JP2008192646A - 基板位置決め装置および基板位置決め方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】受光手段240からの出力信号と,予め設定された透光レベルと遮光レベルとのしきい値とを比較して,各受光画素の出力信号が透光レベルか遮光レベルかを判定した後,受光画素の配列順に透光レベルから遮光レベルに変化する境界を検出し,その変化後の遮光レベルが透明層Wgの周縁と不透明層Wsの周縁との間の距離に相当する受光画素数以上連続すると判断した場合にのみ,その境界の受光画素の位置を基板の周縁位置として検出し,さらに基板の全周にわたって基板の周縁位置の検出を行うことによって得られた基板の周縁形状に基づいて基板の位置決めを行う。
【選択図】図4
Description
装置を提供できる。
まず,本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成例について図面を参照しながら説明する。ここでは,搬送室に少なくとも1以上の真空処理ユニットが接続された基板処理装置を例に挙げて説明する。図1は本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図である。この基板処理装置100は,半導体デバイスを作製するための被処理基板例えばウエハWに対して成膜処理,エッチング処理等の各種の処理を行う1つまたは2つ以上の真空処理ユニット110と,この真空処理ユニット110に対してウエハWを搬出入させる搬送ユニット120とを備える。搬送ユニット120は,ウエハWを搬送する際に共用される搬送室130を有している。
次に,本実施形態にかかる基板処理装置100にて処理が施されるウエハWの構造について図面を参照しながら説明する。図2は,本実施形態にかかるウエハWの構造の一例を示している。図2に示すように,ウエハWは,ガラスウエハWgの表面にシリコンウエハWsを例えば接着剤を使って両者の中心が一致するように貼り合わせて構成されたものである。したがって,ウエハWは,ガラス層とシリコン層の2層構造を有することになる。例えばCMOSイメージセンサ等の実装向けプロセスにおいては,このような構造を有するウエハWから製造される。
このような位置決め装置200の具体的構成例について図面を参照しながら説明する。図3は,位置決め装置200の具体的な概略構成例を示す図である。図4は,ウエハWを構成するシリコンウエハWsの周縁部を位置決め装置200によって検出する原理を説明する図である。
次に,第1実施形態にかかる制御部180によるデータ処理について図面を参照しながら説明する。既に図4を参照しながら説明したように,制御部180は,受光部240から各画素素子に入射された光の強度に対応するアナログ信号を受け,これを2値化してディジタルデータを生成する。
次に,第1実施形態にかかる制御部180が上記のようなデータ解析処理を行った結果,取得できるウエハ周縁形状データについて図5と図6を参照しながら説明する。図5は,制御部180がディジタルデータに対して上記のような第1実施形態にかかるデータ解析処理を行わずに,従来どおりにウエハWを回転させながらウエハWの周縁部を検出することによって取得したウエハWの周縁形状データを示している。これに対して,図6は,制御部180が上記の本実施形態にかかるデータ解析処理を行って,ウエハWを回転させながらウエハWの周縁部としてシリコンウエハWsの周縁部のみを検出することによって取得したウエハWの周縁形状データを示している。図5と図6に示すグラフにおいて,横軸にはサンプリング点数(ウエハWの回転角度に対応)をとり,縦軸には受光部240を構成する複数の画素素子のうち制御部180によってウエハWの周縁部として検出された画素素子の位置情報(例えば画素素子のアドレス)をとっている。
次に,第2実施形態にかかる制御部180によるデータ処理について図面を参照しながら説明する。第1実施形態にかかる制御部180は,受光部240から各画素素子に入射された光の強度に対応するアナログ信号を受け,これを2値化してディジタルデータを生成した後,さらにこのディジタルデータに対して所定の解析処理を施すことによって,ウエハWの周縁部としてシリコンウエハWsの周縁部のみを検出するようにしている。
続いて,第3実施形態にかかる制御部180によるデータ処理について図面を参照しながら説明する。上記第1,第2実施形態にかかる制御部180は,受光部240から受信したアナログ信号を2値化してディジタルデータを生成した後,さらにこのディジタルデータに対して所定の解析処理を施すことによって,ウエハWの周縁部としてシリコンウエハWsの周縁部のみを検出するようにしている。第3実施形態にかかる制御部180は,その他の手法を用いてディジタルデータを解析して,ウエハWの周縁部としてシリコンウエハWsの周縁部のみを検出するように構成されている。以下,第3実施形態にかかる制御部180によるデータ解析について図4を参照しながら説明する。
110(110A,110B) 真空処理ユニット
120 搬送ユニット
130 搬送室
132(132A〜132C) カセット台
134(134A〜134C) カセット容器
136(136A〜136C) ゲートバルブ
140(140A,140B) 処理室
142(142A,142B) 載置台
150(150A,150B) ロードロック室
154(154A,154B) バッファ用載置台
156(156A,156B) バッファ用載置台
160 共通搬送機構
162 基台
170(170A,170B) 個別搬送機構
172(172A,172B) ピック
180 制御部
200 位置決め装置
210 回転載置台
212 駆動部
214 回転駆動軸
216 回転板
220 センサ部
230 発光部
232 発光素子
234 レンズ
240 受光部
250 光透過型センサ
F 面取り部
L 周縁
N ノッチ
W ウエハ
Wg ガラスウエハ
Ws シリコンウエハ
Claims (15)
- 光透過性の高い透明層と,前記透明層よりも外形が小さく光透過性の低い不透明層とを,前記透明層の周縁が全周にわたって前記不透明層の周縁から張り出すように重ね合わせた2重構造の基板の位置決めを行う基板位置決め装置であって,
前記基板を載置する載置台と,
前記載置台に載置された前記基板に対して,前記透明層の周縁と前記不透明層の周縁を含む前記基板の周縁に向けて光を発する発光手段と,
前記発光手段に対向して前記基板を挟むように配置され,前記基板の周縁よりも外側から前記基板の周縁よりも内側に向けて直線状に配列された複数の受光画素を有し,これら受光画素が受光した光強度に応じた信号を出力する受光手段と,
前記受光手段からの出力信号と予め設定されたしきい値とを比較して,前記各受光画素の出力信号が透光レベルか遮光レベルかを判定した後,前記受光画素の配列順に前記透光レベルから前記遮光レベルに変化する境界を検出し,その変化後の遮光レベルが前記透明層の周縁と前記不透明層の周縁との間の距離に相当する受光画素数以上連続すると判断した場合にのみ,その境界の受光画素の位置を前記基板の周縁位置として検出し,さらに前記基板の全周にわたって前記基板の周縁位置の検出を行うことによって得られた前記基板の周縁形状に基づいて前記基板の位置決めを行う制御部と,
を備えたことを特徴とする基板位置決め装置。 - 前記しきい値は,前記透明層の周縁を透過した光を受けた前記受光画素の出力信号が前記透光レベルと判定される値に予め設定されることを特徴とする請求項1に記載の基板位置決め装置。
- 光透過性の高い透明層と,前記透明層よりも外形が小さく光透過性の低い不透明層とを,前記透明層の周縁が全周にわたって前記不透明層の周縁から張り出すように重ね合わせた2重構造の基板の位置決めを行う基板位置決め装置であって,
前記基板を載置する載置台と,
前記載置台に載置された前記基板に対して,前記透明層の周縁と前記不透明層の周縁を含む前記基板の周縁に向けて光を発する発光手段と,
前記発光手段に対向して前記基板を挟むように配置され,前記基板の周縁よりも外側から前記基板の周縁よりも内側に向けて直線状に配列された複数の受光画素を有し,これら受光画素が受光した光強度に応じた信号を出力する受光手段と,
前記透明層の周縁を透過した光を受けた前記受光画素の出力信号が透光レベルと判定されるような値に予め設定されたしきい値と,前記受光手段からの出力信号とを比較して,前記各受光画素の出力信号が透光レベルか遮光レベルかを判定した後,前記受光画素の配列順に前記透光レベルから前記遮光レベルに変化する境界の受光画素の位置を前記基板の周縁位置として検出し,さらに前記基板の全周にわたって前記基板の周縁位置の検出を行うことによって得られた前記基板の周縁形状に基づいて前記基板の位置決めを行う制御部と,
を備えたことを特徴とする基板位置決め装置。 - 光透過性の高い透明層と,前記透明層よりも外形が小さく光透過性の低い不透明層とを,前記透明層の周縁が全周にわたって前記不透明層の周縁から張り出すように重ね合わせた2重構造の基板の位置決めを行う基板位置決め装置であって,
前記基板を載置する載置台と,
前記載置台に載置された前記基板に対して,前記透明層の周縁と前記不透明層の周縁を含む前記基板の周縁に向けて光を発する発光手段と,
前記発光手段に対向して前記基板を挟むように配置され,前記基板の周縁よりも外側から前記基板の周縁よりも内側に向けて直線状に配列された複数の受光画素を有し,これら受光画素が受光した光強度に応じた信号を出力する受光手段と,
前記受光手段からの出力信号と,予め設定されたしきい値とを比較して,前記各受光画素の出力信号が透光レベルか遮光レベルかを判定した後,前記受光画素の配列順に前記透光レベルから前記遮光レベルに変化する2番目の境界の受光画素の位置を前記基板の周縁位置として検出し,さらに前記基板の全周にわたって前記基板の周縁位置の検出を行うことによって得られた前記基板の周縁形状に基づいて前記基板の位置決めを行う制御部と,
を備えたことを特徴とする基板位置決め装置。 - 光透過性の高い透明層と,前記透明層よりも外形が小さく光透過性の低い不透明層とを,前記透明層の周縁が全周にわたって前記不透明層の周縁から張り出すように重ね合わせた2重構造の基板の位置決めを行う基板位置決め装置であって,
前記基板を載置する載置台と,
前記載置台に載置された前記基板に対して,前記透明層の周縁と前記不透明層の周縁を含む前記基板の周縁に向けて光を発する発光手段と,
前記発光手段に対向して前記基板を挟むように配置され,前記基板の周縁よりも外側から前記基板の周縁よりも内側に向けて直線状に配列された複数の受光画素を有し,これら受光画素が受光した光強度に応じた信号を出力する受光手段と,
前記受光手段からの出力信号と,予め設定されたしきい値とを比較して,前記各受光画素の出力信号が透光レベルか遮光レベルかを判定した後,前記受光画素の配列の逆順に前記遮光レベルから前記透光レベルに変化する最初の境界の受光画素の位置を前記基板の周縁位置として検出し,さらに前記基板の全周にわたって前記基板の周縁位置の検出を行うことによって得られた前記基板の周縁形状に基づいて前記基板の位置決めを行う制御部と,
を備えたことを特徴とする基板位置決め装置。 - 光透過性の高い略円板状の透明基板と,前記透明基板よりも外形が小さく光透過性の低い略円板状の不透明基板とを,前記透明基板の周縁が全周にわたって前記不透明基板の周縁から張り出すように重ね合わせた2重構造の基板の位置決めを行う基板位置決め装置であって,
前記基板を載置する回転載置台と,
前記回転載置台に載置された前記基板に対して,前記透明基板の周縁と前記不透明基板の周縁を含む前記基板の周縁に向けて光を発する発光手段と,
前記発光手段に対向して前記基板を挟むように配置され,前記基板の周縁よりも外側から前記基板の周縁よりも内側に向けて直線状に配列された複数の受光画素を有し,これら受光画素が受光した光強度に応じた信号を出力する受光手段と,
前記透明基板の周縁を透過した光を受けた前記受光画素の出力信号が透光レベルと判定されるような値に予め設定されたしきい値と,前記受光手段からの出力信号とを比較して,前記各受光画素の出力信号が透光レベルか遮光レベルかを判定した後,前記受光画素の配列順に前記透光レベルから前記遮光レベルに変化する境界を検出し,その変化後の遮光レベルが前記透明基板の周縁と前記不透明基板の周縁との間の距離に相当する受光画素数以上連続すると判断した場合にのみ,その境界の受光画素の位置を前記基板の周縁位置として検出し,さらに前記回転載置台によって前記基板を回転させながら前記基板の全周にわたって前記基板の周縁位置の検出を行うことによって得られた前記基板の周縁形状に基づいて前記基板の位置決めを行う制御部と,
を備えたことを特徴とする基板位置決め装置。 - 前記透明基板はガラス基板であり,前記不透明基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の基板位置決め装置。
- 前記制御部は,前記基板の周縁形状に基づいて前記基板の周縁に形成されている切欠マークを検出し,検出した切欠マークに基づいて前記基板の位置決めを行うことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の基板位置決め装置。
- 基板位置決め装置によって,光透過性の高い透明層と,前記透明層よりも外形が小さく光透過性の低い不透明層とを,前記透明層の周縁が全周にわたって前記不透明層の周縁から張り出すように重ね合わせた2重構造の基板の位置決めを行う基板位置決め方法であって,
前記基板位置決め装置は,
前記基板を載置する載置台と,
前記載置台に載置された前記基板に対して,前記透明層の周縁と前記不透明層の周縁を含む前記基板の周縁に向けて光を発する発光手段と,
前記発光手段に対向して前記基板を挟むように配置され,前記基板の周縁よりも外側から前記基板の周縁よりも内側に向けて直線状に配列された複数の受光画素を有し,これら受光画素が受光した光強度に応じた信号を出力する受光手段と,
を備え,
前記受光手段からの出力信号と,予め設定されたしきい値とを比較して,前記各受光画素の出力信号が透光レベルか遮光レベルかを判定した後,前記受光画素の配列順に前記透光レベルから前記遮光レベルに変化する境界を検出し,その変化後の遮光レベルが前記透明層の周縁と前記不透明層の周縁との間の距離に相当する受光画素数以上連続すると判断した場合にのみ,その境界の受光画素の位置を前記基板の周縁位置として検出し,さらに前記基板の全周にわたって前記基板の周縁位置の検出を行うことによって得られた前記基板の周縁形状に基づいて前記基板の位置決めを行うことを特徴とする基板位置決め方法。 - 前記しきい値は,前記透明層の周縁を透過した光を受けた前記受光画素の出力信号が前記透光レベルと判定される値に予め設定されることを特徴とする請求項9に記載の基板位置決め方法。
- 基板位置決め装置によって,光透過性の高い透明層と,前記透明層よりも外形が小さく光透過性の低い不透明層とを,前記透明層の周縁が全周にわたって前記不透明層の周縁から張り出すように重ね合わせた2重構造の基板の位置決めを行う基板位置決め方法であって,
前記基板位置決め装置は,
前記基板を載置する載置台と,
前記載置台に載置された前記基板に対して,前記透明層の周縁と前記不透明層の周縁を含む前記基板の周縁に向けて光を発する発光手段と,
前記発光手段に対向して前記基板を挟むように配置され,前記基板の周縁よりも外側から前記基板の周縁よりも内側に向けて直線状に配列された複数の受光画素を有し,これら受光画素が受光した光強度に応じた信号を出力する受光手段と,
を備え,
前記透明層の周縁を透過した光を受けた前記受光画素の出力信号が透光レベルと判定されるような値に予め設定されたしきい値と,前記受光手段からの出力信号とを比較して,前記各受光画素の出力信号が透光レベルか遮光レベルかを判定した後,前記受光画素の配列順に前記透光レベルから前記遮光レベルに変化する境界の受光画素の位置を前記基板の周縁位置として検出し,さらに前記基板の全周にわたって前記基板の周縁位置の検出を行うことによって得られた前記基板の周縁形状に基づいて前記基板の位置決めを行うことを特徴とする基板位置決め方法。 - 基板位置決め装置によって,光透過性の高い透明層と,前記透明層よりも外形が小さく光透過性の低い不透明層とを,前記透明層の周縁が全周にわたって前記不透明層の周縁から張り出すように重ね合わせた2重構造の基板の位置決めを行う基板位置決め方法であって,
前記基板位置決め装置は,
前記基板を載置する載置台と,
前記載置台に載置された前記基板に対して,前記透明層の周縁と前記不透明層の周縁を含む前記基板の周縁に向けて光を発する発光手段と,
前記発光手段に対向して前記基板を挟むように配置され,前記基板の周縁よりも外側から前記基板の周縁よりも内側に向けて直線状に配列された複数の受光画素を有し,これら受光画素が受光した光強度に応じた信号を出力する受光手段と,
を備え,
前記受光手段からの出力信号と,予め設定されたしきい値とを比較して,前記各受光画素の出力信号が透光レベルか遮光レベルかを判定した後,前記受光画素の配列順に前記透光レベルから前記遮光レベルに変化する2番目の境界の受光画素の位置を前記基板の周縁位置として検出し,さらに前記基板の全周にわたって前記基板の周縁位置の検出を行うことによって得られた前記基板の周縁形状に基づいて前記基板の位置決めを行うことを特徴とする基板位置決め方法。 - 基板位置決め装置によって,光透過性の高い透明層と,前記透明層よりも外形が小さく光透過性の低い不透明層とを,前記透明層の周縁が全周にわたって前記不透明層の周縁から張り出すように重ね合わせた2重構造の基板の位置決めを行う基板位置決め方法であって,
前記基板位置決め装置は,
前記基板を載置する載置台と,
前記載置台に載置された前記基板に対して,前記透明層の周縁と前記不透明層の周縁を含む前記基板の周縁に向けて光を発する発光手段と,
前記発光手段に対向して前記基板を挟むように配置され,前記基板の周縁よりも外側から前記基板の周縁よりも内側に向けて直線状に配列された複数の受光画素を有し,これら受光画素が受光した光強度に応じた信号を出力する受光手段と,
を備え,
前記受光手段からの出力信号と,予め設定されたしきい値とを比較して,前記各受光画素の出力信号が透光レベルか遮光レベルかを判定した後,前記受光画素の配列の逆順に前記遮光レベルから前記透光レベルに変化する最初の境界の受光画素の位置を前記基板の周縁位置として検出し,さらに前記基板の全周にわたって前記基板の周縁位置の検出を行うことによって得られた前記基板の周縁形状に基づいて前記基板の位置決めを行うことを特徴とする基板位置決め方法。 - 光透過性の高い透明層と,前記透明層よりも外形が小さく光透過性の低い不透明層とを,前記透明層の周縁が全周にわたって前記不透明層の周縁から張り出すように重ね合わせた2重構造の基板の位置決めを行う基板位置決め装置であって,
前記透明層の周縁と前記不透明層の周縁のうち前記不透明層の周縁のみを検出し,この検出結果に基づいて前記基板の位置決めを行うことを特徴とする基板位置決め装置。 - 前記基板の全周にわたって前記不透明層の周縁位置の検出を行うことによって得られた前記不透明層の周縁形状に基づいて前記不透明層の周縁に形成されている切欠マークを検出し,検出した切欠マークに基づいて前記基板の位置決めを行うことを特徴とする請求項14に記載の基板位置決め装置。
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