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  1. 光に応じて電流を出力する光センサ、及び、前記電流を電圧に変換する変換回路を有する検出回路と、
    前記検出回路から出力された電圧を増幅する増幅器と、
    前記増幅器から出力された電圧と、基準の電圧とを比較して結果を出力する比較回路と、
    前記比較回路からの出力によって、前記光の検出範囲を決定し、制御信号を前記検出回路へ出力する制御回路と、を有し、
    前記変換回路は、前記制御信号に従って抵抗値が変化することを特徴とする半導体装置。
  2. 光に応じて電流を出力する光センサ、及び、前記電流を電圧に変換する変換回路を有する検出回路と、
    前記検出回路から出力された電圧を増幅する増幅器と、
    前記増幅器から出力された電圧と、基準の電圧とを比較して結果を出力する比較回路と、
    前記比較回路からの出力によって、前記光の検出範囲を決定し、制御信号を前記検出回路へ出力する制御回路と、を有し、
    前記変換回路は、前記制御信号に従って抵抗値が変化する可変抵抗を有することを特徴とする半導体装置。
  3. 光に応じて電流を出力する光センサ、及び、前記電流を電圧に変換する変換回路を有する検出回路と、
    前記検出回路から出力された電圧を増幅する増幅器と、
    前記増幅器から出力された電圧と、基準の電圧とを比較して結果を出力する比較回路と、
    前記比較回路からの出力によって、前記光の検出範囲を決定し、制御信号を前記検出回路へ出力する制御回路と、を有し、
    前記変換回路は、異なる抵抗値を有する複数の抵抗、及び、スイッチを有し、
    前記スイッチは、前記制御信号に従い、前記複数の抵抗のうちの一と前記光センサとの電気的な接続を制御することを特徴とする半導体装置。
  4. 光に応じて電流を出力する光センサ、及び、前記電流を電圧に変換する変換回路を有する検出回路と、
    前記検出回路から出力された電圧を増幅する増幅器と、
    前記増幅器から出力された電圧と、基準の電圧とを比較して結果を出力する比較回路と、
    前記比較回路からの出力によって、前記光の検出範囲を決定し、制御信号を前記検出回路へ出力する制御回路と、を有し、
    前記変換回路は、異なる抵抗値を有する複数の抵抗、及び、前記複数の抵抗の各々に対応する複数のスイッチを有し、
    前記複数のスイッチは、前記制御信号に従い、各々が対応する前記抵抗と前記光センサとの電気的な接続を制御することで、前記複数の抵抗の０個又は１個以上と前記光センサとを電気的に直列接続することを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項４において、
    前記複数の抵抗のうち一の抵抗値は、他の一の抵抗値の２のべき乗倍であることを特徴とする半導体装置。
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