を供給する液材供給部と、液体材料を吐出する吐出口を有し、パルス信号で駆動される吐出装置と、吐出口より吐出された液体材料の量を計量する計量部と、吐出口とワークとを相対移動させる駆動機構と、これらの作動を制御する制御部とを備える塗布装置において、制御部に請求項1ないし8のいずれかに記載の塗布方法を実施させるプログラム。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011008648A JP5779353B2 (ja) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | 液体材料の塗布方法、塗布装置およびプログラム |
US13/978,801 US10086573B2 (en) | 2011-01-19 | 2012-01-18 | Application method of liquid material, application device and program |
EP12736584.9A EP2666545B1 (en) | 2011-01-19 | 2012-01-18 | Method for applying liquid material and application device |
PCT/JP2012/050912 WO2012099147A1 (ja) | 2011-01-19 | 2012-01-18 | 液体材料の塗布方法、塗布装置およびプログラム |
KR1020137021496A KR101901217B1 (ko) | 2011-01-19 | 2012-01-18 | 액체 재료의 도포 방법, 도포 장치 및 그 프로그램이 기억된 기억 매체 |
CN201280005931.XA CN103391820B (zh) | 2011-01-19 | 2012-01-18 | 液体材料的涂布方法及涂布装置 |
TW101102131A TWI537061B (zh) | 2011-01-19 | 2012-01-19 | A coating method for a liquid material, a coating apparatus, and a memory medium having a memory program |
HK14102263.0A HK1189193A1 (zh) | 2011-01-19 | 2014-03-06 | 液體材料的塗布方法及塗布裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011008648A JP5779353B2 (ja) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | 液体材料の塗布方法、塗布装置およびプログラム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012148235A JP2012148235A (ja) | 2012-08-09 |
JP2012148235A5 JP2012148235A5 (ja) | 2014-03-20 |
JP5779353B2 true JP5779353B2 (ja) | 2015-09-16 |
Family
ID=46515770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011008648A Active JP5779353B2 (ja) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | 液体材料の塗布方法、塗布装置およびプログラム |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10086573B2 (ja) |
EP (1) | EP2666545B1 (ja) |
JP (1) | JP5779353B2 (ja) |
KR (1) | KR101901217B1 (ja) |
CN (1) | CN103391820B (ja) |
HK (1) | HK1189193A1 (ja) |
TW (1) | TWI537061B (ja) |
WO (1) | WO2012099147A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016502672A (ja) * | 2012-12-03 | 2016-01-28 | イリノイ トゥール ワークス インコーポレイティド | ディスペンサーを校正する方法及び装置 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6078298B2 (ja) * | 2012-11-01 | 2017-02-08 | 武蔵エンジニアリング株式会社 | 位置補正機能を有する作業装置および作業方法 |
JP6183597B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2017-08-23 | Tdk株式会社 | 液滴塗布装置 |
US10559864B2 (en) | 2014-02-13 | 2020-02-11 | Birmingham Technologies, Inc. | Nanofluid contact potential difference battery |
US10449565B2 (en) * | 2014-03-10 | 2019-10-22 | Musashi Engineering, Inc. | Application device and application method |
JP6541489B2 (ja) * | 2015-07-24 | 2019-07-10 | 武蔵エンジニアリング株式会社 | 液体材料吐出装置 |
JP6538465B2 (ja) * | 2015-07-24 | 2019-07-03 | 武蔵エンジニアリング株式会社 | 固体粒子を含有する液体材料の吐出装置および塗布装置並びに塗布方法 |
JP6778426B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2020-11-04 | 武蔵エンジニアリング株式会社 | 液体材料吐出装置 |
KR20210045625A (ko) * | 2019-10-17 | 2021-04-27 | 주식회사 엘지화학 | 활물질 이중층을 형성하는 전극 슬러리 코팅 장치 및 방법 |
CN108906508B (zh) * | 2018-08-06 | 2020-11-27 | Oppo(重庆)智能科技有限公司 | 胶量控制方法及胶量控制装置 |
US11244816B2 (en) | 2019-02-25 | 2022-02-08 | Birmingham Technologies, Inc. | Method of manufacturing and operating nano-scale energy conversion device |
US10950706B2 (en) | 2019-02-25 | 2021-03-16 | Birmingham Technologies, Inc. | Nano-scale energy conversion device |
US11101421B2 (en) | 2019-02-25 | 2021-08-24 | Birmingham Technologies, Inc. | Nano-scale energy conversion device |
CN109847971A (zh) * | 2019-03-02 | 2019-06-07 | 西华大学 | 一种具有低流速和高精度的自动化涂料装置及方法 |
US11046578B2 (en) * | 2019-05-20 | 2021-06-29 | Birmingham Technologies, Inc. | Single-nozzle apparatus for engineered nano-scale electrospray depositions |
US11124864B2 (en) | 2019-05-20 | 2021-09-21 | Birmingham Technologies, Inc. | Method of fabricating nano-structures with engineered nano-scale electrospray depositions |
JP7467176B2 (ja) * | 2020-03-16 | 2024-04-15 | 日本発條株式会社 | 接着剤の塗布方法および塗布装置 |
EP4129683B1 (en) * | 2020-03-31 | 2024-04-24 | Fuji Corporation | Printing control device and printing control method |
US11649525B2 (en) | 2020-05-01 | 2023-05-16 | Birmingham Technologies, Inc. | Single electron transistor (SET), circuit containing set and energy harvesting device, and fabrication method |
US11417506B1 (en) | 2020-10-15 | 2022-08-16 | Birmingham Technologies, Inc. | Apparatus including thermal energy harvesting thermionic device integrated with electronics, and related systems and methods |
US11616186B1 (en) | 2021-06-28 | 2023-03-28 | Birmingham Technologies, Inc. | Thermal-transfer apparatus including thermionic devices, and related methods |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3877038B2 (ja) | 1999-11-10 | 2007-02-07 | 武蔵エンジニアリング株式会社 | 液体の塗布方法および装置 |
JP2002303275A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Iwashita Engineering Inc | 定量吐出器の吐出量補正方法 |
JP4032729B2 (ja) * | 2001-12-19 | 2008-01-16 | 松下電器産業株式会社 | 流体塗布方法 |
SE0202247D0 (sv) | 2002-07-18 | 2002-07-18 | Mydata Automation Ab | Jetting device and method at a jetting device |
US20050001869A1 (en) * | 2003-05-23 | 2005-01-06 | Nordson Corporation | Viscous material noncontact jetting system |
US20080248193A1 (en) | 2004-04-09 | 2008-10-09 | Hachiroh Nakatsuji | Viscous Fluid Application Device |
JP4382595B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2009-12-16 | パナソニック株式会社 | 粘性流体供給装置及びその固化防止方法 |
JP4889967B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2012-03-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 液状物質滴下装置及び液状物質滴下方法 |
JP4995488B2 (ja) * | 2006-05-26 | 2012-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布方法及び塗布装置 |
JP4871093B2 (ja) | 2006-11-01 | 2012-02-08 | 武蔵エンジニアリング株式会社 | 液体材料の充填方法、装置およびプログラム |
JP5280702B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2013-09-04 | 武蔵エンジニアリング株式会社 | 液体材料の塗布方法、その装置およびそのプログラム |
JP5632838B2 (ja) * | 2009-06-15 | 2014-11-26 | 武蔵エンジニアリング株式会社 | 液体材料の塗布方法、その装置およびそのプログラム |
-
2011
- 2011-01-19 JP JP2011008648A patent/JP5779353B2/ja active Active
-
2012
- 2012-01-18 KR KR1020137021496A patent/KR101901217B1/ko active IP Right Grant
- 2012-01-18 WO PCT/JP2012/050912 patent/WO2012099147A1/ja active Application Filing
- 2012-01-18 US US13/978,801 patent/US10086573B2/en active Active
- 2012-01-18 CN CN201280005931.XA patent/CN103391820B/zh active Active
- 2012-01-18 EP EP12736584.9A patent/EP2666545B1/en active Active
- 2012-01-19 TW TW101102131A patent/TWI537061B/zh active
-
2014
- 2014-03-06 HK HK14102263.0A patent/HK1189193A1/zh unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016502672A (ja) * | 2012-12-03 | 2016-01-28 | イリノイ トゥール ワークス インコーポレイティド | ディスペンサーを校正する方法及び装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2666545B1 (en) | 2019-05-15 |
US20130313745A1 (en) | 2013-11-28 |
EP2666545A4 (en) | 2016-03-02 |
HK1189193A1 (zh) | 2014-05-30 |
US10086573B2 (en) | 2018-10-02 |
EP2666545A1 (en) | 2013-11-27 |
CN103391820B (zh) | 2016-04-13 |
KR20140003542A (ko) | 2014-01-09 |
JP2012148235A (ja) | 2012-08-09 |
WO2012099147A1 (ja) | 2012-07-26 |
TW201240739A (en) | 2012-10-16 |
TWI537061B (zh) | 2016-06-11 |
CN103391820A (zh) | 2013-11-13 |
KR101901217B1 (ko) | 2018-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5779353B2 (ja) | 液体材料の塗布方法、塗布装置およびプログラム | |
JP5632838B2 (ja) | 液体材料の塗布方法、その装置およびそのプログラム | |
JP5280702B2 (ja) | 液体材料の塗布方法、その装置およびそのプログラム | |
TWI497613B (zh) | A coating method for a liquid material, a coating apparatus, and a memory medium having a memory program | |
JP5019900B2 (ja) | 液体材料の充填方法、装置およびプログラム | |
JP4871093B2 (ja) | 液体材料の充填方法、装置およびプログラム | |
JP4868515B2 (ja) | 液体材料の充填方法、装置およびプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140114 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150407 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20150603 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150603 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150630 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150713 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5779353 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |