JP4701704B2 - パターン形成方法、パターン形成装置および電子応用装置の製造方法 - Google Patents
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Description
オフセット印刷法では、親水性と撥油性とが制御された平版に対して、ロールを用いてインクを充填する(例えば、非特許文献1参照)。通常のオフセット印刷法では、版の親水部にあらかじめ水を担持させておき、ロール上に油性のインクを塗膜した後、版とロールとを接触させる。また、水なしオフセット印刷法では、撥油部はシリコーン樹脂で形成される。
泉和人著「新・ 印刷機械入門」(印刷学会出版部、2001年10月31日発行)
インクジェット法では、特許文献1に開示されている手法を用いたとしても、インクジェット液滴の大きさ(20μm〜)と着弾精度(±30μm)による精細度の限界は存在すると考えられる。
スリットコート法では、特許文献2に開示されているように、撥液部に残った液体は、別工程で基板の回転、傾斜、ガスの噴きつけ等により除去することを前提としているため、工程が複雑になるといった問題点が存在している。
上記の方法以外にも、親・撥液性を制御した基板を液体中に浸漬する等といった方法が提案されているが、パターンの精細度が高まると複数の親液部にまたがるように液体が充填されたり(図13)、パターンの必要がない基板の裏面にも撥液処理をしなければならない等の問題が指摘される。図13中、符号101は基板、101aは親液性の部分、101bは撥液性の部分、102は液体を示す。
表面に親液性の部分と撥液性の部分とを有する基板上に流動性を有する材料を塗布する工程と、
上記材料が塗布された上記基板と表面が親液性の部材とを、この部材と上記材料とが互いに接触するように相対的に移動させる工程とを有することを特徴とするパターン形成方法である。
このパターン形成方法は各種のパターンの形成に適用することができる。具体例を挙げると、プリント回路基板の電極パターン、光散乱シートの散乱層パターン、各種の電子デバイスの電極パターン、トランジスタの絶縁層パターン、塗布型半導体のパターン、有機エレクトロルミネッセンス(EL)材料のパターン、保護膜パターン、ナノ微粒子のパターンなどの形成に適用することができる。
表面に親液性の部分と撥液性の部分とを有する基板上に流動性を有する材料を塗布しながら、上記材料が塗布された上記基板と表面が親液性の部材とを、この部材と上記材料とが互いに接触するように相対的に移動させる工程を有することを特徴とするパターン形成方法である。
第2の発明においては、その性質に反しない限り、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
表面に親液性の部分と撥液性の部分とを有する基板の保持手段と、
上記基板に流動性を有する材料を塗布する手段と、
表面が親液性の部材と、
上記材料が塗布された上記基板と上記部材とを、上記部材と上記材料とが互いに接触するように相対的に移動させる手段とを有することを特徴とするパターン形成装置である。
第3の発明においては、その性質に反しない限り、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
表面に親液性の部分と撥液性の部分とを有する基板を、所定の容器に収容された流動性を有する材料中に浸漬する工程と、
上記基板を上記材料から引き上げ、この際、上記基板が上記材料と外部空間との界面を通過するときに表面が親液性の部材と上記基板との間に毛細管現象により上記材料が満たされるようにする工程とを有することを特徴とするパターン形成方法である。
第4の発明においては、その性質に反しない限り、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
流動性を有する材料が収容される容器と、
上記容器に収容される上記材料に表面に親液性の部分と撥液性の部分とを有する基板を浸漬し、上記材料から上記基板を引き上げる手段と、
上記基板を上記材料から引き上げる際、上記基板が上記材料と外部空間との界面を通過するときに上記基板との間に毛細管現象により上記材料が満たされるように設けられた、表面が親液性の部材とを有することを特徴とするパターン形成装置である。
第5の発明においては、例えば、容器に複数種類の材料が深さ方向に互いに分離した状態で収容される場合に、材料同士の界面を基板が通過するときに基板との間に下層側の材料が満たされるように設けられた、表面が親液性の部材をさらに有する。あるいは、容器に複数種類の材料が深さ方向および/または水平方向に互いに分離した状態で収容される場合に、材料同士の界面を基板が通過するときに基板との間に毛細管現象により進行方向後ろ側の材料が満たされるように設けられた、表面が親液性の部材をさらに有する。
第5の発明においては、その性質に反しない限り、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
表面に親液性の部分と撥液性の部分とを有する基板上に流動性を有する材料を塗布する工程と、
上記材料が塗布された上記基板と表面が親液性の部材とを、この部材と上記材料とが互いに接触するように相対的に移動させる工程とを有することを特徴とする電子応用装置の製造方法である。
表面に親液性の部分と撥液性の部分とを有する基板上に流動性を有する材料を塗布しながら、上記材料が塗布された上記基板と表面が親液性の部材とを、この部材と上記材料とが互いに接触するように相対的に移動させる工程を有することを特徴とする電子応用装置の製造方法である。
表面に親液性の部分と撥液性の部分とを有する基板を、所定の容器に収容された流動性を有する材料中に浸漬する工程と、
上記基板を上記材料から引き上げ、この際、上記基板が上記材料と外部空間との界面を通過するときに表面が親液性の部材と上記基板との間に毛細管現象により上記材料が満たされるようにする工程とを有することを特徴とする電子応用装置の製造方法である。
第6〜第8の発明において、電子応用装置には、電極パターン等の各種のパターンを用いる各種のものが含まれ、例えば液晶ディスプレイその他の画像表示装置等が含まれる。
また、表面に親液性の部分と撥液性の部分とを有する基板が流動性を有する材料と外部空間との界面を通過するときに表面が親液性の部材と基板との間に毛細管現象によりその材料が満たされるようにすることにより、移動後には基板の親液性の部分にのみその材料が残るようにすることができる。
図1および図2はこの発明の第1の実施形態によるパターン形成方法を示す。
この第1の実施形態においては、図1Aに示すように、まず、表面に親液部1aと撥液部1bとを有する基板1を用意する。ここで、親液部1aの表面自由エネルギーは50mJ/m2 以上、撥液部1bの表面自由エネルギーは30mJ/m2 以下である。この基板1は例えば次のようにして形成することができる。第1の方法では、表面が親液性のガラス基板等の基板の上に感光性のポリイミドやフォトレジストを塗布し、これをフォトリソグラフィ法によりパターニングしてマスクパターンを形成し、このマスクパターンに覆われていない部分のガラス基板の表面をフッ素材料を含むプラズマガスにより改質し、撥液性とする。この後、マスクパターンを除去する。この場合、マスクパターンに覆われていた部分のガラス基板表面は親液性である。第2の方法では、表面が親液性のガラス基板等の基板の全面に撥液材料としてフッ素樹脂の溶液を塗布した後、インプリント法によりパターンを形成する。この場合、このパターン部分が撥液性、このパターンが形成されていない元の基板部分が親液性である。フッ素樹脂の代わりに、PDMS(ポリジメチルシロキサン)等のシリコーン樹脂を用いてもよい。第3の方法では、撥液材料として、フッ素基やメチル基を有し、かつ無機質材料と化学結合するメトキシ基やエトキシ基を有するシランカップリング剤を水や有機溶剤に希釈し、これを表面が親液性のガラス基板等の基板の全面に塗布し、乾燥を行うことで得られた膜に対して、メタルマスクを用いて紫外線(UV)オゾン処理や酸素プラズマ処理を行うことによりパターニングを行う。この場合、パターン部分が撥液性、このパターンが形成されていない元の基板部分が親液性である。このパターンは、フォトマスクを介して紫外線を照射することにより形成してもよい。
使用する液体3の性質に応じて、必要であれば、親液部1aに液体3が残留した基板1の乾燥や焼成を行う。
以上のようにして、図1Fに示すように、目的とするパターン5が得られる。
この第2の実施形態においては、図3に示すように、基板1上への液体3の塗布にスリットコーター6を用いる。このスリットコーター6では、スリット6aの先端から液体3を吐出するようになっている。そして、基板1の上方からこのスリットコーター6を近づけ、バー4に対して基板1を図3中矢印で示すように平行に移動させながら、スリット6aの先端から液体3を基板1上に吐出し、塗布する。
上記以外のことについては第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な利点に加えて、基板1上への液体3の塗布と親液部1aへの液体3の充填とを同一工程で行うことができるため、より簡単な工程でパターンを形成することができるという利点を得ることができる。
この第3の実施形態においては、図4に示すように、ステージ2と基板1との上下関係を第1および第2の実施形態と逆にし、基板1上への液体3の塗布にキャピラリーコーター7を用いる。このキャピラリーコーター7では、キャピラリー7aの先端から毛細管現象により液体3を吐出するようになっている。そして、基板1の下方からこのキャピラリーコーター7を近づけ、バー4に対して基板1を図4中矢印で示すように平行に移動させながら、キャピラリー7aの先端から液体3を毛細管現象により基板1に吐出し、塗布する。
上記以外のことについては第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第3の実施形態によれば、第2の実施形態と同様な利点を得ることができる。
この第4の実施形態においては、図5に示すように、表面が親液性のバー4の断面形状が、基板1側に凸の半円形になっている。
上記以外のことについては第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第4の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な利点を得ることができる。
この第5の実施形態においては、図6に示すように、表面が親液性のバー4の断面形状が円形になっている。このバー4はその中心軸の周りに回転可能になっており、必要に応じて回転させることができるようになっている。
上記以外のことについては第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第5の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な利点を得ることができる。
まず、表面に親液部1aと撥液部1bとを有する基板1をガラス基板を用いて次のように形成した。
ガラス基板として、コーニング社製の1737ガラスを用いた。その上にパターン形成材料として、東レ社製ポジ型感光性ポリイミド(フォトニースPW−1530)をスピンコーティング法にて塗布(2000rpm/30秒)し、続いて乾燥(120℃/3分)を行った後、大日本スクリーン製造社製の手動露光機(MA−1200型)にて、フォトマスクを介してパターン露光(ブロードバンドのUV光源、i線で250mJ/cm2 )を行い、現像(2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)溶液にて90秒のパドル現像)、焼成(140℃/30秒+300℃/60分)を行った。こうして得られたポリイミドのパターンは厚さが2.5μmで、パターンの精細度は、最も高いものでライン/スペースが10/10(μm)であった。
O2 :40sccm
CF4 :270sccm
N2 :80sccm
圧力 :80Pa
パワー :700W
基板温度:70℃
時間 :30秒
このフッ素プラズマ・ラジカル処理により、ポリイミドパターン表面の自由エネルギーが18.0mJ/m2 となり、高い撥液性のパターンが得られた。同時に、このときのガラス基板表面の自由エネルギーは70mJ/m2 であり、親液性が得られている。こうして、図7Aに示すように、ガラス基板8からなる親液部1aとフッ素プラズマ・ラジカル処理されたポリイミドからなる撥液部1bとを有する基板1が形成された。
次に、無電解Niめっきプロセスにより、Ni膜を成膜した。めっき液は、上村工業社製のNi−B用めっき液BEL−801を用いた。
上記の一連のプロセスにより、図7Cに示すように、精細度がライン/スペースで10/10(μm)のNi膜からなるめっき電極パターン13が得られた。
この第6の実施形態においては、図9に示すようなパターン形成装置を用いる。図9に示すように、このパターン形成装置においては、容器21内にパターン形成用の液体3が入れられている。また、この液体3と外部空間との界面に親液性のバー4が設けられている。このバー4の下部は液体3中に浸漬されているのが望ましい。これは、最終的に基板1の親液部1a上にのみ液体3が確実に残されるようにするためである。基板1は図示省略した駆動機構により上下動可能に構成されており、液体3中に浸漬し、引き上げることができるようになっている。
まず、基板1を容器21の上方から垂直に下降させ、液体3中に完全に浸漬させた後、基板1を徐々に引き上げる。基板1が液体3と外部空間との界面を通過するとき、液体3が毛細管現象により基板1とバー4との間に満たされ、基板1が引き上げられるにつれて、親液部1a上にのみ液体3が残されていく。こうして、目的とするパターンが親液部1a上にのみ形成される。
上記以外のことについては第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第6の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な利点を得ることができる。
まず、実施例1と同様にして親液部1aと撥液部1bとを有する基板1を作製した。
パターン形成用の液体3としては、針状ITO微粒子分散液(住友金属鉱山社製SC−100)を用いた。基板1の引き上げ速度は1mm/s、基板1とバー4との間隙は50μmとした。
上記条件により針状ITO微粒子分散液を親液部1a上にのみ残した後、窒素置換炉により120℃で1時間焼成を行った。これによって、厚さが1μmでシート抵抗が103 Ω/□のITO電極パターンが得られた。このITO電極パターンは精細度がライン/スペースで10/10(μm)であった。
この第7の実施形態においては、図10に示すようなパターン形成装置を用いる。図10に示すように、このパターン形成装置においては、容器21内にパターン形成用の互いに異なる二種類の液体3a、3bが深さ方向に互いに分離した状態で入れられている。これらの液体3a、3bは、互いに比重が異なり(この場合、液体3aの比重の方が液体3bの比重より大きい)、かつ相溶性がないものである。また、下層の液体3aと上層の液体3bとの界面および上層の液体3bと外部空間との界面にそれぞれ親液性のバー4が設けられている。下層の液体3aと上層の液体3bとの界面のバー4の下部は下層の液体3aに浸漬されているのが望ましく、上層の液体3bと外部空間との界面のバー4の下部は液体3b中に浸漬されているのが望ましい。この場合、基板1は、図示省略した駆動機構により、容器21の底面に設けられた基板投入口22から液体3a中に導入することができ、また、容器21外に引き上げることができるようになっている。基板投入口22には例えば一対のローラー23a、23bが設置され、基板1が液体3a中に導入されるのに同期してこれらのローラー23a、23bにより基板1を両面から挟むことで液体3aが容器21外に漏れないようにしている。
まず、基板1を容器21の底面の基板投入口22から下層の液体3a中に導入し、徐々に引き上げる。基板1が液体3aと液体3bとの界面を通過するとき、液体3aが毛細管現象により基板1とバー4との間に満たされ、基板1が引き上げられるにつれて、親液部1a上にのみ液体3aが残されていく。基板1がさらに引き上げられて液体3bと外部空間との界面を通過するとき、液体3bが毛細管現象により基板1とバー4との間に満たされ、親液部1a上に残された液体3aの上に液体3bが残される。こうして、親液部1a上に互いに異なる二種類の液体3a、3bが充填される。そして、最終的に、互いに異なる材料からなる二層構造のパターンが親液部1a上にのみ形成される。
上記以外のことについては第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第7の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な利点に加えて、二層構造のパターンを容易に形成することができるという利点を得ることができる。
まず、実施例1と同様にして親液部1aと撥液部1bとを有する基板1を作製した。
パターン形成用の液体3aとしては、比重1.78のポリテトラフルオロエチレン樹脂溶液(三井フロロケミカル社製ポリテトラフルオロエチレンAF1600)を用いた。パターン形成用の液体3bとしては、比重1.5の針状ITO微粒子分散液(住友金属鉱山社製SC−100)を用いた。基板1の引き上げ速度は1mm/s、基板1とバー4との間隙は50μmとした。
上記条件により基板1の親液部1a上にのみ順次、ポリテトラフルオロエチレン樹脂および針状ITO微粒子分散液を残した後、窒素置換炉により120℃で1時間焼成を行った。これによって、厚さが500nmのポリテトラフルオロエチレン樹脂上に厚さが1μmでシート抵抗が103 Ω/□のITO電極パターンが得られた。このITO電極パターンは精細度がライン/スペースで20/20(μm)であった。この場合、ポリテトラフルオロエチレン樹脂は厚さが500nmと十分に厚いため、十分な酸化防止効果を得ることができる。
この第8の実施形態においては、図11に示すようなパターン形成装置を用いる。図11に示すように、このパターン形成装置においては、容器21内にパターン形成用の互いに異なる二種類の液体3a、3bが深さ方向および水平方向に互いに分離した状態で入れられている。これらの液体3a、3bは、互いに比重が異なり(この場合、液体3aの比重の方が液体3bの比重より大きい)、かつ相溶性がないものである。この場合、液体3a、3bは深さ方向においては比重の差により互いに分離され、水平方向においては仕切り板24により互いに分離されている。また、下層の液体3aと上層の液体3bとの界面および上層の液体3bと外部空間との界面にそれぞれ親液性のバー4が設けられている。下層の液体3aと上層の液体3bとの界面のバー4の下部は下層の液体3aに浸漬されているのが望ましく、上層の液体3bと外部空間との界面のバー4の下部は液体3b中に浸漬されているのが望ましい。この場合、基板1は、図示省略した駆動機構により、仕切り板24の片側の部分の上方から垂直に下降させ、液体3a中に完全に浸漬した後、図11中矢印で示すように液体3a中を移動させ、液体3bを通って容器21外に引き上げることができるようになっている。
まず、基板1を容器21の仕切り板24の片側の液体3a中に垂直に浸漬し、さらにこの液体3a中を矢印で示すように移動させ、基板1が垂直になった状態で垂直に引き上げる。基板1が液体3aと液体3bとの界面を通過するとき、液体3aが毛細管現象により基板1とバー4との間に満たされ、基板1が引き上げられるにつれて、親液部1a上にのみ液体3aが残されていく。基板1がさらに引き上げられて液体3bと外部空間との界面を通過するとき、液体3bが毛細管現象により基板1とバー4との間に満たされ、親液部1a上に残された液体3aの上に液体3bが残される。こうして、親液部1a上に互いに異なる二種類の液体3a、3bが充填される。そして、最終的に、互いに異なる材料からなる二層構造のパターンが親液部1a上にのみ形成される。
上記以外のことについては第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第8の実施形態によれば、第7の実施形態と同様な利点を得ることができる。
この第9の実施形態においては、図12に示すようなパターン形成装置を用いる。図12に示すように、このパターン形成装置においては、第8の実施形態と同様に、容器21内にパターン形成用の互いに異なる二種類の液体3a、3bが深さ方向および水平方向に互いに分離した状態で入れられている。これらの液体3a、3bは、互いに比重が異なり(この場合、液体3aの比重の方が液体3bの比重より大きい)、かつ相溶性がないものである。この場合、液体3a、3bは、深さ方向においては比重の差により互いに分離され、水平方向においては仕切り板24により互いに分離されている。また、仕切り板24の片側の下層の液体3aと上層の液体3bとの界面および仕切り板24の他方の片側の液体3aと外部空間との界面にそれぞれ親液性のバー4が設けられている。仕切り板24の片側の下層の液体3aと上層の液体3bとの界面のバー4の下部は下層の液体3aに浸漬されているのが望ましく、仕切り板24の他方の片側の液体3aと外部空間との界面のバー4の下部は液体3a中に浸漬されているのが望ましい。この場合、基板1は、図示省略した駆動機構により、仕切り板24の片側の部分の上方から垂直に下降させ、液体3b中に浸漬した後、図12中矢印で示すように液体3a中を移動させ、仕切り板24の他方の片側の部分の液体3aを通って容器21外に引き上げることができるようになっている。
まず、基板1を容器21の仕切り板24の片側の液体3b中に垂直に浸漬し、この液体3bと液体3aとの界面を垂直に通過させた後、液体3a中を矢印で示すように仕切り板24の他方の片側の部分に移動させ、基板1が垂直になった状態で容器21外に垂直に引き上げる。こうして基板1が液体3aと液体3bとの界面を通るとき、液体3bが毛細管現象により基板1とバー4との間に満たされ、基板1が引き上げられるにつれて、親液部1a上にのみ液体3bが残されていく。また、基板1が液体3aから引き上げられるとき、液体3aが毛細管現象により基板1とバー4との間に満たされ、親液部1a上に残された液体3bの上に液体3aが残される。こうして、親液部1a上に互いに異なる二種類の液体3b、3aが順次充填される。そして、最終的に、互いに異なる材料からなる二層構造のパターンが親液部1a上にのみ形成される。
上記以外のことについては第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
この第9の実施形態によれば、第7の実施形態と同様な利点を得ることができる。
例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた数値、構造、形状、材料、原料、プロセス等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数値、構造、形状、材料、原料、プロセス等を用いてもよい。
Claims (18)
- 凹部を形成する親液性の部分と撥液性の部分とを表面に有し、上記親液性の部分の表面自由エネルギーは50mJ/m 2 以上であり、上記撥液性の部分の表面自由エネルギーは30mJ/m 2 以下である基板上に流動性を有する材料を塗布する工程と、
上記材料が塗布された上記基板と表面自由エネルギーが50mJ/m 2 以上の表面が親液性の部材とを、この部材と上記材料とが互いに接触するように相対的に0.01mm/s以上1000mm/s以下の移動速度で移動させる工程とを有するパターン形成方法。 - 上記材料が塗布された上記基板と上記部材とを相対的に移動させた後、上記材料の乾燥または焼成を行う工程をさらに有する請求項1記載のパターン形成方法。
- 上記材料が塗布された上記基板と上記部材とを互いに平行に相対的に移動させる請求項1または2記載のパターン形成方法。
- 上記基板と上記部材との間隙が0.1μm以上10mm以下である請求項1〜3のいずれか一項記載のパターン形成方法。
- 上記基板と上記部材との間隙が1μm以上1mm以下である請求項1〜3のいずれか一項記載のパターン形成方法。
- 上記材料が塗布された上記基板を固定し、上記材料が塗布された上記基板に対して上記部材を移動させる請求項1〜5のいずれか一項記載のパターン形成方法。
- 上記部材を固定し、上記部材に対して上記材料が塗布された上記基板を移動させる請求項1〜5のいずれか一項記載のパターン形成方法。
- 凹部を形成する親液性の部分と撥液性の部分とを表面に有し、上記親液性の部分の表面自由エネルギーは50mJ/m 2 以上であり、上記撥液性の部分の表面自由エネルギーは30mJ/m 2 以下である基板上に流動性を有する材料を塗布しながら、上記材料が塗布された上記基板と表面自由エネルギーが50mJ/m 2 以上の表面が親液性の部材とを、この部材と上記材料とが互いに接触するように相対的に0.01mm/s以上1000mm/s以下の移動速度で移動させる工程を有するパターン形成方法。
- 凹部を形成する親液性の部分と撥液性の部分とを表面に有し、上記親液性の部分の表面自由エネルギーは50mJ/m 2 以上であり、上記撥液性の部分の表面自由エネルギーは30mJ/m 2 以下である基板の保持手段と、
上記基板に流動性を有する材料を塗布する手段と、
表面自由エネルギーが50mJ/m 2 以上の表面が親液性の部材と、
上記材料が塗布された上記基板と上記部材とを、上記部材と上記材料とが互いに接触するように相対的に0.01mm/s以上1000mm/s以下の移動速度で移動させる手段とを有するパターン形成装置。 - 凹部を形成する親液性の部分と撥液性の部分とを表面に有し、上記親液性の部分の表面自由エネルギーは50mJ/m 2 以上であり、上記撥液性の部分の表面自由エネルギーは30mJ/m 2 以下である基板を、所定の容器に収容された流動性を有する材料中に浸漬する工程と、
上記基板を上記材料から0.01mm/s以上1000mm/s以下の移動速度で引き上げ、この際、上記基板が上記材料と外部空間との界面を通過するときに表面自由エネルギーが50mJ/m 2 以上の表面が親液性の部材と上記基板との間に毛細管現象により上記材料が満たされるようにする工程とを有するパターン形成方法。 - 上記容器に複数種類の材料が深さ方向に互いに分離した状態で収容されており、上記容器の底面から上記最下層の材料中に上記基板を浸漬し、上記複数種類の材料を順次通るように上記基板を引き上げ、この際、上記材料同士の界面を上記基板が通過するときに表面自由エネルギーが50mJ/m 2 以上の表面が親液性の部材と上記基板との間に毛細管現象により下層側の上記材料が満たされるようにする請求項10記載のパターン形成方法。
- 上記容器に複数種類の材料が深さ方向および/または水平方向に互いに分離した状態で収容されており、上記基板を一つの上記材料中に浸漬し、上記複数種類の材料を順次通るように上記基板を移動させ、他の一つの上記材料から上記基板を引き上げ、この際、上記材料同士の界面を上記基板が通過するときに表面自由エネルギーが50mJ/m 2 以上の表面が親液性の部材と上記基板との間に毛細管現象により進行方向後ろ側の上記材料が満たされるようにする請求項10記載のパターン形成方法。
- 流動性を有する材料が収容される容器と、
上記容器に収容される上記材料に、凹部を形成する親液性の部分と撥液性の部分とを表面に有し、上記親液性の部分の表面自由エネルギーは50mJ/m 2 以上であり、上記撥液性の部分の表面自由エネルギーは30mJ/m 2 以下である基板を浸漬し、上記材料から上記基板を0.01mm/s以上1000mm/s以下の移動速度で引き上げる手段と、
上記基板を上記材料から引き上げる際、上記基板が上記材料と外部空間との界面を通過するときに上記基板との間に毛細管現象により上記材料が満たされるように設けられた、表面自由エネルギーが50mJ/m 2 以上の表面が親液性の部材とを有するパターン形成装置。 - 上記容器に複数種類の材料が深さ方向に互いに分離した状態で収容される場合に、上記材料同士の界面を上記基板が通過するときに上記基板との間に毛細管現象により下層側の上記材料が満たされるように設けられた、表面自由エネルギーが50mJ/m 2 以上の表面が親液性の部材をさらに有する請求項13記載のパターン形成装置。
- 上記容器に複数種類の材料が深さ方向および/または水平方向に互いに分離した状態で収容される場合に、上記材料同士の界面を上記基板が通過するときに上記基板との間に毛細管現象により進行方向後ろ側の上記材料が満たされるように設けられた、表面自由エネルギーが50mJ/m 2 以上の表面が親液性の部材をさらに有する請求項13記載のパターン形成装置。
- 凹部を形成する親液性の部分と撥液性の部分とを表面に有し、上記親液性の部分の表面自由エネルギーは50mJ/m 2 以上であり、上記撥液性の部分の表面自由エネルギーは30mJ/m 2 以下である基板上に流動性を有する材料を塗布する工程と、
上記材料が塗布された上記基板と表面自由エネルギーが50mJ/m 2 以上の表面が親液性の部材とを、この部材と上記材料とが互いに接触するように相対的に0.01mm/s以上1000mm/s以下の移動速度で移動させる工程とを有する電子応用装置の製造方法。 - 凹部を形成する親液性の部分と撥液性の部分とを表面に有し、上記親液性の部分の表面自由エネルギーは50mJ/m 2 以上であり、上記撥液性の部分の表面自由エネルギーは30mJ/m 2 以下である基板上に流動性を有する材料を塗布しながら、上記材料が塗布された上記基板と表面自由エネルギーが50mJ/m 2 以上の表面が親液性の部材とを、この部材と上記材料とが互いに接触するように相対的に0.01mm/s以上1000mm/s以下の移動速度で移動させる工程を有する電子応用装置の製造方法。
- 凹部を形成する親液性の部分と撥液性の部分とを表面に有し、上記親液性の部分の表面自由エネルギーは50mJ/m 2 以上であり、上記撥液性の部分の表面自由エネルギーは30mJ/m 2 以下である基板を、所定の容器に収容された流動性を有する材料中に浸漬する工程と、
上記基板を上記材料から0.01mm/s以上1000mm/s以下の移動速度で引き上げ、この際、上記基板が上記材料と外部空間との界面を通過するときに表面自由エネルギーが50mJ/m 2 以上の表面が親液性の部材と上記基板との間に毛細管現象により上記材料が満たされるようにする工程とを有する電子応用装置の製造方法。
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