JP2003007737A - Ｉｃチップの封止方法および封止装置 - Google Patents
Ｉｃチップの封止方法および封止装置Info
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- JP2003007737A JP2003007737A JP2001193438A JP2001193438A JP2003007737A JP 2003007737 A JP2003007737 A JP 2003007737A JP 2001193438 A JP2001193438 A JP 2001193438A JP 2001193438 A JP2001193438 A JP 2001193438A JP 2003007737 A JP2003007737 A JP 2003007737A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】エアーの巻き込みを極力抑制することができ、
塗布回数を減らして短時間に効率良く封止剤の充填を行
うことができるＩＣチップの封止方法および封止装置を
提供する。 【解決手段】基板２上におけるＩＣチップ１の隣接する
２辺に沿った箇所に封止剤１０を塗布して、その塗布し
た封止剤１０を自体の粘着性によりＩＣチップ１と基板
２との隙間３に充填させる。または、基板２上における
ＩＣチップ１の１辺に沿った箇所であって、その１辺の
両角からそれぞれ離間した両位置の間に封止剤１０を塗
布する。
塗布回数を減らして短時間に効率良く封止剤の充填を行
うことができるＩＣチップの封止方法および封止装置を
提供する。 【解決手段】基板２上におけるＩＣチップ１の隣接する
２辺に沿った箇所に封止剤１０を塗布して、その塗布し
た封止剤１０を自体の粘着性によりＩＣチップ１と基板
２との隙間３に充填させる。または、基板２上における
ＩＣチップ１の１辺に沿った箇所であって、その１辺の
両角からそれぞれ離間した両位置の間に封止剤１０を塗
布する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ実装における
フリップチップ実装工程およびＭＣＭ実装工程における
ＩＣチップの封止方法および封止装置に関するものであ
る。
フリップチップ実装工程およびＭＣＭ実装工程における
ＩＣチップの封止方法および封止装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣ実装におけるフリップチップ
実装工程およびＭＣＭ（マルチチップモジュール）実装
工程でのＩＣチップの封止手段に対しては、ＩＣの更な
る小型化と共に、高効率、且つ高品質での大量生産が要
求されている。従来、ＩＣ実装におけるフリップチップ
実装工程およびＭＣＭ実装工程での封止方法としては、
特開平９−２３２３４７号公報に記載のものが知られて
いる。以下、図面を参照しながら、上述した従来のＩＣ
実装におけるフリップチップ実装工程およびＭＣＭ実装
工程での代表的な２通りの封止方法について説明する。
実装工程およびＭＣＭ（マルチチップモジュール）実装
工程でのＩＣチップの封止手段に対しては、ＩＣの更な
る小型化と共に、高効率、且つ高品質での大量生産が要
求されている。従来、ＩＣ実装におけるフリップチップ
実装工程およびＭＣＭ実装工程での封止方法としては、
特開平９−２３２３４７号公報に記載のものが知られて
いる。以下、図面を参照しながら、上述した従来のＩＣ
実装におけるフリップチップ実装工程およびＭＣＭ実装
工程での代表的な２通りの封止方法について説明する。
【０００３】先ず、従来の第１の封止方法は、図６
（ａ），（ｂ）に示すように、ディスペンスノズル４
を、基板２上に封止剤を塗らずにフリップチップしたＩ
Ｃチップ１の周辺外側からＩＣチップ１および基板２に
触れず、且つＩＣチップ１から外側に所定距離８および
基板２から上方へ所定距離９（ＩＣチップ１と基板２と
の隙間３よりも大きく、ＩＣチップ１の厚み＋隙間３の
合計距離７よりも小さい）を保って移動させながら、デ
ィスペンスノズル４から吐出した封止剤１０をＩＣチッ
プ１の外側面全周に塗布することにより、封止剤１０の
濡れ性（毛細管現象）だけで、隙間３に封止剤１０を入
り込ませたものである。
（ａ），（ｂ）に示すように、ディスペンスノズル４
を、基板２上に封止剤を塗らずにフリップチップしたＩ
Ｃチップ１の周辺外側からＩＣチップ１および基板２に
触れず、且つＩＣチップ１から外側に所定距離８および
基板２から上方へ所定距離９（ＩＣチップ１と基板２と
の隙間３よりも大きく、ＩＣチップ１の厚み＋隙間３の
合計距離７よりも小さい）を保って移動させながら、デ
ィスペンスノズル４から吐出した封止剤１０をＩＣチッ
プ１の外側面全周に塗布することにより、封止剤１０の
濡れ性（毛細管現象）だけで、隙間３に封止剤１０を入
り込ませたものである。
【０００４】第２の方法は、図８（ａ），（ｂ）に示す
ように、基板２上に封止剤１０を塗らずにＩＣチップ１
を装着した後に、ＩＣチップ１と基板２との隙間３を封
止剤１０を封止するに際して、基板２を水平面に対して
所定角度α（＝５°〜30°）をもって傾斜させ、ＩＣチ
ップ１を、これの上辺ＡＢと下辺ＤＣとの側端面が基板
２の傾斜方向に対してほぼ直角方向に位置するようにを
配した状態で、ディスペンスノズル４をＩＣチップ１の
上辺ＡＢに沿って相対的に移動させながら、ＩＣチップ
１と基板２との隙間３に、上辺ＡＢに沿った隙間口から
粘着液状態の封止剤１０を吐出して供給し、ディスペン
スノズル４の上記移動を１回または繰り返して、ＩＣチ
ップ１と基板２との間に粘着液状態の封止剤１０が充填
され、ＩＣチップ１の下辺ＣＤに沿った隙間口から、封
止剤１０が露出する状態となるまで、粘着液状態の封止
剤１０を吐出して供給するようにしたものである。
ように、基板２上に封止剤１０を塗らずにＩＣチップ１
を装着した後に、ＩＣチップ１と基板２との隙間３を封
止剤１０を封止するに際して、基板２を水平面に対して
所定角度α（＝５°〜30°）をもって傾斜させ、ＩＣチ
ップ１を、これの上辺ＡＢと下辺ＤＣとの側端面が基板
２の傾斜方向に対してほぼ直角方向に位置するようにを
配した状態で、ディスペンスノズル４をＩＣチップ１の
上辺ＡＢに沿って相対的に移動させながら、ＩＣチップ
１と基板２との隙間３に、上辺ＡＢに沿った隙間口から
粘着液状態の封止剤１０を吐出して供給し、ディスペン
スノズル４の上記移動を１回または繰り返して、ＩＣチ
ップ１と基板２との間に粘着液状態の封止剤１０が充填
され、ＩＣチップ１の下辺ＣＤに沿った隙間口から、封
止剤１０が露出する状態となるまで、粘着液状態の封止
剤１０を吐出して供給するようにしたものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の第１の方法では、ＩＣチップ１と基板２との隙間に
封止剤１０が充填されていく過程を順に示した図７
（ａ）〜（ｆ）に示すように、ＩＣチップ１の１辺の両
角Ａ，Ｂを封止剤１０を塗布する際の塗布開始点および
塗布終了点に設定していることから、ＩＣチップ１の周
辺上での封止剤１０の流れが、対称軸Ｙ−Ｙ上の流れよ
りも速く、ＩＣチップ１の周辺から先に封止剤１０の充
填が進行し、エアーＥの巻き込みを起こす可能性が高
い。このように封止剤１０中にエアーＥが巻き込まれる
と、この封止工程の後工程に高温プロセスがある場合、
バンプ接続部がエアーＥの膨張による圧力に圧迫されて
接続不良になるケースが多い。
来の第１の方法では、ＩＣチップ１と基板２との隙間に
封止剤１０が充填されていく過程を順に示した図７
（ａ）〜（ｆ）に示すように、ＩＣチップ１の１辺の両
角Ａ，Ｂを封止剤１０を塗布する際の塗布開始点および
塗布終了点に設定していることから、ＩＣチップ１の周
辺上での封止剤１０の流れが、対称軸Ｙ−Ｙ上の流れよ
りも速く、ＩＣチップ１の周辺から先に封止剤１０の充
填が進行し、エアーＥの巻き込みを起こす可能性が高
い。このように封止剤１０中にエアーＥが巻き込まれる
と、この封止工程の後工程に高温プロセスがある場合、
バンプ接続部がエアーＥの膨張による圧力に圧迫されて
接続不良になるケースが多い。
【０００６】また、従来の第２の方法では、ＩＣチップ
１および基板２が水平面に対し所定の角度αをもって傾
斜させているから、自重の影響により対称軸Ｙ−Ｙ上の
封止剤１０の流れ速度が増すものの、ＩＣチップ１の周
辺上の塗布流れには追いつけずにエアー巻き込みを起こ
す可能性が残る。また、ＩＣチップ１の下辺ＤＣに沿っ
た隙間口から、封止剤１０が露出する状態になるまで粘
着液状態の封止剤１０を吐出して供給する必要があるこ
とから、数回の塗布動作が必要となり、充填に時間がか
かる。
１および基板２が水平面に対し所定の角度αをもって傾
斜させているから、自重の影響により対称軸Ｙ−Ｙ上の
封止剤１０の流れ速度が増すものの、ＩＣチップ１の周
辺上の塗布流れには追いつけずにエアー巻き込みを起こ
す可能性が残る。また、ＩＣチップ１の下辺ＤＣに沿っ
た隙間口から、封止剤１０が露出する状態になるまで粘
着液状態の封止剤１０を吐出して供給する必要があるこ
とから、数回の塗布動作が必要となり、充填に時間がか
かる。
【０００７】そこで、本発明は、上記従来の課題に鑑み
てなされたもので、エアーの巻き込みを極力抑制するこ
とができ、塗布回数を減らして短時間に効率良く封止剤
の充填を行うことができるＩＣチップの封止方法および
封止装置を提供することを目的とするものである。
てなされたもので、エアーの巻き込みを極力抑制するこ
とができ、塗布回数を減らして短時間に効率良く封止剤
の充填を行うことができるＩＣチップの封止方法および
封止装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明に係るＩＣチップの封止方法は、四角形
状のＩＣチップを基板上にフェイスダウンで接合して装
着したのち、前記ＩＣチップと前記基板の隙間を封止剤
の充填により封止するに際して、前記基板上における前
記ＩＣチップの隣接する２辺に沿った箇所に前記封止剤
を塗布して、その塗布した前記封止剤を自体の粘着性に
より前記隙間に充填させるようにしたことを特徴として
いる。
に、第１の発明に係るＩＣチップの封止方法は、四角形
状のＩＣチップを基板上にフェイスダウンで接合して装
着したのち、前記ＩＣチップと前記基板の隙間を封止剤
の充填により封止するに際して、前記基板上における前
記ＩＣチップの隣接する２辺に沿った箇所に前記封止剤
を塗布して、その塗布した前記封止剤を自体の粘着性に
より前記隙間に充填させるようにしたことを特徴として
いる。
【０００９】このＩＣチップの封止方法では、封止剤に
よるエアーの巻き込みを抑制することができるととも
に、１回の塗布動作による封止剤の充填量が増えるの
で、塗布回数を少なくして封止剤を短時間で効率よく充
填することができる。
よるエアーの巻き込みを抑制することができるととも
に、１回の塗布動作による封止剤の充填量が増えるの
で、塗布回数を少なくして封止剤を短時間で効率よく充
填することができる。
【００１０】上記発明において、ＩＣチップの隣接する
２辺のうちの一方の辺における他方の辺とは反対側の角
から離間した位置を塗布開始点とし、前記他方の辺にお
ける前記一方の辺とは反対側の角から離間した位置を塗
布終了点に設定して、封止剤塗布用ノズルを前記塗布開
始点から前記塗布終了点まで前記ＩＣチップの前記２辺
に沿って相対的に移動させながら封止剤を塗布すること
が好ましい。
２辺のうちの一方の辺における他方の辺とは反対側の角
から離間した位置を塗布開始点とし、前記他方の辺にお
ける前記一方の辺とは反対側の角から離間した位置を塗
布終了点に設定して、封止剤塗布用ノズルを前記塗布開
始点から前記塗布終了点まで前記ＩＣチップの前記２辺
に沿って相対的に移動させながら封止剤を塗布すること
が好ましい。
【００１１】これにより、ＩＣチップの周辺上の封止樹
脂の充填開始タイミングをＩＣチップの対称軸上の封止
樹脂の浸透開始タイミングよりも遅らせ、ＩＣチップの
周辺上を周り込み浸透していく流れの終了タイミングと
対称軸上の封止樹脂の浸透終了タイミングを合わせるこ
とができ、封止樹脂の浸透する流れをエアーを内側から
外側へ吐き出す方向へと制御でき、エアーの巻き込みを
極力抑えることができる。
脂の充填開始タイミングをＩＣチップの対称軸上の封止
樹脂の浸透開始タイミングよりも遅らせ、ＩＣチップの
周辺上を周り込み浸透していく流れの終了タイミングと
対称軸上の封止樹脂の浸透終了タイミングを合わせるこ
とができ、封止樹脂の浸透する流れをエアーを内側から
外側へ吐き出す方向へと制御でき、エアーの巻き込みを
極力抑えることができる。
【００１２】上記構成において、塗布開始点および塗布
終了点を、ＩＣチップの隣接する２辺の互いに離間した
各角から辺長の1/16〜1/4 だけ離間した位置に設定する
ことが好ましい。これにより、エアーの巻き込みを極力
抑える効果を一層確実に得ることができる。
終了点を、ＩＣチップの隣接する２辺の互いに離間した
各角から辺長の1/16〜1/4 だけ離間した位置に設定する
ことが好ましい。これにより、エアーの巻き込みを極力
抑える効果を一層確実に得ることができる。
【００１３】第２の発明に係るＩＣチップの封止方法
は、四角形状のＩＣチップを基板上にフェイスダウンで
接合して装着したのち、前記ＩＣチップと前記基板の隙
間を封止剤の充填により封止するに際して、前記基板上
における前記ＩＣチップの１辺に沿った箇所であって、
その１辺の両角からそれぞれ離間した両位置の間に前記
封止剤を塗布して、その塗布した前記封止剤を自体の粘
着性により前記隙間に充填させるようにすることを特徴
としている。
は、四角形状のＩＣチップを基板上にフェイスダウンで
接合して装着したのち、前記ＩＣチップと前記基板の隙
間を封止剤の充填により封止するに際して、前記基板上
における前記ＩＣチップの１辺に沿った箇所であって、
その１辺の両角からそれぞれ離間した両位置の間に前記
封止剤を塗布して、その塗布した前記封止剤を自体の粘
着性により前記隙間に充填させるようにすることを特徴
としている。
【００１４】このＩＣチップの封止方法では、封止剤に
よるエアーの巻き込みを抑制しながら、封止剤を効率よ
く充填することができる。
よるエアーの巻き込みを抑制しながら、封止剤を効率よ
く充填することができる。
【００１５】上記発明において、ＩＣチップの１辺の両
方の角からそれぞれ辺長の1/16〜1/4 だけ離間した位置
を塗布開始点および塗布終了点に設定することが好まし
い。これによりＩＣチップの周辺上の封止樹脂の充填開
始タイミングをＩＣチップの対称軸上の封止樹脂の浸透
開始タイミングよりも遅らせ、ＩＣチップの周辺上を周
り込み浸透していく流れの終了タイミングと対称軸上の
封止樹脂の浸透終了タイミングを合わせることができ、
封止樹脂の浸透する流れをエアーを内側から外側へ吐き
出す方向へと制御でき、エアーの巻き込みを極力抑える
ことが可能となる。
方の角からそれぞれ辺長の1/16〜1/4 だけ離間した位置
を塗布開始点および塗布終了点に設定することが好まし
い。これによりＩＣチップの周辺上の封止樹脂の充填開
始タイミングをＩＣチップの対称軸上の封止樹脂の浸透
開始タイミングよりも遅らせ、ＩＣチップの周辺上を周
り込み浸透していく流れの終了タイミングと対称軸上の
封止樹脂の浸透終了タイミングを合わせることができ、
封止樹脂の浸透する流れをエアーを内側から外側へ吐き
出す方向へと制御でき、エアーの巻き込みを極力抑える
ことが可能となる。
【００１６】上記各発明において、基板を水平面に対し
５°〜30°範囲の角度に傾斜させて、前記基板上のＩＣ
チップの上方に位置する辺に沿って封止剤を塗布するこ
とができる。これにより、封止剤が粘性の高いものであ
っても、封止剤の自重によってＩＣチップと基板との隙
間への浸透を促進することができ、封止剤を効率的に塗
布することができる。
５°〜30°範囲の角度に傾斜させて、前記基板上のＩＣ
チップの上方に位置する辺に沿って封止剤を塗布するこ
とができる。これにより、封止剤が粘性の高いものであ
っても、封止剤の自重によってＩＣチップと基板との隙
間への浸透を促進することができ、封止剤を効率的に塗
布することができる。
【００１７】本発明に係るＩＣチップの封止方法は、封
止剤を吐出するディスペンスノズルを固定するヘッド部
と、前記ヘッド部をＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向
にそれぞれ移動させるＸ方向作動部、Ｙ方向作動部およ
びＺ方向作動部と、前記ヘッド部をＸ軸回りに回動させ
るθ方向回動部と、基板を保持するステージを固定する
ステージ部と、前記ステージ部をＸ軸方向、Ｙ軸方向お
よびＺ軸方向にそれぞれ移動させるＸ方向作動部、Ｙ方
向作動部およびＺ方向作動部と、前記ステージ部をＸ軸
回りに回動させるθ方向回動部と、前記ステージの温度
を制御するとともに、封止剤の塗布開始点と塗布終了点
を算出して制御する制御装置とを備えたことを特徴とし
ている。
止剤を吐出するディスペンスノズルを固定するヘッド部
と、前記ヘッド部をＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向
にそれぞれ移動させるＸ方向作動部、Ｙ方向作動部およ
びＺ方向作動部と、前記ヘッド部をＸ軸回りに回動させ
るθ方向回動部と、基板を保持するステージを固定する
ステージ部と、前記ステージ部をＸ軸方向、Ｙ軸方向お
よびＺ軸方向にそれぞれ移動させるＸ方向作動部、Ｙ方
向作動部およびＺ方向作動部と、前記ステージ部をＸ軸
回りに回動させるθ方向回動部と、前記ステージの温度
を制御するとともに、封止剤の塗布開始点と塗布終了点
を算出して制御する制御装置とを備えたことを特徴とし
ている。
【００１８】このＩＣチップの封止装置では、本発明の
ＩＣチップの封止方法を忠実に具現化して、封止方法の
効果を確実に得ることができる。
ＩＣチップの封止方法を忠実に具現化して、封止方法の
効果を確実に得ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態について図面を参照しながら説明する。図１は本発明
の第１の実施の形態に係るＩＣチップの封止方法を具現
化した構成の斜視図および縦断面図である。先ず、封止
を行うＩＣ基板２を設置するためのステージ１１は水平
面に設置してもよいが、封止剤１０の粘性が高いために
浸透に時間がかかる場合には、この実施の形態に例示し
ているように、ステージ１１を水平面に対して所定の角
度αで傾斜した状態に設置する。この傾斜角αはＩＣチ
ップ１の大きさや封止剤１０の粘性によっても異なる
が、５°〜30°程度の所定の角度が好ましい。なお、こ
の角度は、封止作業中固定した一定の角度に設定しても
よいが、場合によっては封止剤１０の吐出の際の傾斜角
とその後の封止剤１０の流動時間における傾斜角度と
を、上記所定の角度範囲内で異なる値に設定することも
できる。また、基板２上の封止剤１０の粘性を低下させ
るために、ステージ１１の温度を或る一定の温度に設定
して、基板２を適当な温度に加熱しておくための温度制
御手段を設置することか好ましい。この温度は封止剤１
０の種類に応じて異なる。
態について図面を参照しながら説明する。図１は本発明
の第１の実施の形態に係るＩＣチップの封止方法を具現
化した構成の斜視図および縦断面図である。先ず、封止
を行うＩＣ基板２を設置するためのステージ１１は水平
面に設置してもよいが、封止剤１０の粘性が高いために
浸透に時間がかかる場合には、この実施の形態に例示し
ているように、ステージ１１を水平面に対して所定の角
度αで傾斜した状態に設置する。この傾斜角αはＩＣチ
ップ１の大きさや封止剤１０の粘性によっても異なる
が、５°〜30°程度の所定の角度が好ましい。なお、こ
の角度は、封止作業中固定した一定の角度に設定しても
よいが、場合によっては封止剤１０の吐出の際の傾斜角
とその後の封止剤１０の流動時間における傾斜角度と
を、上記所定の角度範囲内で異なる値に設定することも
できる。また、基板２上の封止剤１０の粘性を低下させ
るために、ステージ１１の温度を或る一定の温度に設定
して、基板２を適当な温度に加熱しておくための温度制
御手段を設置することか好ましい。この温度は封止剤１
０の種類に応じて異なる。
【００２０】ＩＣチップ１は、封止剤１０による封止に
先立って、ＩＣチップ１の下面に形成されたバンプ１２
を基板２の上面に形成された電極１３に半田または導電
性接着剤などの接合剤１４で接合して装着される。そし
て、ＩＣチップ１の上辺（ＡＢ）１７が基板２の辺１５
（ＥＦ）に対して平行に配置された状態でフリップチッ
プされたＩＣ基板２を、ステージ１１の辺（ＧＨ）１８
と基板２の辺１５との関係が平行になるように保持す
る。
先立って、ＩＣチップ１の下面に形成されたバンプ１２
を基板２の上面に形成された電極１３に半田または導電
性接着剤などの接合剤１４で接合して装着される。そし
て、ＩＣチップ１の上辺（ＡＢ）１７が基板２の辺１５
（ＥＦ）に対して平行に配置された状態でフリップチッ
プされたＩＣ基板２を、ステージ１１の辺（ＧＨ）１８
と基板２の辺１５との関係が平行になるように保持す
る。
【００２１】つぎに、封止動作について説明する。粘着
液状態の封止剤１０を塗布する線引き移動は、上記の状
態において、図１（ａ）に矢印で示すように、ディスペ
ンスノズル４を、ＩＣチップ１に対してこれの上辺１７
に沿って相対的に移動走査するとともに、移動しながら
封止剤１０を吐出して行う。場合によっては、ディスペ
ンスノズル４に対してステージ１１を移動させて線引き
を行うようにしてもよい。そして、この実施の形態で
は、ディスペンスノズル４から封止剤１０を吐出塗布す
る開始点と終了点をＩＣチップ１の上辺１７の両角（図
のＡ，Ｂ）を除く位置に設定する。
液状態の封止剤１０を塗布する線引き移動は、上記の状
態において、図１（ａ）に矢印で示すように、ディスペ
ンスノズル４を、ＩＣチップ１に対してこれの上辺１７
に沿って相対的に移動走査するとともに、移動しながら
封止剤１０を吐出して行う。場合によっては、ディスペ
ンスノズル４に対してステージ１１を移動させて線引き
を行うようにしてもよい。そして、この実施の形態で
は、ディスペンスノズル４から封止剤１０を吐出塗布す
る開始点と終了点をＩＣチップ１の上辺１７の両角（図
のＡ，Ｂ）を除く位置に設定する。
【００２２】図１（ｂ）に示すように、ディスペンスノ
ズル４からは、所定の吐出圧によって適当な粘着液状態
に調整された封止剤１０がＩＣチップ１と基板２の隙間
３の近傍箇所に吐出して供給される。なお、ディスペン
スノズル４の先端は、ＩＣチップ１の側面から所定距離
８だけ離れ、ＩＣ基板２からは法線方向に所定距離９だ
け離れている。封止剤１０は濡れ性により時間の経過と
共に次第にＩＣチップ１と基板２との隙間３内に入り込
んでいく。この実施の形態のようにステージ１１を傾斜
させたときには、自重の影響により封止剤１０の充填速
度が増す。なお、封止剤１０の塗布はＩＣチップ１の大
きさに応じて１回に限らず、必要十分な回数だけ行う。
ズル４からは、所定の吐出圧によって適当な粘着液状態
に調整された封止剤１０がＩＣチップ１と基板２の隙間
３の近傍箇所に吐出して供給される。なお、ディスペン
スノズル４の先端は、ＩＣチップ１の側面から所定距離
８だけ離れ、ＩＣ基板２からは法線方向に所定距離９だ
け離れている。封止剤１０は濡れ性により時間の経過と
共に次第にＩＣチップ１と基板２との隙間３内に入り込
んでいく。この実施の形態のようにステージ１１を傾斜
させたときには、自重の影響により封止剤１０の充填速
度が増す。なお、封止剤１０の塗布はＩＣチップ１の大
きさに応じて１回に限らず、必要十分な回数だけ行う。
【００２３】図２は、上記第１の実施の形態におけるＩ
Ｃチップ１と基板２との隙間３内に封止剤１０が入り込
んで完全に充填されるまでの過程を順に示した説明図で
ある。この説明図は、シリコンチップをガラス板上に実
装し、封止剤１０の流れをビデオカメラで撮像したデー
タに基づくものである。このときの塗布条件は次の通り
である。
Ｃチップ１と基板２との隙間３内に封止剤１０が入り込
んで完全に充填されるまでの過程を順に示した説明図で
ある。この説明図は、シリコンチップをガラス板上に実
装し、封止剤１０の流れをビデオカメラで撮像したデー
タに基づくものである。このときの塗布条件は次の通り
である。
【００２４】すなわち、ＩＣチップ１のサイズは7.97×
6.84×0.4 （ｍｍ3 ）、封止剤１０はエポキシ系封止樹
脂（12Ｐａ・ｓ／25°Ｃ）、塗布温度は70°Ｃ、封止剤
１０の塗布量は10回塗布当たり18ｍｇ、塗布時間はＩＣ
チップ１の１辺（この実施の形態では上辺）当たり1.5
ｓｅｃ、ＩＣチップ１と基板２との隙間３は30μｍ、接
合電極１３はＡｕパンプ＋導電性Ａｇペースト剤（電極
幅40μｍ）、傾斜角度αは15°、図２（ａ）に示す封止
剤１０の塗布開始点１９および塗布終了点２０は、ＩＣ
チップ１の角Ａ，８より1.75ｍｍ離れた位置（ＩＣチッ
プ１の辺長×1/4)である。
6.84×0.4 （ｍｍ3 ）、封止剤１０はエポキシ系封止樹
脂（12Ｐａ・ｓ／25°Ｃ）、塗布温度は70°Ｃ、封止剤
１０の塗布量は10回塗布当たり18ｍｇ、塗布時間はＩＣ
チップ１の１辺（この実施の形態では上辺）当たり1.5
ｓｅｃ、ＩＣチップ１と基板２との隙間３は30μｍ、接
合電極１３はＡｕパンプ＋導電性Ａｇペースト剤（電極
幅40μｍ）、傾斜角度αは15°、図２（ａ）に示す封止
剤１０の塗布開始点１９および塗布終了点２０は、ＩＣ
チップ１の角Ａ，８より1.75ｍｍ離れた位置（ＩＣチッ
プ１の辺長×1/4)である。
【００２５】先ず、図２（ａ）に示すように、ＩＣチッ
プ１の１辺に沿って上記の塗布開始点１９から塗布終了
点２０まで封止剤１０の線引き塗布２１を行うと、塗布
された封止剤１０は、ＩＣチップ１と基板２との隙間３
に入り込み、（ｂ）に示すように、ＩＣチップ１の周辺
上を横に広がっていく状態となると、（ｃ）に示すよう
に、基板２の表面に封止剤１０の残り跡２２ができる。
封止剤１０が再び塗布されない限り、塗布の進行は見ら
れない。つぎに、（ｄ）に示すように、２回目の線引き
塗布２５を行うと、１回目と同じように、塗布された封
止剤１０はＩＣチップ１と基板２との隙間に入り込み、
（ｅ）に示すように、ＩＣチップ１の周辺上を広がって
いく。これを繰り返すと、（ｆ）に示すように、ＩＣチ
ップ１と基板２の隙間３全体に封止剤１０が充填された
状態２４となる。なお、ＩＣチップ１の各辺上を流れる
封止剤１０と流れ出て露出した封止剤１０により、ＩＣ
チップ１の４辺の何れにもフィレット２３が形成され
る。
プ１の１辺に沿って上記の塗布開始点１９から塗布終了
点２０まで封止剤１０の線引き塗布２１を行うと、塗布
された封止剤１０は、ＩＣチップ１と基板２との隙間３
に入り込み、（ｂ）に示すように、ＩＣチップ１の周辺
上を横に広がっていく状態となると、（ｃ）に示すよう
に、基板２の表面に封止剤１０の残り跡２２ができる。
封止剤１０が再び塗布されない限り、塗布の進行は見ら
れない。つぎに、（ｄ）に示すように、２回目の線引き
塗布２５を行うと、１回目と同じように、塗布された封
止剤１０はＩＣチップ１と基板２との隙間に入り込み、
（ｅ）に示すように、ＩＣチップ１の周辺上を広がって
いく。これを繰り返すと、（ｆ）に示すように、ＩＣチ
ップ１と基板２の隙間３全体に封止剤１０が充填された
状態２４となる。なお、ＩＣチップ１の各辺上を流れる
封止剤１０と流れ出て露出した封止剤１０により、ＩＣ
チップ１の４辺の何れにもフィレット２３が形成され
る。
【００２６】上記実施の形態の封止方法では、ＩＣチッ
プ１周辺上の封止剤１０による封止樹脂進行開始タイミ
ングをＩＣチップ１の対称軸上の封止樹脂浸透開始タイ
ミングよりも遅らせ、ＩＣチップ１周辺上を周り込み浸
透していく流れの終了タイミングと対称軸上の封止樹脂
浸透終了タイミングを合わせることで、封止樹脂の浸透
する流れをエアーを内側から外側へ吐き出す方向へと制
御し、エアーをＩＣチップ１の内側から吐き出す塗布流
れが形成され、エアーの巻き込みを極力抑制することが
可能となる。
プ１周辺上の封止剤１０による封止樹脂進行開始タイミ
ングをＩＣチップ１の対称軸上の封止樹脂浸透開始タイ
ミングよりも遅らせ、ＩＣチップ１周辺上を周り込み浸
透していく流れの終了タイミングと対称軸上の封止樹脂
浸透終了タイミングを合わせることで、封止樹脂の浸透
する流れをエアーを内側から外側へ吐き出す方向へと制
御し、エアーをＩＣチップ１の内側から吐き出す塗布流
れが形成され、エアーの巻き込みを極力抑制することが
可能となる。
【００２７】なお、ＩＣチップ１の角Ａから塗布開始点
１９までの距離２６と角Ｂから塗布終了点２０までの距
離２７は、ＩＣチップ１と基板２との隙間３、封止剤１
０の粘性（ステージ温度による粘性の変化を含む）およ
びステージ１１の傾斜角度αなどの要因により異なる
が、生産性を考慮して塗布回数を少なくしたい場合は、
ＩＣチップ１の塗布する辺の1/4 以上の長さが好まし
く、図２に示した封止剤１０の流れを維持できるように
ＩＣチップ１と基板２との隙間３、封止剤１０の粘性、
ステージ１１の温度およびステージ１１の傾斜角度αを
調整して最適な流れになるようにするのがよい。
１９までの距離２６と角Ｂから塗布終了点２０までの距
離２７は、ＩＣチップ１と基板２との隙間３、封止剤１
０の粘性（ステージ温度による粘性の変化を含む）およ
びステージ１１の傾斜角度αなどの要因により異なる
が、生産性を考慮して塗布回数を少なくしたい場合は、
ＩＣチップ１の塗布する辺の1/4 以上の長さが好まし
く、図２に示した封止剤１０の流れを維持できるように
ＩＣチップ１と基板２との隙間３、封止剤１０の粘性、
ステージ１１の温度およびステージ１１の傾斜角度αを
調整して最適な流れになるようにするのがよい。
【００２８】図３（ａ）は本発明の第２の実施の形態に
係るＩＣチップ１の封止方法を具現化した構成の斜視
図、同図（ｂ）はその縦断面図である。封止を行う基板
２を設置するためのステージ１１は水平面に設置しても
よいが、この実施の形態では、図１の第１の実施の形態
と同様に、ステージ１１を傾斜させて設置した場合を例
示してあり、ＩＣチップ１の上辺１７（ＡＢ）が基板２
の辺１５（ＥＦ）に対し平行に配置された状態でフリッ
プチップされたＩＣ基板２をステージ１１の辺１８（Ｇ
Ｈ）と基板２の辺１５（ＥＦ）との関係が平行になるよ
うに保持して封止を行う。
係るＩＣチップ１の封止方法を具現化した構成の斜視
図、同図（ｂ）はその縦断面図である。封止を行う基板
２を設置するためのステージ１１は水平面に設置しても
よいが、この実施の形態では、図１の第１の実施の形態
と同様に、ステージ１１を傾斜させて設置した場合を例
示してあり、ＩＣチップ１の上辺１７（ＡＢ）が基板２
の辺１５（ＥＦ）に対し平行に配置された状態でフリッ
プチップされたＩＣ基板２をステージ１１の辺１８（Ｇ
Ｈ）と基板２の辺１５（ＥＦ）との関係が平行になるよ
うに保持して封止を行う。
【００２９】封止剤１０の線引き移動は、ディスペンス
ノズル４をＩＣチップ１に対し相対的に移動走査して行
い、ＩＣチップ１の上辺１７（ＡＢ）を移動しながら封
止剤１０を塗布して行う。塗布回数は、ＩＣチップ１の
大きさおよび１回分の吐出塗布量により異なる。
ノズル４をＩＣチップ１に対し相対的に移動走査して行
い、ＩＣチップ１の上辺１７（ＡＢ）を移動しながら封
止剤１０を塗布して行う。塗布回数は、ＩＣチップ１の
大きさおよび１回分の吐出塗布量により異なる。
【００３０】この第２の実施の形態は、以上の点で第１
の実施の形態と基本的に同じであるが、ディスペンスノ
ズル４をＩＣチップ１の隣接する２辺に沿ってＬ字型の
軌跡に移動させる点で第１の実施の形態と相違する。す
なわち、この第２の実施の形態においては、図３（ａ）
に示すように、ＩＣチップ１の上辺１７（ＡＢ）を塗布
したのちに、引き続き進行方向に或る辺２８（ＢＣ）上
を線引き塗布する。封止剤１０を吐出塗布する開始点と
終了点はＩＣチップ１の４つの角（図のＡ，Ｂ，Ｃ，
Ｄ）を除く。なお、角Ｂの位置で塗布を中断し、しばら
くの時間の経過後に、角Ｂより辺ＢＣ上への塗布を再開
してもよい。
の実施の形態と基本的に同じであるが、ディスペンスノ
ズル４をＩＣチップ１の隣接する２辺に沿ってＬ字型の
軌跡に移動させる点で第１の実施の形態と相違する。す
なわち、この第２の実施の形態においては、図３（ａ）
に示すように、ＩＣチップ１の上辺１７（ＡＢ）を塗布
したのちに、引き続き進行方向に或る辺２８（ＢＣ）上
を線引き塗布する。封止剤１０を吐出塗布する開始点と
終了点はＩＣチップ１の４つの角（図のＡ，Ｂ，Ｃ，
Ｄ）を除く。なお、角Ｂの位置で塗布を中断し、しばら
くの時間の経過後に、角Ｂより辺ＢＣ上への塗布を再開
してもよい。
【００３１】図４（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第２の実
施の形態におけるＩＣチップ１と基板２との隙間３に封
止剤１０が入っていく過程を順に示した説明図である。
塗布条件は第１の実施の形態で説明したのと同じであ
る。先ず、図４（ａ）に示すように、ＩＣチップ１の上
辺ＡＢ上より右辺ＢＣまでＬ字型の移動軌跡で封止剤１
０の線引き塗布３１を行うと、塗布された封止剤１０は
ＩＣチップ１と基板２との隙間３に入り込み、（ｂ）に
示すように、ＩＣチップ１の周辺上を横に広がってい
く。（ｃ）に示すように、封止剤１０が隙間３に入り込
んだ状態になると、基板２の表面に封止剤１０の残り跡
３０ができる。封止剤１０が再び塗布されない限り、塗
布の進行は見られない。
施の形態におけるＩＣチップ１と基板２との隙間３に封
止剤１０が入っていく過程を順に示した説明図である。
塗布条件は第１の実施の形態で説明したのと同じであ
る。先ず、図４（ａ）に示すように、ＩＣチップ１の上
辺ＡＢ上より右辺ＢＣまでＬ字型の移動軌跡で封止剤１
０の線引き塗布３１を行うと、塗布された封止剤１０は
ＩＣチップ１と基板２との隙間３に入り込み、（ｂ）に
示すように、ＩＣチップ１の周辺上を横に広がってい
く。（ｃ）に示すように、封止剤１０が隙間３に入り込
んだ状態になると、基板２の表面に封止剤１０の残り跡
３０ができる。封止剤１０が再び塗布されない限り、塗
布の進行は見られない。
【００３２】つぎに、（ｄ）に示すように、封止剤１０
の２回目の線引き塗布３６を行うと、１回目と同じよう
に、塗布された封止剤１０はＩＣチップ１と基板２との
隙間３内に入り込み、ＩＣチップ１の側辺上を広がって
いく。（ｅ）に示すように、これを繰り返し行うと、
（ｆ）に示すように、封止剤１０がＩＣチップ１と基板
２の隙間３全体に充填された状態３５となる。尚、ＩＣ
チップ１の各辺上を流れる封止剤１０と流れ出て露出し
た封止剤１０により、ＩＣチップ１の４辺のいずれにも
フィレット３３が形成される。
の２回目の線引き塗布３６を行うと、１回目と同じよう
に、塗布された封止剤１０はＩＣチップ１と基板２との
隙間３内に入り込み、ＩＣチップ１の側辺上を広がって
いく。（ｅ）に示すように、これを繰り返し行うと、
（ｆ）に示すように、封止剤１０がＩＣチップ１と基板
２の隙間３全体に充填された状態３５となる。尚、ＩＣ
チップ１の各辺上を流れる封止剤１０と流れ出て露出し
た封止剤１０により、ＩＣチップ１の４辺のいずれにも
フィレット３３が形成される。
【００３３】この封止方法によれば、ＩＣチップ１の周
辺上の封止剤１０による封止樹脂進行開始タイミングを
ＩＣチップ１の対称軸上の封止樹脂浸透開始タイミング
よりも遅らせ、ＩＣチップ１の周辺上を周り込み浸透し
ていく流れの終了タイミングと対称軸上の封止樹脂浸透
終了タイミングを合わせることで、封止樹脂の浸透する
流れがエアーを内側から外側へと吐き出す方向へと制御
され、エアーをＩＣチップ１内側から吐き出す塗布流れ
が形成されて、エアー巻き込みを極力抑制することが可
能となる。また、１回の動作で２辺分の塗布を行うこと
から、短時間で効率よく封止剤１０の充填を行うことが
できる。
辺上の封止剤１０による封止樹脂進行開始タイミングを
ＩＣチップ１の対称軸上の封止樹脂浸透開始タイミング
よりも遅らせ、ＩＣチップ１の周辺上を周り込み浸透し
ていく流れの終了タイミングと対称軸上の封止樹脂浸透
終了タイミングを合わせることで、封止樹脂の浸透する
流れがエアーを内側から外側へと吐き出す方向へと制御
され、エアーをＩＣチップ１内側から吐き出す塗布流れ
が形成されて、エアー巻き込みを極力抑制することが可
能となる。また、１回の動作で２辺分の塗布を行うこと
から、短時間で効率よく封止剤１０の充填を行うことが
できる。
【００３４】なお、図４（ａ）に示すように、ＩＣチッ
プ１の角Ａから塗布開始点３４までの距離３７と角Ｃか
ら塗布終了点３８までの距離３９は、ＩＣチップ１と基
板２との隙間３、封止剤１０の粘性、ステージ１１の温
度、ステージ１１の傾斜角度などにより異なるが、生産
性を考慮して塗布回数を少なくしたい場合は、ＩＣチッ
プ１の塗布する辺の1/4 以上の長さが好ましく、図４に
示したような封止剤１０の流れを引き起こすようにＩＣ
チップ１と基板２との隙間３、封止剤１０の粘性、ステ
ージ１１の温度およびステージ１１の傾斜角度を調整す
ることが最適である。
プ１の角Ａから塗布開始点３４までの距離３７と角Ｃか
ら塗布終了点３８までの距離３９は、ＩＣチップ１と基
板２との隙間３、封止剤１０の粘性、ステージ１１の温
度、ステージ１１の傾斜角度などにより異なるが、生産
性を考慮して塗布回数を少なくしたい場合は、ＩＣチッ
プ１の塗布する辺の1/4 以上の長さが好ましく、図４に
示したような封止剤１０の流れを引き起こすようにＩＣ
チップ１と基板２との隙間３、封止剤１０の粘性、ステ
ージ１１の温度およびステージ１１の傾斜角度を調整す
ることが最適である。
【００３５】図５は、上記各実施の形態の封止方法を具
現化した封止装置を示す斜視図である。この封止装置に
おけるディスペンスノズル４を固定したヘッド部４０
は、Ｘ方向作動部４１、Ｙ方向作動部４２およびＺ方向
作動部４３によってそれぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向および
Ｚ軸方向に移動制御されるとともに、θ方向回動部４４
によってＸ軸周りに回動されるようになっている。これ
により、ヘッド部４０は、三次元的に任意の位置と任意
の角度に傾斜するよう作動制御される。
現化した封止装置を示す斜視図である。この封止装置に
おけるディスペンスノズル４を固定したヘッド部４０
は、Ｘ方向作動部４１、Ｙ方向作動部４２およびＺ方向
作動部４３によってそれぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向および
Ｚ軸方向に移動制御されるとともに、θ方向回動部４４
によってＸ軸周りに回動されるようになっている。これ
により、ヘッド部４０は、三次元的に任意の位置と任意
の角度に傾斜するよう作動制御される。
【００３６】一方、ステージ１１を固定したステージ部
４５は、Ｘ方向作動部４６、Ｙ方向作動部４７およびＺ
方向作動部４８によってそれぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向お
よびＺ軸方向に移動制御されるとともに、θ方向回動部
４９によってＸ軸周りに回動されるようになっている。
これにより、ステージ部４５は、三次元的に任意の位置
と任意の角度に傾斜するよう作動制御される。これらの
機構は、図示しない駆動モータ、電源および制御手段に
より任意の位置、角度に駆動して設定できるように構成
されている。調整は、手動またはプログラムによる自動
が可能な構成としてもよい。
４５は、Ｘ方向作動部４６、Ｙ方向作動部４７およびＺ
方向作動部４８によってそれぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向お
よびＺ軸方向に移動制御されるとともに、θ方向回動部
４９によってＸ軸周りに回動されるようになっている。
これにより、ステージ部４５は、三次元的に任意の位置
と任意の角度に傾斜するよう作動制御される。これらの
機構は、図示しない駆動モータ、電源および制御手段に
より任意の位置、角度に駆動して設定できるように構成
されている。調整は、手動またはプログラムによる自動
が可能な構成としてもよい。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、本発明のＩＣチップの封
止方法によれば、ＩＣチップの４つの角を避けて塗布の
開始点と終了点を設けることで、ＩＣチップ周辺からの
封止剤の封止樹脂流れによるエアーの巻き込みを確実に
防止しながらＩＣチップの封止を行うことができる。ま
た、ＩＣチップの隣接する２辺に沿った箇所に前記封止
剤を塗布することにより、１回の塗布動作で一度に２辺
の封止樹脂を供給することができ、生産性を高めること
ができる。さらに、封止剤の塗布開始点および塗布終了
点を変化させることで、様々な種類のＩＣチップ、封止
樹脂に対応することができるという点で有利となる。
止方法によれば、ＩＣチップの４つの角を避けて塗布の
開始点と終了点を設けることで、ＩＣチップ周辺からの
封止剤の封止樹脂流れによるエアーの巻き込みを確実に
防止しながらＩＣチップの封止を行うことができる。ま
た、ＩＣチップの隣接する２辺に沿った箇所に前記封止
剤を塗布することにより、１回の塗布動作で一度に２辺
の封止樹脂を供給することができ、生産性を高めること
ができる。さらに、封止剤の塗布開始点および塗布終了
点を変化させることで、様々な種類のＩＣチップ、封止
樹脂に対応することができるという点で有利となる。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係るＩＣ
チップの封止方法を具現化した構成の斜視図、（ｂ）は
その縦断面図。
チップの封止方法を具現化した構成の斜視図、（ｂ）は
その縦断面図。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は同上の実施の形態におけるＩ
Ｃチップと基板との隙間に封止剤が充填されていく過程
を順に示した説明図。
Ｃチップと基板との隙間に封止剤が充填されていく過程
を順に示した説明図。
【図３】（ａ）は本発明の第２の実施の形態に係るＩＣ
チップの封止方法を具現化した構成の斜視図、（ｂ）は
その縦断面図。
チップの封止方法を具現化した構成の斜視図、（ｂ）は
その縦断面図。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は同上の実施の形態におけるＩ
Ｃチップと基板との隙間に封止剤が充填されていく過程
を順に示した説明図。
Ｃチップと基板との隙間に封止剤が充填されていく過程
を順に示した説明図。
【図５】本発明に係るＩＣチップの封止装置を示す斜視
図。
図。
【図６】（ａ）は従来のＩＣチップの封止方法による構
成の斜視図、（ｂ）はその縦断面図。
成の斜視図、（ｂ）はその縦断面図。
【図７】（ａ）〜（ｆ）は同上のＩＣチップの封止方法
におけるＩＣチップと基板との隙間に封止剤が充填され
ていく過程を順に示した説明図。
におけるＩＣチップと基板との隙間に封止剤が充填され
ていく過程を順に示した説明図。
【図８】（ａ）は従来の他のＩＣチップの封止方法によ
る構成の斜視図、（ｂ）はその縦断面図。
る構成の斜視図、（ｂ）はその縦断面図。
１ ＩＣチップ
２ 基板
３ 隙間
４ ディスペンスノズル（封止剤塗布用ノズル）
１０ 封止剤
１１ ステージ
１９，３４ 塗布開始点
２０，３８ 塗布終了点
４０ ヘッド部
４１，４６ Ｘ方向作動部
４２，４７ Ｙ方向作動部
４３，４８ Ｚ方向作動部
４４，４９ θ方向回動部
４５ ステージ部
α 傾斜角度
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 登 一博
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5F061 AA01 CA04
Claims (7)
- 【請求項１】 四角形状のＩＣチップを基板上にフェイ
スダウンで接合して装着したのち、前記ＩＣチップと前
記基板の隙間を封止剤の充填により封止するＩＣチップ
の封止方法において、 前記基板上における前記ＩＣチップの隣接する２辺に沿
った箇所に前記封止剤を塗布して、その塗布した前記封
止剤を自体の粘着性により前記隙間に充填させるように
したことを特徴とするＩＣチップの封止方法。 - 【請求項２】 ＩＣチップの隣接する２辺のうちの一方
の辺における他方の辺とは反対側の角から離間した位置
を塗布開始点とし、前記他方の辺における前記一方の辺
とは反対側の角から離間した位置を塗布終了点に設定し
て、封止剤塗布用ノズルを前記塗布開始点から前記塗布
終了点まで前記ＩＣチップの前記２辺に沿って相対的に
移動させながら封止剤を塗布するようにした請求項１に
記載のＩＣチップの封止方法。 - 【請求項３】 塗布開始点および塗布終了点を、ＩＣチ
ップの隣接する２辺の互いに離間した各角から辺長の1/
16〜1/4 だけ離間した位置に設定した請求項２に記載の
ＩＣチップの封止方法。 - 【請求項４】 四角形状のＩＣチップを基板上にフェイ
スダウンで接合して装着したのち、前記ＩＣチップと前
記基板の隙間を封止剤の充填により封止するＩＣチップ
の封止方法において、 前記基板上における前記ＩＣチップの１辺に沿った箇所
であって、その１辺の両角からそれぞれ離間した両位置
の間に前記封止剤を塗布して、その塗布した前記封止剤
を自体の粘着性により前記隙間に充填させるようにした
ことを特徴とするＩＣチップの封止方法。 - 【請求項５】 ＩＣチップの１辺の両方の角からそれぞ
れ辺長の1/16〜1/4だけ離間した位置を塗布開始点およ
び塗布終了点に設定した請求項４に記載のＩＣチップの
封止方法。 - 【請求項６】 基板を水平面に対し５°〜30°範囲の角
度に傾斜させて、前記基板上のＩＣチップの上方に位置
する辺に沿って封止剤を塗布するようにした請求項１〜
５の何れかに記載のＩＣチップの封止方法。 - 【請求項７】 封止剤を吐出するディスペンスノズルを
固定するヘッド部と、 前記ヘッド部をＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向にそ
れぞれ移動させるＸ方向作動部、Ｙ方向作動部およびＺ
方向作動部と、 前記ヘッド部をＸ軸回りに回動させるθ方向回動部と、 基板を保持するステージを固定するステージ部と、 前記ステージ部をＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向に
それぞれ移動させるＸ方向作動部、Ｙ方向作動部および
Ｚ方向作動部と、 前記ステージ部をＸ軸回りに回動させるθ方向回動部
と、 前記ステージの温度を制御するとともに、封止剤の塗布
開始点と塗布終了点を算出して制御する制御装置とを備
えたことを特徴とするＩＣチップの封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001193438A JP2003007737A (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | Ｉｃチップの封止方法および封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001193438A JP2003007737A (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | Ｉｃチップの封止方法および封止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007737A true JP2003007737A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19031725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001193438A Pending JP2003007737A (ja) | 2001-06-26 | 2001-06-26 | Ｉｃチップの封止方法および封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003007737A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008096721A1 (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-14 | Musashi Engineering, Inc. | 液体材料の充填方法、装置およびプログラム |
| JP2008218708A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Fujitsu Ltd | 樹脂充填装置、充填方法および電子装置の製造方法 |
| JP2011040512A (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Murata Mfg Co Ltd | 回路基板の製造方法 |
| KR20120036974A (ko) * | 2009-06-15 | 2012-04-18 | 무사시 엔지니어링 가부시키가이샤 | 액체 재료의 도포 방법, 그 장치 및 그 프로그램을 기억한 기억 매체 |
| US11521956B2 (en) | 2020-03-31 | 2022-12-06 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light-emitting device |
| US11735687B2 (en) | 2020-03-09 | 2023-08-22 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device having a light-shielding frame around a light emitting surface |
-
2001
- 2001-06-26 JP JP2001193438A patent/JP2003007737A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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